UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES

FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
GRUPO: 5

ACTIVIDAD 10: TRABAJO

COLABORATIVO 2

Autores:
FERNANDO RIVERA Código: 7726694
ERNESTO JOSÉ CÁRCAMO Código: 9146752
SAMUEL ALFONSO QUINTERO Código: 8201656

Tutor:
ANDRES FELIPE TARAZONA

MAYO 17 DE 2012
BOGOTÁ D.C.
 INTRODUCCION

Un transistor (contracción de los términos transferencia y resistor) es un

componente electrónico semi-conductor que posee tres electrodos capaces de
modificar la corriente que pasa a través suyo, utilizando uno de estos electrodos
(denominado electrodo de control). Éstos reciben el nombre de "componentes
activos", en contraste a los "componentes pasivos", tales como la resistencia o los
capacitores, que sólo cuentan con dos electrodos (a los que se denomina
"bipolares").

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la

circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales eléctricos.

En este trabajo se muestra una investigación acerca del funcionamiento detallado

de transistores y diodos. Expondremos con gráficas, textos explicativos y
sustentación del proceso con lo aprendido en la unidad 1 del tema “Regiones de
operación y física de transistores JFET”.
 FASE 2. PRODUCCIÓN INTELECTUAL

REGIONES DE OPERACIÓN Y FISICA DE TRANSISTORES JFET

El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen

los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".

En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un

voltaje entre la compuerta y el surtidor.

Figura 1: Símbolos de los transistores JFET, canal N y canal P.

Figura 2: Esquema de un JFET.

Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es análogo al

colector, en tanto que el surtidor (S) es análogo al emisor. Un tercer contacto, la
compuerta (G), es análogo a la base.
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador
(drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1a se describe un esquema de
un JFET de canal n, en la 1b el símbolo de este dispositivo y en la 1c el símbolo
de un JFET de canal P.

Principio de operación del JFET (de canal N).

Al igual que lo que sucede con el TBJ, el FET tiene tres regiones de operación.
Estas regiones son:

 Zona Lineal.
 Zona de Saturación.
 Zona de Corte.

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un fenómeno

completamente distinto al de los transistores TBJ.

ZONA LINEAL

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero,

aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente
que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del
canal N de conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, según
sea VDS grande o pequeña en comparación con VDS.

Valores pequeños de voltaje VDS.

La figura 3 muestra la situación cuando se polariza la unión GS una tensión

negativa, mientras que se aplica una tensión menor entre D y S.
 Figura 3: Esquema del transistor de canal N con VGS menor que cero.

Por la terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS,
que en una primera aproximación podemos considerar despreciable. La
corriente ID presenta una doble dependencia:

La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS.

La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre V GS y VP. Como ID
está limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea V GS - VP, mayor será
la anchura del canal y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresión:

ID = ( VGS - VP )VDS

Por lo tanto en la región lineal obtenemos una corriente directamente

proporcional a VGS y VDS.

Valores altos de VDS.

Para Valores altos de VDS comparables y superiores a VGS, la situación cambia

con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte en no lineal,
y el JFet pierde su comportamiento óhmico. Veamos por que sucede esto.

Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, éste se distribuye
a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensión será de
5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habrá reducido su potencial a
la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje será nulo. Por otra parte, si V GS es
negativo (-2 V, por ejemplo), la tensión se distribuirá uniformemente a lo largo de
la zona al no existir ninguna corriente (Figura 5).

NOTA: se desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por debajo de los
contactos.
 Figura 4: Esquema del transistor de canal N con VGS = -2V y VDS = 5V.

En las proximidades del terminal S la tensión inversa aplicada es de 2 V, que

corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta
tensión aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La
polarización inversa aplicada al canal no es constante por lo que la anchura de la
zona de deplección tampoco lo será (Figura 6). Cuando VDS es pequeña, esta
diferencia de anchuras no afecta a la conducción en el canal, pero cuando
aumenta, la variación en la sección de conducción hace que la corriente de
drenaje sea una función no lineal de VDS y que disminuya con respecto a la
obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Figura 5: Esquema del transistor de canal N en la región de conducción no

lineal.

ZONA DE SATURACIÓN

Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto en donde el espesor del canal en

el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se
mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión
provocan
un mayor estrechamiento del canal con lo que la resistencia global aumenta
(Figura 7).

Figura 6: Esquema del transistor de canal N en la región de corriente constante.

La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que

sucede cuando la tensión puerta-drenaje (VGD) es más negativa que VP.

VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP

Antes de seguir, comparemos las figuras 2 y 6. En el caso del bloqueo, todo el

canal resulta afectado por la zona de deplección, que es constante por que la
tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de toda la unión. En cambio, en la
región de corriente constante solo parte del canal ha llegado al bloqueo
(provocado por VDS que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite la
circulación de corriente.

ZONA DE CORTE

Fijemos nuestra atención en la figura 7. La zona de tipo P, conectada a la puerta

forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se
forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma zona de deplexión en la
que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la
polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha,
proporcionalmente a la tensión aplicada. Aplicando una tensión V GS negativa
aumentamos la anchura de la zona de deplexión, con lo que disminuye la anchura
del canal N de conducción.
 Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con tensión
de bloqueo.

Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se

extenderá completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo
se hará infinita y se impedirá el paso de I D. El potencial al que se sucede este
fenómeno se llama potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).

Por lo tanto, para valores más negativos de VP, el transistor se encuentra

polarizado en la zona de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.

Ecuaciones del FET.

El desempeño del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W.

Shockley, en 1952. De ahí el nombre que rige la ecuación de este tipo de
transistores; la llamada "ECUACIÓN DE SHOCKLEY".

Esta expresión dice lo siguiente:

Donde:

ID = Corriente de Drenaje
IDSS = Corriente de Drenaje de Saturación
VGS = Voltaje Puerta-Fuente
VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Curvas características del Transistor de Efecto de Campo.

Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar
los transistores JFET. En primer lugar, en la representación I D v/s VGS para un
VDS dado, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la región
de saturación. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica,
puesto que en el primero, VGS positiva hace crecer rápidamente a IG.

Figura 8: Características del JFET; Característica de Transferencia y

Características ID v/s VGS.

En la característica VDS v/s ID del JFET canal N, se observa la diferencia entre las
regiones lineal y de saturación. En la región lineal, para un determinado valor de
VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo este
crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo. Se alcanza el valor de saturación
cuando ID sólo depende de VGS.
CIRCUITO EQUIVALENTE FET DE AC

El circuito equivalente de AC para un FET se ilustra en la figura. Aquí se muestra

solo el dispositivo FET con un voltaje de entrada de AC, Vgs.

El modelo de AC, o circuito equivalente de AC, únicamente para el dispositivo

FET, consiste en una fuente de corriente controlada por voltaje entre los
terminales de Drenaje y de Fuente, que depende del valor gm del dispositivo y del
voltaje de AC de entrada Vgs, y una resistencia de AC del dispositivo entre los
terminales de drenaje a fuente con valor de rd (resistencia de ac de salida).

EL AMPLIFICADOR FUENTE COMUN CS:

Ganancia de Voltaje

La ganancia de voltaje de un amplificador FET puede obtenerse del circuito

equivalente de ac. Del circuito equivalente de ac se puede observar que:

VO = - (gm.Vgs)(RD||rd)

AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||rd)]/Vgs

AV = - gm.(RD||rd)

Si el valor de la resistencia del dispositivo, rd, es mucho mayor que la resistencia

del circuito, RD, la ecuación para la ganancia de voltaje es casi igual a:

AV = - gm.RD

OPERACIÓN Y CONSTRUCCIÓN DEL FET

Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero sólo tiene una
unión pn en vez de dos, como en el BJT.

El JFET de canal n se construye utilizando una cinta de material tipo n con dos
materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene
una cinta de material tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella.

Estructura Física de un JFET

Para entender la operación del JFET, se conecta el JFET de canal n a un circuito
externo, Se aplica una fuente de tensión, VDD, al drenaje y se envía a tierra. Una
fuente de tensión de compuerta, VGG, se aplica a la compuerta.

VDD proporciona una tensión drenaje a fuente, vDS, que provoca una corriente de
drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, que es idéntica a la
corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La
tensión compuerta a fuente, vGS, que es igual a -VGG, crea una región desértica en
el canal, que reduce el ancho de éste y por tanto aumenta la resistencia entre
drenaje y fuente. Como la unión compuerta-fuente está polarizada en inverso, el
resultado es una corriente de compuerta nula.

Considérese la operación de un JFET con vGS=0. La corriente de drenaje a través

del canal n del drenaje a la fuente, provoca una caída de tensión a lo largo del
canal, con el potencial más alto en la unión drenaje-compuerta. Esta tensión
positiva es la unión drenaje-fuente polariza en inverso la unión pn y produce una
región desértica. Cuando se incrementa vDS, también aumenta la corriente de
drenaje, iD.

