Panel fotovoltaico

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Art�culo principal: Energ�a solar fotovoltaica

Una instalaci�n de paneles solares en Canterbury (Nuevo Hampshire, Estados Unidos)

Estaci�n de carga para autom�viles el�ctricos alimentada por energ�a solar mediante
paneles instalados en la cubierta
Los paneles o m�dulos fotovoltaicos �llamados com�nmente paneles solares, aunque
esta denominaci�n abarca adem�s otros dispositivos� est�n formados por un conjunto
de c�lulas fotovoltaicas que producen electricidad a partir de la luz que incide
sobre ellos mediante el efecto fotoel�ctrico.

Los paneles fotovoltaicos, en funci�n del tipo de c�lula que los forman, se dividen
en:

Cristalinas
Monocristalinas: se componen de secciones de un �nico cristal de silicio (Si)
(reconocibles por su forma circular u octogonal, donde los 4 lados cortos, si se
puede apreciar en la imagen, se aprecia que son curvos, debido a que es una c�lula
circular recortada).
Policristalinas: cuando est�n formadas por peque�as part�culas cristalizadas.
Amorfas: cuando el silicio no se ha cristalizado.
Su efectividad es mayor cuanto mayor son los cristales, pero tambi�n su peso,
grosor y costo. El rendimiento de las primeras puede alcanzar el 22 %1? mientras
que el de las �ltimas puede no llegar al 10 %, sin embargo su costo y peso es muy
inferior.

El costo de los paneles fotovoltaicos se ha reducido de forma constante desde que

se fabricaron las primeras c�lulas solares comerciales2? y su coste medio de
generaci�n el�ctrica ya es competitivo con las fuentes de energ�a convencionales en
un creciente n�mero de regiones geogr�ficas, alcanzando la paridad de red.3?4?

�ndice
1 Historia
2 Las distintas generaciones de c�lulas fotovoltaicas
2.1 Breve introducci�n sobre la f�sica de los semiconductores
2.2 Las cuatro generaciones de c�lulas fotovoltaicas
3 Principio de funcionamiento
3.1 Principios te�ricos de funcionamiento
3.2 Fotogeneraci�n de portadores de carga
3.3 Separaci�n de los portadores de carga
3.4 Generaci�n de corriente en una placa convencional
3.5 La uni�n p-n
4 Factores de eficiencia de una c�lula solar
4.1 Punto de m�xima potencia
4.2 Eficiencia en la conversi�n de energ�a
4.3 Factor de llenado
4.4 TONC
5 Potencia y costes
6 Conectores
7 Usos de los paneles fotovoltaicos
7.1 Lista de aplicaciones
7.2 Panel de alta concentraci�n
8 V�ase tambi�n
9 Referencias
10 Enlaces externos
Historia
James Van Allen (en el centro) con una r�plica del propulsor que lanz� el Explorer
1 en el a�o 1958
V�ase tambi�n: Anexo:Cronolog�a del desarrollo de las c�lulas solares
El t�rmino fotovoltaico proviene del griego f??:phos, que significa �luz� y
voltaico, que proviene del campo de la electricidad, en honor al f�sico italiano
Alejandro Volta, (que tambi�n proporciona el t�rmino voltio a la unidad de medida
de la diferencia de potencial en el Sistema Internacional de medidas). El t�rmino
fotovoltaico se comenz� a usar en Inglaterra desde el a�o 1849.

El efecto fotovoltaico fue reconocido por primera vez en 1839 por el f�sico franc�s
Becquerel, pero la primera c�lula solar no se construy� hasta 1883. Su autor fue
Charles Fritts, quien recubri� una muestra de selenio semiconductor con un pan de
oro para formar el empalme. Este primitivo dispositivo presentaba una eficiencia de
solo un 1 %. En 1905 Albert Einstein dio la explicaci�n te�rica del efecto
fotoel�ctrico. Russell Ohl patent� la c�lula solar moderna en el a�o 1946, aunque
Sven Ason Berglund hab�a patentado, con anterioridad, un m�todo que trataba de
incrementar la capacidad de las c�lulas fotosensibles.

La era moderna de la tecnolog�a de potencia solar no lleg� hasta 1954 cuando los
Laboratorios Bell, descubrieron, de manera accidental, que los semiconductores de
silicio dopado con ciertas impurezas, eran muy sensibles a la luz.

