Вы находитесь на странице: 1из 5

Физика твердого тела, 2019, том 61, вып.

02,13
Метод расчета критического тока неоднородных
сверхпроводящих пленок
© П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, К.А. Дмитриева, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН,
Москва, Россия
E-mail: tsvetkov@sci.lebedev.ru
(Поступила в Редакцию 20 августа 2018 г.)
Предложен метод расчета критического тока неоднородной сверхпроводящей пленки (пластины) при
различных значениях внешнего магнитного поля. Изменение сверхпроводящих свойств задается путем варьи-
рования значений длины когерентности и лондоновской глубины проникновения по толщине. При этом длина
когерентности максимальна в центре пластины и убывает при приближении к ее границам, а лондоновская
глубина, наоборот, достигает минимума в центре пластины и возрастает при приближении к ее границам.
В рамках предложенного подхода проведены расчеты и сравнение зависимостей критического тока от
внешнего магнитного поля для двух случаев: неоднородного и однородного распределений сверхпроводящих
свойств по толщине пленки. Установлено, что при неоднородном распределении сверхпроводящих свойств
значения критического тока пластины больше, чем при однородном случае при таких же значениях внешнего
магнитного поля. Это связано с тем, что параметр порядка перераспределяется в неоднородной пластине по
толщине таким образом, что сверхпроводящее состояние становится более устойчивым к влиянию тока и
магнитного поля. Показано, что безвихревое мейснеровское состояние в неоднородных пленках сохраняется
при более высоких полях по сравнению с однородными пленками. При этом, чем больше неоднородность
пленки, тем мейснеровское состояние устойчивее к влиянию внешнего магнитного поля.
DOI: 10.21883/FTT.2019.02.47119.239

1. Введение Ранее в рамках теории Гинзбурга−Ландау (ГЛ) было


проведено теоретическое исследование свойств сверх-
Тонкие сверхпроводящие пленки (пластины) неред- проводящих пленок [2–4]. Согласно полученным резуль-
ко являются объектами исследования фундаментальных татам, для пластин толщиной меньше или порядка дли-
свойств сверхпроводящих материалов [1]. Информацию, ны когерентности ξ влияние границы на их сверхпрово-
касающуюся микроскопической структуры сверхпровод- дящие свойства существенно. Аналитические формулы,
ника, можно получить с помощью измерений его мак- описывающие сверхпроводящее состояние тонких пле-
роскопических параметров (таких как проводимость, нок, как правило, выведены для случая пленки толщиной
теплоемкость, намагниченность). При этом величины много меньше как ξ, так и лондоновской глубины про-
параметров, в частности критических, сверхпроводящих никновения магнитного поля λ. Для изучения свойств
пленок отличаются от значений для объемного материа- пленок толщиной порядка ξ и λ были использованы
ла. Свойства пленок во многом определяются границами численные методы.
раздела между материалом подложки и сверхпровод- В рамках настоящей работы предложен алгоритм
ником, а также между сверхпроводником и внешней описания свойств сверхпроводящих пластин, который
средой. Для описания фундаментальных свойств мате- принимает в расчет неоднородность сверхпроводящих
риала, не зависящих от геометрической формы образца, свойств по их толщине. Используя данный метод, бы-
необходимы модели, описывающие объект как совокуп- ли рассчитаны и проанализированы зависимости кри-
ность его объемных и геометрических свойств. Осо- тического тока от магнитного поля, параллельного
бенностью тонких пленок является неоднородность их поверхности.
свойств (если не принять специальных мер), в том числе
сверхпроводящих, по толщине. Например, подложка и 2. Описание модели
сама пленка обладают различными периодами решетки,
что приводит к наличию переходного слоя между ними. Расчет критического тока сверхпроводящих пленок
Длина свободного пробега электронов в этом слое осуществлялся численными методами в рамках теории
меньше, чем в объеме сверхпроводника. Если пленка ГЛ. В данном случае рассматривалась длинная и ши-
достаточно тонкая, параметры ее решетки, а также дру- рокая сверхпроводящая пластина толщиной D (длина
гие свойства могут отличаться от свойств материала, из и ширина много больше D) в магнитном поле H,
которого сделана пленка. Поэтому модели для описания параллельном ее поверхности. Используется декартова
реальных сверхпроводящих пленок должны учитывать система координат (x, y, z ) с осями y и z , направ-
неоднородность свойств по их толщине. ленными параллельно плоскости поверхности пленки,

