+Semiconductores dopados: definições, exemplos incluindo semiconductores com impurezas

de tipo dador e aceitor. A estrutura em bandas de energia dos semiconductores dopados.

-Semicondutores dopados são semicondutores com impurezas introduzidas com o objetivo de

alterar as suas características elétricas, para que um dos portadores se torne maioritário. As
impurezas podem representar-se por átomos diferentes, de tipo intersticial ou de tipo
substituição. Existem 2 tipos de semicondutores dopados: O “tipo n” que consiste na
introdução de impurezas dadoras que fornecem 5 eletrões de valência, e o “tipo p” que
consiste na introdução de impurezas receptoras com 3 electrões de valência. Os dopantes mais
utilizados para o “tipo n” são o arsénio, o antimónio e o fósforo. Para o “tipo p” são o alumínio,
o boro e o gálio. Os cristais com impurezas são caracterizados por existência de uma banda de
energia no interior da banda proibida onde se encontram os eletrões que não entram na
composição de uma ligação covalente. Com menos energia estes eletrões passam na banda de
condução.

+Represente e descreve as características do díodo ideal e real indicando as principais zonas

de funcionamento e as equações associadas. Descreve a sensibilidade à temperatura do
díodo e as áreas de aplicação.

- O díodo representa um dispositivo electrónico projectado para permitir que a corrente flua
numa única direcção. As suas características principais são a sua corrente (Id), a corrente de
saturação (Is), a tensão de polarização (Vo) e a tensão equivalente térmica (Vt). O díodo ideal é
um perfeito condutor numa direcção (caso a polarização seja directa) e um isolante perfeito
noutra (polarização inversa). Por sua vez, o díodo real não tem a mesma eficácia do díodo ideal
uma vez que é afectado pela temperatura ambiente e pelo material utilizado para a sua
construção. Os díodos são amplamente usados em circuitos rectificadores de tensão,
eliminando as tensões negativas de sinais DC. Dependendo da disposição, podem até
transformar um sinal sinusoidal num sinal contínuo. Para além das aplicações anteriores,
também são usados em circuitos lógicos simples. As equações associadas são: Id=Is.(e(Vd/n.Vt)
– 1) e Vt=(K.T)/q;

+Modelos para o díodo: modelo simplificado, modelo de díodo com tensão de barreira e
resistência interna, modelos de pequenos sinais.

-No modelo simplificado a resistência interna do díodo (Rd) assume normalmente valores
reduzidos e a tensão (Vd=V) pode ser aproximado para 0,7V no caso do díodo de Silício. O
modelo de tensão de barreira e resistência interna inclui uma resistência linear calculada a
partir do declive da parte linear da curva de transcondutância. No entanto, isto não é
geralmente necessário uma vez que o seu valor é bastante constante.

Há aplicações em que o díodo é polarizado para operar em um ponto sobre a curva i (do
gráfico). Neste caso, a tensão do díodo é obtida através da soma das duas componentes CA e
CC. Assim é possível sobrepor um pequeno sinal de CA a valores de CC. Este modelo contém
também uma resistência incremental que é inversamente proporcional à corrente do díodo
(Id). A análise do modelo de pequenos sinais é realizada através do Teorema da Superposição
utilizando 3 passos: a realização da análise CC para determinar o ponto de operação (Q = (VD,
ID)), determinar a resistência incremental (Rd) e por fim substituir o díodo pela resistência
incremental e anular todas as fontes CC.

+O transístor bipolar de junções: a estrutura e o funcionamento na zona activa.

-O transístor bipolar de junções (TBJ) foi o primeiro dispositivo de semiconductor desenvolvido

tecnologicamente capaz de amplificação de potência. O principio de funcionamento baseia-se
no comportamento da junção p-n. Estes dispositivos caracterizam-se fundamentalmente por
uma velocidade de comutação elevada, baixo nível de ruído e potência de saída elevada.
Existem dois tipos de transistores bipolares de junções: o tipo “npn” e o “pnp”. Estas
designações devem-se ao facto de serem constituídos por material semicondutor, tendo estes
duas junções, pn ou np. A cada uma destas partes de material semicondutor estão ligados três
canais: emissor, base e colector. Na secção em que está ligado o emissor a dopagem é feita de
forma significativa em relação à zona do colector e a largura da secção da base é mais estreita
em relação às outras. Esta estrutura é equivalente a dois díodos em série, com a exceção da
largura da base já referida. Existem 3 zonas típicas de funcionamento: corte (BE OFF e BC OFF),
activa (BE ON e BC OFF) e saturação (BE ON e BC ON). O funcionamento da zona activa
consiste na polarização directa da junção BE e na polarização inversa da junção BC. Contudo,
os electrões não são bloqueados pela junção BC uma vez que a base é muito fina, o que
permite que os electrões consigam chegar ao colector antes de colidirem com outras
partículas (graças à sua velocidade ser suficiente). Os electrões que por acaso não conseguirem
alcançar o colector formam corrente na base (Ib).

