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DE LOS SÓLIDOS
METODO TIGHT-BINDING
NIVELES DE ENERGÍA EN SOLIDOS
DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DE ESTRUCTURA DE BANDAS
Banda de
conducción
vacía
Banda de
Superposición conducción
de la banda de vacía Brecha de
conducción Brecha de energía
energía prohibida
prohibida
Magnesio
Cobre Silicio Diamante
Grupo II
ENERGÍA DE FERMI
Semiconductor
CONDUCTIVIDAD VS. TEMPERATURA
Banda de
conducción
Brecha de
energía
prohibida
Banda de
valencia
s = nqmn + pqmp
s = nqmn + pqmp
Concentración de
Concentración de Movilidades huecos en la banda
electrones en la banda de
de valencia.
conducción.
Concentración de electrones y huecos ni = pi s = qn (m + m )
i n p
Brecha de energía
Material
prohibida (eV)
InP 1.34
GaAs 1.43
DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
CELDA SOLAR
La celda solar es un dispositivo fabricado para convertir luz solar
directamente en electricidad, mediante el fenómeno físico
denominado efecto fotovoltaico.
FUNCIONAMIENTO BÁSICO DE LA CELDA SOLAR
Flujo de
fotón electrones
N
P
ABSORCION DE
RADIACION GENERACION GENERACION
DE DE
PORTADORES VOLTAJE
R
L
IPh
FUNCIONAMIENTO BÁSICO
PROPIEDADES ÓPTICAS DE MATERIALES
Cambio de velocidad -
refracción
R T A 1 Radiación
incidente
ABSORCIÓN
= coeiciente de absorción
BC
BV
• DIRECTOS
• INDIRECTOS
ESTRUCTURA DE BANDA DE SEMICONDUCTORES
DIRECTOS E INDIRECTOS
Brecha de energía
Material Transición
prohibida (eV)
InP Directo 1.34
GaAs Directo 1.43
Si Indirecto 1.12
Ge Indirecto 0.66
Temperatura ambiente
ABSORCIÓN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES DIRECTAS
Bh Eg
2
ABSORCIÓN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS
hυe E f Ei E p ha E f Ei E p
ABSORCIÓN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS
COEFICIENTE DE ABSORCIÓN
Coeficiente de
absorción (cm-1)
Imagen tomada de: Practical Handbook of Photovoltaics Fundamentals and Applications. Tom Markvart & Luis Castañer.
Elsevier 2003
REFRACCIÓN
k
4n
INDICE DE REFRACCIÓN (n)
nc n ik
La parte compleja se denomina coeficiente de extinción
k
4
DISPERSIÓN NORMAL
Factores característicos:
1. n decrece al aumentar
2. La rata de crecimiento de n se hace mayor a longitudes de
onda cortas.
3. En materiales con n grande la dispersión es también
mayor. 4.6
4.4 Silicio amorfo
4.2
4.0
n
3.8
3.6
3.4
3.2
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
(nm)
DISPERSIÓN ANOMALA
MONOCROMADOR
ESPEJO MUESTRA
CÓNCAVO
DETECTOR
MOTOR
DE PASO
INTERFACE
AMPLIFICADOR
LOCK-IN
SEÑAL DE
REFERENCIA
SISTEMA DE
ADQUISICIÓN DE
DATOS
COMPUTADOR
CALCULO DE LAS CONSTANTES ÓPTICAS USANDO
MEDIDAS DE TRANSMITANCIA
El método desarrollado por Swanepoel se obtienen utilizando los
espectros de transmitancia y cálculos teóricos de transmitancia
realizados con base en un modelo que considera efectos de
interferencia múltiple.
TRANSMITANCIA
A 16s(n 2 k 2 )
B {(n 1) 2 k 2 }{(n 1)(n s 2 ) k 2 }
T=T(,s,n,d,) C {(n 2 1 k 2 )(n 2 s 2 k 2 ) 2k 2 ( s 2 1)}2 cos
k{2(n 2 s 2 k 2 ) ( s 2 1)(n 2 1 k 2 )}2sen
Ax D {(n 1) 2 k 2 }{(n 1)(n s 2 ) k 2 }
T
B Cx Dx 2 4nd /
x e d
4k /
TRANSMITANCIA
Ax
K=0 T
B Cx cos Dx2
A 16sn2
B (n 1) n s
3
2
C 2(n 2 1)(n 2 s 2 )
D (n 1)3 (n s 2 )
4nd /
x e d
EXTREMOS DE LAS FRANJAS DE INTERFERENCIA
Ax
TM
B Cx Dx2
Ax
Tm
B Cx Dx2
MÉTODOS PARA DETERMINAR CONSTANTES ÓPTICAS
HOMOJUNTURA
HETEROJUNTURA
Celda solar tipo p-i-n
PROCESOS QUE AFECTAN EL TRANSPORTE ELÉCTRICO EN
CELDAS SOLARES
TECNOLOGÍA DE CELDAS SOLARES
CZOCHRALSKI
ZONA FLOTANTE
TECNOLOGÍA – SEGUNDA GENERACIÓN
Ventana óptica
CONDICIONES IMPORTANTES
Contactos eléctricos
contacto óhmico con la capa absorbente para facilitar el transporte de los portadores
fotogenerados hacia el circuito exterior y además tener resistividades bajas para
reducir la resistencia serie del dispositivo.
TECNOLOGÍA – SEGUNDA GENERACIÓN
Las kesteritas son una familia de compuesto que comprende Cu2ZnSnS4 (CZTS),
Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) y aleaciones.
TÉCNICAS DE DEPOSICIÓN
500 oC
coevaporación
TÉCNICAS DE DEPOSICIÓN
Spin coating
MÉTODOS DE CARACTERIZACIÓN
Método de Determinación de
Propiedades
caracterización Parámetros
Transmitancia
Ópticas Constantes ópticas
Espectral
Estructura cristalina,
DRX Estructurales constante de red, fase
cristalina
Tamaño de grano,
AFM Morfológicas
rugosidad
Termopotencia Eléctricas Tipo de conductividad
XRD pattern of typical CZTS thin films
deposited varying the sequence in
which the metallic precursors are
evaporated.
PELÍCULAS DELGADAS DEPOSITADAS
POR SULFURIZACIÓN
CONSTANTES ÓPTICAS
2 Ah Eg
IMÁGENES AFM DE PELÍCULAS
DEPOSITADAS POR SULFURIZACIÓN
Sensibilizadas por
Orgánicas
colorante
ESTADO ACTUAL DE LAS TECNOLOGIAS DE CELDAS SOLARES
b. Centrales fotovoltaicas
SISTEMA FOTOVOLTAICO CONECTADO A LA RED