Estos avances contribuyeron a la fabricaci�n de la primera c�lula solar comercial

con una conversi�n de la energ�a solar de, aproximadamente, el 6 %. La URSS lanz�
su primer sat�lite espacial en 1957, y los EE. UU. un a�o despu�s. En el dise�o de
este se usaron c�lulas solares creadas por Peter Iles en un esfuerzo encabezado por
la compa��a Hoffman Electronics.

La primera nave espacial que us� paneles solares fue el sat�lite norteamericano
Vanguard 1, lanzado en marzo de 1958.5? Este hito gener� un gran inter�s en la
producci�n y lanzamiento de sat�lites geoestacionarios para el desarrollo de las
comunicaciones, en los que la energ�a provendr�a de un dispositivo de captaci�n de
la luz solar. Fue un desarrollo crucial que estimul� la investigaci�n por parte de
algunos gobiernos y que impuls� la mejora de los paneles solares.

En 1970 la primera c�lula solar con heteroestructura de arseniuro de galio (GaAs) y

altamente eficiente se desarroll� en la extinta URSS por Zhor�s Alfi�rov y su
equipo de investigaci�n.

La producci�n de equipos de deposici�n qu�mica de metales por vapores org�nicos o

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), no se desarroll� hasta los a�os
1980, limitando la capacidad de las compa��as en la manufactura de c�lulas solares
de arseniuro de galio. La primera compa��a que manufactur� paneles solares en
cantidades industriales, a partir de uniones simples de GaAs, con una eficiencia de
AM0 (Air Mass Zero) del 17 % fue la norteamericana ASEC (Applied Solar Energy
Corporation). La conexi�n dual de la celda se produjo en cantidades industriales
por ASEC en 1989, de manera accidental, como consecuencia de un cambio del GaAs
sobre los sustratos de GaAs a GaAs sobre sustratos de germanio.

El dopaje accidental de germanio (Ge) con GaAs como capa amortiguadora cre�
circuitos de voltaje abiertos, demostrando el potencial del uso de los sustratos de
germanio como otros celdas. Una celda de uniones simples de GaAs lleg� al 19 % de
eficiencia AM0 en 1993. ASEC desarroll� la primera celda de doble uni�n para las
naves espaciales usadas en los EE. UU., con una eficiencia de un 20 %
aproximadamente.

Estas celdas no usan el germanio como segunda celda, pero usan una celda basada en
GaAs con diferentes tipos de dopaje. De manera excepcional, las c�lulas de doble
uni�n de GaAs pueden llegar a producir eficiencias AM0 del orden del 22 %. Las
uniones triples comienzan con eficiencias del orden del 24 % en 2000, 26 % en 2002,
28 % en 2005, y han llegado, de manera corriente al 30 % en 2007. En 2007, dos
compa��as norteamericanas, Emcore Photovoltaics y Spectrolab, producen el 95 % de
las c�lulas solares del 28 % de eficiencia.

Las distintas generaciones de c�lulas fotovoltaicas

El esquema de la figura corresponde a las diferencias de energ�a que hay entre las
bandas de valencia y las bandas de conducci�n en tres tipos distintos de
materiales. Dicha diferencia condiciona la conductividad el�ctrica de los mismos.
Breve introducci�n sobre la f�sica de los semiconductores
En una muestra de metal, los electrones exteriores de sus �tomos, denominados
electrones de valencia pueden moverse libremente. Se dice que est�n deslocalizados
en regiones del espacio que ocupan toda la red cristalina, como si de una malla se
tratase. En t�rminos energ�ticos esto quiere decir que los electrones de la �ltima
capa del �tomo ocupan niveles de energ�a altos que les permite escaparse del enlace
que les une a su �tomo.

El conjunto de estos niveles, muy pr�ximos unos de otros, forman parte de la

llamada banda de conducci�n (BC). Esta banda est� formada, adem�s, por niveles de
energ�a vac�os y es, precisamente, la existencia de estos niveles vac�os la que
permite que los electrones puedan saltar a ellos cuando se les pone en movimiento,
al aplicar un campo el�ctrico. Precisamente esta circunstancia permite que los
metales sean conductores de la electricidad. Los dem�s electrones del �tomo, con
energ�as menores, forman la banda de valencia (BV). La distancia entre ambas
bandas, en t�rminos de energ�a, es nula. Ambas bandas se solapan de manera que los
electrones de la BV con m�s energ�a se encuentran, tambi�n, en la BC.