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente

polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la
unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican
en la figura 2.
 FIGIRA 1 (a) JFET canal N. (b) Símbolo de JFET canal N. (c) Símbolo canal P

Figura 2. Características de un FET N

CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados
por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por
corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: I drenador a source o
fuente), VGSD (intensidad drain o (tensión gate o puert source o fuente) y V
(tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET. DS

 REGIÓN DE CORTE

En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (I=0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como
de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off)D o Vp. Por ejemplo,
el BF245A tiene una V (off)=-2V.GS

 REGIÓN LINEAL
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es
utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable
controlada por tensión. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-
fuente (rds (on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura
3. En esta región el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:

FIGURA 3 Resistencia drenador-fuente de un transistor NJFET en la región lineal.

UN CIRCUITO RF CON JFET

Los valores de RD, RG Y RS se obtienen con las Formulas:

VGS (off) = - VP
RD = (VCC – VD) / ID
VGS = - ID*RS
AV = -Gm*RD
RS = VGS (off) / IDSS
RG » 500 KΩ
Gm = ID / VGS
P=1/f
Estudio físico de las ecuaciones de fotomultiplicadores o
centelladores:

TRANSFERENCIA DE LA ENERGÍA ABSORBIDA.

Los centros luminiscentes son átomos fácilmente excitables mediante la captura

de un par e-h que al des excitarse producen fotones visibles. La segunda etapa de
detección es un proceso donde los pares electrón-hueco secundarios transfieren
su energía al excitar un centro luminiscente A+; de este modo:

Los cristales centelladores se dopan con ciertos elementos, principalmente iones

de tierras raras, para que actúen como centros luminiscentes y aumente la
eficiencia de detección.

Si el electrón-hueco se encuentra cercano a un centro luminiscente, la

probabilidad de que suceda una excitación es muy grande. Por el contrario, el par
e-h puede ser capturado por alguna trampa o defecto del material. Por ejemplo, la
vacancia de un ión negativo en la red representa una trampa para electrones
excluyéndolos definitivamente del proceso de detección, generando los
defectos
llamados centros F (electrón unido a la vacancia). También existen impurezas
en el cristal cuyo potencial no es muy grande, por lo que el electrón puede ser
emitido térmicamente después de cierto tiempo. Este defecto sólo hace más
lento el proceso de detección.

PROCESOS DE DETECCIÓN.

De acuerdo con Rodnyi [21], es altamente probable que un hueco que se

encuentra en la parte superior de la banda de valencia interactué con un anión
cercano; en este caso el hueco será compartido por los dos aniones vecinos
formando un centro llamado Vk. Los centros Vk son estables sólo a temperaturas
menores a 200 K. En este estado, al hueco se le denomina “self-trapped hole” o
agujero autoatrapado (STH). Los STHs se forman en un tiempo promedio de
10-
11 a 10-12 segundos, es decir, mucho más rápido que la vida media de un par e-
h; por lo que la mayoría de los huecos en un cristal detector constituyen centros
Vk. La creación de centros Vk es muy importante, ya que incluso cristales sin
centros luminiscentes pueden presentar luminiscencia por medio de las
propiedades de estos defectos. Esta etapa de detección se caracteriza por la
eficiencia de transferencia S y depende de las impurezas que presenta el cristal.

Emisión. Como se mencionó, los centros luminiscentes excitados se recombinan

con otros electrones-hueco dando lugar a la emisión de fotones visibles, así:

A temperatura ambiente los centros Vk se mueven y pueden también formar parte

del proceso de recombinación. Este tipo de luminiscencia se llama luminiscencia
extrínseca. Para mejorar la eficiencia de los detectores en esta etapa, se busca
que los centros luminiscentes tengan una probabilidad alta de transiciones
radiactivas. La curva total de energía en función a la posición de los átomos del
estado excitado no debe tener ningún punto de intersección con la curva total de
energía del estado base, ya que las vibraciones del cristal pueden ocasionar la
desexcitación del átomo sin que exista la emisión de un fotón (proceso
denominado quenching del centelleo) [5].
En la luminiscencia intrínseca no es necesario que exista un centro uminiscente.
Sucede cuando un electrón libre es capturado por un centro Vk dando lugar a un
“self-trapped exciton” (STE). Un STE, e0, con una configuración (Vke) emite un
fotón visible.

Después de la emisión el centro Vk desaparece [21]. Este tipo de luminiscencia

les acontece por ejemplo a los compuestos haluros alcalinos puros (como el NaI,
CsI, etc.).

PROCESOS DE DETECCIÓN.

La última etapa de centelleo se caracteriza por la eficiencia cuántica q. Esta

es una característica propia de la naturaleza del centro luminiscente, por ejemplo
sus curvas totales de energía.

