UNIVERSIDAD DE LAS AMERICAS PUEBLA

ESCUELA DE INGENIERIA
Departamento: Ingeniería en Computación, Electrónica y Mecatrónica
Materia: Laboratorio de Electrónica Analógica
Carrera: Sección:
Alumno: Salón:
Clave: Fecha:

Laboratorio : Electrónica Analógica Práctica No. 5

Nombre de la práctica Comportamiento de transistor BJT en CD Duración: 1 sesión

I.- Objetivo

 Identificar las terminales de un transistor BJT tipo NPN y PNP.

 Obtener la curva característica de un transistor BJT con el equipo ELVIS II de NI.
 Identificar las zonas de operación de un transistor BJT.
 Implementar un circuito para operación del transistor BJT como interruptor en CD.
 Calcular los valores de los componentes de los circuitos anteriores.

II.- Materiales y equipo

 1 protoboard (propiedad del alumno)

 5 Leds (de preferencia del mismo color)
 Resistencias varios valores (500K,100K,10K,1K,100 ohms)
 Potenciómetro de 500K, 100K,10K
 2 pares de puntas banana-pin
 1 transistor 2N2222
 1 transistor 2N2907
 1 transistor BC548
 1 transistor BC558
 Jumpers

III. Revisión

Avance: __________________ Fecha:___________________________

Avance: __________________ Fecha:___________________________

IV. Procedimiento

4.1. Identificar mediante el multímetro las terminales de los transistores.

Utilice la siguiente tabla para identificar las terminales (colector, base y emisor) de los transistores. Para
ello utilizar el multímetro en la función de diodos. El signo (-) significa que tiene que conectar el
terminal común del multímetro a la terminal C(colector), B (base) o E (emisor).

NPN PNP TO-92

(-) C B (-) C B
E E
(-) B C (-) B C
E E
(-) E C (-) E C
B B

4.1.1 Llene la siguiente tabla según las mediciones hechas en el paso anterior, tome en cuenta la figura de
la tabla anterior donde se muestra el orden de las terminales del transistor para el tipo de
encapsulado plástico TO-92.

Terminales Tipo
Transistor Unión Voltaje
1 2 3
Base-Emisor
2N2222
Base-Colector
2N2907

BC548

BC558

4.1.2 Reporte en una tabla los tipos de encapsulados (diferentes al TO-92) en los cuáles se fabrican los
transistores BJT utilizados en esta práctica.
4.2. Mediante el software Multisim de National Instrument, simule el circuito de la Figura 1 y obtenga la
curva característica que relacione VCE –Ic (voltaje de colector-emisor con Corriente de colector).
Observe que el transistor utilizado es el 2n222 , el cual es un transistor BJT.

Figura 1 Circuito para obtención de curva característica.

a) Agregue a la ventana principal los siguientes elementos: transistor 2n222, fuente de corriente,
fuente de voltaje de cd y la tierra. Conecte como se muestra en la Figura 1.
b) Para obtener la curva característica, se hace un barrido en DC. Seleccionar del menú Simulate-
>Analyses->DC Sweep.
c) Seleccionar los parámetros que se muestran en la figura 2. Seleccionar como fuente 1 a la
fuente de voltaje,valor incial 0v, valor final 1v con incrementos de 10mV. Seleccionar como
fuente 2 a la fuente de corriente, valor incial de 0A, valor final de 75uA con incrementos de
15uA.
d) Seleccionar como variable de salida (variable independiente) la corriente de colector (@qq1[ic])
del transistor, véase Figura 3.

Figura 2 Parámetros de análisis (variables independientes)

 Figura 3 Variable de salida del DC Sweep

e) Dar clic en simular y observas las gráficas obtenidas.

f) Llenar la siguiente tabla

Corriente de Base 0uA 15uA 30uA 45uA 60uA 75uA

Corriente de Colector
Ic/Ib
g) ¿Cuál es la ganancia de corriente promedio?
4.3. Repetir el procedimiento descrito en 4.2 con los transistores 2N2907, BC548 y BC558.
Para los transistores tipo PNP tome en cuenta la polarización del siguiente circuito. Repita la tabla
anterior y calcule la ganancia promedio para todos los transistores.

