ESTRUCTURA ATOMICA

Los elementos están formados por partículas muy pequeñas,

llamadas átomos, que son indivisibles e indestructibles.

Todos los átomos de un elemento

tienen la misma masa atómica.

Los átomos se combinan en relaciones

sencillas para formar compuestos.

Los cuerpos compuestos están formados por átomos diferentes; las

propiedades del compuesto dependen del número y de la clase de
átomos que tenga.
 ESTRUCTURA ATOMICA ACTUAL
Niels Bohr propuso un modelo atómico basado en tres postulados:

En un átomo el electrón sólo puede tener ciertos

estados de movimiento definidos y estacionarios, en
cada uno de ellos tiene una energía fija y
determinada.

En cualquiera de esos estados, el electrón se

mueve describiendo órbitas circulares alrededor
del núcleo.

Un electrón puede saltar de una órbita a

otra absorbiendo ( si va hacia una órbita
más exterior) o emitiendo (en caso
contrario) un cuanto de radiación
electromagnética de energía igual a la
diferencia existente entre los estados de
partida y de llegada
 ESTRUCTURA ATOMICA
EL ATOMO es la partícula más pequeña de
un elemento que retiene las características
de éste.

Cada uno de los 109 elementos conocidos

tiene átomos que son diferentes de los de
todos los demás elementos; es decir, cada
elemento presenta una estructura atómica
única.

De acuerdo con el modelo de Bohr, los

átomos tienen una estructura de tipo
planetario que consta de un núcleo central
rodeado por electrones que describen
órbitas, como se ilustra en la figura.

El núcleo se compone de partículas cargadas

positivamente llamadas protones y partículas sin carga
llamadas neutrones. Las partículas básicas de carga
negativa se llaman electrones.
 ESTRUCTURA ATOMICA
El átomo más simple es el de hidrógeno y tiene un protón y un electrón, como
muestra la figura (a). El átomo de helio, que ilustra la figura (b), tiene dos protones
y dos neutrones en el núcleo y dos electrones en órbita alrededor del núcleo.

Número atómico
Es igual al número de protones en el núcleo, el cual es igual al número de
electrones en un átomo eléctricamente balanceado (neutro). Por ejemplo, el número
atómico del hidrogeno es 1 y el del helio es 2.

Capas y orbitas de los electrones

Los electrones giran alrededor del núcleo a ciertas distancias
Los electrones describen orbitas a distancias discretas del núcleo
 ESTRUCTURA ATOMICA
Niveles de Energía
Las orbitas se agrupan en bandas de energía conocidas como capas. Cada capa
contiene un numero fijo máximo de electrones a niveles de energía permisibles. Las
diferencias de los niveles de energía en una capa son mucho mas pequeñas que las
diferencias de energía entre capas.

Numero de electrones en cada capa

El número de electrones que puede existir en cada
capa se calcula con la siguiente formula:

Ne = 2n2 (donde n es el número de la capa)

.
El número máximo de electrones que puede existir en
la capa más interna (capa 1) es
Ne = 2n2 = 2(1)2 = 2
El número máximo de electrones que puede existir en
la segunda capa es
Ne = 2n2 = 2(2)2 = 2(4) = 8
El número máximo de electrones que puede existir en
la tercera capa es
Ne = 2n2 = 2(3)2 = 2(9) = 18
 ESTRUCTURA ATOMICA

Electrones de Valencia
En la capa mas externa de un átomo se conoce como la capa de valencia y los
electrones presentes en esta capa se llaman electrones de valencia.

Estos electrones de valencia contribuyen a las reacciones químicas y al enlace dentro

de la estructura de un material y determinan sus propiedades eléctricas.

Ionización
Si un átomo de valencia adquiere una cantidad suficiente de energía puede escapar
con facilidad de la capa externa y la influencia del átomo.

La partida de un electrón de valencia de un átomo previamente neutro deja al átomo

con carga positiva en exceso; a este proceso se le conoce como Ionización y al átomo
resultante como ION POSITIVO.

El electrón de valencia escapado se denomina ELECTRON LIBRE

En otro caso es posible que un átomo neutro sea capaz de capturar un electrón libre y
se forma un ION NEGATIVO
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
Aislantes
Material que no conduce la corriente eléctrica en condiciones normales; la mayoria de
los aislantes son materiales compuestos.

Los electrones de valencia están estrechamente enlazados a los átomos.

Conductores
Material que conduce corriente eléctrica fácilmente, la mayoría son materiales de un
solo elemento (cobre, plata, oro, aluminio) que se caracterizan por tener un solo
electrón en la capa de valencia, estos electrones se convierten fácilmente en
electrones libres.

