Mudrost Predkov

Введение
Пять этапов развития компонентной базы:
1. Дискретная электроника электровакуумных приборов (ламповая

электроника).
2. Дискретная электроника полупроводниковых приборов.
3. Интегральная электроника.
4. Элементы базы функциональной электроники.
5. Наноэлектроника.
Основные определения.
Технология (от др.-греч. τέχνη — искусство, мастерство, умение; λόγος —

наука) – это:
1) Технологический процесс;
2) Комплекс технологических документаций;
3) Научная дисциплина, изучающая закономерности, сопровождающие
процессы обработки изделия.
Производственный процесс – совокупность действий, обеспечивающих
превращение исходных материалов в готовое изделие.
Технологический процесс – часть производственного процесса,

непосредственно связанная с обработкой исходных материалов.
Различают:
 Единичные технологически процессы (уникальные изделия);

 Типовые технологические процессы (серия или партия изделий);
 Операционный технологический процесс (одна операция);
 Маршрутный технологический процесс (описывает маршрут
изготовления изделия от и до);
 Непрерывный технологический процесс (не может быть прерван без
внесения дефектов в конечное изделие);
 Дискретные или непрерывно дискретные технологические процессы
(могут быть прерваны без внесения дефектов).
 Технологическая операция – часть технологического процесса,
представляющая собой законченную обработку объекта
производства на одном рабочем месте, на одном и том же
оборудовании.
Различают:
1. Основные (непосредственно связанные с обработкой

материалов);
2. Контрольные;
3. Вспомогательные (подготовительные операции);
4. Технологический переход – законченная часть технической
операции, которая характеризуется постоянство набора
инструментов.
 Технологический метод – способ (путь) достижения конкретной
технологической задачи.
Классификация микросхем.
1. По степени интеграции
Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени

сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней
элементов и компонентов (степень интеграции ИМС определяется по
формуле K=lgN, где К – коэффициент, определяющий степень интеграции,
значение которого округляется до ближайшего целого числа; N – число
элементов и компонентов интегральной микросхемы, в том числе
содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную
микросхему). В соответствии с этой формулой различают интегральные
микросхемы:
 первой степень интеграции до 10 элементов и компонентов
включительно;
 второй степени интеграции от 11 до 100 элементов и компонентов;
 третьей степени интеграции от 101 до 1000 элементов и компонентов;
 четвёртой степени интеграции от 1001 до 10000 элементов и
компонентов;
 пятой степени интеграции от 10001 до 100000 элементов и
компонентов.
2. Принцип конструкции.
ИМС бывают:
1) Полупроводниковые (твердотельные)
а) биполярные (МОП, МДП);

б) комплементарные;
в) прочие.
2) Гибридные
а) толстопленочные;
б) тонкопленочные.
3) Прочие
а) пленочные;
б) вакуумные;
в) керамические.
Полупроводниковые ИМС – интегральные микросхемы, все элементы и

межэлементарные соединения которых выполнены на поверхности и
приповерхностном слое исходного полупроводникового материала;
Гибридные ИМС – интегральные микросхемы, выполняющиеся только на

поверхности диэлектрических подложек, причем состоящие из несъемных
элементов и съемных компонентов;
Прочие ИМС (плёночные, вакуумные, керамические и т.п.)
Методы изготовления полупроводниковых подложек

ПОДГОТОВКА СЛИТКОВ И РЕЗКА НА ПЛАСТИНЫ
После выращивания монокристаллов от слитков отрезают затравочную
и хвостовую части, а также участки, электрофизические параметры которых
не соответствуют техническим условиям. Диаметр слитков, как правило,
превышает заданный стандартный диаметр подложки (40, 60, 76, 100, 150,
200, 250, 300 мм). В результате получают идеальную цилиндрическую
болванку, с которой удаляют загрязнения и наружный механический слой.
Затем производят резку болванки на пластины.
Способы резки:
1) Диском со связанным абразивом с внешней режущей кромкой;
2) Диском с внутренней режущей кромкой;
3) Стальной проволокой со свободным абразивом;
4) Стальными полотнами со свободным абразивом.
ШЛИФОВКА И ПОЛИРОВАНИЕ
Эти операции проводятся двумя возможными путями:
I. Обработка связанным абразивом. Пластина приклеивается на жесткое
фиксированное основание и шлифуется за счёт воздействия абразивного
круга. Затем та же операция проводится на второй стороне.
Достоинства:
1. Дешевизна;
2. Не требует технических средств;
3. Простота процесса.
Недостатки:
1. Низкая производительность;
2. Необходима высокая квалификация персонала.
II. Обработка свободным абразивом (с помощью абразивной
суспензии). Используется чаще всего в производстве при помощи
специальной шлифовальной установки.
1) верхний шлифовальщик с отверстием для поступления абразивной
суспензии
2) нижний шлифовальщик
3) центральная зубчатая шестерня (водило)
4) периферийное зубчатое колесо
5) зубчатое кольцо сепаратора
Кольца сепаратора имеют толщину меньше, чем толщина подложки.
Для двусторонней шлифовки используются водные и глицериновые
суспензии микропорошков.
ПОЛИРОВАНИЕ
После шлифовки приступают к полированию, которое производится на
мягких (доводочных) полировальнях, для чего используются тканые и
нетканые материалы. Полирование производится в несколько этапов.
1) Абразивное полирование производится с постепенным уменьшением
зерен абразива.
2) Тонкое механическое полирование выполняется мягким
полирующим составом на основе оксидов алюминия, кремния, хрома,
циркония. Диаметр зерен порошка равен 1 мкм.
3) Химико-механическое полирование дает лучший результат. Это
полирование с использованием абразивных смесей, изготовленных на
основе щелочей, которые реагируют с кремнием. При этом глубина
механически нарушенного (трещиноватого) слоя менее 1мкм.
4) Химико-динамическое полирование позволяет достичь еще лучшего
качества. Это полирование с применением состава типа
гидромоносиликагель, силикагель, силиказолей, аллюмосиликазолей.
Доля химического воздействия растёт, а механического - уменьшается.
Механическое воздействие заключается только в удалении результатов
реакции из воздушной зоны, т.е. на последнем этапе механическое
воздействие на подложку практически исключается.
ОЧИСТКА ПОДЛОЖКИ
Все виды очистки делятся на физические и химические.
При физической очистке происходит десорбция загрязнений путём
простого растворения. В качестве средств, использующихся для отмывки,
применяют воду, весь известный набор спиртов, толуол, дихлорэтан.
Технически, все виды данных операций можно подразделить на
очистку простым погружением, ультразвуковую и гидромеханическую
очистку. К очистке простым погружением относятся методы проточных и
каскадных ванн.
ЖИДКОСТНАЯ ОЧИСТКА
Метод проточных ванн не очень хорош из-за слишком большого
количества используемой жидкости. Поэтому чаще всего используются
каскадные ванны.
Достоинства каскадных ванн:

1. Низкая себестоимость;
2. Технологическая простота;
3. Минимальные механические повреждения подложки.
1. Качество очистки;
2. Большой расход растворителя;
3. Интенсивное испарение ядовитых веществ.
Для эффективной очистки и снижения расхода растворителей отмывку
простым погружением дополняют очисткой под воздействием ультразвука.
Частота 20-40 Гц усиливает кавитацию жидкости в объёме ванны,
увеличивает её проницательную способность, усиливает десорбцию
поверхностных загрязнений.
ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ ОТМЫВКА
Под электромеханической отмывкой понимают сочетание растворов
воздействующих жидкостей и различных воздействий механических
приспособлений (беличьи кисти, капроновые и нейлоновые щетки).
Недостаток – получение возможного загрязнения от кисти.
ХИМИКО-ЖИДКОСТНАЯ ОТМЫВКА
Разрушение загрязнений адсорбирующего поверхностного слоя в
результате химической реакции.
В основном, это операция по обезжириванию.
Химические обезжиривание не действует на материал подложки,
состав воздействует только на молекулы жира. В основном используются
синтетические моющие средства. Такие средства производят омыления
жиров. Неомыляемые жиры переводятся в связанное эмульсированное
состояние.
Пероксидоаммиачный раствор удаляет не только жиры, но и ионы
некоторых металлов, таких как Na, Ag, Cu.
По сравнению с физическими методами очистки, химические обладают
рядом преимуществ:
1. Достигается более высокая чистота;
2. Меньшая опасность для обслуживающего персонала и экологии;
3. Существенно меньше расход ингредиентов.
Разновидность жидкостных химических воздействий на подложку
называется травлением. При этом удалению подвергается не только
загрязнение, но и часть верхнего слоя подложки.
Травление – это один из основных химических процессов, который
используется не только в очистке подложки, но и при формировании
топологии ИМС.
Существует два типа жидкостного травления:
• Щелочное.
• Кислотное.
КИСЛОТНОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Кислотное травление имеет чисто электрохимический характер и не
обладает избирательностью.
Для травления используются водные растворы серной кислоты ("каро")

и раствор фтористоводородной кислоты в ацетоне.
Ацетон – это комплексообразователь – вещество, вступающее в
реакцию взаимодействия с продуктами травления, предотвращает выпадение
этих продуктов на поверхность подложки.
Один из лучших кислотных травителей - азотная кислота. При
нагревании хорошо разлагается, не образует вредных соединений, и при
отмывке подложки ее нередко используют в комплексе с пероксидом
водорода. Кислотное травление обеспечивает зеркальную поверхность
подложки с шероховатостью 12-14 класса.
ЩЕЛОЧНОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Щелочное травление носит чисто химический характер и имеет разную
скорость травления в зависимости от различных видов монокристаллов.
Чаще всего для травления используются водные растворы гидроксида калия,
гидроксида натрия в подогретых средах до 100 ℃. Концентрация травителя и
его температура влияет на скорость травления. В виду анизотропности
щелочного травления, оно используется для травления пластин большого
диаметра или для формирования V-каналов на поверхности подложки.
Прекращение травления происходит методом вытеснения
травителя деионизированной водой. Затем происходит сушка подложки. Для
этого используются лампы инфракрасного и ультрафиолетового излучения,
потоки нагретого воздуха, потоки нагретого инертного газа,
высокоскоростные центрифуги.
СУХАЯ ОЧИСТКА
Подразделяется на:
• Физические методы;
• Химические методы.
ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ СУХОЙ ЧИСТКИ (МЕТОДЫ
ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИИ ИМС).
1. Отжиг
Отжиг - термообработка, проведённая с целью удаления
адсорбируемой поверхности примесей, разложения поверхностных
загрязнений и испарения летучих соединений. Проводится в вакуумных
термических установках, непосредственно перед реализацией какого-либо
процесса, например перед эпитаксией, созданием p-n перехода,
оксидированием. В вакууме при температуре порядка 400 ℃ с поверхности
удаляется влага, углекислый газ, легкие углеводороды. При 900 ℃ удаляются
оксидные плёнки.
Общий принцип отжига: чем выше температура – тем эффективнее
процесс очистки.
Верхняя граница, до которой нагревается подложка, определяется
следующими факторами:
1) Температура плавления материала подложки;
2) Температура химического разложения материала подложки;
3) Ускорение процесса диффузии и, как следствие, структурирования
материала подложки.
Отжиг применяется также для уменьшения толщины механически
нарушенного слоя. За счёт ускорения самодиффузии происходит залечивание
микротрещин и уменьшение выступов (неравномерностей) над
поверхностью.
2. Ионное травление
Ионное травление – удаление слоя вещества с находящимся на его
поверхности загрязнений путём распыления. Процесс осуществляется в
вакуумных камерах, происходит за счёт передачи кинетической энергии от
инертного рабочего газа к атому на поверхности подложки. рис схематичное
процесс замещения молекул.
Важно, чтобы атом вещества десорбировался, а атом инертного газа не