I1 Q1 V1
12 V

1 A PN2907

4.4. Mediante la plataforma ELVIS II de NI compruebe los resultados obtenidos en simulación.

Para llevar a cabo esta comprobación utilizaremos el analizador de voltaje de 3 cables (3-wire current
voltage analyzer).

a) Conecte la plataforma ELVIS II al equipo de cómputo.

b) Abrir el software NI ELVIS Instrument Launcher.
c) Seleccionar 3 Wire Current-Voltage Analyzer.
d) Configurar el instrumento virtual con los siguientes parámetros (observe figura 4)

Transistor type NPN Ic Start 15uA

Vc Start 0V Ic Step 15uA
Vc Stop 1V Number of curves 5
Vc Step 0.05V
Ic limit 40mA
 Figura 4 Parámetros de plataforma ELVIS

e) Conectar el transistor 2N2222 a la sección DMM/Impedance Analyzer del protoboard de la

plataforma ELVIS II. Conecte el colector del transistor a la terminal DUT+ (pin 29), conecte el
emisor a la terminal DUT-, y la base va conectada a la terminal BASE (como se muestra en la figura
5). Para identificar las terminales del transistor consulte la hoja de especificaciones (ubicada al final
de este documento).

Figura 5 DMM/ Impedance Analyzer

 f) Comparar los resultados obtenidos con la plataforma ELVIS II y los simulados en Multisim. Llenar la
siguiente tabla con los resultados obtenidos por la plataforma ELVIS II. El porcentaje de variación
corresponde a la variación de los resultados simulados vs. los obtenidos en la práctica real.

Corriente de Base 0uA 15uA 30uA 45uA 60uA 75uA

Corriente de Colector
Ic/Ib
% Variación

4.5. Repita el procedimiento descrito en 4.4 ahora con los transistores 2N2907, BC548 y BC558.
Realice una tabla como la anterior para conocer la ganancia de corriente.

4.6. Elija un transistor PNP y uno NPN e implemente los siguientes circuitos para identificar las zonas o
regiones de operación de un transistor.
Para esta sección tome en cuenta los siguientes datos:

Polarización Voltaje Corriente de Colector

Zona
Base-Emisor Base-Colector Colector-Emisor Ic
Corte inversa Inversa Vcc 0
Activa directa Inversa 0<Vce<Vcc 0<Ic<(Vcc/Rc)
Saturación directa directa 0.2V (ideal 0V) aprox. Vcc/Rc

Tome las mediciones de las variables que se solicitan en la siguiente tabla.

R2

200Ω

Q1
V2
5 V
V1 Pot1
500kΩ 100 % 2N2222A
5 V
Key=A
 Zona Vbb (V) Rb(Ohms) Vbe Vbc Vce Ic
Corte -5 1M
-2.5 1M
0V 1M
0.4 1M
0.6 1M
0.8 1M
5 800K
5 600K
5 500K
5 250K
5 200K
5 100K
5 75K
5 50k
5 25K
5 10K
5 1K

4.7. Repita los cálculos del inciso 4.2 pero ahora con un voltaje de colector que llega hasta los 5V.
Obtenga la gráfica y trace la recta de carga del transistor, para una resistencia de carga de 200 Ohms.
Para trazar la recta de carga utilice los datos de Vce y Ic de la tabla anterior. Exporte los datos a una
hoja de Excel y grafique ahí los datos solicitados.

4.8. Con los cálculos y la gráfica de carga del inciso anterior determinar los valores de resistencias para
encender los 5 leds con una corriente de 50mA del siguiente circuito. ¿Por qué se agrega una
resistencia de 1MOhm en la base del transistor? ¿Cómo se calcula la potencia de disipación del
transistor?

R2

S1 Q1
R1 V2
5 V
Key = B
V1 2N2222A
5 V

Figura 6 Transistor como conmutador en DC.

REFERENCIAS ON-LINE:
http://www.eng.auburn.edu/~niuguof/2210labdev/html/transistor.html#fig-bjt-iv
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracteristicas.html
https://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_4.html
https://unicrom.com/potencia-de-disipacion-maxima-polarizacion-transistor/
https://www.luisllamas.es/salidas-mayor-potencia-arduino-transistor-bjt/
https://www.inventable.eu/2017/07/09/transistor-bc548/