234
Метод расчета критического тока неоднородных сверхпроводящих пленок 235

причем ось z направлена параллельно внешнему маг- 6


нитному полю, а транспортный ток течет вдоль оси y.
Используя обычный метод выбора калибровки вектор- 5 lC (1 + h/4)
потенциала А, можно записать уравнения ГЛ в следую-
щем виде: 4

l(x); x(x)
2 2
d ψ U l(x) lC
+ (ψ − ψ 3 ) − 2 ψ = 0, (1) 3
dx 2ξ κ xC (1 – h/4)
2
d U ψ 2 2
− 2 U = 0, (2) xC x(x)
2
dx ξ κ
1
где κ = λ/ξ — параметр ГЛ, ψ — нормированный
параметр порядка: ψ = 9/90 , здесь 90 — параметр по- 0 0.5 1.0 1.5 2.0
рядка в объеме сверхпроводника при нулевом внешнем x
магнитном поле. При этом векторный потенциал име- Рис. 1. Модельное распределение длины когерентности ξ(x)
ет лишь y-компоненту, A = ey A(x). Вместо размерных и лондоновской глубины проникновения магнитного поля λ(x)
значений потенциала A, индукции поля B и плотности по толщине сверхпроводящей пластины на примере пленки с
тока j s в сверхпроводнике здесь введены безразмерные толщиной d = 2.
величины U(x ξ ), b(x ξ ) и j(x ξ ):
φ0 φ0 cφ0
A= U, B= b, jS = j, когерентности от длины свободного пробега электронов
2πκξ 2πκξ 2 8π 2 κ 3 ξ 3
в сверхпроводнике. Предполагается, что эта длина и, как
где φ0 — квант потока. следствие, длина когерентности максимальны в центре
Для уравнения (1) использовались обычные гранич- сверхпроводящей пленки и уменьшаются при приближе-
ные условия нии к ее границам. Зависимость (6) в первом прибли-
dψ жении и учитывает эту особенность свойств реальных
= 0,
dx ξ x ξ =0 сверхпроводящих пленок. Распределение глубины про-
dψ никновения магнитного поля λ(x) определяется исходя
= 0, (3) из требования в рамках грязного“ предела постоянства
dx ξ x ξ =d ”
где x ξ = x/ξ и d = D/ξ. Поскольку транспортный ток I t произведения λξ по толщине пленки. В случае малого
в пластине создает магнитное поле значения параметра η для λ также получается квадра-
тичная зависимость от x

