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Informe Previo N°3

Amplificador con transistor FET
Colonia Fernández Jhampierre Remigio – jhampierre.colonia.f@uni.pe
Saca Ordoñez Kevin Oscar – kevin.saca.o@uni.pe
Mercado Almonacid Joseph – joseph.mercado.a@uni.pe
Llallire Turriate Jorge Victor – jorge.llallire.t@uni.pe
Lima, Perú
Universidad Nacional de Ingeniería

 inversa del Vds = 0V

Resumen— En este informe previo se dará a conocer los gate
fundamentos y pasos previos necesarios antes de realizar la
experiencia de laboratorio. En este laboratorio se usará el Ganancia Gps Vds = 15V 18 30
transistor FET, con el cual se analizará la polarización del de potencia Id = 4mA
transistor unipolar y familiarizarse con los cuidados al utilizar
en surtidor f = 100MHz
estos dispositivos, trazar rectas de carga, curva de transferencia y
verificar la ganancia de la tensión. común
Tabla 1. Datasheet del transistor JFET 2N5485.

B. Condensador
I. INTRODUCCIÓN Capacitancia Voltaje Tipo Temperatura

D esde mucho tiempo atrás la tecnología necesito de un

pequeño pero gran paso para poder llegar a ser lo que hoy
en día es. Este gran paso fue: el transistor, el cual permitió
0.1uF
maximo
16V Electrolitico
maxima
105°C
10uF 16V Electrolitico 105°C
poder realizar innumerables logros en la electrónica analógica y 22uF 16V Electrolitico 105°C
digital. Tabla. 2. Datasheet del condensador.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor el Jorge
cual su señal de salida está determinada por su señalfdfsdasfsdf
de
entrada, y tiene diversos usos como son: amplificador, df III. RESOLUCIÓN DEL CIRCUITO
oscilador o rectificador. fdfdfdfdf
El transistor que usaremos en la siguiente experiencia será d
JFET 2N5485 o 2N5486 y/o MPF102 (canal N).

II. MANUAL DE INFORMACIÓN DE LOS ELEMENTOS A USAR

A. Transistor JFET 2N5485

Parámetro Símbolo Condiciones Limite Limite
de prueba mínimo máximo
Tension
Gate- Vgs Ig =- 1uA -25
Source Vd s= 0V
de ruptura
Fig. 1. Circuito a resolver.
Tension
Gate- Vgs(off) Vds = 15V -0.5 -4 Se tendrá en cuenta los valores máximos y del
Source Id = 10nA respectivo datasheet para el análisis del circuito.
de corte
Corriente
de Idss Vds = 15 4 10
saturación Vgs = 0V
del
drenador
Corriente Igss Vgs = -20V -1

Agradecimiento al profesor por ayudarnos con el uso de los materiales del

laboratorio
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A. Análisis del circuito en DC Verificando si el transistor trabaja en la zona de saturación

En DC los capacitores se comportan como circuito abierto,
entonces quedara lo siguiente:
(Esto quiere decir que no trabaja en saturación)

Ahora asumimos que el JFET trabaja en la zona óhmica

De la ecuación

Calculamos la recta de carga

Fig 2. Circuito sin capacitores.

Calculando

Reemplazando en (1) en (3) e igualando (3) a (4)

Suponiendo que el transistor trabaja en la zona de

saturación

B. Analisis del circuito en AC

Las capacitancias en AC se comportan como cortocircuito,
entonces se tiene que

Se reemplaza (2) en (1)

Entonces

Pero Fig 3. Circuito con capacitores en cortocircuito.

Para este problema se usara el modelo hibrido π, para

pequeñas señales.

De la ecuacion (2), se obtiene que

Ahora calculando del circuito

Fig 4. Circuito con el modelo hibrido π.

Resolviendo se tiene que
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Donde IV. SIMULACIÓN

A. Primer circuito

Y se tiene ademas que

Entonces

Del modelo híbrido Fig 5. Circuito a simular.

Reemplazando (5) en (6)

G es la ganancia de la señal.

Tabla de valores de los características de los voltajes de

Colector [Vc], voltaje de Emisor [Ve], voltaje de la base [Vb] y
R2=56k R2=3.3k Rc=3.3k Rc=0
Vb 4.212V 0.783V 3.62V 3.61V Fig 6. Simulacion del primer circuito.
Ve 3.528V 0.1919V 2.952V 2.953V Vo=221.891mV G=221.891mV/20mv = 11.0946
Vc 3.64V 11.54V 11.981V 12V
Ic 6.966mA 383.6mA 5.89mA 5.892mA B. Segundo circuito
Corriente de Colector [Ic]

Tabla de los puntos de Operación de Icq y Vceq.

Icq=-0.83*Vceq+10

“Q” Ckto R2=56k R2=3.3K Rc=3.3k Rc=0k

Original
Icq 8.19mA 9.9mA 0.5878mA 2.505mA 2.49mA
Vceq 2.173V 0.112V 11.34V 9.029V 9.047V

Fig 7. Circuito a simular.

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Fig 8. Simulacion del primer circuito.

Vo=152.505mV G=152.505mV/20mv = 7.62525

REFERENCIAS

[1] http://www.electronicasi.com/wp-content/uploads/2013/05/Electronica-
digital-y-microprogramable-Transistores1.pdf
[2] http://www.utdallas.edu/~jblee/EE3110/2N5485.pdf
[3] https://es.wikipedia.org/wiki/JFET
[4] https://www.youtube.com/watch?v=5xpMt1-d4JE