Вы находитесь на странице: 1из 7

Физика твердого тела, 2015, том 57, вып.

02,13
Исследование свойств сверхпроводящих пластин толщиной
порядка длины когерентности ξ в рамках
теории Гинзбурга−Ландау
© П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН,
Москва, Россия
E-mail: bezpi@sci.lebedev.ru, lykov@lebedev.ru
(Поступила в Редакцию 10 сентября 2014 г.
В окончательной редакции 28 декабря 2014 г.)
Свойства сверхпроводящих пластин толщиной порядка длины когерентности ξ исследованы путем
решения численными методами системы одномерных уравнений Гинзбурга−Ландау. При решении уравнений
были использованы граничные условия общего вида на параметр порядка, что позволяет учесть влияние
границ пластины на ее сверхпроводящие свойства. Проанализировано поведение критического тока и
критического магнитного поля в зависимости от внешних параметров. Показано, что учет влияния границы
при расчетах приводит к результатам, лучше согласующимся с экспериментальными данными.
Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект № 14-08-31278) и Учебно-научного комплекса ФИАН.

1. Введение свободной энергии, и оно имеет вид

Теория Гинзбурга−Ландау (ГЛ) [1] имеет большое


 2ei  1
n −∇ + A 9 s = 9s , (1)
значение для изучения электромагнитных свойств сверх- c~ 3
проводящих структур. Практически сразу после своего где e — заряд электрона, c — скорость света в вакууме,
появления применение теории ГЛ дало результат для ~ — постоянная Планка, 3 — феноменологический
описания и объяснения смешанного состояния сверхпро- коэффициент размерности длины, иногда называемый
водников [2]. Теория ГЛ позволяет анализировать свой- длиной экстраполяции (коэффициент 3 определяется
ства сверхпроводящего состояния объектов различной свойствами материала, с которым граничит сверхпро-
геометрии [3–24]. Развитие компьютерной техники обес- водник). В работах [28–31] аналитически исследовано
печивает возможность находить численными методами влияние граничных условий общего вида на сверхпро-
решения системы уравнений ГЛ для ряда сверхпроводя- водящие свойства образцов и показано, что такое усло-
щих систем [7–20], что позволяет лучше понять процес- вие приводит к уменьшению критической температуры
сы, происходящие в реальных структурах из сверхпро- тонких сверхпроводящих пленок.
водящих материалов. Кроме того, численное решение В случае обычных низкотемпературных сверхпровод-
уравнений теории ГЛ может быть весьма полезно для ников для их границы с диэлектриком справедливо
предложения новых [20] и совершенствования уже суще- условие вида
ствующих методов и подходов к определению парамет-  
ров сверхпроводящих структур. Одним из направлений 2ei
n −∇ + A 9 s = 0, (2)
развития численного моделирования в рамках теории c~
ГЛ является учет влияния границы на сверхпроводящие которое, как правило, используется в аналитических и
свойства структур конечного размера, таких как тонкие численных расчетах. Для ВТСП 3 принимает конечные
пленки и пластины [19,20]. Вопрос выбора граничных значения [25], и при расчетах для таких сверхпроводни-
условий имеет особое значение для таких объектов, ков необходимо использовать граничные условия общего
поскольку их свойства во многом зависят от свойств вида (1).
их границ. Большое внимание уделялось исследованию Нами изучались свойства сверхпроводящей пластины
сверхпроводников конечных размеров различной геомет- толщиной порядка длины когерентности ξ. Внешнее
рии с помощью решения уравнений ГЛ [13–24]. Выбор магнитное поле было направлено параллельно поверх-
граничных условий также важен при решении уравнений ности пленки, а транспортный ток — перпендикулярно
ГЛ в случае высокотемпературных сверхпроводников направлению внешнего магнитного поля. В этом случае
(ВТСП), в том числе обладающих слоистой структу- задача становится одномерной. Отметим, что даже в
рой [25–27]. рамках одномерной задачи возможно получение реше-
Граничное условие общего вида на параметр порядка ний, соответствующих наличию вихрей в пленке [6],
(9) было получено в [25] исходя из принципа минимума поэтому в рамках настоящей работы, в частности, нами