занимал его места. В качестве инертного газа обычно используется аргон, т.к.
он недорог, недефицитен, обеспечивает эффективное распыление.
Травление кремния выполняется при плотностях ионного тока ～10
А/м2 и энергии ионов 1-10 кэВ. При меньших энергиях травление
практически не происходит. Энергия сверху тоже ограничена, т.к.:
1) При больших энергиях ионов аргона они углубляются в подложку и
загрязняют её;
2) Ионная бомбардировка – это жесткая радиация. Чем выше энергия
ионов, тем сильнее разрушается подложка;
3) Только часть энергии идет на выбивание атомов, остальная обращается
в тепло. Поэтому нужно контролировать нагрев.
Различают две разновидности ионного травления:
 ионно-плазменное травление (диодный и триодный способ)
 ионно-лучевое травление
1. Ионно-плазменное травление
А) Диодный способ
Подложка закрепляется на катоде в вакуумной камере. Затем, после
герметизации, происходит откачка до давления 10-6 мм рт.ст. (10-4 Па).
Производится напуск Ar через клапаны (0.1-1 Па). При таком давлении
между анодом и катодом подаётся напряжение 1 кВ, что приводит к
зажиганию тлеющего разряда, что и приводит к ионизации газа и к
бомбардировке положительно заряженными ионами мишеней,
прикрепленных на катод.
Особенности:
1) Подложки находятся в плазме разряда.
2) Угол падения ионов Ar на поверхность подложки ～90°.
1) вакуумная камера
2) клапан напуска аргона
3) катод с установленными мишенями
4) анод
5) плазма тлеющего разряда
Б) Триодный способ
Начинается так же, как и диодный способ. В качестве катода
используется термоэммисонный катод. После откачки – напуск аргона.
Давление в камере на порядок ниже (0.01-0.1 Па). После напуска подключаем
термоэмиссионный катод, и он начинает бомбардировку атомов Ar
электронами высоких энергий, ионизируя их, что позволяет при энергии
в100-300 В зажечься плазме дугового разряда. Если при этом на
отклоняющий электрод подать отрицательный потенциал, то положительные
заряженные ионы Ar будут бомбардировать подложку, вытягиваясь из
плазмы.
1) термокатод
2) дополнительный отклоняющий электрод с закрепленными
мишенями
3) плазма дугового разряда
Особенности:
1) Подложка не находится в плазме.
2) Угол падения существенно отличается от 90°.
Преимущества триодного перед диодным способом:
• Лучшая управляемость.
• В диодных камерах скорости травления ниже, вероятность загрязнения
и разрушения подложки выше.
Недостаток триодного способа перед диодным – наличие хрупкого
термоэмиссионного катода.
Достоинства ионно-плазменного травления в целом:
1. Безинерционность обоих способов
2. Отсутствие подтравливания под маску
1. Низкие скорости травления
2. Сильное термическое и радиационное воздействие на подложку
3. Возможность загрязнения рабочим газом
2. Ионно-лучевое травление
1) разрядная камера источника ионов

2) рабочая камера
3) термоэмиссионный катод
4) индукционная система
5) смещаемая сетка для вытягивания ионов из плазмы разрядом
6) нейтрализация разрядов ионов
7) луч (поток) нейтральных частиц
8) Вращаемый наклонный столик с мишенями
Подложка помещается на столик, откачивается атмосфера в камере,
напускается Ar (0,1 Па). Подключается термокатод, и, вследствие
бомбардировки ионами высокой энергии возникает ионизация Ar.
Подключается индукционная система, удерживающая ионизирование Ar. В
результате давление в камере источника ионов и в рабочей камере
различаются на порядок. Под действием поля сетки ионы вытягиваются из
разряда и с заданной энергией направляются в сторону мишеней. По пути
они проходят через нейтрализатор заряда и поверхности мишеней достигают
нейтральные атомы.
1. Универсальность (травление любых поверхностей и материалов);
2. Низкая избирательность (все материалы травятся с одинаковой
скоростью);
3. Не требуется удаление контактной маски.
Все способы приводят к загрязнению (радиационному и тепловому) и
обладают низкими скоростями травления (0.1-1нм/с).
Достоинства ионных травлений:
1. Отсутствие подтравливания
2. Отсутствие инерционности.
3. Сухое химическое травление. Газовое травление
Газовое травление: травитель газообразный, а продукт травления
лёгколетучее или газообразное вещество. Травители – галогены,
галогеноводороды, соединения серы, пары воды.
Siтв + 4HClгаз = SiCl4 газ + 2H2 газ
1. более чистые поверхности;
2. более быстрые скорости травления.
1. Высокое термическое воздействие на подложку;
2. Необходимость использования сверхчистых газов (дорого).
4. Плазмохимическое травление
Проводится в вакуумных диодных камерах с использованием плазмо-
газового разряда. Плазма разряда используется не для создания ионов,
передающих кинетическую энергию материалу подложки, а для создания
химически активных ионов в пучке.
CF4 + e → CF3+ + F+ + 2e
Кинетического воздействия на подложку не предусмотрено:
мишени изолированы от катода, хотя и располагаются на нём. Для
облегчения протекания реакции к CF4 добавляется 2-8% кислорода. CF3+,
вступая в химическую реакцию с Si, образует углерод, который осаждается,
прерывается реакция. Кислород – комплексообразователь.
Такой процесс быстрее ионно-плазменного травления
5. Реактивное травление
Это комбинированный метод, суть которого заключается в том, что
частицы материала распыляются ионной бомбардировкой, а затем вступают в
реакцию, создавая легколетучие химические соединения. По аналогии с
обычным ионным травлением можно выделить реактивное ионно-
плазменное травление, когда подложка находится в плазме газового разряда,
и реактивное ионно-лучевое травление, когда пучок ионов формируется в
автономном источнике.
Оборудование для реактивного ионного травления аналогично тому,
что применяется при ионно-плазменном травлении.
1. Благодаря химическим реакциям реактивное ионное травление
протекает в 3-15 раз быстрее обычного ионного травления.
2. Благодаря химическим реакциям избирательность травления
существенно повышается в 2-10 раз.
3. Для предотвращения радиационного повреждения подложек травление
производится с превышением скоростей химических реакций над
скоростями разрастания радиационных дефектов вследствие ионной
бомбардировки.
КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН И ПОДЛОЖЕК
Процесс изготовления подложек включает следующие разновидности
контроля:
1) Контроль режимов проведения обработки (время, температура,
концентрация)
2) Контроль условий окружающей среды (давление в камере)
3) Контроль используемых материалов (размер микро гранул
абразивного порошка)
4) Контроль состояния оборудования
5) Контроль состояние инструмента и оснастки
Обрабатываемые объекты (подложки) должны контролироваться на:
1. Толщину заготовки
2. Клиновидность подложки (контактные и бесконтактные методы
ФИП-2)
3. Неплоскостность (плоскопараллельные эталонные стёкла)
4. Изгиб подложки (изменение плоскости зонда; ST-100, УКЕП, СПТ1)
5. Шероховатость (обычно контролируется с помощью
микроинтерферометров МИИ-4, МИИ-11, точность до 0,01 мкм)
6. Наличие царапин, рисок, сколов (оптические методы, микроскоп
МБС-1, МБС-2; стереоскопические микроскопы; интерференционная картина
параллельным или расходящимся лазером)
7. Глубина механически нарушенного слоя (рентгенографический
метод; пучок рентген излучения проходит через материал позволяет по-
разному увидеть несовершенство кристаллической решётки; скорость
электрохимической реакции анодное растворение кремния)
8. Степень очистки
КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ОЧИСТКИ
1. Метод светящихся точек
Качество подложки контролируется подсчетом числа светящихся

точек.
1. Технологическая простота
2. Дешевизна
1. Неудобен
2. Не позволяет определить тип загрязнения
3. Видна малая площадь
2. Метод измерения краевого угла смачивания
Измеряем угол с помощью УКУС-1.
1. Более точный метод
2. Более автоматизированный
1. Малая площадь исследования
2. Не всегда можно определить тип загрязнения
3. Трибометрический метод
Измерение коэффициента трения покоя между исследуемой
поверхностью и эталонной, и зависимости этого коэффициента от наличия
или отсутствия загрязнений. ИИ-2 позволяет измерить количество
загрязнений в количестве 10-9 до 10-6 г/см2.
ЭПИТАКСИЯ
Процесс ориентированного наращивания слоя материала на
ориентирующую подложку. Под этим термином понимают заданное
размещение атома на поверхности подложки.
Ориентирующая – заданная ориентация размещения свободного атома
на поверхность подложки.
Если материал подложки и материал растущего слоя одинаков, то такие
процессы называются автоэпитаксиальными. Если материал растущего слоя
отличается от материала подложки, то это гетероэпитаксиальный процесс.
Условия реализации эпитаксиальных процессов:
1. Подложка должна представлять собой идеальный монокристалл с
атомарно гладкой поверхностью.
2. Осаждаемый на подложку атом должен иметь большое время
жизни на поверхности подложки.
3. Высокая степень чистоты процесса.
4. Подложка и растущий слой должны быть совместимы.
а) Теория псевдоморфного роста (морф-форма)
Наращивание, при котором растущий слой контролирует структуру