En las sustancias aislantes, la BC est� completamente vac�a porque todos los

electrones, incluidos los de la �ltima capa, est�n ligados al �tomo, tienen una
energ�a m�s baja, y por lo tanto se encuentran en la banda de valencia, y adem�s la
distancia entre las bandas (se denomina a esta distancia energ�tica banda
prohibida, o gap) es bastante grande, con lo que les es muy dif�cil saltar a la BC.
Como la BV est� llena, los electrones no pueden moverse y no puede haber corriente
el�ctrica al aplicar un voltaje entre los extremos del aislante.

En los semiconductores, las bandas de valencia y conducci�n presentan una situaci�n

intermedia entre la que se da en un conductor y la que es normal en un aislante. La
BC tiene muy pocos electrones. Esto es debido a que la separaci�n que hay entre la
BV y la BC no es nula, pero s� peque�a. As� se explica que los semiconductores
aumentan su conductividad con la temperatura, pues la energ�a t�rmica suministrada
es suficiente para que los electrones puedan saltar a la banda de conducci�n,
mientras que los conductores la disminuyen, debido a que las vibraciones de los
�tomos aumentan y dificultan la movilidad de los electrones.

Lo interesante de los semiconductores es que su peque�a conductividad el�ctrica es

debida tanto a la presencia de electrones en la BC, como a que la BV no est�
totalmente llena.

Las cuatro generaciones de c�lulas fotovoltaicas

Barra de silicio policristalino

C�lula solar monocristalina durante su fabricaci�n

La primera generaci�n de c�lulas fotovoltaicas consist�an en una gran superficie de
cristal simple. Una simple capa con uni�n diodo p-n, capaz de generar energ�a
el�ctrica a partir de fuentes de luz con longitudes de onda similares a las que
llegan a la superficie de la Tierra provenientes del Sol. Estas c�lulas est�n
fabricadas, usualmente, usando un proceso de difusi�n con obleas de silicio. Esta
primera generaci�n (conocida tambi�n como c�lulas solares basadas en oblea) son,
actualmente, (2007) la tecnolog�a dominante en la producci�n comercial y
constituyen, aproximadamente, el 86 % del mercado de c�lulas solares terrestres.

La segunda generaci�n de materiales fotovoltaicos se basan en el uso de dep�sitos

epitaxiales muy delgados de semiconductores sobre obleas con concentradores. Hay
dos clases de c�lulas fotovoltaicas epitaxiales: las espaciales y las terrestres.
Las c�lulas espaciales, usualmente, tienen eficiencias AM0 (Air Mass Zero) m�s
altas (28-30 %), pero tienen un costo por vatio m�s alto. En las terrestres la
pel�cula delgada se ha desarrollado usando procesos de bajo coste, pero tienen una
eficiencia AM0 (7-9 %), m�s baja, y, por razones evidentes, se cuestionan para
aplicaciones espaciales.

Las predicciones antes de la llegada de la tecnolog�a de pel�cula delgada apuntaban

a una considerable reducci�n de costos para c�lulas solares de pel�cula delgada.
Reducci�n que ya se ha producido. Actualmente (2007) hay un gran n�mero de
tecnolog�as de materiales semiconductores bajo investigaci�n para la producci�n en
masa. Se pueden mencionar, entre estos materiales, al silicio amorfo, silicio
monocristalino, silicio policristalino, telururo de cadmio y sulfuros y seleniuros
de indio. Te�ricamente, una ventaja de la tecnolog�a de pel�cula delgada es su masa
reducida, muy apropiada para paneles sobre materiales muy ligeros o flexibles.
Incluso materiales de origen textil.

La llegada de pel�culas delgadas de Ga y As para aplicaciones espaciales

(denominadas c�lulas delgadas) con potenciales de eficiencia AM0 por encima del 37
% est�n, actualmente, en estado de desarrollo para aplicaciones de elevada potencia
espec�fica. La segunda generaci�n de c�lulas solares constituye un peque�o segmento
del mercado fotovoltaico terrestre, y aproximadamente el 90 % del mercado espacial.