HI =It , (4)  2
c λC  x 1 
λ(x) = 2 ≈ λC 1 + η − , (7)
d 2

полное поле вблизи поверхностей пластины рав- x
1−η d − 2 1
но H ± H I , и граничные условия к уравнению (2) имеют
следующий вид: где λC — значение лондоновской глубины проникнове-
b|x ξ =0 = h − hl , b|x ξ =d = h + hI , ния в центре пластины.
При этом глубина проникновения магнитного поля,
где наоборот, достигает минимума (равна λC ) в центре и
H HI φ0
h= , hI = , Hξ = . (5) возрастает при приближении к ее границам. На границах
Hξ Hξ 2πκ 2 ξ 2 пленки значения λ и ξ равны λC (1 + η/4) и ξC (1 − η/4)
При необходимости исследования температурной за- соответственно. Таким образом, η — параметр, харак-
висимости критического тока I c (T ), температура может теризующий отличие длины когерентности и лондонов-
быть учтена в модели через ее связь с λ и ξ. Поскольку ской глубины в центре пленки и на ее границах. Если
исследование I c (T ) выходит за рамки данной работы, η = 0, то выражения (6), (7) принимают вид λ = λC и
считается, что все расчеты проводятся при некоторой ξ = ξC , что соответствует случаю однородной пленки.
фиксированной температуре, близкой к критической Tc . Отметим, что все приведенные ниже значения длины и
Для учета изменения сверхпроводящих свойств по толщины представлены в единицах ξC .
толщине пластины вводятся зависимости λ(x) и ξ(x) Применялась следующая итерационная процедура на-
(рис. 1). В рамках модели применяется квадратичный хождения самосогласованных решений системы уравне-
закон изменения длины когерентности по координате x ний (1), (2). Первоначально задавалась некоторая проб-
  2  ная функция параметра порядка ψ(x ξ ) и находилось
x 1
ξ(x) = ξC 1 − η − , (6) решение уравнения (2) для функции U(x ξ ). Найден-
d 2 ная U(x ξ ) подставлялась затем в уравнение (1), и,
где ξC — значение длины когерентности в центре с учетом граничных условий (3), находилась новая
пластины. Такой закон объясняется зависимостью длины функция ψ(x ξ ). Далее вновь решалось уравнение (2), и

Физика твердого тела, 2019, том 61, вып. 2


236 П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, К.А. Дмитриева, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков

0.7 0.4
a h=2 b
0.6 d=2 d=1
0.5 0.3
h=1
0.4
IC

IC
0.2
0.3
h=1 h=0
0.2
0.1
0.1 h=2
h=0
0 0
0 25 50 75 100 125 150 0 20 40 60 80 100
h h
Рис. 2. Зависимости критического тока I c от внешнего магнитного поля h для пластин различной толщины: (а) d = 2 и (b) d = 1.
Расчеты проведены для случаев однородного (η = 0) и неоднородного (η = 1 и η = 2) распределения сверхпроводящих свойств
по толщине пластины.

вся процедура повторялась, пока функции ψ(x ξ ) и U(x ξ ) увеличению критического тока при каждом значении
не переставали меняться и, таким образом, представ- внешнего магнитного поля относительно случая одно-
ляли собой самосогласованное решение системы урав- родного распределения сверхпроводящих свойств. При
нений. Найденное таким методом решение устойчиво, этом, чем тоньше пленка, тем сильнее относительное
поскольку оно не меняется при малых первоначальных увеличение критического тока (сравните рис. 2, а и 2, b).
возмущениях. Значение критического тока I c сверх- На рис. 3, a приведены примеры распределения пара-
проводящей пластины принималось равным значению метра порядка ψ по толщине сверхпроводящей пластины
транспортного тока I t , при котором параметр порядка толщиной d = 2 при различных значениях внешнего
становился равным нулю по всей толщине пластины, магнитного поля h. На рисунке представлено сравнение
ψ(x ξ ) = 0. Данным методом находились зависимости распределения ψ по толщине для случаев неоднородной
критического тока I c от внешнего магнитного поля h. (η = 1) и однородной пластины. При относительно сла-
Отметим, что значения магнитного поля представлены бых магнитных полях (h = 1) реализуется мейснеров-
в единицах H ξC (5) с параметром ξC вместо длины ское состояние. При этом параметр порядка в неодно-
когерентности ξ. Значения силы тока в рамках модели родной пластине имеет меньшее значение в ее середине
представляются через H I (4) и поэтому так же как и и большее на краях относительно случая однородной
магнитное поле, выражены в единицах H ξC . пластины. Такое перераспределение параметра порядка
связано с тем, что параметр ГЛ κ возрастает при
приближении к границе пластины, и, таким образом,
3. Результаты численных расчетов сверхпроводящее состояние на ее приграничных слоях
более устойчиво к подавлению током или магнитным
Примеры зависимостей критического тока I c от внеш- полем, чем в центральной части. Это, в свою очередь,
него магнитного поля h для пластин различной толщины приводит к тому, что параметру порядку энергетически
(d = 2 и d = 1) представлены на рис. 2 (а, b). Пунктир- выгодно увеличиться у границ пленки и уменьшиться в
ной линией обозначены зависимости, соответствующие ее центре. Таким образом, экранирующая способность
случаю однородного распределения сверхпроводящих неоднородной пластины возрастает, и ее сверхпроводя-
свойств по толщине пленки (η = 0). Сплошная линия щее состояние в целом более устойчиво к влиянию тока
соответствует учету неоднородности сверхпроводящих или магнитного поля. Это является причиной увеличе-
свойств по толщине пластины (η = 1 и η = 2). Рас- ния значения критического тока неоднородной пластины
четы для однородной пленки проведены при значении в мейснеровском состоянии. При больших полях (h = 20
параметра ГЛ κ = 3.82. Такая величина соответствует и h = 25) реализуется состояние, когда распределение
ниобию (Nb), при этом его ξ(0) равна 12.3 nm [5], а λ(0) параметра порядка ψ(x) имеет следующий вид: его
составляет 47 nm [6]. В случае неоднородной пленки в значение на одной из границ значительно отличается
центре пластины принимается κ = λC /ξC = 3.82, а при от значения на другой границе, при этом максимум
приближении к ее границам параметр ГЛ κ возрастает в параметра порядка достигается не около центра пласти-
соответствии с видом зависимостей λ(x) и ξ(x) (6), (7) ны, а около одной из ее границ. Данное состояние для
(см. также рис. 1). Согласно рис. 2, неоднородное случая неоднородной пластины имеет большее значение
распределение сверхпроводящих свойств, заданное ви- параметра порядка в каждой точке пластины, чем для
дом λ(x) и ξ(x) (6), (7), в пленке приводит к заметному однородной пластины при таких же условиях (внешнее