подложки.
б) Теория решётки совпадающих узлов (РСУ)
Не требуется, чтобы атом стыковался с себе подобными. Достаточно
свободных связей для создания растущего слоя на подложке.
1) Эпитаксиальные процессы со средой носителем:
 Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ)
 Газофазная эпитаксия (ГФЭ)
2) Процессы без среды носителя.
 Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
 Молекулярно-пусковая эпитаксия (МПЭ)
1. ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
Процесс наращивания квазимонокристаллического слоя вещества на
ориентирующее основание из среды раствор-расплав.
Раствор-расплав представляет собой комбинацию из двух компонентов.
Один - тугоплавкий осаждаемый материал (кремний), второй - лёгкоплавкий
металлорастворитель (галлий Ga, индий Jn, олово Sn, свинец Pb, висмут Bi).
Температура плавления раствора-расплава ниже температуры плавления
тугоплавкого компонента и выше температуры плавления лёгкоплавкого.
Если в переохлажденный раствор-расплав погрузить зародыш кристалла
(монокристалла подложки), то на зародыше начнёт осаждаться
преимущественно тугоплавкий компонент, достраивая структуру подложки.
 Техническая простота
 Массовость процесса
 Дешевизна
 Достаточно хорошее качество получаемых слоёв при
автоэпитаксиальном наращивании
 Возможность осуществить предварительную очистку подложки,
погрузив ее в раствор-расплав
 Метод надёжен и широко применяем
1. Подложка подвергается сильному термическому воздействию
2. Процесс грязный (неконтролируемое легирование подложки)
3. Невозможность гетероэпитаксиального наращивания
4. Жесткие требования к материалу
2. ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
В основе лежат реакция восстановления, разложения и
диспропорционирования газов носителей. Основной технологический прием
- метод проточной трубы.
1) кварцевый реактор
2) германиевый затвор
3) нагреватель (ВЧ индуктор)
4) кассета с подложками
5) система подачи газов носителей с дозирующими элементами
Подложки погружаются в ректор, затем нагреваются. В камеру
подаётся азот, чтобы вытеснить кислород. Потом подаётся НСl в
газообразном состоянии, чтобы протравить поверхность подложек. А затем
подают газы-носители в смеси с Н2 (тетрахлорид кремния). Чтобы легировать
растущий слой используются газосодержащие легирующие примеси
(гидриды фосфата и бора). Температура, до которой необходимо нагревать
подложку - 1200ºС.
SiCl4 + 2H2 = Si + 4HCl
1. Техническая простота
2. Массовость
3. Возможность очистки подложки путём газового травления
4. Процесс более чистый, чем жидкофазная эпитаксия
5. Возможность гетероэпитаксиального наращивания
1. Сильное термическое воздействие на подложку
2. Процесс грязный
3. Сложнее обеспечивать массовость
3. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ (ПУЧКОВАЯ) ЭПИТАКСИЯ
Процесс осуществляется без среды носителя (в вакууме). Похож на
осаждение тонких плёнок в вакууме. Материал растущего слоя распыляется,
парогазовая фаза материала пересекает вакуумное пространство и
конденсируется на поверхности нагретой подложки.
Отличия от газофазной эпитаксии:
1. Поток распыляемого вещества - чисто атомарный газ, перемещающийся по
камере исключительно ламинарно, без столкновений частиц.
Эффузионная ячейка
Благодаря точечному отверстию происходит вылет частиц, при
котором они не сталкиваются.
2. Степень вакуума в камере должна быть очень высокой, чтобы обеспечить
чистоту процесса.
3. Термодинамика процесса. Процесс протекает в условиях
термодинамического квазиравновесия.
Подложка нагрета сильнее, на грани реиспарения осадившихся частиц
(300-600 ℃ для Si). Оптимальная скорость роста – 1 монослой в секунду.
Распыление осуществляется наиболее чистым способом (при помощи
лазерного нагрева, например). Для реализации легирования растущего слоя
необходимо использовать дополнительный источник распыления материала.
1. Высочайшая чистота процесса
2. Низкие температуры подложки
3. Практически неограниченные возможности гетероэпитаксиального
наращивания
1. Технологически сложен и дорогостоящ
2. Немассовый
3. Процесс многофакторный
4. ИСКУСТВЕННАЯ ЭПИТАКСИЯ
Главное отличие от естественной эпитаксии заключается в том, что
отсутствует ориентирующее основание (монокристалл подложки), что
позволяет относительно дешевый способ реализации гетроэпитаксиального
наращивания квазимонокристаллических слоёв на любом стандартном
вакуумном материале подложек (стекло, керамика). Но это очень
сложнореализуемая на данный момент задача.
Идея в том, чтобы создать искусственный микрорельеф, позволяющий
осуществить первоначальную ориентацию осаждаемых на поверхность
подложки частиц.
Расстояние а сложнодостижимо.
МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИИ МИКРОСХЕМ
Основной метод – литография. Это самый универсальный
технологический процесс.
Основное назначение литографии - получение на поверхности пластин
или подложек контактных масок с окнами, соответствующими топологии
формируемых технологических слоев и дальнейшая передача топологии с
маски на материал ИМС.
Важнейший элемент – фоторезист. Это материал, чувствительный к
излучению определённой длины волны. Процессы, происходящие под
действием излучения в резистах, необратимо влияют на их стойкость к
растворам проявителям.
Резисты, растворимость которых после излучения в проявителе
возрастает, называются позитивными. А резисты, растворимость которых
уменьшается – негативными.
Экспонирование осуществляется следующими способами:
1. Теневой способ. (Создание затеняющих масок)
2. Способ локализации излучения. (Проецирование изображения)
Этапы и основные операции литографического процесса:
I. Формирование слоя резиста
1) Подготовка поверхности подложки
2) Нанесение резиста
3) Термообработка (первая сушка)
II. Передача рисунка на слой резиста (формирование контактно-
резистивной маски)
4) Совмещение и экспонирование
5) Проявление резиста
6) Вторая термообработка (задубливание резиста)
III. Передача рисунка на слой ИМС
7) Удаление материала микросхемы из окна резистивной маски.
Нанесение слоя нового материала в окно резистивной маски
8) Удаление резистивной маски
Классификация методов литографии:
Разрешающая способность литографических процессов зависит от

длины волны облучающего излучения. Чем короче длина волны, тем выше
разрешающая способность процесса.
ЭЛЕКТРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Благодаря чрезвычайно малой длине волны ускоренных электронов
электронная литография характеризуется практически отсутствием
дифракции. Расстояние между двумя линиями – разрешающая способность
литографии. Длина волны электронов при ускоренном напряжении 100-10
тыс В составляет 0,1 – 0,01 нм. Минимальный размер элементов 2-0,1 мкм
(придельный 0,05 мкм).
Системы электронной литографии обладают высокой глубиной
резкости, что снижает требование к плоскостности подложек.
Остросфокусированный луч электронов позволяет обнаружить нанесённые
на поверхность метки, что повышает точность совмещения слоёв.
Экспонирование электронным лучом, основанном на нетермическом
воздействии ускоренных электронов с материалом электронорезиста.
Проходя через слой резиста пучок электронов разрывает почти все
химические связи на своём пути. Чувствительность резиста определяется
дозой заряда, при котором для позитивного резиста облучённые участки
проявляются на полную глубину, а для негативного после травления остаётся
0,5 исходной толщины. Чувствительность зависит от очень многих факторов:
энергия электронов, тип травителя, от условий проявления, толщины резиста
и т.д.
Электронные резисты - высокомолекулярные полимерные вещества,
как правило, очень прозрачное в видимом и ультрафиолетовом диапазоне
длин волн и хорошо реагирующие на электронную бомбардировку.
СКАНИРУЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Достигается двумя способами: растровое и векторное сканирование.
При растровом сканировании луч перемещается по всей поверхности
кадра (2х2мм), включаясь и выключаясь в нужном месте, но это менее
производительный способ, хотя и более простой.
При векторном луч перемещается по заданным координатам: сначала в
точку, где находится элемент, далее происходит сканирование, затем –
перемещение в следующую точку системы координат.
Установка находится в вакуумной камере.
1) Источник электронов (электронная пушка)

2) Линза конденсора
3) Пластины гашения луча
4) Отклоняющие обмотки
5) Проекционные линзы
6) Координатный столик с закреплённой подложкой
7) Счётчик вторичных электронов
1. Высокая точность при формировании линии
2. Высокая точность совмещения
3. Автоматизированность
1. Очень малая производительность
2. Сложное, дорогостоящее оборудование
ПРОЕКЦИОННАЯ ЭЛЕТРОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ
1. БЕЗ МАСШТАБИРОВАНИЯ
Для реализации используется система фотокатод-шаблон.
1) Кварцевая основа
2) Непрозрачный для ультрафиолетового излучения слой (диоксид
титана) формирует затеняющую маску
3) Слой металла с большим фотовыходом электронов (палладий Pb)
4) Отклоняющая система
5) Фокусирующая система
6) Подложка со слоем резиста.
На поверхность фотокатода-фотошаблона падает мощный поток
ультрафиолетового излучения, под действием которого из незатенённых
участков плёнки палладия выходит поток фотоэлектронов, который попадает
на подложку со слоем резиста.
Достоинство:
Несмотря на то, что экспонирование происходит в вакууме,
производительность существенно выше сканирующей
1) Разрешающая способность ниже, чем при электронной литографии
2) Дорогостоящий метод
2. С МАСШТАБИРОВАНИЕМ
Изображение на подложке фокусируется перевернутым.

1) Источник электронов (электронная пушка, фотокатод-шаблон)
2) Линзы конденсора, которые формируют плоскопараллельный пучок
электронов
3) Фольговый затенеяющий шаблон
4) Проекционная линза
5) Координатный столик с подложкой
6) Счётчик вторичных электронов
1. Благодаря масштабу точность изготовлений сравнительна с точностью
сканирующей литографии
2. Может работать в режиме остросфокусированного луча, что обеспечивает
высокую точность совмещения
3. Производительность выше, чем у сканирующей, но ниже, чем у метода без
масштабирования
1. Дороговизна
2. Накапливание заряда на фольге
РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Малая длина волны излучения, что позволяет обеспечить высокую
точность и разрешающую способность при сохранении производительности.
Экспонирование производится рентгеновским излучением, которое
формируется при торможении пучка ускоренных электронов и
взаимодействии его с оболочками атомов. В качестве резистов используются
электронные резисты, т.к. взаимодействие рентгеновского излучения на
электронный резист аналогично воздействию пучка электронов. Длина
волны излучения зависит от материала мишени, от минимального в сторону
увеличения Pd, Ro, Mo и т.д.
Технология изготовления рентгеношаблона представляет собой
сложную техническую задачу.
Жёсткость, толщину эпитаксиального слоя обеспечивает трафарет из
SiO2, SiN и металлы.
Экспонирование производится теневым способом с масштабом 1:1, т.к.
линз, эффективно воздействующих на поток рентгеновского излучения, не
существует.
1) Вакуумная камера с источником рентгеновского излучения

2) Камера экспонирования (гелий)
3) Бериллиевое стекло
4) Электронная пушка
5) Вращающаяся металлическая мишень
6) Рентгеношаблон
7) Подложка со слоем резиста
Совмещение выполняется путём регистрации проходящего рентген
излучения по заранее нанесённой метке, которая представляет собой
локальное утоньшение в подложке.
1. Малая длина волны =>малая дифракция => высокая разрешающая
способность
2. Малая энергия излучения => малая рассеиваемость по глубине = >
толщина резиста не имеет значения
3. Пыль практически прозрачна для рентген излучения => можем удешевить
процесс, не создавая сверхчистых зон.
4. Рентгеновское излучение не чувствительно к электрическому заряду
подложек
5.Высокая производительность, почти сравнимая с оптической литографией.
• Чем выше степень вакуума в камере экспонирования, тем больше
падает производительность метода
• Сложность изготовления рентгеношалобна
• Искажение рисунка, передаваемого с шаблона на подложку
ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ
1. В отличие от электронной литографии ионы более массивны, и,
следовательно, меньше подвержены рассеиванию слоя резиста.
2. Возбуждённые вторичные электроны при ионной бомбардировке
имеют малую энергию, и, следовательно, не влияют на резист.
3. Ионы в пучке гораздо менее подвержены взаимному
электростатическому отталкиванию, следовательно, можно
использовать более тонкий пучок, что повысит разрешающую
способность слоя.
4. Ионы в отличие от электронов практически не подвержены дифракции.
В отличии от рентгенолитографии, ионы выполняется широкими,
чёткими, коллимированными пучками, что исключает дисторсию; управлять
пучком ионов проще, чем при рентген-излучении, которое через все
проходит насквозь.
Ионно-лучевая литография подразделяется на:
1) Сканирующую
2) Проекционную
СКАНИРУЮЩАЯ ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Аналогична сканирующей электронной литографии, и может быть
осуществлена либо при растровом, либо при векторном сканировании. В
качестве рабочих ионов используются ионы He+, H+, Ar+. Ионы образуются в
источниках, аналогичных применяемым в ионно-лучевом травлении.
Сканирование выполняется также, как и в ионно-лучевом травлении -
кадрами, но размер кадра в 4 раза меньше (～1 мм2). Разрешающая
способность процесса выше, чем при электронной сканирующей литографии.
Главные недостатки – медленно и дорого.
ПРОЕКЦИОННАЯ ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ
Выполняется пучками с площадью 1 см2, совмещая с выполнением в
режиме сканирования, но с заранее нанесёнными металлическими метками.
Применяемые шаблоны по своей структуре схожи с шаблонами
рентгенолитографии. Отличие в том, что в качестве материала, прозрачного
для ионов, используются сверхтонкие слои Al2O3 или Si с ориентацией (110).
Разрешающая способность проекционной ионной литографии аналогична
разрешающей способности проекционной электронной литографии. Резисты,
применяемые для ионной литографии, это электронные резисты, более
чувствительные к бомбардировке ионами. Иногда используются
неорганические резисты: ….
1. Медленный
2. Дорогостоящий
3. Немассовый
МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СЛОЕВ И ПЕРЕХОДОВ
Один из них – эпитаксия.
Гораздо чаще для изготовления электронных приборов и
микроэлектронных изделий используется термическая диффузия.
ДИФФУЗИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ
Различают три механизма диффузионного легирования:
1. Обменный реализуется замещением атомов полупроводниковыми
атомами. Легирование примесью происходит либо непосредственно, либо по
кольцевому пути с участием нескольких атомов.
2. Вакансионный реализуется последовательным перескоком примесных
атомов замещения в вакантные узлы кристаллической решётки легируемого
материала.
3. Междоузельный – примесные атомы помещается не в узле решётки, а
в междоузлиях.
Практика показывает, что наиболее вероятный вариант реализации – по
вакансионному механизму. При нагреве полупроводника количество
вакансий в объёме резко увеличивается в соответствии с известной
формулой. При Т=2000 ℃ количество вакансий становится сравнимо с
количеством атомов.
где n – количество атомов полупроводника в 1 см3;

– энергия, необходимая для образования вакансии;
k·T – произведение постоянной Больцмана и абсолютной температуры (в K).
Вероятность перемещения атома примеси в вакантное место р
пропорциональна выражению:
где – энергия перехода атома примеси.

