6.

7 Características del láser de inyección

Al considerar el uso del láser de inyección para comunicaciones de fibra óptica, es necesario para
conocer algunas de sus características que pueden afectar su funcionamiento eficiente.

Las siguientes secciones describen las principales características operativas del dispositivo que
generalmente se aplican a todos los diversos materiales y estructuras discutidos anteriormente,
aunque existe una variación sustancial en el comportamiento entre ellos.

6.7.1 Dependencia de temperatura actual umbral

La Figura 6.38 muestra la variación en el corriente umbral con la temperatura para dos láseres de
inyección guiados por ganancia. Ambos dispositivos tenían anchuras de banda de aproximadamente
20 μm, pero se fabricaron a partir de diferentes sistemas de materiales para su emisión a longitudes
de onda de 0,85 μm y 1,55 μm (dispositivos AlGaAs e InGaAsP, respectivamente).

En términos generales, el corriente umbral tiende a aumentar con la temperatura, siendo la

dependencia de la temperatura de la densidad de corriente umbral Jth aproximadamente
exponencial para la mayoría de las estructuras comunes. Está dado por:

FORMULA 6.43

Donde T es la temperatura absoluta del dispositivo y T0 es el coeficiente de temperatura umbral que

es una temperatura característica que describe la calidad del material, pero que también se ve
afectada por la estructura del dispositivo. Para los dispositivos AlGaAs, T0 suele estar en el rango de
120 a 190 K, mientras que para los dispositivos InGaAsP es de entre 40 y 75 K.
El aumento de la corriente de umbral con la temperatura para los dispositivos AlGaAs puede
explicarse con una precisión razonable teniendo en cuenta el aumento de la dispersión de energía de
los electrones y los agujeros inyectados en las bandas de conducción y valencia. Parece que las
propiedades físicas intrínsecas del sistema material InGaAsP pueden causar su mayor sensibilidad a
la temperatura; estos incluyen la recombinación de Auger, la absorción de banda de intervalo y los
efectos de fuga del portador sobre las heterouniones.

La recombinación de Auger es un proceso en el que la energía liberada durante la recombinación de

un evento de orificio de electrones se transfiere a otro portador (es decir, un electrón u orificio).
Durante este proceso, cuando un portador se excita a un nivel de energía más alto, pierde su energía
excedente al emitir un fonón para mantener el equilibrio térmico. La recombinación de Auger no es
un proceso único sino que consiste en muchos procesos diferentes (más de 80), cada uno de los
cuales puede implicar al menos tres partículas (es decir, dos electrones y un agujero, o un electrón y
dos agujeros, etc.). Aunque la recombinación de Auger no es el principal mecanismo de pérdida a
temperatura ambiente, domina, sin embargo, a densidades de corriente umbral elevadas.

Estos efectos adversos se pueden reducir utilizando una estructura de MQW filtrada para el láser. La
tensión, que puede ser compresiva o extensible (es decir, flexión o estiramiento), modifica los niveles
de energía de la banda de valencia del material y, por lo tanto, se puede usar para mejorar la fuerza
de transición (es decir, aumentar la energía). Se incorpora a las capas delgadas de los pozos cuánticos
al introducir pequeñas diferencias en las constantes de la red. Sin embargo, debe evitarse una mayor
tensión, ya que puede causar daños en las capas finas de pozos cuánticos. Además, la fuga del
portador también contribuye significativamente a altas temperaturas, ya que representa todos los
procesos que evitan que los portadores se recombinen. Por lo tanto, la fuga del portador aumenta el
umbral de emisión y, por lo tanto, reduce la eficacia del dispositivo.
La dependencia incrementada de la temperatura para el sistema de materiales InGaAsP / InP también
es mostrado por las estructuras de dispositivo más avanzadas y estabilizadas en modo. La Figura 6.39
proporciona la salida de luz contra la característica de corriente a varias temperaturas del dispositivo
para un láser de inyección DCPBH fuertemente guiado por índice que emite a una longitud de onda
de 1.55 μm. Además, la característica similar para un láser DFB BH se muestra en la figura 6.33 (b).
Por lo tanto, es necesario prestar una atención sustancial a la disipación térmica para proporcionar
disposiciones eficientes de disipación de calor para conseguir corrientes de funcionamiento bajas.
Además, la necesidad de minimizar o eliminar la degradación de la resistencia térmica asociada con
la unión de soldadura en tales dispositivos (un efecto que podría, en cierta medida, ser tolerado con
láseres de inyección GaAs) también se ha vuelto críticamente importante. En todos los casos, sin
embargo, un hundimiento de calor adecuado junto con la consideración del entorno de trabajo es
esenciales para que los dispositivos funcionen de manera confiable en el rango de corriente
anticipado.

