ANÁLISE DAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS ESTÁTICAS E DINÂMICAS DE

UM DÍODO
Autor e filiação:
Eurico Viegas;
Isa Morouço
Marcos Miguel;
Miguel Bento
Pedro Paz;
Tiago Moura;

Palavras-Chave: Zener, Díodo, Break-Down Voltage, Tensão Linear de Condução

Abstrato:
Neste trabalho, analisamos o comportamento de um díodo de Zener quando polarizado
positiva () e negativamente. Para isso, utilizamos um Semiconductor Parameter Analyzer (ref.
HP4145B) para obter curvas características (CC) de um Zener (ref. C4V7PH). A análise gráfica
da corrente em função do potencial permite-nos tirar conclusões acerca de parâmetros
importantes, sobre os quais incidiu o nosso estudo. Quando polarizámos positivamente,
pudemos determinar parâmetros como Resistência Shunt ( =7262,744Ω), e tensão limiar de
tensão ( 0,7787V). Enquanto a polarização negativa foi útil para concluir acerca de
corrente de saturação ( =1,31494A), Resistência Interna ( =1,55Ω) e do potencial de
ruptura (BV=-4,44V). O estudo destas características são importantes na medida em que
podemos, através delas, prever a partir de que tensão o díodo começa a conduzir de forma
considerável (polarização directa) ou em que variação de tensão negativa este entra em
ruptura, no caso da polarização negativa.

Introdução:
Tal como uma válvula que deixa passar Determinação de Vt
água apenas a partir de uma determinada
altura, o díodo de Zener deixa passar
corrente apenas a partir de uma tensão
específica, que se representa por Vt e é
definida por tensão limiar de condução.
Contudo esta comparação não é ideal,
visto que qualquer díodo possui variáveis
que condicionam o seu bom
funcionamento, que entram na
caracterização gráfica do díodo em
questão. São elas: a resistência paralela ou
Shunt (Rp) que existe devido a defeitos ou
impurezas da junção pn, e resistência em
série (Rs) devida aos contactos do díodo. A
maioria dos díodos de Zener são de Silicio, Executando uma regressão linear no
devido à sua baixa corrente de Saturação. gráfico podemos facilmente definir ,
considerando que a parte exponencial se
Corpo do artigo: estende até aproximadamente .
A caracterização de um díodo através dos Então podemos através da equação da
principais factores: regressão, .
Retirar , quando . Concretizando:
.
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 Determinação de η
Determinação de Rs

Como foi dito acima, a equação da recta da

regressão linear na zona exponencial é
dada por em que
é o respectivo declive (m). A
Resistência paralela é dada por Então:

Determinação de Rp

De modo análogo ao procedimento para

A determinação de ETA, exige uma análise
calcular Rs, podemos calcular Rp na zona
atenta do gráfico (Id vs Vd) de polarização
do gráfico de polarização negativa. Neste
directa em que Id é representado sob
caso partimos do declive da regressão
escala logarítmica. Começamos por
linear representada no gráfico 2.
identificar até que potencial temos a zona
de recombinação do díodo, e verifica-se
que quando esta termina existe uma
«barriga» curva. Imediatamente a seguir a
esta curva existe uma zona praticamente
linear, da qual vamos extrair os dados e
fazer um novo gráfico mas desta vez (ln Id
vs Vd). Ao obtermos este gráfico e
respectivo declive podemos proceder ao
último passo:
O gráfico é dado pela seguinte expressão:

Aplicando logaritmos neperianos,

retiramos que corresponde ao

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declive da recta na zona referida que é Determinação da Corrente de Saturação

Concretizando:

O factor de qualidade (η), é

aproximadamente 3.

É determinada também a partir do gráfico

4, e é representada pela resposta inicial da
corrente a tensões negativas. Procedemos
então ao estudo da recta representada no
gráfico, cuja equação é
.
Visto que esta recta tem um declive tão
pequeno, podemos aproximar à
ordenada na origem do gráfico.
Concretizando, .

Determinação de BV

BV é determinado através do gráfico 2,

utilizando a regressão linear cuja equação
é . Neste caso, o
BV é determinado a partir desta equação e
é dado pelo valor de V quando .
Então, .

Artigo realizado com base no protocolo do trabalho prático nº 2 de Materiais Semicondutores.

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