В сумме энергия, необходимая для образования вакансий, и энергия
перехода атома примеси равна энергии активации процесса диффузии.
Параллельно с диффузией примеси в объём подводника идёт процесс
самодиффузии. Однако, в виду того, что энергия связи полупроводника
высока, этим процессом пренебрегают. Чем выше температура, тем большее
количество примеси проникает в объём, повышается растворимость примеси.
Максимальной или предельной растворимостью примеси в полупроводнике
называется максимально возможное количество примеси в единице объёма
данного полупроводника при данной температуре.
Процесс диффузии описывается законами Фика. Если рассматривать
одномерный процесс в направлении по нормали к поверности подложки, то
первый закон Фика записывается следующим образом:
где D – коэффициент диффузии, численно равный количеству атомов

примеси, проходящих за единицу времени через единицу площади
поверхности пластины при единичном градиенте концентрации примеси.
Знак минус показывает, что перемещение атомов происходит в направлении
убывания концентрации.
Второе уравнение Фика – это вывод из первого при допущении, что
коэффициент диффузии не зависит от концентрации:
Это уравнение позволяет определить количество атомов примеси,

вводимое в полупроводник в любой момент времени на любом расстоянии от
поверхности при заданной температуре, которая в этом выражении
представлена в неявном виде.
где D0 – коэффициент диффузии при бесконечно большой температуре;
– энергия активации процесса диффузии данной примеси.
Процессы диффузии в полупроводнике проходят при высоких
температурах (700-800 ºC для германия и 1000-1200 ºC для кремния).
Распределение легирующей примеси по глубине диффузионного слоя
для конкретных условий находят путём частного решения второго уравнения
Фика.
Предположим, что диффузия идёт из бесконечно постоянного
источника примеси, тогда распределение примесей по глубине равно:
где N0 – концентрация примеси на поверхности пластины;

х – глубина диффузии;
t – время процесса;
erfc – условное обозначение функции дополнения интеграла ошибок до
единицы.
Чаще реализуется диффузия из ограниченного источника примеси, при
этом распределение примеси описывается законом Гаусса:
где Q – общее количество примеси, введённое в полупроводник через 1 см2

поверхности за время диффузии.
Особенностью обоих распределений примеси является равномерное
убывание концентрации примеси от поверхности вглубь полупроводника.
Реальные распределения примесей отличаются от расчётных, тем не менее,
на практике пользуются законами Фика, а результаты расчета корректируют
с соответствии с экспериментом.
Проникновение примеси под маску существенно сказывается на
степени интеграции микросхем, которые могут быть изготовлены с помощью
термической диффузии. Вследствие того, что в термической диффузии
температура нагрева очень высока, каждый последующий этап создания p-n
перехода приведёт к искажению результата предыдущего введения примеси.
Высокие температуры, при которых происходит диффузия, вносят ещё одно
искажение: термическое оксидирование, следовательно, глубина
полученного слоя значительно меньше расчётной. Этот же процесс приводит
к аномальному распределению примеси, когда у поверхности концентрация
примеси меньше, чем на некоторой глубине, что снижает качество омических
контактов.
Принципы двусторонней термической диффузии.
I. Загон
В тонкий приповерхностный слой полупроводниковой пластины вводится из
неограниченного источника определённое количество примесей. Создаётся
поверхностный локальный источник примеси, представляющий собой слой
сильно легированного полупроводника. Первая стадия быстро проводится
при низких температурах. На поверхности пластины образуется
примесносиликатное стекло.
II. Диффузионный отжиг
Разгон совмещают с операцией термооксидирования и проводят в
окисляющей среде. Внешний источник примеси отсутствует. Температура и
время проведения больше, чем у первой стадии. Растущий слой окисла
поглощает поверхностные дефекты, образовавшиеся вследствие загонки, и
препятствует уходу примести с поверхности пластины. Таким образом, на
второй стадии происходит легирование из ограниченного источника примеси
по Гауссовскому распределению. При этом Q-количество примеси в
источнике на 1 см2 пластины определяют из условий легирования на первом
этапе примерно так:

Q   N x dx  2 N 0 Dt /   1,13N 0 Dt
0
где N0 – поверхностная концентрация на первой стадии легирования.
Техника выполнения диффузионного легирования

Основной метод для легирования кремния - способ проточной трубы. Способ
предъявляет жёсткие требования к чистоте подложки, примесей и
оборудования. Легирование примесью одного типа никогда не производится
на установке, если на ней легировали примесью другого типа. Источниками
примесей (диффузианты) могут служить вещества разного физического
состояния. При этом примеси в элементарном виде не применяются никогда,
так как, например, бор при T диффузии имеет слишком малое давление пара,
фосфор - воспламеняется, мышьяк высокотоксичен.
Трубу продувают смесью газов N2 и O2. После установления термического

режима вводят в пластины кремния, и ведут легирование в присутствии O2.
Для образцов боросиликатного nB2O3∙mSiO2 (БСС) и фосфоросиликатного
nP2O5 ∙mSiO2 (ФСС) стекла на поверхности идут реакции:
2B2O3 + 3Si → 3SiO2 + 4В
2P2O5 +5Si → 5SiO2 +4P
o Необходимость двухзонной установки
o Недостаточная воспроизводимость значений (трудно контролировать
процент содержания примесей установки)
o Трудно получить низкие поверхностные концентрации
Недостатки термодиффузии:
Закалка примеси происходит быстро, а отжиг медленно: сильное
термическое воздействие на весь объём материала.
Ионное легирование
В два этапа:
I. Внедрение ионов
II. Отжиг
Первый этап отличается от загонки при термодиффузии. Реализация не за
счёт градиента концентрации, а за счёт кинетической энергии ускоренных
ионов. Процесс быстрый. Можно производить при комнатной температуре
внедрение примесей, которые обладают низким коэффициентом диффузии в
объёме полупроводника или низкой растворимостью в твёрдой фазе. Для
полупроводников с низкой температурой плавления (арсенид индия InAs)
или полупроводник с очень высокой температурой легирования (карбид
кремния SiC), расширяет возможность легирования полупроводникового
материала. В зависимости от движения ионов, легирование может
осуществляться по двум механизмам, приводящих к различной глубине
примесей и различным скоростям.
Ориентированное внедрение
Разориентированное внедрение
Можно добиться скрытых слоёв. На глубину примесей влияет плотность

атомов на поверхности подложки. Глубина внедрения максимальна при (110)
и уменьшается по ряду критических ориентаций (110) (100) (111) увеличивая
плотность распределения атомов в плоскости перпендикулярной внедрению.
Ионное внедрение – процесс, в результате которого повреждается
кристаллическая решётка полупроводника. Доза амортизации – доза
излучения, при которой полупроводник переходит в аморфное состояние.
Распределение ионов примеси при разориентированном внедрении
описывается законом Гаусса:
x  R  2
   2  RП 2
П
N x   
Q e
   
 R П 2 
где Q - доза облучения, см-2;
 R П - среднеквадратичное отклонение нормальных пробегов (т. е.
проекций пути ионов на направление начального внедрения, см;

х - глубина внедрения ионов, см;
Увеличение энергии приводит к заглублению легированного слоя, но не
значительно.
Второй этап, отжиг после ионного внедрения необходимо по трём причинам:
1) Перераспределение внедрённой примеси;
2) Залечивание радиационных дефектов (восстановление нарушенной
кристаллической структуры);
3) Энергетическая активация примесей.
Отжиг 10-30 мин и более низких температурах, при диффузионном
легировании. На практике кривые распределения примеси значительно
отличаются от расчётных за счёт наличия шлейфа. При том, ионы охотнее
возвращаются в разрушенный слой поверхности, нежели вглубь кристалла.
Глубина достигаемая при ионном легировании очень не велика, редко не
белое 1 мкм.
Техника ионного легирования
Ионное внедрение проводят в вакуумных установках
дифференциальной откачки, в которых степень вакуума повышается по мере
движения ионов от источника к пластинам это установки серии „Везувий".
Для получения ионов основных легирующих примесей используют чистые
элементарные P, As, Sb и соединения BF3, BBr3, BCl3, PCl3 и т.д. В ионном
пучке присутствуют ионы различных веществ для отсеивания ненужных
используют масс-сепаратор. Для внедрения используют широкий или
остросфокусированный пучки ионов. При использовании широкофокусного
пучка необходимо формировать маски на поверхности пластины из SiO2;
Si3N4; W; Mo; Au и др. Толщины масок от 0,1 до 2 мкм в зависимости от
плотности маскирующего материала.
 Высокая точность и воспроизведение глубины и степени
легирования (за счёт хорошего контроля пучка ионов)
 Возможность создания любого профиля легирования
 Возможность получения скрытых областей легирования
 Точность воспроизведения рисунка при локальном легировании
 Высокая производительность и автоматизированность процесса
o Трудность создания слоёв более 1мкм
o Сложность однородного легирования пластин большого
диаметра из-за расфокусировки луча при больших отклонениях
o Сложность оборудования
o Термическое воздействие на подложку
Ионное внедрение - довольно универсальный технологический процесс. Его
используют также при реализации ряда процессов.
1. Термическая диффузия из слоев, полученных ионным легированием.
2. Диффузия из поликремния.
3. Радиационно-стимулированная диффузия (материал подвергается
бомбардировки для разрушения кристаллической решетки и
проводится диффузию при более низких температурах).
4. Получение пленок различных химических соединений на поверхности.
Методы изоляции полупроводниковых ИМС
Имеются 4 основных способа изоляции.

