Tema 1-conceptos basicos

Tomo3-alonso-finn. Cap1: 1.12,1.16,1.27, 1.11, 1.14, 1.29, 1.30, 1.50

Tema 1-cuantica
Problemas del texto tomo 3 de alonso-finn
Tomo3-alonso-finn: 2.12,2.14, 2.41,2.24,2.6, 2.18, 2.27, 2.34, 2.23

Tema 2: atomos hidrogenoides

3.23, 3.24, 3.2, 3.6, 3.29, 3.34,

Tema 2: atomos multielectronicos

4.11, 4.26, 4.8, 4.14, 4.15,

Tema 3: solidos

1. El níquel posee una red de Bravais cubica centrada en las caras. Si los átomos de níquel de
las caras son reemplazados por átomos de aluminio se obtiene una aleación de níquel-
aluminio. Hallar la composición, o formula química, de esta aleación, la red de esta
aleación y la base para describir esta estructura cristalina.

2. Considere que los átomos son esferas rígidas. ¿Cuál es la fracción máxima del volumen
total que ocupan dichas esferas en un cristal cubico centrado en el cuerpo y en cristal
cubico centrado en las caras?

3. En la aproximación de enlace fuerte para los electrones en un metal, se obtiene para la

energía E(k) la expresión:

E (k )  E0      e ik . m
m

Donde, E0 ,  ,  son constantes y k es un vector de la red reciproca y ρm es un vector que

va desde un átomo a su primer vecino.
Determine el ancho de la banda de conducción para una red cúbica simple cuya constante
de la red es a

4. Considere un metal con estructura cúbica simple y constante de red a = 3 Å. La energía de

los electrones está dada por:

E ( k )  5  0.84 cos(ka )........(eV )

Determine la energía de fermi para este metal y compárelo con el resultado para
electrones libres

5. Problemas (Alonso-Finn, tomo 3):

6.2, 6.4, 6.10, 6.11, 6.13, 6.17, 6.26, 6.34
Tema 4: semiconductores

1. Cuáles de los siguientes semiconductores son transparentes, parcialmente transparentes, y

totalmente opacos para la luz visible: Si, GaAs, GaP, GaN

2. La banda prohibida( o “gap”) del silicio varia con la temperatura de la forma siguiente:
T2
E g  1.17eV  4.73 x10  4 , T en kelvin
T  636
Encuentre la concentración de electrones en la banda de conducción para Si intrínseco a
77 K si a 300 K la concentración de electrones era 1.05x10 10 cm-3

3. Encuentre el potencial intrínseco de una juntura p-n a temperatura ambiente si la

resistividad del material es de 1 Ohmio-cm. La movilidad electrónica es de 1400 cm 2/(Vs),
μn/μp =3.1 y ni= 1.05x1010 cm-3

4. Calcule el ancho de la región de carga espacial para la juntura del problema anterior para
un voltaje aplicado de -10V, 0V, y -0.3V. La constante dieléctrica del material es de 11.9.
5. 6.24, 6.35, 6.30 de alonso-finn tomo m3
me
6. si la mobilidad del Si es de 1400cm 2V 1 s 1 y la masa efectiva  0.33 ,
m
calcule el tiempo libre medio de los electrones entre colisiones
7. Una barra de silicio intrinseco tiene una longitud de 1 cm y un diametro de 1
mm. A temperatura ambiente la concentración intrinseca de silicio es de 1.5 x
10 16 m-3. Las movilidades de electrones y huecos son 0.13 m2V-1s-1 y
0.05 m2V-1s-1 respectivamente. Calcule la conductividad del silicio y la
resistencia electrica de la barra.

Ejemplo de ejercicios que se han evaluado en anteriores semestres:

Física de sólidos. Parcial 1

1. Teoría del efecto fotoeléctrico: discuta leyes y principios utilizados(expresiones

matemáticas). Explique el potencial de frenado y su expresión matemática.
Explique la frecuencia umbral y su expresión matemática. Explique que es un
fotón.

2.
a. Escriba la ecuación de Schrödinger para las 5 regiones mostradas en la figura.
b. Resuelva las ecuaciones diferenciales derivadas del punto anterior y escriba las
funciones de onda en cada región. Considere que la partícula incide desde la
derecha con una energía E (E < E0).
c. Calcule las condiciones de continuidad para las diferentes partes de la función
de onda en los puntos x = a+b, a
d. Discuta, con base en la ecuación de Schrödinger, la situación siguiente: una
partícula se encuentra inicialmente en la región (2), ¿es posible que existan
estados estacionarios(energías cuánticas discretas) para esta partícula?

