1. PARA LOS SEMICONDUCTORES DE TIPO P ES 6.

SON DISPOSITIVOS AMPLIFICADORES:

VERDAD:
a) Transistor bipolar y transistor UJT.
a) Poseen más resistencia que el silicio puro. b) Transistor JFET y RCS (Tiristor).
b) Los portadores minoritarios dependen del dopado. c) Transistor bipolar y RCS (Tiristor)
c) Los portadores mayoritarios son los huecos. d) Transistor UJT y Zener.
d) Los portadores mayoritarios son los electrones. e) Transistor bipolar y transistor JFET.
e) Al calentarlos aumentara su resistencia.
7. SELECCIONAR LA PROPOSICION FALSA
2. PARA EL DIODO DE UNION ES VERDAD: RESPECTO A LOS MATERIALES:

a) La polarización inversa no elimina la zona de a) Los conductores poseen 4 electrones de valencia.

empotramiento. b) Los conductores aumentan su resistencia al ser
b) La polarización directa del diodo de silicio es menor calentados.
que la del diodo de germanio. c) Los semiconductores disminuyen su resistencia al
c) Esta construido por tres regiones de material ser calentados.
semiconductor. d) Los semiconductores poseen 4 electrones de
d) Al polarizarlo directamente conducirá. valencia.
e) Cuando es de alta tensión se construye igual que el e) Los aislantes poseen mayor resistividad que los
de baja tensión. semiconductores.

3. EN EL TRANSISTOR BIPOLAR SE CUMPLE: 8. LOS DIODOS (DEL) LED:

a) Necesita tener polarizadas en sentido directo sus a) Se utilizan en circuitos reguladores de voltaje.
uniones para ser útil como amplificador. b) Emiten luz al ser polarizados inversamente.
b) Necesita tener polarizadas en sentido inverso sus c) Emiten luz al ser polarizadas directamente.
uniones para ser útil como amplificador. d) Se construyen con el mismo material que los diodos
c) Presenta una muy alta resistencia entre base y rectificadores.
emisor. e) Siempre se polarizan inversamente.
d) La corriente de base es la menor de las tres
corrientes. 9. ESCOJA LA PROPOSICION FALSA SOBRE EL
e) La corriente de base es la mayor de las tres TRANSISTOR:
corrientes.
a) Cuando Ib sea nula, Ic también será nula.
4. ENTRE LOS DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO LA b) La corriente de base es mucho menor que la
DIFERENCIA ES: corriente de emisor.
c) La corriente de base gobierna la corriente de
a) Los diodos de germanio son los que soportan colector.
mayor temperatura. d) La beta (β) de los transistores se mide en
b) Los diodos de germanio conducen una mayor miliamperios.
tensión directa. e) El valor de alfa (α) es menor a la unidad.
c) Los diodos de silicio son los que soportan mayor
temperatura. 10. UN AMPLIFICADOR DEBE ENTREGAR UNA SEÑAL
d) Los diodos de germanio siempre soportan mayor DE SALIDA DE 400 mV. SI SU GANANCIA DE
tensión inversa. TGENSION ES DE 100, LA SEÑAL DE ENTRADA AL
e) Los diodos de germanio tienen mayor resistencia en AMPLIFICADOR DEBE SER:
conducción.
a) 5 mV.
5. DEL AMPLIFICADOR A TRANSISTOR SE SABE: b) 5 V.
c) 4 mV.
a) El de base común es el que tiene mayor ganancia d) 4 V.
de corriente. e) 8 mV.
b) El de base común es el que tiene menor ganancia
de voltaje.
c) El de emisor común es el que tiene menor ganancia
de voltaje.
d) El de emisor común tiene mayor ganancia de
corriente comparado con el de base común.
e) El de mayor ganancia de voltaje es el de colector
común.
11. MARCAR CON UN CIRCULO LA OPCION
INCORRECTA: 17. UN CIRCUITO TANQUE CONSTA DE UNA BOBINA DE 40
µH. Y UN CONDENSADOR DE 0.005 µF. SU FRECUENCIA
SE SINTONIO APROXIMADA SERA:
a) Los amplificadores clase A trabajan n la región
central de la recta de carga y conducen durante
a) 54 Khz.
todo el ciclo. b) 72 Khz.
b) La polarización directa permite que el diodo c) 35.6 Khz.
conduzca. d) 356 Khz.
c) La capacidad de un diodo Varicap la determina su e) 5.9 Khz.
polarización directa.
d) El diodo Zener sirve estabilizar tensiones. 18. UN AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B SU
e) El silicio posee 4 electrones de valencia. RENDIMIENTO MAXIMO TEORICO SERA:

a) 50 %.
12. ES COJA LA PROPOSICION FALSA SOBRE LAS
b) 100 %.
CURVAS CARACTERISTICAS TENSION – c) 78.5 %.
INTENSIDAD: d) 85 %.
e) 25 %.
a) Se usa mucho para describir el comportamiento de
los componentes electrónicos. 19. PARA QUE DE UN BUEN VOLUMEN, UN RECEPTOR
b) De una resistencia es lineal. POLICIAL NECESITA UNA ENTRADA DE AUDIO AL
c) De un cortocircuito es una recta coincidente con el ALTAVOZ DE 1V. SI LA SENSIBILIDAD DEL RECEPTOR
ESTA ESPECIFICADA EN 1µV. LA GANANCIA EN
eje horizontal.
DECIBELES GLOBAL DEL RECEPTOR SERA:
d) De un diodo es lineal.
e) De un circuito abierto es una recta coincidente con a) 20 dB.
el eje horizontal. b) 10 dB.
c) 60 dB.
13. ESCOJA LA PROPOSICION FALSA SOBRE EL d) 120 dB.
DIODO ZENER: e) 12 dB.

a) El símbolo de los DEL es igual a los del diodo 20. LA GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR ES
IGUAL A 60 dB, SI LA POTENCIA DE ENTRADA ES IGUAL A
Zener.
0.001 mW, LA POTENCIA DE SALIDA SERÁ:
b) Cuando funcionan como reguladores, conducen de
ánodo a cátodo.
c) Sirven para estabilizar tensiones.
d) Normalmente los diodos Zener no trabajan con a) 60 W.
polarización directa. b) 1 W.
e) Esta construido con silicio tipo N y tipo P. c) 1.1 W.
d) 0.1 W.
14. LA PROPOSICION FALSA SOBRE A LOS DIODO ZENER: e) 30 W.

a) Trabaja polarizado inversamente. 21. EN LA FIGURA MOSTRADA LA CORRIENTE DE BASE Y EL

b) Puede ser polarizado directamente. VOLTAJE COLECTOR – EMISOR SON
c) Solo se fabrica con tensiones de ruptura menores a 50 RESPECTIVAMENTE:
voltios.
d) Se usa como reguladores de tensión. a) 5 mA y 0V.
e) Están formados por dos semiconductores N y P. b) 50 µA y 10V.

15. LOS TRANSISTORES DE SILICIO SE PONEN A CONDUCIR c) 50 µA y 12.5V.

SI LA TENSIÓN VBE. TIENE EL VALOR DE: d) 100 µA y 5V.
a) 0.8 V. e) 48 mA y 9.2V.
b) 0.6 mA.
c) 0.2 V.
d) 0.6 V.
e) 0.1 V.

16. LA CORRIENTE DE BASE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

ES 25 µA. Y LA DE COLECTOR 5 mA. EL β DEL
TRANSISTOR SERA:

a) 200.
b) 100.
c) 75.
d) 50.
e) 150.
22. Un transistor está constituido por dos uniones P-
N, polarizadas: 29. Si la ganancia de corriente de un transistor es
a) Ambas inversamente de 200 y la corriente de colector es de100 mA,
b) Una directamente y otra inversamente la corriente de la base es de:
c) Ambas directamente
d) N/A a) 0,5mA
b) 2mA
c) 102mA
23. La corriente de electrones que circula por la base d) N/A
de un transistor NPN:
,
a) Es del orden del 20% de la total
b) Es del orden del 4% de la total
c) Es la total que pasa por el transistor
d) N/A

24. El efecto transistor, consiste en:

a) Hacer pasar una débil corriente por una
unión P-N polarizada inversamente
b) Hacer pasar una débil corriente por una
unión P-N polarizada directamente
c) Hace pasar una gran corriente por una
unión P-N polarizada inversamente,
polarizando directamente la otra unión
d) N/A

25. La barrera de potencial que se crea en un

transistor de Si, tiene un valor aproximado de:
. ,

a) 0,3V
b) 1V
c) 0.7v
d) n/A

26. En la operación normal de un transistor ,el diodo

colector base, tiene
a) Polarización directa
b) Polarización inversa
c) La misma que la del
diodo emisor – base
d) N/A

27. La ganancia de corriente de un transistor es la

razón entre:
a) La corriente de colector y la de emisor
b) La corriente de emisor y la de base
c) La corriente colector y la de base
d) N/A

28. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un

transistor, aumentará:
a) La corriente de base
b) La corriente de colector
c) La corriente de emisor
d) N/A