6.7.2 Respuesta dinámica

El comportamiento dinámico del láser de inyección es crítico, especialmente cuando se usa en

sistemas de comunicación de fibra óptica de alta velocidad de bits (banda ancha). La aplicación de un
paso actual al dispositivo da como resultado un retardo de encendido, seguido a menudo por
oscilaciones amortiguadas de alta frecuencia conocidas como oscilaciones de relajación (RO). Estos
fenómenos transitorios ocurren mientras que las poblaciones de electrones y fotones dentro de la
estructura entran en equilibrio y se ilustran en la Figura 6.40.
Además, cuando un pulso de corriente alcanza un láser que tiene una capacidad parásita significativa
después del tiempo de retardo inicial, el pulso se ampliará porque la capacitancia proporciona una
fuente de corriente durante el período cuando la densidad del fotón es alta. En consecuencia, la salida
del láser de inyección puede comprender varios pulsos a medida que la densidad de electrones se
acumula repetidamente y se reduce rápidamente, causando RO. El retardo de conexión td puede
durar 0,5 ns y el RO tal vez el doble de ese período. A velocidades de datos superiores a 100 Mbit s-
1, este comportamiento puede producir un deterioro grave en forma de pulso Por lo tanto, reducir
td y amortiguar las oscilaciones de relajación es muy deseable.

El retraso de encendido o encendido es causado por la acumulación inicial de densidad de fotones

resultante de la emisión estimulada. Se relaciona con la vida útil del portador minoritario y la
corriente a través del dispositivo. El término actual, y por lo tanto el retardo de encendido, puede
reducirse polarizando el límite cercano al láser. Sin embargo, la amortiguación de las RO es menos
directa. Son fenómenos láser básicos que varían según la estructura del dispositivo y las condiciones
de operación; sin embargo, se ha observado la amortiguación de RO y se cree que se debe a varios
mecanismos, incluida la difusión del portador lateral, la alimentación de la emisión espontánea en el
modo láser y gana no linealidades.

Figura 6.40 El comportamiento dinámico de un láser de inyección y la corriente de inyección

correspondiente del dispositivo que muestra las oscilaciones de relajación y el retraso de encendido.
Los láseres DH y todos los dispositivos estabilizados en modo dan amortiguación RO, pero tiende a
coincidir con un aumento relativamente lento de la potencia de salida.

Se cree que esto es el resultado de la difusión del portador lateral debido a la falta de confinamiento
del portador lateral. Sin embargo, parece que la amortiguación RO y la respuesta rápida pueden
obtenerse en estructuras BH con anchuras de franja menores que la longitud de difusión del portador
(es decir, menos de 3 μm) [Ref. 85]. Además, (este fenómeno se ha empleado dentro de un sistema
de transmisión digital polarizando el umbral cercano al láser y luego usando un único RO como un bit
"uno".

6.7.3 Chirrido de frecuencia

El d.c. la modulación de un solo láser semiconductor de modo longitudinal puede provocar un

desplazamiento dinámico de la longitud de onda máxima emitida desde el dispositivo [Ref. 87]. Este
fenómeno, que da como resultado un ensanchamiento dinámico del ancho de línea bajo la
modulación directa de la corriente de inyección, se denomina fluctuación de frecuencia.