1) Изоляция обратносмещённным p-nпереходом
 Простота
o Обратносмещённый p-n переход обладает большой (барьерной)

ёмкостью и между соседних элементами сильная ёмкостная связь,
поэтому близко их расположить нельзя. Степень интеграция
микросхем с такой изоляцией мала.
o Большие токи утечки
o Необходимость подавать постоянное смещенное напряжение на
кристалл, больше, чем любе напряжение подаваемое на кристалл.
2) Изоляция диэлектриком
 Большой процент выхода годных
o Очень дорогостоящий
3) Изоляция полная диэлектрическая

КНС (кремний на сапфире) или КНИ (кремний на изоляторе)
Метод эпитаксиального наращивания, В которых происходит выращивания

элементов схемы.
 Устойчивость к радиационным воздействиям
o Не массовость
o Низка степень надёжности
o Дефектность растущего слоя, чем в обычном монокристалле
o Сложность межэлементной металлизации
4) Комбинированный
Называемый изопланарной технологией, когда дно областей формирования

элементов (карманов) изолировано обратным смещением, а бока -
диэлектриком типа SiO2.
 Плотность установки элементов выше, чем при изоляции смещённым
p-n переходом и степень изоляции может быть выше.
o Изоляция хуже, чем при полной диэлектрической
Нужно помнить, что любая полупроводниковая ИМС помимо основных
элементов, которые составляют эту схему, постоянно присутствуют
паразитные элементы. Например: любой n-p-n транзистор благодаря наличию
изолирующего p-n перехода одновременно может выполнять функцию p-n-p
транзистора, ёмкость высокое сопротивление области коллектора,
составляют схему замещения основного элемента схемы электрической
принципиальной. При проектировании микросхемы не учитывать их нельзя.
Прямой перенос схемы практически невозможен.
БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИМС
Базовыми называются процессы, лежащие в основе типовых
технологических процессов, и проектирование типовых процессов
представляет собой комбинацию элементов базовых процессов.
Существует три базовых технологических процесса:
I. Планарная технология;
II. Мезатехнология;
III. Эпитаксия.
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Название «планарная технология» происходит от «planar» – «плоский».
Позволяет сформировать в приповерхностном слое полупроводника
монокристаллические элементы, составляющие ИМС.
Достоинства
Любой элемент конструкции ИМС может быть изготовлен путём
чередования трёх основных операций: оксидирование, литография и
диффузия. Для обеспечения потребностей электроники можно с помощью
типичного базового планарного процесса изготовить почти любой элемент и
любую ИМС. В идеале, любая ИМС представляет собой набор одинаковых
транзисторов, а все остальные элементы делаются из них. Все элементы
делаются в едином технологическом цикле и представляют собой абсолютно
идентичные транзисторы, формирующие саму схему элементов коммутации.
o Мощность на коллекторном переходе очень велика, следовательно, она
превращается в тепло, и транзистор нагревается. На каждые 10 ºC обратный
ток p-n перехода возрастает в 2 раза.
o Кристалл слабо легирован, поэтому плохо проводит тепло. Чем выше
степень легирования, тем выше удельная ёмкость p-n перехода,
следовательно, сильнее ёмкостная связь между элементами.
o Большая площадь p-n перехода.
МЕЗАТЕХНОЛОГИЯ
В настоящее время мезатехнология реализуется с помощью
фотолитографии и служит для изготовления дискретных активных
элементов, в том числе для ГИМС. «Meza» по-испански – «стол», «столовая
гора». В полупроводниковой технологии мезы – это выступающие над
поверхностью пластины и разделенные с боковых сторон воздушными
промежутками столбики материала из исходной пластины. Их получают
локальным вытравливанием углублений с помощью контактной маски.
 Прямолинейный p-n переход очень малой площади, следовательно,
элемент высокочастотный и без однородности тока распределения.
o Даже с помощью литографии ни одной микросхемы в чистом виде
изготовить нельзя.
ЭПИТАКСИЯ
Эпитаксия позволяет существенно улучшить параметры
полупроводниковых приборов и микросхем, увеличить их производимость,
процент выхода годных изделий, снизить себестоимость.
Элементы всех трёх базовых технологических процессов составляют
основу любого современного технологического процесса. По сути, типовые
технологические процессы являются комбинированными –
мезаэпитаксиальнопланарными.
ТИПОВЫЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
СТРУКТУР МИКРОСХЕМ
В настоящее время доминирующим материалом электроники является
кремний. В качестве маскирующих материалов выступают SiO2 при
легировании бором и нитрид кремния при легировании Al, Zn и Ga, т. к.
коэффициент диффузии этих примесей в SiO2 существенно ниже, чем в Si3N4.
Из донорных примесей чаще всего используют фосфор, т. к. по параметрам
диффузии он предпочтительнее мышьяка и сурьмы. Доноры в кремнии, как
правило, диффундируют медленнее и лучше растворяются, чем акцепторы,
поэтому кремниевые транзисторы n-p-n типа более распространены
(быстрее), чем р-n-р.
Изготовление биполярной ИМС разделительной диффузии насквозь
эпитаксиального слоя
1) Создание скрытого слоя n+ на первом этапе производится термической
диффузией, чаще всего сурьмы, т.к. она меньше искажает структуру
кремния. Толщина этого слоя составляет 2-5 мкм, делается для
уменьшения сопротивления коллекторной области.
2) Эпитаксиальный n-слой выращивают в основном хлоридным методом
толщиной 3-25 мкм в зависимости от назначения ИМС. Распределение
примеси равномерное, степень легирования 1015-1016 на см3.
3) Разделительная диффузия акцепторной примеси с образованием n+
кармана.
4) Формирование базовой р области. Причём, т.к. базовая область
формируется термической диффузией, распределение примеси в ней
неравномерное, следовательно, возникает эффект дрейфового
транзистора (ускоренное напряжение для перемещения основных
носителей заряда из эмиттера в коллектор).
5) Для формирования эмиттерных областей используют фосфор, образуя
n+ области (для усиления инжекции). Одновременно формируют n+
области под коллекторный контакт (улучшение свойств омического
контакта).
Рассмотренный способ используют для изготовления ИМС 1-й и 2-й
степени интеграции с изоляцией обратно смещённым p-n переходом.
Увеличение степени интеграции невозможно из-за присущих данному
способу недостатков.
o Большие токи утечки изолированного p-n перехода.
o Большая площадь изолированного перехода, что приводит к сильной
ёмкостной связи между элементами.
o Низкое пробивное напряжение из-за острых«углов»
o Паразитные транзисторы при горизонтальном токе.
Литографический процесс включает себя 6 шаблонов, что
технологически не выгодно.
Метод базовой изолирующей диффузии. КИД-технология.
Эпитаксиальный p-слой делается очень тонким, 1-2 мкм.

Дополнительная диффузия акцепторной примеси проводится без маски, на
глубину порядка 0,5 мкм, что позволяет добиться следующего:
1) Распределение примеси в базе сделать неравномерным, чтобы
обеспечить дрейф носителей заряда через базу.
2) Предотвратить инверсию электропроводности через кремний в
результате контакта с SiO2.
1. Число литографий меньше по сравнению с предыдущим процессом.
2. Область коллектора сильно легирована, что исключает необходимость
дополнительной диффузии золота в коллектор для понижения времени
жизни неосновных носителей заряда.
o Пониженный дрейф носителей заряда в эпитаксиально наращенной
базе, что снижает быстродействие ИМС.
o Неравномерность p-n перехода база-коллектор приводит к
существенному понижению пробивных напряжений.
o Велики точки утечки, ёмкостная связь.
Кроме двух этих методов существуют ещё метод базовой изоляции
диффузией, метод трёх фотошаблонов, метод самоизоляции. Все они
отличается простотой и используются в основном для изготовления ИМС
маломощных с умеренным быстродействием и малой степенью интеграции.
Изготовление биполярных ИМС с полной
диэлектрической изоляцией
Исходной заготовкой является однослойная n-n+ эпитаксиальная

структура. После локального травления на глубину около 15 мкм и удаления
SiO2 маски термически выращивают или осаждают из ПГФ пленку диоксида
кремния 1-2 мкм. Поверх нее осаждают слой высокоомного поликремния
толщиной 175-200 мкм. Для получения изолированных n-n+ карманов
лишнюю часть кремния сошлифовывают. Полученная при этом подложка
структуры ИМС, как и при изоляции p-n-переходом, проводящая, хотя и
имеет более высокое удельное сопротивление (около 50 Ом/см).
Для улучшения изоляции слой SiO2 иногда заменяют на Si3N4 или
комбинацию этих двух слоев.
Таким образом, имеет место меза-эпитаксиальная технология, а
элементы ИМС в карманах n-n+ формируются в дальнейшем по планарной
технологии, следовательно, в целом процесс характеризуется как меза-
эпитаксиально-планарный. Наряду с приведенным типовым маршрутом
имеются его модификации. Например, для формирования комплементарных
биполярных ИМС содержащих p-n-р и n-р-n структуры.
Эти процессы довольно сложны и трудоемки. Особую сложность
представляет прецизионная механическая обработка (шлифование).
o Невысокая степень интеграции;
o Изоляция занимает большую площадь;
o Внутри этих карманов можно работать только по планарной
технологии, следовательно, ИМС дорогостоящая, обладает не слишком
хорошим быстродействием и малой мощностью
 Высокое качество изоляции;
 Большая надежность.
Наиболее сложными являются следующие технологические операции:
глубокое локальное травление и сшлифование остатков с подложки.
Вместо поликремния нередко используется диэлектрик ( стекло или
ситалл), тогда технология носит название КВД (кремний в диэлектрике).
Декаль-технология
Изоляция воздушным зазором.
Существует 2 варианта изоляции воздушными зазорами – это KHC
технология, которая применяется в основном для изготовления MOП ИМС и
КНД-технология (кремний на диэлектрике), одним из вариантов которой
является декаль-метод.
В кремниевой пластине формируют неизолированные элементы и
выполняют металлизацию. После чего приклеивают эту пластину жидким
стеклом к диэлектрику и травят ее до слоя металлизации. Получается КНД
структура.
 Отсутствие высокотемпературных обработок при формировании
изоляции
o Крайне дорого;
o Малый выход годных изделий;
o Главная сложность – сшлифование части подложки и точное
совмещение маски на обратной стороне подложки при глубоком
локальном травлении.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ИМС
С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ
Изопланар-1
Создаем структуру, представленную на рисунке выше. Затем, в полном
соответствии с планарной технологией, делаем на поверхности структуры
контактную маску так, чтобы маска защищала именно площадь над
сильнолегированной зоной. Проводим травление. После удаления маски всю
структуру закатываем в диэлектрик, в процессе подвергая подложку
окислению. Далее формируем в «карманах» нужные элементы по планарной
технологии.
o Присуще все недостатки планарной технологии;
o Размер локальной области, в которой формируется транзистор, не
может быть слишком маленьким.
Изопланар-2
Позволяет получать структуры с эмиттерными областями, выходящими
боковой стороной на слой изоляции. Приконтактные n+-области коллекторов
расположены в самостоятельных карманах, соединенных с эмиттер-базовыми
карманами скрытыми n+ областями. Этот процесс предъявляет менее
жесткие требования к точности совмещения слоев, так как окно смещается в
диоксид, диффузия эмиттерной примеси в который не происходит. Базовую
диффузию акцепторной примесью можно проводить по всей площади
карманов, что также упрощает процесс.
Процесс изопланар-2 проявляет гораздо менее жесткие требования к
разрешающей способности литографического процесса при маскировании.
Гораздо менее жесткие требования к разрешающей способности литографии
при маскировании, к точности совмещения маски и обеспечивает лучшие
частотные характеристики транзистора и более высокие пробивные
напряжения всех p-n переходов.
Практически аналогично выглядят результаты процесса полипланарной
и эпитаксиальнопланарной технологий, они отличается только деталями. Эти
процессы позволяют обеспечивать максимально возможную плотность
упаковки для биполярной ИМС, высокую степень интеграции, сверхвысокие
частоты работ и большие мощности. И, тем не менее, именно небиполярные
ИМС являются самыми крупными и большими. Необходимость изоляции
каждого элемента – главное ограничение биполярных микросхем.
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ
Наиболее широко применяются транзисторы с индуцированным
каналом, т.к. они позволяют осуществлять внутрисхемное согласование и
реализовывать универсальные логические функции. Исторически первыми
МОП ИМС были р-МОП ИМС (на транзисторах с р-каналами). Изготовление
n-МОП ИМС затруднено возникновением на поверхности p-Si при
термическом оксидировании инверсного n-слоя, который электрически
связывает элементы ИМС. Благодаря совершенствованию технологии в
настоящее время в производстве преобладают n-канальные ИМС, имеющие
большее быстродействие за счет большей подвижности электронов. Наряду с
МОП изготавливают также КМОП ИМС, содержащие транзисторы с
каналами обоих типов. Изготовление состоит из тех же элементов, что и
технология биполярных. Однако, благодаря простоте конструкции и
самоизоляции в подложке, технология МОП ИМС гораздо проще, а сами
микросхемы обладают большой степенью интеграции, большой плотностью
упаковки и высоким быстродействием. БИС и СБИС относятся к классу
МОП ИМС. Один из наиболее важных элементов конструкции МОП
транзистора – подзатворный диэлектрик. К ним предъявляется жесткие
требования: высокая электрическая прочность, минимальный накопленный
заряд в объёме на границе раздела диэлектрик-полупроводник, максимальная
стабильность свойств и большая равномерность параметров по площади.
Второй важный электрический параметр МОП транзистора – степень
перекрытия затвором области стока и истока, т.к. при наличии такого
перекрытия, чем она больше, тем больше паразитной ёмкости затвор-сток,
затвор-исток, следовательно, ниже быстродействие. Короче канала затвор
тоже быть не может, т.к. при этом транзистор будет не работоспособен, ибо
инертный канал не будет соединять области стока и истока. Третий параметр
– длина канала, чем она меньше, тем быстрее будет реализовываться переход
транзистора из закрытого в открытое состояние, следовательно, выше
быстродействие транзистора.
Изготовление толстооксидных p-МОП ИМС и n-МОП ИМС
Конструкция транзистора изначально проще, чем у биполярного ИМС.

