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Circuitos Eletrônicos I

(ELE 0511)

Transistores bipolares
de junção - 1
história da eletrônica
1894 Guglielmo Marconi, expandiu os
experimentos de Hertz para transmissão
de informação sem fios (telegrafia). Em
1901 Marconi estabeleceu sua empresa
de telegrafia sem fio. Em 1901 realizou a
primeira transmissão de rádio através do
Atlântico.

1948 William Bradford Shockley, John Bardeen e


Walter Houser Brattain inventaram o transistor no
Bell Labs. Em 1956 receberam o Premio Nobel.
Transistor bipolar de junção – TBJ
(“BJT – Bipolar Junction Transistor)

O TBJ foi inventado em 1948 nos laboratórios da Bell (Bell Labs)

Multiplicidade de aplicações: amplificação, chaveamento de cargas,


circuitos lógicos.
I
I proporcional a Vent
ou I proporcional a ient
ient
Vent
Modos de operação do TBJ

Modo JEB JCB

Corte (não conduz) Reversa Reversa

Ativo Direta Reversa

Ativo reverso Reversa Direta

Saturação (condução máxima) Direta Direta


Transistor bipolar de junção (TBJ)
“BJT – Bipolar Junction Transistor”
Junção BE Junção BC
polarização direta polarização reversa

Transistor NPN
Junção BE Junção BC
polarização direta polarização reversa

Transistor PNP
Configuração física do transistor NPN
Curvas características do transistor TBJ
Resumo das características corrente-tensão
do transistor TBJ
NPN PNP

VBE > VBEon ≈ 0,5V

1) JBE Típico VBE = 0,7V


2) JBC Polarizado reversamente Na saturação VCE = 0,3V
3) Relações corrente tensão iC
iB = iC = iB

iC = iS e v BE / VT
iE =
iC
iC = iE iE = iC + iB

iE = iC + iB =

=

1−  +1
Modelo equivalente para grandes sinais
(incluindo o efeito Early) – transistor NPN

 IS  v BE / VT
iB =   e
 
 vCE 
iC = I S e v BE / VT
1 + 
 VA 
VA
rO = v BE / VT
IS e
Modelo equivalente para grandes sinais
(incluindo o efeito Early) – transistor PNP

 IS  v EB / VT
iB =   e
 
 vEC 
iC = I S e v EB / VT
1 + 
 VA 
VA
rO = v EB / VT
IS e
Modelo de Ebers-Moll

NPN PNP

iDE = I SE (e v BE /VT
-1) iDE = I SE (e v EB /VT
-1)
iDC = I SC (e vBC /VT -1) iDC = I SC (e vCB /VT
-1)
 F I SE =  R I SC = I S
I SC  F Área JCB
= =
I SE  R Área JEB
Operação no modo de saturação

1. JBE diretamente polarizada


NPN PNP
vBE  VBEon ;VBCon  0,5V vEB  VEBon ;VEBon  0,5V
Típicamente vBE = 0,7 − 0,8V Típicamente VEB = 0,7 − 0,8V

1. JBC reversamente polarizada


NPN PNP
vBC  VBCon ;VBCon  0,4V vCB  VCBon ;VCBon  0,4V
Típicamente vBC = 0,5 − 0,6V Típicamente VCB = 0,5 − 0,6V
 vCE = VCEsat = 0,1 − 0,2V vEC = VECsat = 0,1 − 0,2V
I Csat =  forçado I B
F
 forçado   F = fator forçado
 forçado
Transistor TBJ como chave

SATURAÇÃO

CORTE
Transistor TBJ como amplificador
Transistor TBJ como amplificador –
característica de transferência vO = vCE = VCC-iCRC
p/ 0≤ vi ≤ 0,5V

Ic = 0 vO = VCC

p/ vi > 0,5V
iC  I S e vBE /VT = I S e vi /VT
v O = VCC - R C I S e vi /VT

Na região de saturação

vCE cai para 0,1 a 0,3 V


Transistor TBJ como amplificador – Análise
gráfica
Transistor TBJ em Corrente Continua (CC)

Considerações simplificadas:

|VBE| = 0,7V

|VCE|saturação = 0,2 V

Na saturação o transistor pode ser forçado a trabalhar


com qualquer β desejado, chamado β forçado.

F
 forçado   F = fator forçado
 forçado

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