Semiconductores
Son materiales que en su estado puro (Intrínseco) no son ni buenos conductores ni
buenos aislantes

Los semiconductores mas comunes son: Silicio, Germanio, Carbón, Arseniuro de galio
y Fosfuro de Indio.

Los semiconductores con un solo elemento se caracterizan por tener átomos con
cuatro electrones de valencia
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
Bandas de Energía

Como es difícil sacar un A 0 ºK los 4 electrones de cada A 300 ºK (27 ºC, temperatura
electrón de las bandas átomo están en la Banda de ambiente) o a mayor
inferiores, no nos Valencia (cada uno en un radio o temperatura, algún electrón
interesan las 2 bandas energía permitido). puede conseguir suficiente
inferiores, no las energía como para pasar a la
tendremos en cuenta, Banda de Conducción,
así tendríamos dejando así un hueco en la
Banda de Valencia.
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
Bandas de Energía

Los aislantes tienen una banda prohibida muy ancha y los electrones la atravesaran solo en
condiciones de ruptura (Tensiones altas)

Los semiconductores tienen una banda prohibida angosta, algunos electrones pueden pasar ala
banda de conducción (Electrones libres)

En los conductores no existe banda prohibida incluso las bandas de conducción y valencia se
traslapan.
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
COMPARACION DE ATOMOS SEMICONDUCTOR Y CONDUCTOR

El electrón de valencia del Cobre siente una fuerza de atracción de +1

Un electrón de valencia del Silicio siente una fuerza de atracción de +4

El electrón de valencia del Cu, esta a mayor distancia que un electrón de valencia del Si.

El electrón de valencia del Cu tiene mas energía que un electrón de valencia del Si.
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
COMPARACIÓN SILICIO GERMANIO

Los electrones de valencia del germanio

 Como sabemos existen materiales capaces de
conducir la corriente eléctrica mejor que otros.
Generalizando, se dice que los materiales que
presentan poca resistencia al paso de la corriente
eléctrica son conductores. Analógicamente, los
que ofrecen mucha resistencia al paso de esta,
son llamados aislantes. No existe el aislante
perfecto y prácticamente tampoco el conductor
perfecto.
 Existe un tercer grupo de materiales
denominados semiconductores que, como su
nombre lo indica, conducen la corriente bajo
ciertas condiciones.
 Lo que diferencia a cada grupo es su estructura
atómica. Los conductores son, generalmente,
metales esto se debe a que dichos poseen pocos
átomos en sus últimas órbitas y, por lo tanto,
tienen tendencia a perderlos con facilidad. De
esta forma, cuando varios átomos de un metal,
se acercan los electrones de su última órbita se
desprenden y circulan desordenadamente entre
una verdadera red de átomos. Este hecho
(libertad de los electrones) favorece en gran
medida el paso de la corriente eléctrica.
 Los aislantes, en cambio, están formados por
átomos con muchos electrones en sus
últimas órbitas (cinco a ocho), por lo que, no
tienen tendencia a perderlos fácilmente y a
no establecer una corriente de electrones. De
ahí su alta resistencia.
 También existe otro tercer tipo de materiales,
que cambia en mayor o menor medida la
característica de los anteriores, los
semiconductores. Su característica principal es la
de conducir la corriente sólo bajo determinadas
circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.

 Es, precisamente, en este tipo de materiales en

los que la electrónica de estado sólida está
basada. La estructura atómica de dichos
materiales presenta una característica común:
está formada por átomos tetravalentes (es decir,
con cuatro electrones en su última órbita), por lo
que les es fácil ganar cuatro o perder cuatro.
 Los semiconductores son aquellos elementos
perteneciente al grupo IV de la Tabla
Periódica (Silicio, Germanio, etc.
Generalmente a estos se le introducen
átomos de otros elementos, denominados
impurezas, de forma que la corriente se deba
primordialmente a los electrones o a los
huecos, dependiendo de la impureza
introducida.
 La capa más externa con electrones es la
capa de valencia y es determinante para las
propiedades eléctricas y químicas de los
elementos.
 Un electrón en la capa de valencia tiene una
energía de la banda de valencia (Ev)
 Para que el electrón escape de la atracción
del núcleo, es necesario que adquiera una
energía mínima (Eg) para situarse en la banda
de conducción (Ec).
 En un buen aislante, las bandas de valencia y de
conducción están muy separadas. Por tanto, para
liberar pocos electrones que contribuyan a la
conducción se necesita gran cantidad de energía. Por
ejemplo, el diamante con Eg ≈ 6 eV.

 En un buen conductor, a la temperatura ambiente, las

bandas de valencia y de conducción se solapan. Por
tanto, se necesita muy poca energía para mantener
corrientes eléctricas bastante intensas.