Кроме того, каждый транзистор не требует создания изоляции в едином
кристалле ИМС. Толщина подзатворного диэлектрика составляет 0,1 мкм.
Толщина конечного оксида над рабочей областью больше 1 мкм. Степень
перекрытия металлического затвора металлическим затвором областей стока
и истока редко меньше 2-3 мкм, т.к. существует неопределённость p-n
перехода при использовании термической диффузии.
Такие ИМС не отличаются высокой степенью интеграции, обладают
низким быстродействием, тем не менее, технология широко используется до
сих пор, т.к. она дешева и проста.
Отличие технологии для n-канального варианта.
Главной сложностью при изготовлении n-МОП заключается в том,
что в процессе термического оксидирования в объёме формирования оксида
и на границе раздела SiO2-Si накапливается большое число носителей заряда,
которые захватывают дефектность слоя. Следовательно, под действием
этого накопленного заряда происходит инверсия электропроводности n-типа
под диэлектриком и образуется слой Si n-типа, который замыкает
сформированный транзистор.
Легирование донороной примесью позволяет предотвратить инверсию

электропроводности полупроводника под диэлектрическим слоем.
Аналогичное легирование внутри транзистора (т.е. в области между истоком
и стоком) нежелательно, т.к. это ухудшает управляемость транзистора.
Изготовление n-МОП ИМC с самосовмещенными затворами
ИМС делают так, что сформированный заранее затвор выполняет роль
маски при формировании областей стока и истока на транзисторе. При этом
используется возможность изготовления затвора короче длины канала и
минимизируется степень перекрытия в затворе в зависимости от кремния и
применения технологии легирования.
Схема изготовления n-МОП ИМC с поликремневыми затворами.
Полученный слой поликремния составляет около 0,5 мкм. Толщина
подзатворного диэлектрика 0,1 мкм. Одновременно с формированием
области стока и истока происходит сильное легирование поликремния на
затворе, что существенно понижает его удельное сопротивление за счёт
принципа самосовмещения. Такие микросхемы обладают большим
быстродействием и могут быть изготовлены с большой степенью
интеграции. Однако, это не самая лучшая технология, т.к. приходится
работать с поликристаллическим кремнием. В дальнейшем стали
использовать силициды тугоплавких металлов, особенно если легирование
проводится не методом термической диффузии.
Схема изготовления n-МОП ИМC с помощью ионной имплантации.
Аналогична предыдущей схеме (во многом). Главное отличие
заключается в том, что затвор изготовлен из тугоплавких металлов, таких как
Mo, V, W и т.д. Ионное внедрение производится без вскрытия окон в тонком
подзатворном диэлектрике, при этом энергия ионов подбирается такой, что
они свободно проникают через диэлектрик, но через материал затвора и
через толстый оксид на краях не проникают. После внедрения ионов
обязателен отжиг.
 Используемый материал для изготовления затвора позволяет сделать
его как можно более узким, т.к. литография металла протекает легче,
чем полупроводника или диэлектрика.
 Ионная имплантация (легирование) практически не даёт перекрытия
затвора областей стока и истока (поэтому в сумме эти два достоинства
определяют очень высокое быстродействие микросхем).
o Степень дефектностей области стока довольно высока.
o Глубина легирования также очень невелика, следовательно, сделать
ИМС мощной и одновременно быстродействующей по данной
технологии нельзя.
Диффузионно-ионная технология изготовления n-МОП ИМС с

самосовмещённым затвором.
Сочетает достоинства и простоту толстооксидной технологии (в

результате которой образуются качественные области истока и стока) и
достоинства самосовмещённого затвора.
Изготовления КМОП-ИМС
Они отличаются высокой помехоустойчивостью, малым потреблением
мощности и высоким быстродействием. Их можно изготавливать на
пластинах Si с однородным эпитаксиальным слоем, на двух пластинах
разного типа проводимости (бикристальные ИМС), на KHC структурах.
КМОП ИМС на одной пластине.
Их можно изготавливать путем создания р-карманов в n-Si или n-
карманов в p-Si, а также двух карманов в слаболегированном эпитаксиальном
n-слое на n+ подложке. И далее в этих карманах формируются транзисторы с
соответствующими каналами. Например: карман р-типа.
Бикристальные KMOП ИМС выполняются соответственно на
пластинах n-Si р-МОП и на пластинах p-Si n-МОП по одной из ранее
рассмотренных технологий. Отличие заключается в том, что внешнюю
коммутацию выполняют зеркально на двух кристаллах, на одной из пластин
формируют шариковые контакты из легкоплавкого металла, а на другой
соответствующие контактные площадки. Затем складывают, прогревают,
сваривают между собой. Главная проблема заключается в отводе тепла.
Недостаток:
o Любой гибкий проводник – лишние контакты.
КМОП ИМС по технологии КНС

Отличаются низкими паразитными емкостями и малыми токами
утечки. Снижение размеров элементов и внутренних емкостей существенно
повышает быстродействие, стойкость к радиации, степень интеграции,
снижает рассеиваемую мощность.
При их изготовлении применяются те же технологические методы, что
и при изготовлении монолитных МОП ИМС.
 Относительно тонкий слой с точной кристаллической структурой.
 P-n переходы линейны, самосвмещённый затвор позволяет обеспечить
длину затвора и канала.
Биполярные транзисторы таким методом не изготавливают.
Металлизация
Степень сложности и вид металлизации зависит от степени сложности,
области применения и типа технологического процесса изготовления ИМС.
В качестве материала металлизации полупроводниковых ИМС чаще
всего выступает Al.
Достоинства Al:
 Высокая электропроводность
 Хорошие низкоомные контакты как к p-, так и к n-Si
 Хорошая адгезия как в Si, так и в основном диэлектрическом материале
(SiO2)
 Технологичен
 Пластичен (стоек к колебаниям температуры)
 Склонен к процессу электромиграции (электронная диффузия)
 Разрушается под действием токов большой плотности – 106 А/см2.
Однослойная алюминиевая металлизация
Применяется преимущественно в ИМС малой и средней степени
интеграции, не слишком мощных, работающих на частотах до 1 ГГц, не
рассчитанных на долговечность (низкие надежностные характеристики).
Процесс получения Al-металлизации состоит в вакуумном осаждении
Al плёнки, литографии по слою Al и нанесении защитного покрытия.
Толщина 0,2-0,5 мкм. Если толщина больше, то в металлической плёнке
происходит металлическое напряжение, которое приводит к отслаиванию
проводника. В ряде случаев используется многослойная металлизация, т.к.
она более надёжна, выдерживает большие плотности тока, но существенно
менее технологична.
Многослойная металлизация
Первый слой – контактный. Выполняется из металла, слабо
проникающего в объём полупроводника, т.е. обладает низким
коэффициентом диффузии в Si. Обычно в качестве материала контактного
слой используется W, Mo, Ni, Al, Ti, Cr или силициды металлов. Все они
обладают хорошей адгезией и обеспечивают предотвращение растворимости
контактной площадки.
Второй слой – проводящий. Он должен обеспечивать высокую
электропроводность и качественный контакт к внешней коммутации
кристалла в корпусе (Cu, Al, Au).
Третий слой – разделительный (барьерный). Применяется в случаях,
когда сложно подобрать хорошо согласующиеся материалы контактного и
проводящего слоёв. Барьерный слой предотвращает образование
интерметаллических соединений и препятствует диффузии между слоями.
Четвертый слой – контактный (контактные площадки). Обеспечивает
надёжное качество сваренной (спаяной) контактной проводимости внутри
корпуса ИМС.
Многоуровневая металлизация
Применяется в большинстве больших и сверхбольших ИМС.
Повышение числа элементов повышает площадь межэлементных
соединений, поэтому их размещают в несколько слоев, разделенных
изоляцией. Особые жёсткие требования предъявляют к диэлектрическим
слоям: не должны содержать неровностей, не должны быть пористыми, не
должны обладать большим коэффициентом диэлектрической проницаемости,
иметь высокое напряжение пробоя, низкий tgδ диэлектрических потерь,
химическую совместимость с материалом металлизации.
Сборка ИМС
Разделение пластины на подложки
После формирования структуры ИМС проводят контроль
электрических параметров. Пластины разделяют на отдельные структуры,
кристаллы или платы.
Крайне редко разделение пластины производится непосредственно на

всю толщину пластины. Производится в лабораторных условиях. На
практике первым этапом является процесс, который носит название
скрайбирования (от англ. Scribe – царапать). Скрайбирование осуществляется
несколькими путями:
1. С применением абразива (свободного или связанного).
2. Лазерным лучом.
3. Химическое травление.
Каждый из этих путей имеет свои достоинства и недостатки.
Абразивное скрайбирование
Ведущий в производстве процесс: связанным абразивом с внешней режущей
кромкой.
 Высокая производительность;
 При использовании свободного абразива (полотна с абразивной
суспензией) из-за распределения механического воздействия на
пластину вероятность возникновения дефекта на поверхности меньше.
o Существенное механическое воздействие на тонкую пластину приводит
к трещинам, сколам и другим механическим дефектам;
o Большая степень загрязнения пластины частицами абразивной
суспензии.
Скрайбирование лазерным лучом
 Автоматизированность;
 Хорошая управляемость.
o Локальное термическое воздействие на линию среза, которое может
привести к нарушению изоляции и обрыву металлизации или
изоляции;
o Загрязнение продуктами полупроводника с линии реза.
Химическое скрайбирование (травление)
 Нет ни термического, ни механического воздействия.
o Низкая производительность;
o Необходимость создания маски.
Основные требования к процессу разделения:
1. Необходимость точной ориентации линии реза;
2. Сведение к минимуму механических напряжений в процессе
разделения;
3. Получение строго вертикальной линии реза;
4. Сохранение ориентации кристалла.
Для этого пластину перед скрайбированием наклеивают на липкую
растягивающуюся ленту, которая гарантирует, что после отделения
кристаллы сохранят ориентацию.
Разделение пластин (разламывание).
1. Разламывание на полусфере
2. Разламывание при прокате одиночным валиком
3. Разламывание между двумя эластичными валиками

Широко применяется в промышленности на полуавтомате ПЛП-3.
Недостаток всех трех методов:

o Механическое воздействие на МС.
Достоинство:
 Разный уровень производительности.
Далее контроль результатов. Маркируются некондиционные МС.
После требуется очистка от загрязнений.