1277
1278 П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков

были рассмотрены случаи, когда пленка находится в Для уравнения (3) выберем граничные условия в виде
смешанном состоянии. Считалось, что критический ток
dψ ψ(0)
эквивалентен току распаривания. На основе такого под- = ,
dx ξ x ξ =0
3
хода были получены и проанализированы зависимости
критического тока I c (его плотности) от величины
dψ ψ(d)
внешнего магнитного поля, температуры и толщины =− , (6)
dx ξ x ξ =d
3
пластины; зависимости критического магнитного поля
H c от температуры и толщины пластины, а также где x ξ = x/ξ и d = D/ξ. Отметим, что 3 = ∞ соот-
распределение параметра порядка по толщине пластины. ветствует обычно используемым граничным условиям.
При этом учитывалось влияние границы путем исполь- Поскольку транспортный ток I t в пластине создает
зования различных значений длины экстраполяции 3. магнитное поле

HI = It,
c
2. Формулировка задачи полное поле вблизи поверхностей пластины равно
H ± H I , и граничные условия к уравнению (4) имеют
Ранее мы уже подробно описывали постановку за- вид
дачи [19,20]. В рамках настоящей работы численными b x =0 = h − hI , b x =d = h + hI ,
ξ ξ

методами решались уравнения ГЛ для случая длинной и где


широкой сверхпроводящей пластины толщиной D в маг- H HI φ0
h= , hI = , Hξ = .
нитном поле H. Задача рассматривалась в декартовой си- Hξ Hξ 2πk 2 ξ 2
стеме координат (x, y, z ) с осями y и z , направленными Глубина проникновения магнитного поля λ и дли-
параллельно плоскости поверхности пластины, причем на когерентности ξ зависят от температуры, поэтому
ось z направлена параллельно внешнему магнитному приведенные выражения являются неявными функция-
полю, а транспортный ток течет вдоль оси y. На основе ми температуры и формально справедливы при любой
самосогласованного решения системы уравнений ГЛ температуре T . Однако сами уравнения ГЛ применимы
находились значения критического тока I c (плотности лишь в пределе T → Tc . Остановимся более подробно
критического тока J c ) и критического магнитного поля на области применимости теории ГЛ. Формально такое
H c при различных значениях температуры, толщины условие в области низких температур (в некотором
пластины и других параметров. Используя обычный отдалении от Tc ) формулируется в виде Tc − T ≪ Tc .
С учетом относительности понятия малости“ данный
метод выбора калибровки вектор-потенциала A, можно ”
критерий дает весьма размытую границу применимости
записать уравнения ГЛ в следующем виде
метода. При этом существуют примеры, когда формулы
и зависимости, полученные в предельном случае, дают
d 2ψ 3 U2 верные результаты в случае формально не удовле-
+ (ψ − ψ ) − ψ = 0, (3)
dx 2ξ k2 творяющем рассматриваемому пределу. В частности,
формула для тока распаривания, полученная в пределе
d 2U ψ2 сверхтонких пластин с толщиной много меньше как
− U = 0, (4) длины когерентности ξ, так и глубины проникновения
dx 2ξ k2
магнитного поля λ, может давать результат, практически
где k = λ/ξ — параметр ГЛ, λ — глубина проникно- совпадающий с точным расчетом для пластин толщиной
порядка ξ и λ [17]. В этой связи в настоящей работе
вения магнитного поля, ψ — нормированный параметр
нами представлены расчеты и для случая температур,
порядка
достаточно отдаленных от Tc .
9 Вернемся к вопросу о температурных зависимостях
ψ= ,
90 ξ и λ. Как правило, при расчетах в рамках теории ГЛ
где 90 — параметр порядка в глубине сверхпро- используются следующие температурные зависимости,
применимые вблизи Tc
водника при нулевом внешнем магнитном поле. При
этом векторный потенциал имеет лишь y-компоненту, ξ(0) λ(0)
ξ= √ , λ= √ , (7)
A = ey A(x). Вместо размерных значений потенциала A, 1 − T /Tc 1 − T /Tc
индукции поля B и плотности тока j s в сверхпроводни-
где ξ(0) и λ(0) — длина когерентности и глубина
ке здесь введены безразмерные величины U(x ξ ), b(x ξ )
проникновения магнитного поля при T = 0. Тем не
и j(x ξ ) менее, для глубины проникновения магнитного поля λ
существует эмпирическая формула, описывающая пове-
φ0 φ0 cφ0
A= U, B= b, js = j, (5) дение λ для всего температурного диапазона
2πkξ 2πk 2 ξ 2 8π 2 k 3 ξ 3
λ(0)
λ= p . (8)
где φ0 — квант потока. 1 − (T /Tc )4

Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 7


Исследование свойств сверхпроводящих пластин толщиной порядка длины когерентности... 1279

Для реальных сверхпроводящих структур (особенно


ВТСП) температурные зависимости λ и ξ могут отли-
чаться от описанных выше [32], а в ряде случаев и
параметр ГЛ k, считающийся в теории не зависящим
от температуры, может изменяться при ее измене-
нии [33,34]. В нашей работе используются температур-
ные зависимости λ и ξ в виде (7). При этом применя-
емый нами подход к решению системы уравнений ГЛ
позволяет использовать различные виды температурных
зависимостей λ, ξ, а также, в случае необходимости, и k.
Применялась следующая итерационная процедура на-
хождения самосогласованных решений системы урав-
нений (3), (4). Первоначально задавалась некоторая
пробная функция параметра порядка ψ(x ξ ) и находилось
решение уравнения (4) для функции U(x ξ ). Найденная Рис. 1. Зависимости критического тока I c от магнитного
U(x ξ ) подставлялась затем в уравнение (3), и с учетом поля h для сверхпроводящих пластин различной толщины d
граничных условий (5) находилась новая функция ψ(x ξ ). с параметром границы 3 = ∞ (сплошная линия) и 3 = 10
Далее вновь решалось уравнение (4), и вся процедура (пунктирная линия). В данном случае k = 10.
повторялась, пока функции ψ(x ξ ) и U(x ξ ) не перестава-
ли меняться и, таким образом, представляли собой са-
мосогласованное решение системы уравнений. Найден- Известно, что значение критического тока, получае-
ное таким методом решение устойчиво, поскольку оно мое при решении системы уравнений ГЛ, представляет
не меняется при малых первоначальных возмущениях. собой ток распаривания Гинзбурга−Ландау, который
Значение критического тока I c (плотности критического является оценкой сверху для реального значения крити-
тока J c ) и критического поля H c сверхпроводящей ческого тока сверхпроводника. Например, в работе [35]
пластины принималось равным значению транспортного была осуществлена попытка экспериментального дости-
тока I t (плотности транспортного тока J t ) или внешнего жения тока распаривания Гинзбурга−Ландау для тонких
поля H, при котором параметр порядка становился оловянных пленок, однако, этого не удалось сделать.
равным нулю, ψ(x ξ ) = 0. Таким методом находились Значения критического тока (его плотности), получае-
зависимости критического тока I c (плотности критиче- мые при расчетах с использованием граничных усло-
ского тока J c ), а также зависимости критического поля вий вида (2), ощутимо превосходят соответствующие
H c от различных параметров (толщины, температуры и их значения, получаемые экспериментально. При этом
других). использование в численных расчетах граничных условий
Отметим, что все приведенные ниже значения длины вида (1) с конечными 3 позволяет получить значения
(в том числе на графиках), представлены в единицах критического тока более близкие к экспериментальным
ξ(0). Значения магнитного поля представлены в едини- данным.
цах H ξ0 , где H ξ0 = φ0 /2πk 2 ξ(0)2 . Значения тока (плотно- Нами был произведен анализ распределения парамет-
сти критического тока) в рамках модели представляются ра порядка по толщине пластины для пластин разной
через H I (см. выше), и поэтому, также как и магнитное толщины вплоть до d = 4. При этом рассматривался
поле, выражены в единицах H ξ0 . случай k = 10 и нулевого транспортного тока. Также
использовались различные значения длины экстраполя-
ции 3 (3 = 10 и 3 = ∞). Проведенный анализ показыва-
3. Результаты численных расчетов ет, что в рассмотренном случае в пленке в зависимости
от величины внешнего магнитного поля реализуются два
Примеры зависимостей I c (h), рассчитанных при гра- состояния — мейснеровское“ и вихревое“. В случае
ничных условиях вида (1) для 3 = 10 и при граничных ” ”
вихревого состояния решение системы уравнений ГЛ
условиях вида (2) для 3 = ∞, приведены на рис. 1. дает для параметра порядка два асимметричных реше-
Расчеты проведены для параметра ГЛ k = 10 (сверх- ния у каждой из границ пластины (рис. 2). Данный
проводники второго рода), а также для нескольких случай трактуется как возникновение вихрей в тонких
значений толщины d сверхпроводящей пластины. Ранее пленках [6]. Подтверждением такой трактовки может
были представлены результаты аналогичных расчетов служить то, что согласно результатам расчета случай
для случая k = 2 с 3 = 2 и с 3 = ∞ [19]. двух асимметричных решений реализуется √ только при
Сравнение зависимостей I c (h) при соответствующих значениях k, превосходящих значение 1/ 2, что явля-
магнитных полях для различных граничных условий ется фундаментальной границей, разделяющий сверх-
показывает, что при конечных 3 значения критического проводники первого и второго родов. Распределением
тока меньше, чем при 3 = ∞. При этом, чем меньше параметра порядка в случае наличия двух асимметрич-
3, тем меньше критический ток и его плотность при ных решений является суперпозиция таких решений с
заданном внешнем магнитном поле. учетом комплексной части параметра порядка [6].

Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 7


1280 П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков

дается, для сверхпроводников первого рода реализуется


лишь мейснеровское“ состояние, аналогичное тому, ко-

торое описано выше. При этом учет влияния границы на
сверхпроводящие состояние пластины (использование
конечных 3 в расчетах) для сверхпроводников первого
рода приводит к еще более ощутимому изменению
параметров такого сверхпроводящего состояния по срав-
нению со сверхпроводниками второго рода.
Помимо расчета зависимостей критического тока от
внешнего магнитного поля и распределений параметров
по толщине пластины, в настоящей работе были произ-
ведены расчеты зависимостей плотности критического
тока и критического магнитного поля от толщины плен-
ки, а также температурные зависимости критического
тока и критического магнитного поля. Расчет произведен
для случая k = 10. В [19] нами были представлены
результаты расчета для случая k = 2. Учитывая, что
большинство сверхпроводящих материалов, применяе-
мых в практике, имеют параметр ГЛ на уровне 10 и

Рис. 2. Распределение параметра порядка ψ по толщине


сверхпроводящей пластины с параметром границы 3 = ∞ (a)
и 3 = 10 (b) для различных значений внешнего магнитного
поля h. Толщина пластины d = 4, k = 10.

Отметим, что качественно поведение параметра по- Рис. 3. Зависимость плотности критического тока J c (отноше-
рядка совпадает при различных значениях 3. При этом ние критического тока I c к толщине пластины d), нормирован-
наблюдается количественное отличие полученных ре- ной на плотность тока распаривания Гинзбурга−Ландау J GL ,
зультатов, что приводит к количественному отличию от толщины пластины d при различных значениях параметра
макроскопических параметров, таких как критическая границы 3. Внешнее магнитное поле h = 0 и k = 10.
температура, критический ток и критическое магнит-
ное поле. Распределения параметра ψ(x ξ ) для случая
мейснеровского“ состояния, а также более подробное

описание вихревого состояния приведены нами в [19].
Дополнительно для мейснеровского“ состояния нами

был проведен анализ распределения магнитного поля
и плотности сверхпроводящего тока по толщине пла-
стины. Примеры таких зависимостей, рассчитанных при
граничных условиях вида (2), представлены в рабо-
те [18]. Учитывая толщину пластины (порядка длины
когерентности ξ и глубины проникновения магнитного
поля λ), внешнее магнитное поле не вытесняется из
нее полностью, а лишь ослабляется внутри. Плотность
сверхпроводящего экранирующего тока в данном слу-
чае распределена симметрично относительно середины
пленки. Рис. 4. Зависимость критического поля H c от толщины
Расчеты для сверхпроводников первого рода были пластины при различных значениях параметра границы 3.
представлены ранее [19]. Здесь отметим, что, как и ожи- Транспортный ток отсутствует, k = 10.

Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 7


Исследование свойств сверхпроводящих пластин толщиной порядка длины когерентности... 1281

более, то случай k = 10 более интересен чем k = 2


с точки зрения близости к практически применяемым
материалам.
На рис. 3 представлен график зависимости плотности
критического тока от толщины пластины. Как правило,
считается, что плотность критического тока не изме-
няется при уменьшении толщины пленки. При этом
на практике неоднократно наблюдалось уменьшение
плотности критического тока для достаточно тонких
пленок. Однако это связывалось исключительно с ухуд-
шением структуры образцов: сверхтонкие пленки пере-
стают быть однородными и приобретают островковый
характер. Тем не менее, результаты численного решения
системы уравнений Гинзбурга−Ландау с граничными
условиями общего типа с конечными 3 обнаруживают Рис. 5. Зависимость плотности критического тока J c в
аналогичную зависимость плотности критического тока степени 2/3 от отношения T /Tcm для сверхпроводящих пла-
от толщины пластины, а для случая 3 = ∞ получается стин различной толщины d с параметром границы 3 = ∞
(сплошная линия) и 3 = 10 (пунктирная линия). Сплош-
известный результат постоянства плотности критическо-
ной линией также показана плотность тока распаривания
го тока с изменением толщины пленки. Гинзбурга−Ландау (график совпадает с графиками для случая
Зависимость критического магнитного поля, парал- 3 = ∞). Tcm — критическая температура массивного образца,
лельного поверхности пластины, от толщины такой k = 10.
пластины показана на рис. 4. Простые аналитические
расчеты (в предположении постоянства параметра по-
рядка по толщине пластины) показывают, что парал-
лельное поверхности пластины критическое поле воз-
растает с уменьшением ее толщины по закону 1/d, где
d — толщина пластины. Действительно, наши расчеты
при 3 = ∞ также дают такой результат. Тем не ме-
нее, при конечных 3 наблюдается другая зависимость:
существует максимум критического магнитного поля
при некоторой толщине. При дальнейшем уменьшении
толщины значение критического поля начинает резко
уменьшаться.
Анализ зависимостей критического поля и плотности
критического тока от толщины показывает, что суще-
ствует некоторая критическая толщина пленки, начиная
с которой критический ток обращается в ноль, и, таким
образом, сверхпроводимость перестает существовать в
такой пленке. Ее величина зависит от 3 (сравните
рис. 3 и 4). Формула для такой толщины была получена
ранее аналитически [25]. Рассчитанные по аналитической
формуле критические толщины совпадают с теми, кото-
рые видны на графиках зависимостей, полученных при
численных расчетах.
На рис. 5, 6 отражены температурные зависимости
параллельного поверхности критического магнитного
поля и плотности критического тока j c в степени 2/3.
Нами уже были представлены результаты расчета таких
зависимостей для случая k = 2 и был проведен их
анализ [20]. Здесь отметим, что, начиная с некоторой
толщины, на температурной зависимости параллельно-
Рис. 6. Зависимость параллельного поверхности пластины
го критического магнитного поля наблюдается изгиб, критического магнитного поля H c от отношения T /Tcm , для
связанный с началом проникновения вихрей в пласти- сверхпроводящих пластин различной толщины d с параметром
ну. Наличие такого изгиба может быть использовано границы 3 = ∞ (a) и 3 = 10 (b). Точка, при которой сплош-
для оценки длины когерентности ξ пленки, поскольку ные линии начинают расходиться с пунктирными линиями для
отношение толщины пленки к длине когерентности пластин с d = 4 — точка изгиба, связанная с зарождением
в точке изгиба связано с отношением температуры, вихрей в образце.