Физика твердого тела, 2019, том 61, вып. 2


Метод расчета критического тока неоднородных сверхпроводящих пленок 237

1.0 1.0
a d = 4; h = 10 b
0.8 0.8 h=1
h=1

0.6 0.6 h = 0.5


h = 25
y

y
h = 20
0.4 0.4 h=0

0.2 0.2
d=2
0 0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 0 1 2 3 4
x x
1.0 1.0
d = 4; h = 11 c d = 4; h = 10 d
0.8 0.8 h=1
h=1 h=0
0.6 0.6 h = 0.5
y

0.4 0.4
h = 0.5
0.2 0.2
h=0
0 0
0 1 2 3 4 0 1 2 3 4
x x
Рис. 3. Распределения параметра порядка ψ по толщине сверхпроводящей пластины при различных значениях внешнего
магнитного поля h. Расчет проведен для пластин толщиной d = 2 (a) и d = 4 (b−d) для случаев однородного (η = 0, штриховая
линия) и неоднородного (η = 1, сплошная линия и η = 0.5, пунктирная линия) распределений сверхпроводящих свойств по
толщине пластины. Расчет осуществлен при транспортном токе I t = 0.9I c (a) и I t = 0 (b−d).

0.7 40
d=2 a d=2 b
0.6
0.5 30
h=1
0.4
It = 0.1
hc
Ic

h = 10 20
0.3 It = 0.2
0.2 It = 0.3
10
0.1 h = 20
h = 25
0 0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0
h h
Рис. 4. Зависимости критического тока I c (a) и критического магнитного поля hc (b) от коэффициента η, характеризующего
степень неоднородности пленки, для пластины толщиной d = 2.

магнитное поле, транспортный ток) и таким образом порядка ψ(x): симметричные и аcимметричные. Симмет-
более устойчиво к подавлению транспортным током и ричные решения соответствуют мейснеровскому состо-
магнитным полем. янию, а асимметричные — вихревому состоянию [2,4].
При отсутствии транспортного тока (I t = 0) систе- На рис. 3 b−d представлены распределения параметра
ма уравнений (1), (2) при заданных граничных усло- порядка ψ(x), рассчитанные для однородной и неодно-
виях (3), (5) имеет два вида решений для параметра родной (η = 0.5 и η = 1) пластины. Распределения по-

