2.

EL DIODO SEMICONDUCTOR II

Tiempo de clase: 4 horas

Profesor: Ing. Dario Jaramillo, MSc.

Email: mjaramillo@ups.edu.ec

29/10/2018 EAI, Ing. Dario Jaramillo Msc. 1

CONTENIDO DE LA CLASE

2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
2.3 Comportamiento del
diodo en corriente continúa.
2.4 Comportamiento del
diodo en corriente alterna
(rectificadores).

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OBJETIVO DE LA CLASE

• Analizar y entender el
comportamiento del diodo en
corriente continúa.
• Analizar y entender el
comportamiento del diodo en
corriente alterna y sus
aplicaciones.

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 2.3 Comportamiento del
diodo en corriente continúa.

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 Resistencia de CD o estática

Se halla determinando los niveles correspondientes de y .

En general, por consiguiente,

cuanto mayor sea la corriente
a través de un diodo, menor
será el nivel de resistencia de
cd. Determinación de la resistencia de cd de
un
diodo en un punto de operación particular

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 Ejemplo 2:
Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura con:

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 Solución Ejemplo 2:
a)

b)

c)

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2.4 COMPORTAMIENTO DEL
DIODO EN CA

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 Resistencia de CA o dinámica

La entrada variable moverá el punto de operación

instantáneo hacia arriba y hacia abajo, y por lo
tanto define un cambio específico de la corriente y
voltaje como se muestra en la figura.

Definición de la resistencia
dinámica o resistencia de ca.

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 Resistencia de CA o dinámica

⧍ indica un
cambio finito
de la
cantidad

En general, cuanto más bajo esté el punto

de operación (menor corriente o menor
voltaje), más alta es la resistencia de ca.

Determinación de la
resistencia de CA en un punto
Q.

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 Ejemplo :
Para las características de la figura:

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 Solución Ejemplo 3:
a)

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 Solución Ejemplo 3:
b)

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 Solución Ejemplo 3:
c)

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 Solución Ejemplo 3:
c)

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 Resistencia de CA o dinámica, por cálculo

La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente

trazada en dicho punto.

Por consiguiente, de la ecuación característica de la corriente de un diodo, se

encuentra hallando esencialmente la derivada de la función en el punto Q de
operación.

Si determinamos la derivada de la ecuación general para el diodo semiconductor con

respecto a la polarización en directa aplicada y luego invertimos el resultado,
obtendremos una ecuación para la resistencia de ca o dinámica en dicha región.

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 Resistencia de CA o dinámica, por cálculo

El factor puede variar

desde 0.1 a 2, para
dispositivos de alta
potencia.

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 Resistencia de CA
o dinámica
La resistencia de ca a 25 mA resultó ser de
2 Ohms.

La diferencia de aproximadamente 1 Ohm

puede ser considerada como la contribución
de .

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 Resistencia de CA
o dinámica
la resistencia de ca a 2 mA resultó ser de
27.5 Ohms.

En la rodilla
de la curva
n = 2, más
pendiente

La diferencia de aproximadamente 1.5 Ohm

puede ser considerada como la contribución
de .

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 Resistencia de CA
promedio

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 Resumen de Resistencias

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 Circuitos equivalentes
Modelo lineal por segmentos:

Como un diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción

hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarización en directa (gráfica del dioso),
debe aparecer una batería VK opuesta a la dirección de conducción en el circuito
equivalente como se muestra en el equivalente. La batería especifica que el
voltaje a través del dispositivo debe ser mayor que el voltaje de umbral de la
batería antes de la conducción a través del dispositivo antes de que se pueda
establecer la dirección dictada por el diodo ideal. Cuando se establezca la
conducción, la resistencia del diodo será el valor especificado de rprom.

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 Circuitos equivalentes
Modelo lineal por segmentos:

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 Circuitos equivalentes
Modelo simplificado:

En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia rprom es

suficientemente pequeña para ser ignorada en comparación con
los demás elementos de la red. La eliminación de rprom del
circuito equivalente es lo mismo que suponer que las
características del diodo son las que se muestran en la figura.
Esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de
circuitos semiconductores

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 Circuitos equivalentes
Modelo simplificado:

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 Circuitos equivalentes
Dispositivo ideal:

Ahora que se eliminó rprom del circuito equivalente, llevemos el

análisis un paso adelante y establezcamos que el nivel de 0.7 V
con frecuencia puede ser ignorado en comparación con el nivel
de voltaje aplicado. En este caso el circuito equivalente se
reducirá al de un diodo ideal como se Muestra en la figura

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 Circuitos equivalentes
Dispositivo ideal:

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 Resumen de circuitos equivalentes

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 ANÁLISIS POR MEDIO DE LA RECTA
DE CARGA

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 análisis por medio de la recta de carga

Se llama recta de carga

porque la carga aplicada R
define la intersección en el eje
vertical.

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 Análisis de Circuitos en Corriente Continua

Análisis por Medio de la Recta de Carga

Aplicando primero la ley de voltajes de Si establecemos que VD = 0V
Kirchhoff en el sentido de las
manecillas del reloj, lo que da por
resultado:

Si establecemos que ID = 0V

Ecuaciones Diferenciales - Ing. Iván

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Montalvo Msc.
 Análisis de Circuitos en Corriente Continua

Análisis por Medio de la Recta de Carga

La solución obtenida en la intersección de las dos

curvas es la misma que se obtendría por medio de
una solución matemática simultánea de

Ecuaciones Diferenciales - Ing. Iván

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Montalvo Msc.
 Ejemplo 1:
Para la configuración del diodo en serie de la figura, determine:

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 SOLUCIÓN Ejemplo 1:
a)

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 SOLUCIÓN Ejemplo 1:

b)

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 Ejemplo 2:
Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo equivalente aproximado del diodo
semiconductor de silicio.

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 Solución Ejemplo 2:

a)

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 Ejemplo 3:
Repita el ejemplo 1 utilizando el modelo del diodo ideal.

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 Solución Ejemplo 2:

a)

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BIBLIOGRAFÍA

[1] R. Boylestad, “Introducción al análisis de Circuitos”, Editorial

Prentice Hall Hispanoamérica S. A., Décima Edición, 2011.

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