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Práctica 1: El diodo semiconductor, principio de

funcionamiento
José L. Medina

Abstract — En la presente práctica se trata de evidenciar el


comportamiento del diodo de silicio, contrastando con un diodo III. MATERIALES
ideal y sus características. Se somete al diodo a diferentes Fuente Variable de CC, Protoboard, Voltímetro CC,
tensiones y se toma las medidas respectivas. En esta práctica Miliamperímetro CC, Diodo 1N4148, Resistencia 220Ω,
se reconstruye la curva característica del diodo, con valores Cables de conexión.
medidos que se asemejan a los teóricos. También se simula el
comportamiento del diodo zenner, para voltajes cercanos al
IV. MARCO TEÓRICO
voltaje del mismo nombre.
A. Diodo semiconductor
Index Terms — Diodo, polarización, Voltaje zenner. La unión p-n tiene tantas propiedades útiles que ha
propiciado toda clase de inventos, entre los que se incluyen los
I. INTRODUCTION diodos, los transistores y los circuitos integrados.
Existen diferentes tipos de materiales, que según sus Un diodo semiconductor tiene aplicaciones numerosas y es
propiedades se pueden considerar como conductores, únicamente la combinación de un material portador mayoritario
semiconductores o aislantes. Esto depende en gran medida, del de electrones y uno con un portador mayoritario de huecos.[2]
elemento o elementos que conformen el material. El Si por
ejemplo es uno de los elementos más utilizados en la B. Diodo sin polarización
construcción de dispositivos de estado sólido, cabe mencionar Si se busca polarizar el dispositivo, se debe conectar sus
que existen otros elementos que también son usados con este terminales a una fuente de voltaje, caso contrario no se logra la
fin, también se usan enlaces químicos para formar dichos polarización del diodo.
materiales, siendo este caso el material se conoce como De este modo, si no existe polarización aplicada en las
extrínseco. [1] terminales del diodo, el flujo neto de carga en una dirección es
Dependiendo de la distribución de electrones en los cero, es decir que la corriente en condiciones sin polarización
materiales, estos pueden tener capas tipo p o tipo n, es cero.
dependiendo de esto varían sus propiedades y su aplicación. C. Diodo con polarización en directa
Dentro de esto es importante mencionar al diodo
La condición de polarización en directa o “encendido” se
semiconductor, que es un dispositivo electrónico de estado
establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el
sólido.
potencial negativo al tipo n.
El diodo semiconductor tiene diferentes características y
La aplicación de un potencial de polarización en directa
comportamiento dentro de un sistema, los mismos que se ponen
“presionará” a los electrones en el material tipo n y a los huecos
en evidencia en la práctica.
en el material tipo p para que se recombinen con los iones
próximos al límite.[2]
II. OBJETIVOS
D. Diodo con polarización en inversa
A. Objetivos Generales
Si se aplica un potencial externo a través de la unión p-n con
Determinar el principio de funcionamiento de un diodo
la terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa
semiconductor, mediante la representación gráfica de su curva
conectada al material tipo p.
característica, a partir de valores obtenidos de mediciones.
La corriente en condiciones de polarización en inversa se
llama corriente de saturación en inversa y está representada por
B. Objetivos Específicos Is.
Emplear el catálogo u hojas características para un diodo Las características generales de un diodo semiconductor se
semiconductor. pueden definir mediante la ecuación de Shockley, para las
Conectar adecuadamente los instrumentos de medición de regiones de polarización en directa y en inversa [2]:
tensión e Intensidad.
Comprobar el principio de funcionamiento de un diodo I D  I s *(eVD / n*Vt  1) (1)
semiconductor, empleando un software de simulación (NI
Multisim 10).
Donde:
IS es la corriente de saturación en inversa.
VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del 1.5 0.66 3.3
diodo. 1.6 0.67 3.9
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las
1.7 0.67 4.4
condiciones de operación y construcción física; varía entre 1 y 2
según una amplia diversidad de factores. 1.8 0.68 4.7
El voltaje VT en la ecuación (1.1) se llama voltaje térmico y 2 0.68 5.5
está determinado por: 3 0.71 10
kT 4 0.73 14.4
VT  (2)
q 5 0.75 19
Donde:
k es la constante de Boltzmann =1.38 x 10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin =273 + la temperatura en d) Armar el circuito de la Figura 2. Realizar las
°C. mediciones correspondientes y completar la Tabla
q es la magnitud de la carga del electrón =1.6 x10-19 C. III. Para los valore sugeridos de Vs.

V. DESARROLLO

a) Completar los valores de la Tabla I, de acuerdo a las


especificaciones de la hoja característica del diodo
semiconductor 1N4148
TABLA I : ESPECIFICACIONES DE DIODO 1N4148
VT 0.70V
ID 100mA
IS 25nA
IZENER 100V Fig. 2. Polarización inversa de un diodo Semiconductor

TABLA III
MEDIDAS DE VOLTAJE Y CORRIENTE DEL DIODO EN
b) b) Armar el circuito de la Figura 1 POLARIZACION INVERSA
𝑉𝑆 (V) 2 3 4 5 6
𝑉𝐷 (V) 2 3.05 4.82 5.05 6.04
𝐼𝐷 (mA) 0 0 0.01 0.01 0.01

e) Graficar la curva característica del diodo de acuerdo


a los valores obtenidos en las mediciones en los
puntos c) y d).