 Los semiconductores se caracterizan por tener una Eg

≈ 1 eV. Siendo, 1 eV = qV = (1.602x10-19 C). (1 V.) =
1.602x10-19 J.
 Silicio: Eg = 1.21 eV
 Germanio: Eg = 0’785 eV
 Silicio: (14 electrones)
 1s2 2s2p6 3s2p2
 La capa de valencia en los materiales
semiconductores están incompletas, deben
de ganar o perder 4 electrones.
 Cuando dos átomos de silicio están
próximos, la fuerza de enlace entre átomos
vecinos hace que cada electrón de valencia
sea compatible por uno de sus cuatro vecinos
más próximos. ENLACE COVALENTE.
 Estos cuatro electrones se encuentran
formando uniones covalentes con otros
átomos vecinos para así formal un cristal, que
es la forma que se los encuentra en la
naturaleza.
 A temperatura ambiente, algunos enlaces covalentes se rompen
debido al suministro de energía térmica al cristal, y es posible la
conducción.

 Cada enlace covalente roto crea un par electrón-hueco, el

electrón con carga negativa y el hueco con carga positiva
(portadores)

 Cuando aparece un hueco, el electrón de valencia del átomo

vecino deja su enlace covalente y llena el hueco, esto produce un
nuevo hueco. Así, el hueco se mueve efectivamente en dirección
contraria al electrón. (campo eléctrico)

 En un semiconductor puro (intrínseco), el número de huecos (p)

es igual al número de electrones libres (n) (n=p=ni=pi)

 ni, pi son las concentraciones intrínsecas de portadores

 Semiconductores.
 La magnitud de la banda prohibida es pequeña (
1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son
aislantes, pero conforme aumenta la temperatura
algunos electrones van alcanzando niveles de
energía dentro de la banda de conducción,
aumentando la conductividad. Otra forma de
aumentar la conductividad es añadiendo
impurezas que habiliten niveles de energía
dentro de la banda prohibida.
 El germanio y el silicio son semiconductores.
 Se denomina semiconductor puro o intrínseco
aquél en que los átomos que lo constituyen son
todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio),
es decir no tiene ninguna clase de impureza.
 Si a un semiconductor puro como el silicio o el
germanio, se le añade una pequeña cantidad de
átomos distintos (por ejemplo arsénico, fósforo,
etc). Se transforma en un semiconductor impuro
o extrínseco.
 A las impurezas se las clasifica en donadoras y
aceptadoras.
 Las impurezas difundidas que cuentan con
cinco electrones de valencia se denominan
átomos donadores (material tipo n).

