Вы находитесь на странице: 1из 2

Кто хочет «3» билеты не берут, четко отвечают на вопросы:

1) определения: НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НИЗКОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА,


НАНОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА, КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ,
БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, ТУННЕЛИРОВАНИЕ
НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, СПИНОВЫЕ ЭФФЕКТЫ, КВАНТОВАЯ ПЛЕНКА,
КВАНТОВЫЙ ШНУР, КВАНТОВАЯ ТОЧКА. ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ.
2) схемы, поясняющие рисунки, формулы по темам: КВАНТОВОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ,
БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, ТУННЕЛИРОВАНИЕ
НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, СПИНОВЫЕ ЭФФЕКТЫ, КВАНТОВАЯ ПЛЕНКА,
КВАНТОВЫЙ ШНУР, КВАНТОВАЯ ТОЧКА. ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ.

Кто хочет «4» все выше перечисленное + билет.


1. Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры.
Одноэлектронное туннелирование: туннелирование электронов в условиях кулоновской
блокады; туннелирование в двухбарьерных структурах; сотуннелирование.
2. Резонансное туннелирование: особенности и основные параметры
волътамперных характеристик резонансно-туннельных структур.
3. Спиновые эффекты: гигантское магнитосопротивление
4. Спиновые эффекты: туннельное магнитосопротивление
5. Квантовый эффект Холла: классический эффект Холла, дробный квантовый
эффект Холла, уровни Ландау.
6. Общие принципы реализации элементов спинтроники: эффект Рашбы, инжекция
носителей заряда с определенным спином, перенос спин-поляризованных носителей
заряда (механизмы Бира-Аронова-Пикуса, Эллиота-Яфета, Дьяконова-Переля),
определение спина носителей заряда.
7. Элементы низкоразмерных структур: свободная поверхность, межфазные
границы, сверхрешетки, правило Вегарда.
8. Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внутренним электрическим
полем: квантовые колодцы.
9. Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внутренним электрическим
полем: модуляционно-легированные структуры.
10. Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внутренним электрическим
полем: дельта-легированные структуры.
11. Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внешним электрическим
полем: структуры металл/диэлектрик/полупроводник; структуры с расщепленным
затвором.
12. Интерференция электронных волн и ее реализация в различных структурах:
эффект Ааронова-Бома; квант магнитного потока, универсальная флуктуация
проводимости.
13. Вольт-амперные характеристики низкоразмерных структур: формализм
Ландауэра-Бюттикера, отрицательное сопротивление изгиба.
14. Квантовые интерференционные транзисторы: принцип работы; конструкция,
основные характеристики.
15. Приборы на баллистических отраженных электронах: принцип работы,
конструкция, основные характеристики.
16. Приборы на основе одноэлектронного туннелирования: одноэлектронный
транзистор, одноэлектронная ловушка, одноэлектроннвй турникет, генератор накачки,
одноэлектронный параметрон, логический инвертирующий элемент; основные
характеристики; проблемы и ограничения.
17. Приборы, на основе резонансного туннелирования: диод, транзистор,
логические элементы.
18. Спинтронные приборы: спиновые транзисторы (спиновой полевой транзистор,
время-пролетный спиновой транзистор, спин-вентильный транзистор, магнитный
туннельный транзистор).
19. Спинтронные приборы: сенсоры на основе гигантского магнитосопротивления,
считывающая головка на основе гигантского магнитосопротивления, энергонезависимая
память на основе гигантского магнитосопротивления, энергонезависимая память на
основе спин-зависимого туннелирования.

Кто хочет «5» (ha) все вышеперечисленное (буду спрашивать по всему


материалу) + задачи.
Задачи вышлю позже.