+Transístor bipolar de junções: modelo de pequenos sinais (descrição e exemplo de

aplicação).

-Existem 2 modelos de pequenos sinais para o transístor bipolar de junções: o modelo π e o

modelo T. Primeiro, determina-se o ponto de funcionamento estático e calculam-se os
parâmetros do modelo. Depois eliminam-se as fontes CC, substitui-se o transístor pelo modelo
(π ou T) e analisa-se o circuito resultante para determinar as características desejadas, por
exemplo, o ganho de tensão, a resistência de entrada, etc. Ambos os modelos de pequenos
sinais são utilizados para determinar as características dos amplificadores com transístores
deste tipo.

+Transístor MOS-FET: Modelo de pequenos sinais (aplicação e exemplos).

- A variação do pequeno sinal Vgs vai provocar a variação da corrente (Id) que por sua vez irá
procurar a variação de V0. Se as variações em Vgs forem pequenas a relação é linear. Na
utilização do modelo de pequenos sinais para o transístor MOS-FET, o resto do circuito do em
questão permanece inalterado e as fontes de tensão contínua são substituídas por
curtocircuitos. Isto resulta do facto de que a tensão aos terminais de uma fonte de tensão
contínua ideal não varia, pelo que a tensão de sinal aos seus terminais será sempre zero. O
circuito resultante pode então ser usado para realizar a análise de sinal pretendida e, em
particular, calcular o ganho de tensão. A variação do pequeno sinal Vgs vai provocar a variação
da corrente (Id) que por sua vez irá procurar a variação de V0. Se as variações em Vgs forem
pequenas a relação é linear. Exemplos de modelos de pequenos sinais para transístores MOS-
FET: modelo π, modelo π aumentado, modelo T e modelo T aumentado.

+O transístor de efeito de campo: a estrutura interna do transístor e a polarização no caso

particular do transístor MOS-FET com canal n. Caracteristicas.
-Um transístor MOS-FET é um dispositivo unipolar, isto é, um dispositivo em que o transporte
de carga eléctrica é assegurado por um só tipo de portadores de carga (electrão ou lacuna). O
transístor MOS-FET é também o semicondutor mais utilizado em circuitos digitais. Um
transístor MOS-FET pode ser de 2 tipos: reforço ou deplecção. Dentro desses 2 tipos há duas
variantes deste tipo de transístor: canal n (NMOS) ou canal p (PMOS). Este transístor é
composto por 4 terminais diferentes: a porta (G), o dreno (D), a fonte (S) e o substracto (B). O
MOS-FET com canal n polariza-se inversamente ligando o substracto à fonte para manter as
junções (entre a fonte e substracto e entre o dreno e o substracto) polarizadas inversamente.

+Comparadores baseados na utilização do amplificador operacional. Comparador básico e

comparador Schmitt Triger.

-O comparador básico consiste em ligar um dos terminais a um nível de referência e o outro

terminal ao sinal a analisar. Como acontece nos circuitos não realimentados, o amplificador
opera na zona não linear (saturação). Num circuito onde Vi está ligado a V+, se tomar valores
abaixo de 0V a diferença de potência (V+ - V-) à entrada do amplificador é negativa ficando o
dispositivo saturado negativamente. Mas se tomar valores acima de 0V a diferença de
potencial é positiva e satura positivamente. Ou seja isto é bom para comparar dois sinais e
gerar um bit com a informação correspondente aos valores de entrada. Pode haver erros na
presença de ruido. O comparador Schmitt Triger, também conhecido por circuito biestável,
difere de um comparador normal pelo facto de a sua função V0(Vi) incluir uma zona não
unívoca na vizinhança da tensão de histerese. A zona de histerese evita que aconteçam
oscilações na saída do comparador provocadas por ruido.

+Oscilador de Pierce: o modelo cristal de Quartz, características, implementação e aplicação.

- O oscilador de Pierce tem por base um inversor cuja saída é realimentada para a entrada e
confere ao circuito frequências de oscilação estáveis e bem definidas, mas apresenta
limitações na integração. Desta forma, a frequência de oscilação é determinada pela
frequência de ressonância do cristal e não por componentes resistivos e capacitivos. A
exatidão possível de atingir com um cristal é muito elevada (quer ao baixo erro na definição do
valor nominal da frequência de oscilação como na sua variação devido a factores exteriores
como a temperatura ou a humidade). O modelo cristal de Quartz apresenta dois tipos de
ressonância (ressonância paralela e ressonância em série), a frequência de oscilação do
oscilador é representada por frequência de ressonância de oscilador de Quartz e depende da
temperatura da frequência de oscilação. O oscilador de Pierce é utilizado em muitos produtos,
como por exemplo o receptor de um GPS.

9.Filtros Analógicos: classificação, função de transferência, exemplos de filtros

analógicos passivos e activos, breve descrição

10. Filtros analógicos de tipo Butterworth. Descrição geral, equações, exemplos.

11. Osciladores descrição geral e em particular o oscilador em anel