Surge de las variaciones inducidas por la ganancia en el índice de refracción del láser debido al fuerte
acoplamiento entre la densidad del portador libre y el índice de refracción que está presente en
cualquier estructura de semiconductor. Por lo tanto, incluso pequeños cambios en la densidad del
portador, aparte de producir oscilaciones de relajación en la salida del dispositivo, también darán
como resultado un desplazamiento de fase del campo óptico, dando un cambio asociado en la
frecuencia de resonancia dentro de ambas estructuras láser Fabry-Pérot y DFB.
El ensanchamiento del ancho de línea del láser o el piar combinado con las características de
dispersión cromática de las fibras monomodo pueden causar una degradación significativa del
rendimiento dentro de los sistemas de alta velocidad de transmisión. En particular, puede dar como
resultado un cambio en la longitud de onda operativa desde la longitud de onda de dispersión nula
de la fibra, lo que en última instancia puede limitar el rendimiento del sistema alcanzable. Por
ejemplo, las predicciones teóricas [Ref. 89] del desplazamiento de la longitud de onda que puede
ocurrir con un láser InGaAsP bajo modulación de algunos gigabits por segundo son alrededor de 0.05
nm

Se pueden emplear varias técnicas para reducir el chirrido de frecuencia. Un enfoque es desviar el
láser suficientemente por encima del umbral de modo que la corriente de modulación no impulse el
dispositivo por debajo del umbral donde la velocidad de cambio de la potencia de salida óptica varía
rápidamente con el tiempo. Desafortunadamente, esta estrategia da una penalización de relación de
extinción del orden de varios decibelios en el receptor. Otro método implica la amortiguación de las
oscilaciones de relajación que pueden producirse al encender y apagar, lo que da como resultado
grandes fluctuaciones de potencia. Esto se ha logrado, por ejemplo, formando los impulsos de
accionamiento eléctrico.

Ciertas estructuras de dispositivo también resultan ventajosas para la reducción de chirp. En

particular, los láseres de pozo cuántico, los láseres DFB desafinados con longitud de onda de Bragg y
los láseres DFB multielectrodos proporcionan un mejor rendimiento bajo d.c. modulación en relación
con el chirrido de frecuencia. Tales láseres, sin embargo, requieren procesos de fabricación
complejos. Una técnica alternativa que ha demostrado ser efectiva para minimizar los efectos del
chirrido es permitir que el láser emita continuamente e imprimir los datos en la portadora óptica
utilizando un modulador externo. Tales dispositivos, que pueden ser componentes separados
basados en niobato de litio o pueden integrarse monolíticamente con el láser.

En los láseres de semiconductor se puede usar un enfoque directo para obtener un funcionamiento
de chirp reducido al garantizar que los dispositivos tengan valores pequeños del factor de mejora del
ancho de línea que también se conoce como el parámetro α (ver Sección 6.10). Este parámetro
determina la variación del índice de refracción debido al acoplamiento de la emisión espontánea en
el modo láser.

Los valores típicos del parámetro α para los láseres de semiconductor varían de 2 a 8, mientras que
para los láseres moduladores QD y de electroabsorción pueden obtenerse valores menores de menos
de 1 o incluso valores negativos. Además, se dice que el chirrido es negativo cuando se emplea un
valor negativo del parámetro α, mientras que se hace referencia a una señal óptica con chirp cero
como una señal chirpless.

Generalmente se requieren propiedades de fuente óptica sin chirrido o negativo para lograr
velocidades de transmisión muy altas (es decir, 40 Gbit s-1 y superiores) cuando se usa fibra
monomodo estándar que funciona a una longitud de onda de 1,55 μm.

Es importante medir con precisión los valores del chirrido de frecuencia para determinar un control
de dispersión eficiente para la señal óptica. Los métodos útiles que pueden emplearse para medir el
valor del parámetro α utilizan enfoques de retroalimentación óptica o interferométrica.
En tales técnicas, la modulación de frecuencia se convierte en modulación de amplitud para
determinar el chirrido sobre la señal óptica. Sobre la base de este principio, se han desarrollado varias
herramientas de software de simulación comercial para equipos optoelectrónicos tales como
analizadores de espectro óptico para predecir los valores precisos para el chirrido en la señal de
salida. Estos métodos se conocen como técnicas de medición chirp de resolución temporal (TRC) y
proporcionan una medición bit por bit del chirrido de láser instantáneo dependiente del patrón.