El material del detector debe ser transparente a los fotones visibles, para que así,
estos logren viajar y llegar a un fotomultiplicador donde se hará la medición. Por
eso, aunque en la primera etapa de detección se busca que la energía
prohibida Eg sea lo más pequeña posible, ésta no debe tener una frecuencia
asociada en la escala del rango visible pues entonces los fotones producidos
serían absorbidos por el compuesto. Al incidir en un PMT, el fotón libera un
electrón. Un voltaje es aplicado dentro del fotomultiplicador por lo que el electrón
es acelerado y en su trayectoria puede colisionar con otro electrón creando un
efecto avalancha. La corriente medida es proporcional al número de electrones
producidos por el PMT, es decir, es proporcional al número de fotones gamma
que incidieron en el etector. El número de fotones visibles medidos es
directamente proporcional al número de fotones de alta energía que incidieron en
el detector.

La eficiencia total de un detector durante las tres etapas, , está

determinada según Blasse [7] por:
r es la cantidad de radiación incidente no absorbida, es la energía
media de los fotones emitidos, S es la eficiencia de transferencia del par e-h al
centro luminiscente y q es la eficiencia cuántica del centro luminiscente. Si
consideramos que toda la radiación incidente es absorbida, todos los pares
e-h alcanzan el centro luminiscente (S=1), la eficiencia cuántica es 100% y
recordamos que odtenemos la expresión:

Características Generales de los Cristales Iónicos Centelladores.

Distintas áreas de la ciencia, como la Física de altas energías y el desarrollo del

PET, requieren que los detectores de rayos gamma sean cada vez más eficaces y
especializados. Para que un centellador sea eficiente debe cumplir con ciertas
características básicas [21].

Producción de Luz.

Es una de las propiedades más importantes. La producción de luz (L) es el

número de fotones emitidos (Nph) por unidad de energía absorbida
(generalmente E =1 MeV) [9]. Conociendo la eficiencia total de las tres etapas de
detección podemos deducir entonces que:

Por lo tanto, L se refiere a la eficiencia del cristal para convertir radiación ionizante
a radiación visible.

Rapidez.

La rapidez de un detector está determinada por distintas constantes del

proceso de emisión y de transferencia. Las impurezas en el material y la
temperatura provocan un retrazo en la luminiscencia. Además, el tiempo de
decaimiento es directamente proporcional al cuadrado de la longitud de onda,
en consecuencia, los detectores de rayos ultravioleta son más rápidos. Las
constantes de decaimiento ti, deben de ser pequeñas en detectores donde el
ritmo de conteo es muy alto.
Los índices de transmisión y refracción deben ser los adecuados para lograr una
buena detección. La tercera etapa de detección es afectada si el material no es
transparente en el rango visible, es decir, si los fotones emitidos no son
transmitidos La transmisión depende de la concentración de impurezas del cristal,
porque absorben los fotones visibles.

Los elementos que constituyen el material y el proceso de crecimiento del cristal

determinan el número de defectos en el centellador; los que generalmente no se
encuentran distribuidos uniformemente.

El índice de refracción del cristal debe ser similar al índice de refracción del
fotomultiplicador para evitar que parte de los fotones sean reflejados. Se coloca
un compuesto de silicón entre las superficies del cristal y del PMT, ya que este
material hace

Que la transición entre distintos índices de refracción no sea tan brusca,

minimizando así la reflexión. Por otro lado para disminuir el tiempo de detección
en centelladores, se recomienda que el índice de refracción sea pequeño. Los
fotones recorren una mayor distancia debido a las repetidas reflexiones que
sufren, en consecuencia tardan más en alcanzar el fotomultiplicador. El número
de reflexiones es directamente proporcional al índice de refracción.

El máximo del espectro de la luz emitida por el centellador también debe coincidir
con el máximo de la eficiencia cuántica del fotomultiplicador, es decir, alrededor de
280 a 500 nm. También existen otros fotosensores hechos de silicio que pueden
sustitur a los PMT cuando se requiere. La eficiencia cuántica de estos sensores es
máxima en el rango de 500 a 900 nm. Por otro lado, una emisión ultravioleta
puede ser detectada por el fotomultiplicador si se le adapta un material especial
que transforme la longitud de onda UV a visible.

TRANSISTOR MOSFET

Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su
principio de operación y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro
tipos de transistores MOS:

 Enriquecimiento de canal N

 Enriquecimiento de canal P

 Empobrecimiento de canal N

 Empobrecimiento de canal P
Los símbolos son:

Figura 11: Transistores MOSFET

La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el

terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta
es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se
emplean para tratar señales de muy baja potencia.