Fig. 1. Polarización directa de un diodo Semiconductor

c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los


valores sugeridos de la Tabla II. Emplee el
voltímetro y amperímetro en la escala adecuada
y complete la tabla.

TABLA II
MEDIDAS DE VOLTAJE Y CORRIENTE DEL DIODO
EN POLARIZACION DIRECTA
𝑉𝑆 (V) 𝑉𝐷 (V) 𝐼𝐷 (mA)
1 0.62 1.3 Fig. 3. Grafica característica de un diodo semiconductor (datos medidos).
1.1 0.63 1.9
1.2 0.64 2.1
1.3 0.65 2.8
1.4 0.65 3.1
f) Completar la Tabla IV, empleando la ecuación 107 101.03
característica de un diodo semiconductor de Silicio..
112 101.03
Considere temperatura ambiente de 25°C. NOTA:
Para el valor de Is tomar la media aritmética de los 117 101.04
valores obtenidos en (d).
Teniendo T=298°C
kT 298*1.38065*1023
VT    0.02568 A  25.68mA
q 1.602*1019
VD
12
I D  (25 *10 ) * (e VT
 1)
VD
I D  (25 *1012 ) * (e 0.02568
 1)
12
I D  (25 *10 ) * (e 38.94*VD
 1)

TABLA IV
MEDIDAS DE VOLTAJE Y CORRIENTE DEL DIODO
𝑉𝑆 (V) 𝑉𝐷 (V) 𝐼𝐷 (mA)
-6 -6.04 -0.0025E-8 Fig. 4. Simulación con fuente menor al voltaje zenner.
-5 -4.05 -0.0025E-8
-4 -4.82 -0.0025E-8
-3 -3.05 -0.0025E-8
-2 -2 -0.0025E-8
1 0.62 763.9
1.1 0.63 1127.6
1.2 0.64 1664.4
1.3 0.65 2456.8
1.4 0.65 2456.8
1.5 0.66 3626.5
1.6 0.67 5353

g) Comparar y analizar los resultados obtenidos en los Fig. 5. Simulación con fuente menor al voltaje zenner.
puntos c), d) y f)
Los voltajes que se obtienen en conjunto con las corrientes
en polarización directa, concuerdan bastante bien con los
valores teóricos, mientras que en la polarización inversa las
medidas no fueron precisas debido a que los instrumentos de
medición no poseen la escala adecuada para la corriente (pA).
Es así que las corrientes en polarización directa van en
crecimiento a pesar que el voltaje no aumenta
considerablemente, mientras que en polarización inversa no se
pudo apreciar correctamente el comportamiento.

h) Armar el circuito de la fig. 2. Ajustar el voltaje de la


fuente al valor del Voltaje Zener del diodo 1n4148
indicado en su hoja de especificaciones y hacer 5
incrementos de 5V. (Ej: Vz=200V, 205V, 210V,
215V, 220V, 225V). En cada uno de estos
incrementos, ¿El voltaje del diodo VD varía Fig. 6. Simulación con fuente en el voltaje zenner.
significativamente? Explique por qué.
𝑉𝑆 (V) 𝑉𝐷 (V)
80 80.0
90 90.0
101 101
102 101
Fig. 7. Simulación con fuente mayor al voltaje zenner.

VI. CONCLUSION
El voltaje de polarización teórico del diodo es muy cercano
al valor medido, del mismo modo la corriente en directa.
En la polarización en inversa el diodo se comporta como
circuito abierto, de tal modo que el voltaje de la fuente
corresponde al voltaje en las terminales del diodo.
El diodo utilizado cumple con las especificaciones dadas en
la guía las cuales fueron corroboradas en el datasheet.
El diodo en polarización inversa, al darle voltajes superiores
a 101V, se estabiliza, ya que dicho voltaje es zenner, en este
valor el voltaje del diodo se mantiene, mientras que la corriente
aumenta.

REFERENCES
[1] A. Malvino y D. Bates, “Semiconductores,” en Principios de Electrónica,
C. Sánchez, Mcgraw-hill/Interamericana:España, 2007, pp. 26-53.
[2] R. Boylestad y L. Nashelsky, “Diodos semiconductores,” en Electronica:
Teoría de circuitos y electronica, Pearson Educación:Mexico, 2009, pp.
1-49.
BIOGRAPHIES

José L. Medina. Bachiller en Ciencias de la Educacion,


graduado en en Instituto tecnológico “Daniel Alvarez
Burneo” Loja. Estudiante de la Universidad de Cuenca,
facultad de Ingeniería, carrera Ingeniería Eléctrica,
actualmente curso 5to ciclo.