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SISTEMAS ANALÓGICOS II
TEMA: Repaso Análisis en DC para transistores de efecto de campo
ACTIVIDADES:
Realizar los ejercicios 1 al 5 sobre polarización para un transistor de efecto de campo (FET).
Realizar la simulación de la red combinada planteada como ejercicio en clase, use el software
de simulación de circuitos que tenga disponible.
Entregar en una hoja de examen el desarrollo del taller (ejercicios 1 al 5, propuesto en clase) y el
resultado impreso de la simulación realizada.
1. Para el circuito de la figura 1, ¿Cuál es el voltaje V DS? IDSS = 1mA, VP = -4v. Si el voltaje VG
cambia a -1v, ¿Cuál es el nuevo valor de VDS=?
2. Para el circuito de la figura 2, ¿Cuál es el voltaje V DS? IDenc = 1mA, VGSenc = 3v, VT = 1v. Si el
volltaje VG cambia a 5v, ¿Cuál es el nuevo valor de VDS=?
15V 28V
15V 20V 28V 10V
20V
RD RD
RD 10k RD RD
R1 1k
10k RD 10k 1k
10k 10M
-2V
-2V
2V
2V
RG RG
100M 100M
R2
10M
Figura 1. Figura 2.
3. Encuentre el punto de operación del MOSFET decremental mostrado en la figura 3. IDSS = 12mA,
VP = -6v
15V 28V 10V
20V
RD RD
10k RD 1k R1 RD
10k 10M 6k
-2V
2V
RG
100M
R2
RS
10M 1k
Figura 3.
AVPP 1
4. Determinar los voltajes en todos los nodos y las corrientes en todas las ramas. V T = 1v, k = 0,3
mA/V2.
28V 10V
20V
RD
RD 1k R1 RD
10k 10M 6k
RG
100M
R2
RS
10M 1k
BIBLIOGRAFÍA
[1] Floyd, Thomas L. Dispositivos electrónicos. Octava edición. Pearson Educación, México, 2008
[2] Boylestad, Robert; Nashelsky, Louis. Electrónica y Teoría de Circuitos. Octava edición. Pearson
Educación, México, 2003
[3] Malvino, Albert Paul. Principios de Electrónica. Séptima edición. MCGRAW-HILL /
Interamericana De España, 2007
AVPP 2