Методы сборки
 Пайка;
 Сварка;
 Склеивание.
Применяются при монтаже кристалла в корпус, при соединении
выводов и герметизации корпусов.
Пайка
Процесс создания неразрывного соединения деталей путём нагрева и
последующего охлаждения, при наличии между этими двумя деталями
промежуточного материала, который называется припой.
При нагреве до температуры плавления припой проникает частично в
приповерхностные зоны спаиваемых деталей, образуя интерметаллические
соединения. Качество паяного соединения обеспечивается качеством
интерметаллического слоя. Если слой очень толстый, то качества слоя
плохое. Если его нет вообще, то и контакта нет. При охлаждении припой
кристаллизуется у поверхностей соединяемых деталей, вступая с ними в
прочную металлическую связь. Поверхности соединяемых деталей должны
быть тщательно очищены от оксидов и загрязнений. Растворимость
материалов в припое должна быть достаточной для образования прочного
шва, но не слишком большой. Припой должен иметь температуру плавления
ниже, чем температуры плавления соединяемых деталей (чтобы не ухудшить
параметры готовых структур).
Припой не должен изменять своих свойств при рабочих температурах
деталей (для микросхем на основе Si 125oC).
Различают низкотемпературную (меньше 450oC) и
высокотемпературную пайку (выше 450oC).
Низкотемпературные припои:
 сплавы олова со свинцом ПОС;
 олова с висмутом ПОВ (99,4.. .99,6% Sn),
 сплавы AuSi и AuGe (эвтектические).
Высокотемпературные: сплавы на основе серебра ПСр (содержат Ag,
Cu и Zn) и т.д.
Флюсы используются для улучшения смачивания и защиты от
последующего окисления при повышении температуры.
При изготовлении используют бескислотные антикоррозийные сплавы
на основе канифоли типа ФКСп, ФПЭт, ФкТС и на основе цинка ФХЦ.
Сварка
Обладает высоким качеством соединений и малым воздействием на
свариваемые детали.
Это процесс получения неразъемного соединения деталей, без участия
припоя, в результате их сближения на расстояние межатомного
взаимодействия.
Сварка может выполняться с нагревом или без нагрева в зависимости
от наличия или отсутствия сжимающего усилия.
Для сборки микросхем наиболее часто используют следующие способы
сварки: термокомпрессионную, косвенным импульсным нагревом,
ультразвуковую, сдвоенным электродом, лазерную, точечную и шовную,
элекгронно-лучевую, холодную, электроконтактную, аргонно-дуговую.
Склеивание
Клеевые соединения, в отличие от сварки и пайки, не требуют
специального оборудования. Легко выполняются, но не всегда обеспечивают
хорошее качество монтажа. Применение в основном для микросхем
пониженных мощностей, работающих в нежестких условиях эксплуатации.
Клеи могут быть токопроводящими и нетокопроводящими. Клей
затвердевает за счёт хорошей адгезии, характеристик примесей к
поверхности деталей и механических характеристик самого клеевого
контакта. Механические напряжения, возникающие при этом, обеспечивают
стягивание и плотное механическое соединение деталей.
Прочность клеевого соединения обеспечивается качеством
подготовленной поверхности, толщиной клеевого слоя, режимами сушки,
качеством самого клея. Жир влияет на адгезию, поэтому перед склеиванием
поверхность надо обезжирить. Количество дефектов в слое клея растет с
увеличением толщины, следовательно, прочность соединения падает.
Оптимальный слой клея от 0,05 до 0,1 мм.
Для операций сборки используют клеи на основе эпоксидных смол,
полиимида и др.
Методы защиты ИМС
Существует два способа защиты ИМС: корпусная и бескорпусная. При
изготовлении полупроводниковых ИМС прибегают, как правило, к
корпусной защите.
Классификация корпусной защиты герметизации ИМС.
Бескорпусная герметизация может быть выполнена путем заливки