 Las impurezas difundidas que cuentan con

tres electrones de valencia se denominan
átomos aceptadores (material tipo p).
Impureza de Antimonio en un Impureza de Boro en un
material tipo n. material tipo p.
 Ahora, bien para aumentar la conducción de
cualquier semiconductor se recurre a un
proceso denominado "dopado" o
"envenenamiento". El objeto del mencionado
proceso es el del aumentar la cantidad de
portadores libres en el cristal provocando un
aumento en la conductividad del mismo
(recordar que la corriente es el flujo de
portadores)
 El dopado del cristal es realizado con átomos
trivalentes (con tres electrones en su última
órbita) o pentavalentes (con cinco). Esta elección
no es resultado de un proceso azaroso sino que
uno u otro tipo de átomo aumentará a su vez la
presencia de uno u otro tipo de portador. ¿Cómo
es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene
cuatro electrones en su última órbita que se
combinan a su vez con otros átomos para formar
un cristal. Al introducir un átomo penta o
trivalente en dicho cristal, se provocará un
aumento o un defecto de electrones que hará
aumentar la cantidad portadores.
 Si se introduce un átomo pentavalente (P, Sb, As)
en un cristal puro, cuatro de sus electrones se
unirán a cuatro electrones de los átomos de
silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin
formar parte de ninguna unión, por lo que está
débilmente ligado al átomo: Este electrón libre,
requerirá muy poca energía para "saltar" a la
banda de conducción. La energía térmica del
ambiente basta para provocar este salto. De esta
forma al agregar átomos pentavalentes
agregamos electrones en la banda de
conducción, es decir, agregamos portadores.
 De la misma forma, podemos dopar al cristal con
átomos trivalentes (como el boro, el Alumnio, el
Galio, etc), esto provocará un exceso de electrones en
el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la última
órbita del Silicio se combinan con los tres electrones
del anterior átomo. Esto trae como consecuencia la
generación de un espacio sin electrones, que tendrá
carga positiva, es decir, esto generará un hueco.
 De esta forma podemos controlar de manera casi
definida, a través del dopado, la cantidad de
electrones o huecos que existen en un cristal. A este
tipo de cristal se le denomina extrínseco, ya que fue
modificado por elementos exteriores
 Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico
se unirán a los correspondientes electrones de los
cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará
inicialmente libre, sin una posible unión, y por tanto
se convertirá en un portador de corriente. A este tipo
de impurezas que entregan electrones portadores
(negativos) se los denomina donadores o del tipo «n».
 En un semiconductor con impurezas del tipo n, no
sólo aumenta el número de electrones sino que
también la cantidad de huecos disminuye por debajo
del que tenía el semiconductor puro.
 La causa de esta disminución se debe a que una parte
de los electrones libres llena algunos de los huecos
existentes.
 Si al semiconductor puro de silicio se le añade
algún tipo de impureza que tenga tres electrones
externos, solo podrá formar tres uniones
completas con los átomos de silicio, y la unión
incompleta dará lugar a un hueco.
 Este tipo de impurezas proporcionan entonces
portadores positivos, ya que crean huecos que
pueden aceptar electrones; por consiguiente son
conocidos con el nombre de aceptores, o
impurezas del tipo «p». Al contrario de lo que
sucedía antes en el tipo n en un semiconductor
con impurezas de tipo p los portadores que
disminuyen son los electrones en comparación,
con los que tenía el semiconductor puro.
 A los semiconductores que contengan ya sea
impurezas donadoras o aceptad se les llama
respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor
del tipo n, los electrones se denominan portadores
mayoritarios y los huecos portadores minoritarios.
 En un material de tipo p, los huecos son portadores
mayoritarios, y los electrones portadores
minoritarios.
 Veamos ahora, qué ocurre si a un cristal extrínseco le
conectamos una fuente externa de tensión. Al existir
mayor cantidad de portadores (no importa de qué
tipo), circulará por el cristal una corriente mucho
mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente
dependerá de que tan contaminado esté el material.
 El efecto del hueco sobre la conductividad se
muestra en la siguiente figura. Si un electrón de
valencia adquiere suficiente energía para romper
su enlace covalente y llena el vacio creado por un
hueco, entonces, una vacante o hueco se creara
en el enlace covalente que libero al electrón. Por
lo tanto existirá una transferencia de huecos
hacia la izquierda y de electrones hacia la
derecha. La dirección que se utilizará es la del
flujo convencional, la cual se indica por la
dirección del flujo de huecos.
Flujo de electrones versus flujo
de huecos.
 En el estado intrínseco, el numero de electrones
libres en el Ge o en el Si se debe únicamente a
los pocos electrones en la banda de valencia que
adquirieron energía de fuentes térmicas o
luminosas suficiente para romper el enlace
covalente, o a las escasas impurezas que no se
pudieron eliminar.
 En un material tipo n, el electrón se denomina
portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.
 Para un material tipo p, el numero de huecos
sobrepasa por mucho al numero de electrones
por lo tanto en un material tipo p el hueco es el
portador mayoritario y el electrón es el portador
minoritario.
 Los materiales tipo p y tipo n representan los
componentes básicos de construcción para
los dispositivos semiconductores.
 TIPOS DE SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR TIPO N

Electrón libre (de Conducción)
proveniente de un átomo de Sb
DOPADO
La conductividad en un
semiconductor se
incrementa mediante la
adición controlada de
impurezas al material
semiconductor
intrínseco (puro)

Para incrementar el número de electrones de banda de conducción del silicio

intrínseco se agregan átomos de impureza pentavalente. Estos son átomos
de cinco electrones de valencia tales como arsénico (As), fosforo (P),
bismuto (Bi) y antimonio (Sb).
 TIPOS DE SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTOR TIPO N

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

Los electrones se conocen como portadores mayoritarios en los

materiales tipo n .

Tambien existen algunos huecos que se crean cuando térmicamente

se generan pares electrón-hueco.

Los huecos en un material tipo n reciben el nombre de portadores

minoritarios.
 TIPOS DE SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR TIPO P

El numero de huecos se
controla con el número
de átomos de impureza
trivalente agregado al
Si.

Un hueco creado por

este proceso de dopado
no esta acompañado por
un electrón libre.

Para incrementar el número de huecos en el silicio intrínseco se agregan

átomos de impureza trivalente. Estos son átomos de tres electrones de
valencia tales como boro (B), indio (In) y galio (Ga).
 TIPOS DE SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTOR TIPO P

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

Los huecos se conocen como portadores mayoritarios en los

materiales tipo p.

También existen algunos electrones en la banda de conducción

que se crean cuando térmicamente se generan pares electrón-
hueco.

Los electrones de la banda de conducción en un material tipo p

reciben el nombre de portadores minoritarios.