La tercera generaci�n de c�lulas fotovoltaicas que se est�n proponiendo en la

actualidad (2007) son muy diferentes de los dispositivos semiconductores de las
generaciones anteriores, ya que realmente no presentan la tradicional uni�n p-n
para separar los portadores de carga fotogenerados. Para aplicaciones espaciales,
se est�n estudiando dispositivos de huecos cu�nticos (puntos cu�nticos, cuerdas
cu�nticas, etc.) y dispositivos que incorporan nanotubos de carbono, con un
potencial de m�s del 45 % de eficiencia AM0. Para aplicaciones terrestres, se
encuentran en fase de investigaci�n dispositivos que incluyen c�lulas
fotoelectroqu�micas, c�lulas solares de pol�meros, c�lulas solares de nanocristales
y c�lulas solares de tintas sensibilizadas.

Una hipot�tica cuarta generaci�n de c�lulas solares consistir�a en una tecnolog�a

fotovoltaica compuesta en las que se mezclan, conjuntamente, nanopart�culas con
pol�meros para fabricar una capa simple multiespectral. Posteriormente, varias
capas delgadas multiespectrales se podr�an apilar para fabricar las c�lulas solares
multiespectrales definitivas. C�lulas que son m�s eficientes, y baratas. Basadas en
esta idea, y la tecnolog�a multiuni�n, se han usado en las misiones de Marte que ha
llevado a cabo la NASA. La primera capa es la que convierte los diferentes tipos de
luz, la segunda es para la conversi�n de energ�a y la �ltima es una capa para el
espectro infrarrojo. De esta manera se convierte algo del calor en energ�a
aprovechable. El resultado es una excelente c�lula solar compuesta. La
investigaci�n de base para esta generaci�n se est� supervisando y dirigiendo por
parte de la DARPA para determinar si esta tecnolog�a es viable o no. Entre las
compa��as que se encuentran trabajando en esta cuarta generaci�n se encuentran
Xsunx, Konarka Technologies, Inc., Nanosolar, Dyesol y Nanosys.

Principio de funcionamiento
Principios te�ricos de funcionamiento
Algunos de los fotones, que provienen de la radiaci�n solar, impactan sobre la
primera superficie del panel, penetrando en este y siendo absorbidos por materiales
semiconductores, tales como el silicio o el arseniuro de galio.
Los electrones, part�culas subat�micas que forman parte del exterior de los �tomos,
y que se alojan en orbitales de energ�a cuantizada, son golpeados por los fotones
(interaccionan) liber�ndose de los �tomos a los que estaban originalmente
confinados.
Esto les permite, posteriormente, circular a trav�s del material y producir
electricidad. Las cargas positivas complementarias que se crean en los �tomos que
pierden los electrones, (parecidas a burbujas de carga positiva) se denominan
huecos y fluyen en el sentido opuesto al de los electrones, en el panel solar.

Se ha de comentar que, as� como el flujo de electrones corresponde a cargas reales,

es decir, cargas que est�n asociadas a desplazamiento real de masa, los huecos, en
realidad, son cargas que se pueden considerar virtuales puesto que no implican
desplazamiento de masa real.

Representaci�n de la diferencia de potencial, o voltaje de corriente con respecto

al tiempo en corriente continua
Un conjunto de paneles solares transforman la energ�a solar (energ�a en forma de
radiaci�n y que depende de la frecuencia de los fotones) en una determinada
cantidad de corriente continua, tambi�n denominada DC (acr�nimo del ingl�s Direct
Current y que corresponde a un tipo de corriente el�ctrica que se describe como un
movimiento de cargas en una direcci�n y un solo sentido, a trav�s de un circuito.
Los electrones se mueven de los potenciales m�s bajos a los m�s altos).

Opcionalmente:

La corriente continua se lleva a un circuito electr�nico conversor (inversor) que

transforma la corriente continua en corriente alterna, (AC) (tipo de corriente
disponible en el suministro el�ctrico de cualquier hogar) de 120 o 240 voltios.
La potencia de AC entra en el panel el�ctrico de la casa.
La electricidad generada se distribuye, casi siempre, a la l�nea de distribuci�n de
los dispositivos de iluminaci�n de la casa, ya que estos no consumen excesiva
energ�a, y son los adecuados para que funcionen correctamente con la corriente
generada por el panel.
La electricidad que no se usa se puede enrutar y usar en otras instalaciones.
Fotogeneraci�n de portadores de carga
Cuando un fot�n llega a una pieza de silicio, pueden ocurrir tres acontecimientos:

El fot�n puede pasar a trav�s del material de silicio sin producir ning�n efecto;
esto ocurre, generalmente, para fotones de baja energ�a.
Los fotones pueden ser reflejados al llegar a la superficie del panel, y son
expulsados de este.
El fot�n es absorbido por el silicio, en cuyo caso puede ocurrir:
Generar calor
Producir pares de electrones-huecos, si la energ�a del fot�n incidente es m�s alta
que la m�nima necesaria para que los electrones liberados lleguen a la banda de
conducci�n.
N�tese que si un fot�n tiene un n�mero entero de veces el salto de energ�a para que
el electr�n llegue a la banda de conducci�n, podr�a crear m�s de un �nico par
electr�n-hueco. No obstante, este efecto no es significativo, de manera usual, en
las c�lulas solares. Este fen�meno, de m�ltiplos enteros, es explicable mediante la
mec�nica cu�ntica y la cuantizaci�n de la energ�a.

Cuando se absorbe un fot�n, la energ�a de este se comunica a un electr�n de la red

cristalina. Usualmente, este electr�n est� en la banda de valencia, y est�
fuertemente vinculado en enlaces covalentes que se forman entre los �tomos
colindantes. El conjunto total de los enlaces covalentes que forman la red
cristalina da lugar a lo que se llama la banda de valencia. Los electrones
pertenecientes a esa banda son incapaces de moverse m�s all� de los confines de la
banda, a no ser que se les proporcione energ�a, y adem�s una energ�a determinada.
La energ�a que el fot�n le proporciona es capaz de excitarlo y promocionarlo a la
banda de conducci�n, que est� vac�a y donde puede moverse con relativa libertad,
usando esa banda, para desplazarse, a trav�s del interior del semiconductor.

El enlace covalente del cual formaba parte el electr�n, tiene ahora un electr�n
menos. Esto se conoce como hueco. La presencia de un enlace covalente perdido
permite a los electrones vecinos moverse hacia el interior de ese hueco, que
producir� un nuevo hueco al desplazarse el electr�n de al lado, y de esta manera, y
por un efecto de traslaciones sucesivas, un hueco puede desplazarse a trav�s de la
red cristalina. As� pues, se puede afirmar que los fotones absorbidos por el
semiconductor crean pares m�viles de electrones-huecos.

Un fot�n solo necesita tener una energ�a m�s alta que la necesaria para llegar a
los huecos vac�os de la banda de conducci�n del silicio, y as� poder excitar un
electr�n de la banda de valencia original a dicha banda.

El espectro de frecuencia solar es muy parecido al espectro del cuerpo negro cuando
este se calienta a la temperatura de 6000 K y, por tanto, gran cantidad de la
radiaci�n que llega a la Tierra est� compuesta por fotones con energ�as m�s altas
que la necesaria para llegar a los huecos de la banda de conducci�n. Ese excedente
de energ�a que muestran los fotones, y mucho mayor de la necesaria para la
promoci�n de electrones a la banda de conducci�n, ser� absorbido por la c�lula
solar y se manifestar� en un apreciable calor (dispersado mediante vibraciones de
la red, denominadas fonones) en lugar de energ�a el�ctrica utilizable.

Separaci�n de los portadores de carga

Hay dos modos fundamentales para la separaci�n de portadores de carga en una c�lula
solar:

movimiento de los portadores, impulsados por un campo electrost�tico establecido a

trav�s del dispositivo.
difusi�n de los portadores de carga de zonas de alta concentraci�n de portadores a
zonas de baja concentraci�n de portadores (siguiendo un gradiente de potencial
el�ctrico).
En las c�lulas de uni�n p-n, ampliamente usadas en la actualidad, el modo que
predomina en la separaci�n de portadores es por la presencia de un campo
electrost�tico. No obstante, en c�lulas solares en las que no hay uniones p-n
(t�picas de la tercera generaci�n de c�lulas solares experimentales, como c�lulas
de pel�cula delgada de pol�meros o de tinta sensibilizada), el campo el�ctrico
electrost�tico parece estar ausente. En este caso, el modo dominante de separaci�n
es mediante la v�a de la difusi�n de los portadores de carga.

Generaci�n de corriente en una placa convencional

Esquema el�ctrico
Los m�dulos fotovoltaicos funcionan, como se ha dejado entrever en el anterior
apartado, por el efecto fotoel�ctrico. Cada c�lula fotovoltaica est� compuesta de,
al menos, dos delgadas l�minas de silicio. Una dopada con elementos con menos
electrones de valencia que el silicio, denominada P y otra con elementos con m�s
electrones que los �tomos de silicio, denominada N.