платы компаундами. Иногда предварительно подвергается армированию
жесткими выводами. Чаще всего бескорпусные МС предполагают, что их
будет можно использовать как навесные к гибридным МС. Поэтому их
выпускают в таре-спутнике, они представляют собой полупроводниковые
кристаллы, залитые компаундом, с золочеными проводками, ведущими к
кристаллу. Используются эластичные компаунды тина КТ-102, ВИКСИНТ и
т.д.
Основы тонкоплёночной технологии
При нанесении тонкоплёночных материалов слой формируется
методом осаждения в вакууме на диэлектрическое основание, при этом
толщина плёнки может быть от границы сплошности (～ 0.2 мкм) до 1 мк.
Чем больше механическое напряжение после осаждения, тем толще слой, тем
он менее прочный и менее эластичный, а для материала с плохой адгезией
легко отслаивается.
Толстые же плёнки формируются по другому принципу: на
поверхность диэлектрического основания наносится паста, затем она
вжигается. При этом, очевидно, что толщина такой пленки не может быть
меньше толщины трафарета, через который наносится данная пленка. В наше
время наблюдается оживление толстопленочной технологии, в связи с
расширением области применения, особенно в области бытовой техники,
СВЧ схем, особо мощных приборов (силовой электроники).
В отличие от тонкопленочных, толстоплёночные не выдерживают
больших нагрузок и большой мощности рассеивания (Вт/см2).
 Дешевизна;
 Простота.
Преимущества толстопленочной технологии перед тонкопленочной:
 Трудоёмкость в три раза меньше;
 Стоимость оборудования и помещений на порядок меньше;
 Более рациональный расход материала;
 Технология не требует высококвалифицированного персонала;
 Значительно меньшая чувствительность к загрязнениям (выгорает при
вжигании);
 Возможен контроль и исправление брака, после каждой операции;
 Могут работать в жёстких условиях, с резкими перепадами
температуры (до +300 ℃);
 Позволяет уменьшить паразитные ёмкости.
Пасты состоят из трёх основных компонентов: функционального,
конструктивного и технологического.
Функциональный служит для предания пасте свойств формируемого
элемента. В традиционной технологии использовались благородные
металлы: Ag, Pd, сплавы на их основе, оксиды рутения, свинца, висмута,
кадмия, индия.
Сейчас же делают на основе Cu, Al, Mo, Ni, широко используется
углерод как хорошо диспергирующий чистый материал.
Конструкционная составляющая представляет равномерное
распределение функциональных частиц и адгезию пленки к подложке. При
формировании элемента эта составляющая не удаляется, она остаётся в
готовом элементе. В традиционной толстопленочной технологии в пастах,
используются свинцово-боросиликатные стёкла. Они достаточно
легкоплавкие, но тем не менее температура вжигания таких паст высока.
Поэтому в них применяются благородные металлы. Полимерные пасты
снизили температуры вжигания до приемлемого уровня.
Технологическая составляющая – это временные органические
связующие компоненты пасты, а также растворители. В процессе
термообработки пасты полностью удаляются из элемента. Они обеспечивают
вязкость, тягучесть и тиксотропность (свойство пасты изменять свою
текучесть под давлением).
В качестве подложек используются различные диэлектрические
материалы: ситалл, редкие виды керамики, металл, покрытый
диэлектрическим слоем, стекло, электротехнический картон,
аллюмокерамика (22хс).
Типовой маршрут изготовления структуры
Главная его основа – трафаретная печать. Число повторений этого
процесса равно числу технологических слоёв. Нанесение пасты через
трафарет производится специальным ножом под названием ракель.
Существует два вида трафарета: контактный и бесконтактный.
Бесконтактный трафарет не соприкасается с подложкой. Контактный
трафарет жестко фиксирован на поверхности подложки. Бесконтактный
способ может быть реализован только с помощью сетчатого трафарета:
(мелкоячеистая сетка из разных материалов), созданная при помощи
литографии (шёлк как трафарет). Контактные трафареты – тонкая
металлическая пластина, в некоторых случаях – бумажная одноразовая
маска. При продавливании пасты важны следующие параметры: давление
ракеля, скорость движения, угол встречи ракеля с поверхностью подложки
(угол атаки), момент отрыва трафарета от поверхности подложки (т. к. любое
невертикальное движение приводит к смазыванию). Разрешающая
способность определяется толщиной текущего трафарета (отпечаток не
может быть меньше толщины трафарета).
100-120 мм/с – скорость перемещения ракеля, угол атаки – 45°±5.
Термообработка паст имеет три основных этапа:
 сушка 80-150℃ (удаление из пасты легколетучих компонентов,
таких как растворитель),
 вжигание (300-350℃) органической связки,
 спекание (700-1000℃) функционального компонента с целью
образования источника пленки.
В результате химического взаимодействия обеспечивается хорошая
адгезия тонких плёнок. Спекание – сложный процесс, на который влияет
скорость изменения температуры, величина температуры, химический состав
пасты, параметры окружающей среды.
Вакуумное напыление
Нанесение плёнок тонких слоёв материалов на поверхность деталей
или изделий в условиях вакуума от 10-1 до 10-7 Па (10-3-10-9 мм рт ст).
Используется в планарной технологии полупроводниковых микросхем, в
производстве плёнок и гибридных ИМС, изделиях пьезотехнологии.
В электронике этим способом производят нанесение проводящих
диэлектрических и полупроводниковых слоёв, защитных слоёв, масок и т.д.
В оптике – просветляющие, отражающие и другие покрытия. Также
вакуумное напыление применяется для пластмассовых и стеклянных изделий
(тонированные стёкла). Наносят металлы Al, Au, W, Ti, Cu, Cr, Ni, силициды,
оксиды, нитриды, стёкла сложного состава и т.д.
Вакуумное напыление представляет собой создание направленного
потока частиц (кластеры, молекулы, атомы) наносимого материала на
поверхность изделий с их конденсацией.
По способу перевода вещества из твёрдой в газовую фазу различают
термовакуумное испарение и ионное распыление.
Распыление
1) Термовакуумное
-Нагрев вещества (резистивный нагрев);
-Косвенный нагрев вещества (взрывное, индуктивное, тигельное);
-Лазерный нагрев;
-Электронно-лучевой нагрев;
-Индуктивное испарение.
2) Кинетическая энергия
-Катодное распыление;
-Магнетронное;
-Ионно-плазменное;
-Высокочастотное (распыление вещества бомбардировкой ионами
низкотемпературной плазмы).
Оба способа могут производиться в присутствии химических
реагентов. При этом на поверхности подложки будут конденсироваться уже
не распыленные вещества, а химические соединения (оксиды, нитриды).
Перенос частиц распыляемого вещества до поверхности подложки
осуществляется по прямолинейным траекториями. При этом вакуум должен
быть не менее 10-2 Па, а при разных видах испарения за счет кинетической
энергии вакуум варьируется и перенос распыляемого вещества носит
конвективный характер. При катодном распылении – 1Па, при ионно-
плазменном и магнетронном – 10-1-10-2 Па. Судьба каждой из частиц
распыляемого вещества при осаждении на подложку зависит от энергии этой
частицы, температуры поверхности и химического сродства в материале
пленки и подложки. Она может отразиться от подложки (реиспарение) или
адсорбироваться, достигнув подложки, попутешествовать по поверхности и
десорбироваться или адсорбироватьсяи образовать конденсат. Температура
поверхности подложки, выше которой частицы не отражаются от неё и
плёнка не образуется называется критической температурой. Её значение
зависит от природы материала плёнки/подложки, от состояния поверхности
подложки. Разумеется, в идеале поверхность подложки должна быть
абсолютно чистой (деионизованной).
При малых количествах испаряемых частиц (малых давлениях), даже
если частица на поверхности адсорбировалась и редко встречается с другими
адсорбированными частицами, они десорбируются и не могут образовать
«зародышей». Даже в вакууме всегда присутствуют остаточные вещества,
т.е. будет осаждаться уже другое вещество, поэтому вводится еще один
параметр – критическая плотность испаряемых частиц. Для данной
температуры поверхности критическая плотность потока называется
наименьшая плотность, при которой частицы конденсируются и формируют
пленку распыляемого вещества. Структура напыляемых пленок зависит от
свойств материала, состояния и температуры поверхности подложки, а также
от скорости напыления.
Плёнки, осаждаемые на поверхность подложки, в зависимости от
условий могут быть аморфные (стеклообразные), поликристаллические,
монокристаллические. Для упорядоченной структуры и для уменьшения
внутренних механических напряжений плёнок, а также для увеличения
стабильности свойств и адгезии, сразу после напыления без нарушения
вакуума производят отжиг плёнок при температурах, превышающих
температуру осаждения. Часто по средствам вакуумного напыления создают
многослойные структуры из различных материалов, при этом настоятельно
рекомендуется осуществлять напыление слоёв друг на друга, не снимая
вакуум (квазинепрепырвная технология).
Вакуумные установки
Для вакуумного напыления используют установки периодического
непрерывного и полунепрерывного действия.
Установки периодического действия осуществляют один цикл
нанесения плёнок при заданном числе загружаемых изделий. Установки
непрерывного действия используют при серийном и массовом производстве.
Они подразделяются на многокамерные и многоузловые однокамерные.
Полунепрепрывные – это промежуточные между этими двумя видами.
Основные узлы и системы представляют собой устройства, выполняющие
заданные функции: создание вакуума, испарение или распыление материала,
транспортировка деталей подложек, контроль режимов и свойств плёнок,
электропитание.
Типичная установка включает в себя: рабочую камеру (вакуумная
камера), источник испаряемых материалов (распыляемых), источник
энергопитания установки, откачивающую и газораспределительную систему,
обеспечивающие необходимый вакуум и организацию газовых потоков
(насосы, клапаны, ловушки, натекатели, фланцы, крышки), средства
измерения вакуума и скоростей газового потока, система электропитания
всех узлов устройств и рабочей установки, система контроля рабочей
установки, обеспечивающие заданную скорость, толщину плёнок,
температуру отжига, температуру нанесения плёнок, а также физические
свойства плёнок, система управления и датчиков транспортирующих
устройств обеспечивающее ввод/вывод в рабочую камеру, а так же точное
размещение их на постах и приводящие из одной позиции в другую, система
вспомогательных устройств и технологической оснастки: внутремерные
экраны, заслонки, манипуляторы, гидро- и пневмоприводы, устройство
очистки газов.
Ва́куум (от лат. vacuus — пустой) – состояние газа или пара при давлении
ниже атмосферного. Количество характеризует служебное абсолютное
давление основной единицей измерения давления Па (1Па=1Н/м2 мм. рт.
ст.=133Па).
Низкий вакуум характеризуется давлением газа, при котором средняя длина
свободного пробега молекул газа значительно меньше, чем размер сосуда
λ<<L (низкий 760 – 1 мм. рт. ст., средний λ ～L 1-10-3 мм. рт. ст., высокий λ
>L 10-3-10-1 мм рт ст.).
Сверхвысокий вакуум – давление газа, при котором не происходит
заметное изменение свойств поверхности, первоначально свободной от
адсорбированного газа за время, существенное для рабочего процесса.
Течение в газо-вакуумной системе зависит от ряда параметров: температуры
газа и стенок, абсолютного давления, внутреннего трения в газе,
взаимодействия газа с поверхностью, формы и размера рассматриваемой
системы.
Три основных вида течения газа: турбулентное (вихревое), ламинарное
(вязкое), молекулярное (свободно-молекулярное). Чёткой границы между
этими течениями нет. Существуют так называемые промежуточные области
переходных течений. При вязкостном режиме течения газов средняя длина
свободного пробега λ много меньше размера ёмкости. Для трубопровода
таким размером является его диаметр. При молекулярном и переходном
режиме течения газа средняя длина свободного пробега больше/соизмерима с
характерным размером λ≥L, характеризуется дифференциальным числом
Кнудсена Kn= λ/L. Молекулярному течению соответствует Kn=1 – 3, вязкому
- Кn<10-2.
Вакуумная техника определяется быстротой откачки сосуда или
эффективной быстротой откачки объёма газа, поступающего в единицу
времени из сосуда в трубопровод при данном давлении в откачиваемом
сосуде. Быстротой откачивающего действия или быстротой действия
вакуумного насоса при данном выпускном давлении, называется объём газа
поступающий в рабочий насос в единицу времени при этом давлении.
Количество газа протекающего в единицу времени в любом сечении
трубопровода называется потоком газа и определяется как произведение
давления на объём газа, протекающего через сечение трубопровода в
единицу времени. Поток газа, протекающего во входном сечении вакуумного
насоса, называется производительностью насоса при данном в пусковом
давлении. Производительностью элемента вакуумной системы - отношение
потока газа, проходящего через элемент вакуумной системы к разности
давления в кольцевых сечениях. Сопротивление трубопровода – величина
обратная проводимости. Предельно достигаемый вакуум сосуда определяется
не длительностью откачки, а потоком газа, натекающего в объем и скоростью
откачки. Любые вакуумные системы при эксплуатации всегда откачиваются.
Таким образом, оно зависит как от самого материала, так и от
технологической обработкой поверхности.
Для большинства материалов скорость газовыделения зависит от
температуры поверхности. При нагреве газовыделение увеличивается, при
охлаждении уменьшается. Поэтому, эффективным приёмом снижения
давления в камере является высокотемпературный прогрев камеры с
газооткачкой. При разработке вакуумной камеры следует учитывать, что
многие материалы при пониженном давлении начинают сами интенсивно
испаряться даже при комнатной температуре. Кроме того, всегда
присутствует диффузия газов из окружающей среды в объём камеры
(водород, гелий).
Для низковакуумных установок это не критично, а для высоковакуумных и
сверхвысоковакуумных эти факторы влияют на давление. Наиболее
распространённые материалы: стекло, кварц, нержавеющая сталь, медь и
алюминий. Неразъемные соединения электродуговой сваркой в среде Ar.
Разъемные соединения герметизируют с помощью прокладок. Для низкого и
среднего вакуума используется специальные сорта резины, полиэтилена,
пенопласта и др.
Для сверхвысокого вакуума используются довольно мягкие металлы – Pb, In,
Al, Au.
Техника получения вакуума.
Устройства для создания вакуума – вакуумные насосы. Промышленные
работают в области 10-5-10-10 Па. Для создания низкого и среднего вакуума
применяют форвакуумные насосы. Для сверхвысокого и высокого вакуума –
высоковакуумные насосы. Иногда ставят промежуточные – бустервакуумные
насосы.
Два способа откачки газа из объёма:
1) Перемещение газа за счёт приложения к нему механической силы в
некотором месте вакуумной системы.
2) Связывание газа путём сорбции, химической реакции, конденсации
(обычно в замкнутом объёме)
По принципу действия, промышленные вакуумные насосы, которые
используются для получения давления меньше 10-2 Па, делятся на
следующие группы:
1) насосы объёмного действия. Перемещение газа осуществляется путём
изменения объёма рабочей камеры.
2) электронные насосы (турбулентно-вязкое увлечение газа струёй рабочей
жидкости или пара) - диффузионные паромасленные установки.
3) молекулярные насосы. Насосы осуществляющие откачку газа путём
сообщения его молекулам дополнительной скорости в заданном
направлении. Безмасленный турбулентный насос.
4) сорбционные насосы. Путём сорбции газа на поверхности или в объеме
тела. Адсорбционные (в которых откачка происходит при низкой
температуре за счёт физической адсорбции);
5) криогенные насосы. Осуществляет осаждение паров на поверхностях,
охлаждённых до сверхнизких, криогенных температур.
В названии насосов не всегда отражен принцип действия, но отмечается их
конструкционное устройство, используемый материал сорбента (гетерный),
рабочая жидкость и т.д.

Mudrost Predkov

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Mudrost Predkov

Оригинальное название:

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Введение

Пять этапов развития компонентной базы:

1. Дискретная электроника электровакуумных приборов (ламповая

Технология (от др.-греч. τέχνη — искусство, мастерство, умение; λόγος —

Технологический процесс – часть производственного процесса,

 Единичные технологически процессы (уникальные изделия);

1. Основные (непосредственно связанные с обработкой

Степень интеграции интегральной микросхемы – показатель степени

а) биполярные (МОП, МДП);

Полупроводниковые ИМС – интегральные микросхемы, все элементы и

Гибридные ИМС – интегральные микросхемы, выполняющиеся только на

Методы изготовления полупроводниковых подложек

Достоинства каскадных ванн:

Для травления используются водные растворы серной кислоты ("каро")

Важно, чтобы атом вещества десорбировался, а атом инертного газа не

1) разрядная камера источника ионов

Качество подложки контролируется подсчетом числа светящихся

Наращивание, при котором растущий слой контролирует структуру

Разрешающая способность литографических процессов зависит от

Установка находится в вакуумной камере.

1) Источник электронов (электронная пушка)

Изображение на подложке фокусируется перевернутым.

1) Вакуумная камера с источником рентгеновского излучения

где n – количество атомов полупроводника в 1 см3;

где – энергия перехода атома примеси.

где D – коэффициент диффузии, численно равный количеству атомов

Это уравнение позволяет определить количество атомов примеси,

где N0 – концентрация примеси на поверхности пластины;

где Q – общее количество примеси, введённое в полупроводник через 1 см2

где N0 – поверхностная концентрация на первой стадии легирования.

Техника выполнения диффузионного легирования

Трубу продувают смесью газов N2 и O2. После установления термического

Можно добиться скрытых слоёв. На глубину примесей влияет плотность

проекций пути ионов на направление начального внедрения, см;

Методы изоляции полупроводниковых ИМС

Имеются 4 основных способа изоляции.

o Обратносмещённый p-n переход обладает большой (барьерной)

3) Изоляция полная диэлектрическая

Метод эпитаксиального наращивания, В которых происходит выращивания

Называемый изопланарной технологией, когда дно областей формирования

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

Метод базовой изолирующей диффузии. КИД-технология.

Эпитаксиальный p-слой делается очень тонким, 1-2 мкм.

Исходной заготовкой является однослойная n-n+ эпитаксиальная

Конструкция транзистора изначально проще, чем у биполярного ИМС.

Легирование донороной примесью позволяет предотвратить инверсию

Диффузионно-ионная технология изготовления n-МОП ИМС с

Сочетает достоинства и простоту толстооксидной технологии (в

КМОП ИМС по технологии КНС

Крайне редко разделение пластины производится непосредственно на

3. Разламывание между двумя эластичными валиками

Недостаток всех трех методов:

После требуется очистка от загрязнений.

Бескорпусная герметизация может быть выполнена путем заливки

Похожие интересы

Вам также может понравиться