El proceso de medición para adquirir TRC es relativamente sencillo ya que utiliza la conversión de
modulación de fase a modulación de amplitud utilizando un interferómetro Mach-Zehnder basado
en fibra. Dichas técnicas de medición de TRC proporcionan una precisión moderada para el chirrido
usando diferentes esquemas de modulación y, por lo tanto, pueden usarse tanto para láseres
modulados directamente como modulados externamente. Por lo tanto, es posible predecir el chirrido
de la señal si se requiere introducir un chirrido antes de que se lance a la fibra óptica (es decir, previo
al chirrido) o después de la detección de la señal (es decir, después del chirrido). En el caso de WDM,
las técnicas previas al piar pueden no ser efectivas ya que la corta duración del pulso utilizada a altas
velocidades de transmisión requiere un gran espaciado de frecuencia entre los canales y, por lo tanto,
se requiere ancho de banda amplio. Además, cuando una señal de ancho de banda amplio viaja a
través de un amplificador óptico, aumenta el ruido de emisión espontánea amplificada.
Alternativamente, las técnicas previas al chirrido, cuando se usan con un chirrido positivo del
transmisor, aumentan sustancialmente el alcance máximo de la señal óptica al reducir los efectos de
dispersión en fibra monomodo estándar a una longitud de onda de 1,55 μm.

6.7.4 Ruido

Otra característica importante del funcionamiento del láser de inyección implica el comportamiento
de ruido del dispositivo. Este es especialmente el caso cuando se considera la transmisión analógica.
Las fuentes de ruido son:

(a) ruido de fase o frecuencia;

(b) inestabilidades en operación tales como dobleces en la salida de luz contra la característica actual
y auto-pulsación;
(c) reflejo de la luz en el dispositivo;
(d) ruido de paón de modo.
Es posible reducir, si no eliminar, (b), (c) y (d) utilizando dispositivos estabilizados en modo y
aisladores ópticos. Sin embargo, el ruido de fase es una propiedad intrínseca de todos los tipos de
láser. Es el resultado de las discretas y aleatorias transiciones espontáneas o simuladas que causan
fluctuaciones de intensidad en la emisión óptica y son un aspecto inevitable del funcionamiento del
láser.Cada evento causa un salto repentino (de magnitud y signo aleatorios) en la fase del campo
electromagnético generado por el dispositivo. Se ha observado que la densidad espectral de esta fase
o ruido de frecuencia tiene una característica representada por 1 / f a l / f 2 hasta una frecuencia (f)
de alrededor de 1 MHz, como se ilustra en la Figura 6.41

En frecuencias superiores a 1 MHz, el espectro de ruido es plano o blanco y está asociado a

fluctuaciones cuánticas que son la principal causa del ensanchamiento del ancho de línea dentro de
los láseres semiconductores.

Aunque los componentes de baja frecuencia pueden rastrearse fácilmente y por lo tanto no son un
problema significativo en las comunicaciones de fibra óptica, este no es el caso para el componente
de ruido blanco donde, a medida que pasa el tiempo, la fase se aleja aleatoriamente del alor tenido
en ausencia de emisión espontánea.

Para láseres de inyección que funcionan a frecuencias inferiores a 100 MHz niveles de ruido cuántico
generalmente son bajos (relaciones señal-ruido inferiores a -80 dB) a menos que el dispositivo esté
sesgado dentro del 100% del umbral. En esta región, el espectro de ruido es plano. Sin embargo, para
sistemas de banda ancha cuando el láser está operando por encima del umbral, el ruido cuántico se
vuelve más pronunciado.