Aquellos fotones procedentes de la fuente luminosa que proviene del sol, que
presentan energ�a adecuada, inciden sobre la superficie de la capa P, y al
interactuar con el material liberan electrones de los �tomos de silicio los cuales,
en movimiento, atraviesan la capa de semiconductor, pero no pueden volver. La capa
N adquiere una diferencia de potencial respecto a la P. Si se conectan unos
conductores el�ctricos a ambas capas y estos, a su vez, se unen a un dispositivo o
elemento el�ctrico consumidor de energ�a que, usualmente y de forma gen�rica se
denomina carga, se iniciar� una corriente el�ctrica continua.

Este tipo de paneles producen electricidad en corriente continua y aunque su

efectividad depende tanto de su orientaci�n hacia el sol como de su inclinaci�n con
respecto a la horizontal, se suelen montar instalaciones de paneles con orientaci�n
e inclinaci�n fija, por ahorros en mantenimiento. Tanto la inclinaci�n como la
orientaci�n, al sur, se fija dependiendo de la latitud y tratando de optimizarla al
m�ximo usando las recomendaciones de la norma ISO correspondiente.

La uni�n p-n
La c�lula solar m�s usual est� fabricada en silicio y configurada como un gran �rea
de uni�n p-n. Una simplificaci�n de este tipo de placas puede considerarse como una
capa de silicio de tipo n directamente en contacto con una capa de silicio de tipo
p. En la pr�ctica, las uniones p-n de las c�lulas solares, no est�n hechas de la
manera anterior, m�s bien, se elaboran por difusi�n de un tipo de dopante en una de
las caras de una oblea de tipo p, o viceversa.

Si la pieza de silicio de tipo p es ubicada en �ntimo contacto con una pieza de

silicio de tipo n, tiene lugar la difusi�n de electrones de la regi�n con altas
concentraciones de electrones (la cara de tipo n de la uni�n) hacia la regi�n de
bajas concentraciones de electrones (cara tipo p de la uni�n).

Cuando los electrones se difunden a trav�s de la uni�n p-n, se recombinan con los
huecos de la cara de tipo p. Sin embargo, la difusi�n de los portadores no continua
indefinidamente. Esta separaci�n de cargas, que la propia difusi�n crea, genera un
campo el�ctrico provocado por el desequilibrio de las cargas parando,
inmediatamente, el flujo posterior de m�s cargas a trav�s de la uni�n.

El campo el�ctrico establecido a trav�s de la creaci�n de la uni�n p-n crea un

diodo que permite el flujo de corriente en un solo sentido a trav�s de dicha uni�n.
Los electrones pueden pasar del lado de tipo p hacia el interior del lado n, y los
huecos pueden pasar del lado de tipo n hacia el lado de tipo p. Esta regi�n donde
los electrones se han difundido en la uni�n se llama regi�n de agotamiento porque
no contiene nada m�s que algunos portadores de carga m�viles. Es tambi�n conocida
como la regi�n de espacio de cargas.

Factores de eficiencia de una c�lula solar

Punto de m�xima potencia
Una placa o c�lula solar puede operar en un amplio rango de voltajes e intensidades
de corriente. Esto puede lograrse variando la resistencia de la carga, en el
circuito el�ctrico, por una parte, y por la otra variando la impedancia de la
c�lula desde el valor cero (valor de cortocircuito) a valores muy altos (circuito
abierto) y se puede determinar el punto de potencia m�xima te�rica, es decir, el
punto que maximiza V y tiempo frente a I, o lo que es lo mismo, la carga para la
cual la c�lula puede entregar la m�xima potencia el�ctrica para un determinado
nivel de radiaci�n.

El punto de potencia m�xima de un dispositivo fotovoltaico var�a con la iluminaci�n

incidente. Para sistemas bastante grandes se puede justificar un incremento en el
precio con la inclusi�n de dispositivos que midan la potencia instant�nea por
medida continua del voltaje y la intensidad de corriente (y de ah� la potencia
transferida), y usar esta informaci�n para ajustar, de manera din�mica, y en tiempo
real, la carga para que se transfiera, siempre, la m�xima potencia posible, a pesar
de las variaciones de luz, que se produzcan durante el d�a.