3 Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 7


1282 П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков

соответствующей изгибу, к критической температуре в случае конечных значений 3, ближе к эксперименталь-


образца. Наличие описанной выше особенности ранее ным данным, чем для случая 3 = ∞;
наблюдалось на эксперименте [36]. Отметим также, что — обнаружено наличие особенностей поведения зави-
анализ температурных зависимостей критических пара- симостей критического тока и параллельного поверхно-
метров наглядно демонстрирует уменьшение критиче- сти пластины критического магнитного поля от толщи-
ской температуры пленки при учете влияния ее границы ны пластины, не описываемых стандартными формулами
на сверхпроводящие свойства, о чем упоминалось выше. для тонких пленок [37];
Остановимся на виде температурных зависимостей — отмечено, что характер температурных зависи-
плотности критического тока и критического поля тон- мостей плотности критического тока и параллельного
кой сверхпроводящей пластины. Из теории известно, что поверхности пластины критического магнитного поля
вблизи критической температуры данные зависимости не изменяется при учете влияния границ пластины,
ведут себя как (Tc − T )3/2 и (Tc − T )1/2 соответственно. несмотря на изменение ее критической температуры;
Эти зависимости получены в предположении постоян- — установлено, что для сверхпроводников второго
ства параметра порядка по толщине пластины. При рода на расчетной температурной зависимости критиче-
конечных значениях 3 (в нашем случае 3 = 10), как ского поля, параллельного поверхности пластины, при
показывают расчеты, вид температурной зависимости некоторой температуре (зависящей, в том числе, и от
сохраняется. Данный результат является не совсем применяемых граничных условий) наблюдается изгиб.
тривиальным. Вид температурной зависимости задается Данная особенность связана с началом зарождения вих-
температурными зависимостями глубины проникнове- рей в пленке.
ния магнитного поля λ и длины когерентности ξ, а
точнее связан с тем, как данные длины когерентности
расходятся вблизи Tc . В случае учета влияния грани- Список литературы
цы (конечные значения 3) критическая температура
пластины уменьшается, а температурные зависимости [1] В.Л. Гинзбург, Л.Д. Ландау. ЖЭТФ 10, 1064 (1950).
параметров λ и ξ расходятся не вблизи критической тем- [2] А.А. Абрикосов. ЖЭТФ 32, 1442 (1957).
пературы пластины, а вблизи критической температуры [3] P.G. De Gennes. Superconductivity of metals and alloys
W.A. Benjamin. N.Y.–Amsterdam (1966). 280 p.
массивного сверхпроводника Tcm . В работе [31] такой
[4] P. Tholfsen, H. Meissner. Phys. Rev. 169, 413 (1968).
характер зависимостей H c (T ) объясняется с помощью
[5] R.S. Thompson. Phys. Rev. В 1, 327 (1970).
учета дополнительного поверхностного члена в функ- [6] M. Tinkham. Introduction to superconductivity. McGraw-Hill
ционале свободной энергии ГЛ, который и приводит к Book Company (1975). P. 149–151.
граничным условиям вида (1). В этой работе получено [7] G.J. Carty, D.P. Hampshire. Phys. Rev. В 77, 172 501 (2008).
следующее соотношение в обычных размерных единицах [8] G.R. Berdiyorov, A.K. Elmurodov, F.M. Peeters. Phys. Rev. В
для температурной зависимости параллельного поверх- 79, 174 506 (2009).
ности пластины критического магнитного поля вблизи [9] К.С. Гришаков, П.Н. Дегтяренко, Н.Н. Дегтяренко,
критической температуры В.Ф. Елесин, В.С. Круглов. Изв. вузов. Физика 11, 92
√  0.5 √  0.5 (2009).
3φ0 1 2 3φ0 Tc − T [10] A.N. Zotova, D.Y. Vodolazov. Phys. Rev. B 85, 024 509
Hc = − = .
πD ξ 2 (T ) 3D πDξ(0) Tcm (2012).
(9) [11] И.Н. Аскерзаде. ЖТФ 80, 6, 144 (2010).
[12] K.S. Grishakov, P.N. Degtyarenko, N.N. Degtyarenko,
Формула получена в предположении, что толщина пла-
V.F. Elesin, V.S. Kruglov. Phys. Procedia 36, 1206 (2012).
стины много меньше глубины проникновения магнит-
[13] G.F. Zharkov, V.G. Zharkov, A.Yu. Tsvetkov. Phys. Rev. В 61,
ного поля λ и длины когерентности ξ. Наши числен-
12 293 (2000).
ные расчеты показывают, что такой корневой характер [14] Г.Ф. Жарков, В.Г. Жарков, А.Ю. Цветков. Кр. сообщ. по
зависимости H c (T ) сохраняется в широком диапазоне физике ФИАН 11, 35 (2001).
температур и толщин пленок. [15] Г.Ф. Жарков, В.Г. Жарков, А.Ю. Цветков. Кр. сообщ. по
физике ФИАН 12, 31 (2001).
[16] А.Ю. Цветков, Г.Ф. Жарков, В.Г. Жарков. Кр. сообщ. по
4. Заключение
физике ФИАН 2, 42 (2002).
[17] А.Ю. Цветков, Г.Ф. Жарков, А.Н. Лыков. Кр. сообщ. по
В настоящей работе представлены некоторые резуль-
физике ФИАН 6, 25 (2004).
таты численного решения уравнений ГЛ в одномерном
[18] А.Н Лыков, А.Ю. Цветков, Г.Ф. Жарков. ЖЭТФ 128, 392
случае для пластин толщиной порядка длины когерент- (2005).
ности ξ. Учет влияния границы на сверхпроводящие [19] П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков,
свойства таких пластин, что выражается в применении А.Ю. Цветков. Кр. сообщ. по физике ФИАН 6, 3
граничных условий общего вида (1) на параметр порядка (2014).
с конечными значениями длины экстраполяции 3, при- [20] П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков,
водит к следующим результатам: А.Ю. Цветков. Кр. сообщ. по физике ФИАН. 12, 26
— установлено, что значения критического тока, по- (2014).
лученные в результате решения системы уравнений ГЛ [21] Н.J. Fink, A.G. Presson. Phys. Rev. 151, 219 (1966).

Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 7


Исследование свойств сверхпроводящих пластин толщиной порядка длины когерентности... 1283

[22] V.V. Moshchalkov, X.G. Qiu, V. Bruyndoncx. Phys. Rev. В 55,


11 793 (1997).
[23] P.S. Deo, V.A. Shweigert, F.M. Peeters, A.K. Geim. Phys. Rev.
Lett. 79, 4653 (1997).
[24] V.A. Schweigert, F.M. Peeters. Phys. Rev. В 57, 13 817 (1998).
[25] Е.А. Андрюшин, В.Л. Гинзбург, А.П. Силин. УФН 163, 105
(1993).
[26] A. Lykov. Phys. Lett. A 372 (2008).
[27] A. Lykov. Int. J. Mod. Phys. B 23, 4269 (2009).
[28] Р.О. Зайцев. ЖЭТФ 48, 644 (1965).
[29] Р.О. Зайцев. ЖЭТФ 48, 1759 (1965).
[30] Р.О. Зайцев. ЖЭТФ 50, 1055 (1966).
[31] J. Simonin. Phys. Rev. В 33, 7830 (1986).
[32] Sreeparna Mitra, J.H. Cho, W.C. Lee, D.C. Johnston,
V.G. Kogan. Phys. Rev. В 40, 2674 (1989).
[33] N. Sluchanko, S. Gavrilkin, K. Mitsen, A. Kuznetsov,
I. Sannikov, V. Glushkov, S. Demishev, A. Azarevich, A. Bo-
gach, A. Lyashenko, A. Dukhnenko, V. Filipov, S. Gabani,
K. Flachbart, J. Vanacken, Gufei Zhang, V. Moshchalkov.
J Supercond. Nov. Magn. 26, 1663 (2013).
[34] K. Flachbart, S. Gabani, K. Gloos, M. Meissner, M. Opel,
Y. Paderno, V. Pavlık, P. Samuely, E. Schuberth,
N. Shitsevalova, K. Siemensmeyer, P. Szabo. J. Low Temp.
Phys. 140, 339 (2005).
[35] В.Н. Губанков, К.К. Лихарев, Н.Б. Павлов. ФТТ 14, 3186
(1972).
[36] Н.П. Шабанова, С.И. Красносвободцев, А.В. Варлашкин,
А.И. Головашкин. ФТТ 49, 990 (2007).
[37] В.В. Шмидт. Введение в физику сверхпроводников.
МЦНМО, М. (2000). 397 c.

3∗ Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 7

Оценить