Физика твердого тела, 2019, том 61, вып. 2


238 П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, К.А. Дмитриева, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков

лучены при различных значениях внешнего магнитного больше и, как следствие, сверхпроводимость в неодно-
поля h и при отсутствии транспортного тока (I t = 0). родной пластине более устойчива к подавлению током
Перестройка параметра порядка ψ(x) из вида, соответ- и магнитным полем. При этом, перегрев мейснеров-
ствующего мейснеровскому состоянию, в вид, соответ- ского состояния неоднородной пластины сохраняется
ствующий вихревому состоянию в случае неоднородной при больших полях, чем в однородной пластине. Таким
пластины происходит при бо́льших значениях внешнего образом, установлено, что чем неоднородность пластины
магнитного поля h, чем для однородного случая. При больше, тем более устойчиво мейснеровское состояние
этом, чем степень неоднородности выше (чем больше η), в ней к подавлению магнитным полем;
тем при бо́льших полях разрушается мейснеровское — показано, что значения критического тока и кри-
состояние, то есть безвихревое мейснеровское состоя- тического магнитного поля при каждом конкретном
ние сохраняется для неоднородных пластин в больших значении внешнего магнитного поля и транспортного
магнитных полях. тока, соответственно, возрастают при увеличении η.
На рис. 4 представлены зависимости I c (η) (а)
и hc (η) (b), рассчитанные при различных значениях Список литературы
внешнего магнитного поля h и транспортного тока I t
соответственно. Значения критического тока I c и кри- [1] Jie Yong, S. Lee, J. Jiang, C.W. Bark, J.D. Weiss, E.E. Hellstrom,
тического магнитного поля hc при каждом конкретном D.C. Larbalestier, C.B. Eom, T.R. Lemberger. Phys. Rev. B 83,
значении внешнего магнитного поля h и транспортного 104510 (2011).
тока I t возрастают при увеличении η. Результаты рас- [2] П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цвет-
ков. Краткие сообщения по физике ФИАН 6, 3 (2014).
четов показывают, что зависимости критического тока
[3] П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цвет-
от внешнего магнитного поля для тонких сверхпрово- ков. Краткие сообщения по физике ФИАН 12, 26 (2014).
дящих пленок сохраняют качественный вид при учете [4] П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цвет-
их неоднородности по толщине. При этом количествен- ков. ФТТ 57, 1277 (2015).
но значения критического тока ощутимо изменяются. [5] J.D. McCambridge. PHD dissertation The superconducting

В заключение стоит отметить, что рассчитанный кри- properties of Niobium-Titanium alloy multilayers“. Yale
тический ток является оценкой сверху для реального University (1995). P. 66.
критического тока тонких сверхпроводящих пленок. При [6] В.В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников.
этом данная величина дает представление о поведении МЦНМО, M. (2000). С. 36.
других термодинамических величин, например, критиче- Редактор Ю.К. Китаев
ского магнитного поля.

4. Заключение

Результаты нашей работы показывают, что численное


решение уравнений ГЛ дает дополнительные возможно-
сти исследования критического состояния сверхпроводя-
щих пластин. В частности, численные методы позволяют
изучать влияние неоднородности пластины на ее сверх-
проводящие свойства. Основные результаты данной ра-
боты можно сформулировать следующим образом:
— предложен подход к моделированию критических
параметров тонких сверхпроводящих пленок, учитыва-
ющий неоднородность сверхпроводящих свойств по их
толщине;
— в рамках предложенного подхода проведен расчет
зависимостей критического тока от внешнего магнитно-
го поля для пластин различной толщины. Установлено,
что при заданных модельных распределениях глубины
проникновения λ и длины когерентности ξ (6), (7) зна-
чения критического тока больше, чем для однородной
сверхпроводящей пластины;
— проанализировано распределение параметра поряд-
ка ψ по толщине пластины для случаев неоднородного
и однородного распределений сверхпроводящих свойств.
Показано, что параметр порядка неоднородной пластины

Физика твердого тела, 2019, том 61, вып. 2