Este es especialmente el caso de los dispositivos multimodo (relación señal / ruido de alrededor de -
60 dB). El mayor nivel de ruido parecería ser el resultado de un pico en el espectro de ruido debido a
una resonancia de relajación que típicamente ocurre entre 200 MHz y 1 GHz. Los láseres monomodo
han demostrado una mayor inmunidad al ruido hasta en 30 dB cuando la corriente se eleva por
encima del umbral.

Sin embargo, el desplazamiento de la fase determina tanto el ancho de línea del láser como el tiempo
de coherencia, que son consideraciones importantes, particularmente dentro de comunicaciones de
fibra óptica coherentes. Fluctuaciones en la amplitud o intensidad de la salida de la inyección de
semiconductores los láseres también conducen al ruido de intensidad óptica. Estas fluctuaciones
pueden ser causadas por la temperatura. Figura 6.41 Característica espectral que muestra el ruido
de fase del láser de inyección variaciones o, como alternativa, son el resultado de la emisión
espontánea contenida en la salida del láser, como se mencionó anteriormente. Las fluctuaciones de
intensidad aleatoria crean una fuente de ruido denominada ruido de intensidad relativa (RIN), que
puede definirse en términos de la fluctuación media de potencia cuadrada y la potencia óptica media
al cuadrado (Ge) 2 que se emite desde el dispositivo siguiente:
La definición anterior permite que el RIN se mida en dB Hz-1 donde la fluctuación de potencia se
escribe. Donde SRIN (f) se relaciona con la densidad espectral de potencia del ruido de intensidad
relativa SRIN (ω). Donde ω = 2πf. Por lo tanto, de la ecuación, el RIN como una fluctuación de potencia
relativa sobre un ancho de banda B que se define como 1 Hz

Cabe señalar que el espectro RIN no es plano y, por lo tanto, no se puede considerar como una fuente
de ruido blanco. Sin embargo, para simplificar los análisis del presupuesto del enlace, se supone que
el valor RIN permanece constante solo cuando el ancho de banda B está limitado a 1 Hz como se
identificó en la ecuación. Los valores típicos para el RIN disminuyen exponencialmente de -130 a -
160 dB Hz-1 cuando la corriente de inyección permanece dentro del rango de 30 a 40 mA sin
realimentación óptica. Un VCSEL puede mostrar un valor RIN entre -140 y -145 dB Hz-1 mientras que
el rendimiento mejorado para los láseres DFB con operación CW puede obtenerse con valores
ligeramente más altos de RIN en el rango -150 a -160 dB Hz-1. Sin embargo, cuando un láser de
semiconductor está polarizado cerca del umbral con realimentación óptica, se esperan niveles bajos
de RIN y en este caso los dispositivos de Fabry-Pérot típicamente exhiben valores entre -125 y -130
dB Hz-1. Finalmente, también se debe observar que el ruido de intensidad relativa disminuye a
medida que el nivel de corriente de inyección I aumenta siguiendo la relación:

Donde Ith es la corriente del umbral del láser. Cuando un campo óptico a una frecuencia f es incidente
con potencia Po (t) en un fotodetector cuya eficiencia cuántica (electrones por fotón) es η, la salida
fotocorriente Ip (t ) es:

Donde e es la carga en un electrón y h es la constante de Planck. Por lo tanto, una fluctuación de

potencia óptica δ Po (t) causará una componente de corriente fluctuante δ Ip (t) = ηeδ Po (t) / hf que
exhibe un valor cuadrado. Ahora, considerando la fluctuación en la potencia óptica incidente en el
detector para resultar desde el RIN en la emisión del láser, utilizando las ecuaciones (6.44) y (6.47), y
la transposición de Pe para Po, la corriente de ruido cuadrático medio en la salida del detector debido
a estas fluctuaciones es:
La retroalimentación óptica de reflejos externos no deseados también puede afectar la intensidad y
la estabilidad de frecuencia de los láseres de semiconductores. Con los láseres multimodo, sin
embargo, este efecto se reduce porque los reflejos se distribuyen entre muchos modos de fibra y,
por lo tanto, solo se acoplan débilmente al modo láser. El acoplamiento más fuerte de fibra a láser
en los sistemas monomodo, en particular los que funcionan a 1.55 μm, puede dar lugar a saltos de
frecuencia inducidos por la reflexión y al ensanchamiento del ancho de línea. En estos casos, puede
ser necesario un aislador óptico, que es un dispositivo no recíproco que permite que la luz pase hacia
adelante pero lo atenúe fuertemente en la dirección inversa para proporcionar un funcionamiento
confiable de modo único.