PRINCIPIO DE OPERACION

De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el

principio de funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y
empobrecimiento.
NMOS de enriquecimiento

En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de

enriquecimiento.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento

Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se
mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo
que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa, con lo que no se
permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte.

Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo,

mientras mantenemos la VDS positiva también. La capa de aislante de la puerta es
muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos
y atraer a los electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor número
de electrones será atraído, y mayor número de huecos repelido. La consecuencia
de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal
negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal
puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS =
VTH se posibilita la circulación de corriente ID (Figura 13). Nos encontramos ante
una región de conducción lineal.
Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conducción

Si el valor de VDS aumenta, la tensión efectiva sobre el canal en las proximidades

del drenaje (VGS - VDS) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha
zona, y se pierde la linealidad en la relación ID- VDS. Finalmente se llega a una
situación de saturación similar a la que se obtiene en el caso del JFET.

NMOS de empobrecimiento

En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de

empobrecimiento.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento

En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una
tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al
estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que
expulse a los electrones del canal.
Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte

También en este caso, la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS
provoca una situación de corriente independendiente de VDS.

CURVAS CARACTERISTICAS

Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS
- ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.

Transistor NMOS de enriquecimiento

Figura 16: Característica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

En la Figura 16 se pone de manifiesto cómo la intensidad ID aumenta

bruscamente cuando se supera la tensión umbral VTH (Threshold Voltage) y se
crea el canal. Es un componente idóneo para conmutación, puesto que pasa de
un estado de corte a uno de conducción a partir de un valor de la señal de control.
En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de óxido de
silicio, la tensión umbral está en torno a los cinco voltios.
Figura 17: Característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

La característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a

la del JFET, pero los valores de VGS cambian: en este caso la conducción se da
para voltajes positivos por encima del umbral.

Transistor NMOS de empobrecimiento

Figura 18: Característica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

El NMOS de empobrecimiento puede funcionar también como transistor de

enriquecimiento. Si la tensión VGS se hace positiva se atraerán electrones al canal.
Además, a diferencia de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy
elevada.
Figura 19: Característica VDS - ID del transistor NMOS de empobrecimiento

PARAMETROS COMERCIALES

Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a
los de los JFET presentados en el apartado 1.3.

MODELOS CIRCUITALES

Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son
similares a las de los JFET. Por ello, todos admiten una representación circuital
análoga.

Modelo estático de Schichman-Hodges

El modelo estático del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-

Hodges. Es un modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET, descrito
anteriormente. El circuito equivalente se compone de un interruptor abierto y una
fuente de intensidad (Figura 20) cuyo valor ID depende de la región de
funcionamiento del transistor.

Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS

Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son:

Región de corte

o Condición VGS<VTH

o Intensidad ID=0

Región lineal.

o Condiciones: VGS>VTH

VGD < VTH VGS < VTH+VDS

 Intensidad:

Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del
transistor

 me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la

temperatura

 W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geométricos que

dependen del diseño del transistor.

 C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman

el metal de la puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del
óxido de puerta.

Región de saturación

o Condiciones VGS > VTH

VGD > VTH VGS > VTH+VDS

 Intensidad:

Modelo para señales alternas

Para el caso en el que el transistor soporte señales alternas de pequeña

amplitud y baja frecuencia sobre un punto de polarización en región de
saturación, puede
demostrarse de forma análoga a como se ha realizado para el transistor JFET que
la transconductancia gm se calcula a través de la siguiente expresión

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Las aplicaciones generales de todos los FET son:

ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir

grandes corrientes y soportar elevadas tensiones en estado de corte.

 Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura

del canal).

 Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de

señales de muy baja potencia.

 Control de potencia eléctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de

operación DC del MOS se encuentre en la región de saturación. De este modo se
logra una corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS.

ELECTRONICA DIGITAL

Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital, debido a la capacidad de

trabajar entre dos estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo
de potencia de control. Para esta aplicación se emplean dispositivos de muy baja
resistencia, de modo que idealmente pueda considerarse que:

 La caída de tensión en conducción es muy pequeña.

 La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea.

1. En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = - 5 V se mide una intensidad

de drenaje ID = 1mA. Hallar cuánto vale la tensión VGS si se admite que
trabaja en la región de saturación. Hallar la tensión de
alimentación E mínima para que el transistor trabaje en saturación.
Características relevantes.

 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador

(interruptor).

 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.

 Es menos ruidoso.

 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

 BIBLIOGRAFÍA

MANUEL JULIÁN ESCOBAR DÍAZ, Módulo: 299002– Física de Semiconductores.

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