El ruido de partición de modo es un fenómeno que ocurre en los láseres semiconductores multimodo
cuando los modos no están bien estabilizados. Incluso cuando la potencia de salida total de un láser
se mantiene casi constante, los cambios de temperatura pueden hacer que las intensidades relativas
de los diversos modos longitudinales en el espectro de salida del láser varíen considerablemente de
un pulso al siguiente, como se ilustra en la Figura 6.42. Estas fluctuaciones espectrales combinadas
con la dispersión de fibra producen una distorsión aleatoria de pulsos recibidos en un canal digital, lo
que provoca un aumento en la tasa de error de bit. Como el ruido de la partición del modo es una
función de las fluctuaciones espectrales del láser, entonces un número reducido de modos da como
resultado una menor dispersión del ancho del pulso, proporcionando así valores bajos de dispersión
intermodal en la fibra. Por lo tanto, como regla general, la reducción del número de modos en la fibra
multimodo disminuye el ruido de partición de modo

El ruido de la partición de modo también puede ocurrir en dispositivos monomodo como resultado
de los modos laterales residuales en el espectro de salida del láser. El efecto varía entre los láseres
que emiten a 1,3 μm y los que funcionan a 1,55 μm pero, en general, se requiere un grado de
supresión del modo lateral en ambos casos para evitar errores adicionales en el receptor. Finalmente,
se han identificado varios métodos para reducir el ruido de partición de modo, incluido el uso de
láseres bloqueados en modo de inyección y amplificadores ópticos semiconductores.

6.7.5 Salto de modo

El espectro de salida de modo longitudinal único de un láser monomodo se ilustra en

Figura 6.43 (a). El modo de salto a una longitud de onda más larga a medida que la corriente aumenta
por encima del umbral se demuestra por comparación con el espectro de salida que se muestra en
la figura 6.43 (b).

Este comportamiento ocurre en todos los láseres de inyección monomodo y es una consecuencia del
aumento de la temperatura de la unión del dispositivo. La transición (saltos) de un modo a otro no
es una función continua de la corriente del variador, sino que ocurre repentinamente en solo 1 a 2
mA.

El modo de salto altera la salida de luz contra las características actuales del láser, y es responsable
de los dobleces observados en las características de muchos dispositivos de modo único. Entre los
saltos, el modo tiende a cambiar ligeramente con una temperatura en el rango de 0.05 a 0.08 nm K-
1. La estabilización contra saltos en modo y cambio de modo se puede obtener con un adecuado
hundimiento de calor o enfriamiento termoeléctrico. Sin embargo, a la temperatura constante del
disipador de calor, los cambios debidos a los aumentos térmicos solo pueden controlarse
completamente mediante el uso de retroalimentación de estructuras de rejillas externas o internas.
Más recientemente, se han propuesto rejillas de fibra Bragg para proporcionar dicho control y un
dispositivo integrado de láser de cavidad externa que incorpora esta estructura ha demostrado la
supresión del salto de modo cuando funciona en el intervalo de temperatura de 16 a 56 ° C.

6.7.6 Fiabilidad

La confiabilidad del dispositivo ha sido un problema importante con los láseres de inyección y, aunque
se ha estudiado ampliamente, no todos los aspectos de los mecanismos de falla se entienden
completamente. Sin embargo, se ha avanzado mucho desde los primeros días cuando la vida útil de
los dispositivos era muy corta (unas pocas horas).
El comportamiento de degradación puede separarse en dos procesos principales conocidos como
degradación "catastrófica" y "gradual". La degradación catastrófica es el resultado del daño mecánico
de las facetas del espejo y conduce a una falla parcial o completa del láser. Es causada por la densidad
de flujo óptico promedio dentro de la estructura en la faceta y, por lo tanto, puede estar limitada al
usar el dispositivo en modo pulsado. Sin embargo, su aparición puede restringir severamente la
operación (a bajos niveles de potencia óptica) y la vida útil de los dispositivos CW.

Los mecanismos graduales de degradación se pueden separar en dos categorías que son:

(a) formación de defectos en la región activa; y (b) degradación de las uniones confinadoras de
corriente.

Estas degradaciones normalmente se caracterizan por un aumento en el umbral corriente para el

láser que a menudo va acompañada de una disminución en su eficiencia cuántica externa.

La formación de defectos en la región activa se puede promover mediante la alta densidad de los
agujeros de recombinación dentro del dispositivo. El daño interno puede ser causado por la energía
liberada, lo que da como resultado la posible presencia de tensión y gradientes térmicos por estos
procesos de recombinación de portadores no radiantes. Por lo tanto, si se produce una
recombinación no radiactiva de los agujeros de electrones, por ejemplo en la superficie dañada de
un láser en el que se ha hecho rugoso, esto acelera la difusión de los defectos puntuales en la región
activa del dispositivo. Las características de emisión de la región activa se deterioran gradualmente a
través de la acumulación de defectos puntuales hasta que el dispositivo deja de ser útil. Estas
estructuras de defecto generalmente se observan como defectos de punto oscuro (DSD).

Las impurezas móviles formadas por el proceso de precipitación, como oxígeno, cobre o átomos
intersticiales de berilio o zinc también pueden desplazarse a la región activa del láser.

Estos átomos tienden a agruparse alrededor de las dislocaciones existentes fomentando la alta
absorción local de fotones. Esto causa líneas oscuras en el espectro de salida del dispositivo que son
un problema importante asociado con la degradación gradual. Tales estructuras de defecto se
conocen normalmente como defectos de líneas oscuras (DLD). Se han observado tanto DLD como
DSD en láseres AlGaAs envejecidos, así como en láseres InGaAsP. La degradación de las uniones
confinadoras de corriente ocurre en muchas estructuras láser guiadas por índice que utilizan capas
de restricción de corriente para que la mayor parte de la corriente inyectada fluya a través de la
región activa. Por ejemplo, la corriente que fluye fuera de la región activa en los láseres BH se conoce
como corriente de fuga. Por lo tanto, un modo de degradación que está asociado con esta estructura
de láser es un aumento en la corriente de fuga que aumenta el umbral del dispositivo y disminuye la
eficiencia cuántica diferencial externa con el envejecimiento.

En los últimos años, las técnicas han evolucionado para reducir, si no eliminar, la introducción de
defectos, particularmente en la región activa del láser de inyección. Estos incluyen el uso de sustratos
con bajas densidades de dislocación (es decir, menos de 10-3 cm-2), pasivando las facetas del espejo
para evitar efectos relacionados con la superficie y montaje con soldaduras blandas para evitar la
tensión externa. Junto con las mejoras en el crecimiento del cristal, la fabricación del dispositivo y la
selección del material, esto ha llevado a los láseres de inyección CW con una vida útil promedio
reportada de más de 106 horas o más de 100 años.
Estas proyecciones han sido reportadas para una variedad de estructuras láser GaAs / AlGaAs. En la
región de longitud de onda más larga donde las técnicas no eran tan avanzadas, las vidas extrapoladas
informadas anteriormente para los láseres CW InGaAsP fueron de alrededor de 105 horas. Sin
embargo, posteriormente, se han probado los láseres InGaAsP e InGaAlAs que emiten a 1,3 μm que
muestran vidas medias estimadas estadísticamente superiores a 106 horas a temperaturas de
funcionamiento de 85 ° C. Además, los láseres DFB que emiten a 1.55 μm sujetos a envejecimiento
acelerado a una temperatura de 60 ° C han demostrado características de envejecimiento estables
durante más de 2000 horas de tiempo de operación.