3. encuentre los niveles de energía y las correspondientes funciones de onda

para una partícula que se mueve en un plano dentro de una caja bidimensional
cuadrada de lado A. La energía potencial dentro de la caja es cero y fuera de la
caja es infinito.
a. escriba la ecuación de Schrödinger para una particula de masa m y carga q
que esta dentro de la caja.
b. resuelva las ecuaciones diferenciales que resultan del punto anterior y de
estas soluciones halle las autoenergías y autofunciones.
c. especifique los números cuánticos que resultan para este problema.
d. halle la constante de normalización.

segundo parcial

1. Las preguntas en este punto se refieren al átomo de hidrógeno.

a. Porqué se usa la ecuación de Schrodinger para describir la física del átomo de
hidrógeno?
b. Escriba la ecuación de Schrodinger para el átomo de hidrógeno, incluyendo el
efecto espín-órbita.
c. Explique los números cuanticos para el átomo de hidrógeno y explique su
estrecha interrelacion(sea explicito en las expresiones matemáticas que
muestran dicha interrelación)
d. Escriba en detalle la forma de las funciones de onda para el átomo de
hidrógeno haciendo explicitas las coordenadas y la separación de funciones y
los números cuánticos como subindices.
e. Si el átomo de hidrógeno está en el estado excitado con n = 3, calcule la energía
de todos los fotones posibles que el átomo puede emitir.
 f. Explique el efecto del espín sobre el espectro de energias del átomo de
hidrogeno. Su respuesta debe mencionar las leyes de la física apropiadas y la
teoria de espín.

2. Las siguientes energías corresponden a la emisión de fotones por un átomo de

hidrógeno, 12.09 eV, 10.2 eV, 2.86 eV, 2.55 eV, 0.97 eV, 0.66 eV. Si la región
visible del espectro está entre 4000 Å y 7000 Å, cuales de estos fotones son
visibles.

3. Escriba la configuración atómica en el estado fundamental para los átomos de

Fe(z=26) y Br(z=35). Ademas determine cual es el termino del estado
fundamental en cada caso.

4. Para el átomo de oxigeno considere las siguientes configuraciones atómicas en

el estado fundamental y un estado excitado:
1s 2 2s 2 2p 4 estado fundamental(un punto)
1s 2 2s 2 2p 3 3 p estado excitado(cuatro puntos)

Escriba los términos de cada configuración y ordénelos en energía de acuerdo a las

reglas de Hund

tercer parcial

5. Las preguntas en este punto se refieren a la estructura tetragonal cristalina

mostrada en la figura, la cual Usted debe interpretar. La base geometrica es
cuadrada de lado A y la altura es B. hay tres tipos de atomos en esta celda que
corresponden a las esferas grandes(G), medianas(M) y pequeñas(P).
A.
a. Cuantos átomos de cada tipo, G, M, P, hay en esta celda convencional.
b. Cual es la red de Bravais para esta estructura cristalina.
c. Cual es la base de átomos que se asigna a cada punto de la red.
 B. Halle la densidad de masa del hierro con estructura cristalina
monoatómica BCC. La masa atómica del hierro es de 56 g/mol, su constante
de red es de 0.29 nm.

6. Considere la red diatomica unidimensional con átomos distintos de masas m y

M respectivamente. Las interacciones entre los átomos se modelan por medio
de resortes de igual constante. La figura de arriba muestra el cristal en reposo
y la figura de abajo en movimiento.
a. Escriba las ecuaciones de movimiento para las masas n y n + 1, con
desplazamientos Un y Vn+1 respectivamente(observe la figura).

b. Considere soluciones de la forma de ondas viajeras:

U n  Ae ( ikna  wt ) , Vn  1  Be ( ik ( n  1) a  wt )

Y llegue a una ecuacion de segundo grado para las frecuencias angulares w, explique
que significa cada solucion de esta ecuacion.

7. En la aproximación de enlace fuerte las bandas de un metal estan dadas por la

expresión:
 ik.Rm
E(k)  E  α  γ  e
0 m
Donde R m representan los vecinos(primeros, segundos, etc.) de un ion dado
y K es un vector de la red recíproca. E , α, γ son constantes
0
a. Escriba las posiciones de los primeros vecinos y segundos vecinos en una
estructura FCC(cúbica centrada en las caras), en términos de la
constante de la red a.
b. Halle la estructura electronica, o las bandas, incluyendo solo primeros
vecinos.
c. Halle en detalle la posición del nivel de Fermi para este metal

8.
a. Un fotón incide sobre un material dieléctrico a la temperatura de 300 K. Discuta que
ocurre cuando dicho fotón choca con un fonón del material.
b. Explique en detalle cómo se forman las bandas de energía a partir de los átomos, y
uniendo N átomos en una red cristalina, mencione la relación entre el número de
átomos y el número de estados de energía
c. A partir de los resultados para una caja cuántica, explique cual es el nivel de Fermi para
un metal. Tenga en cuenta que hay N atomos en la caja y hay N estados en la banda.

9. Las preguntas en este punto se refieren a la estructura ortorombica cristalina,

de lados a, b, c, mostrada en la figura, hay atomos en los vertices, mitad de las
caras y adentro. Hay dos tipos de atomos en esta celda que corresponden a las
esferas grandes(G), y pequeñas(P).
A.
d. Cuantos átomos de cada tipo, G, P, hay en esta celda convencional.
e. Cual es la red de Bravais para esta estructura
f. Cual es la composicion estequiometrica de esta mineral.
B. Considere una estructura BCC con constante de red a = 0.4 Å. Considere los
planos con indices de Miller (1,0,0), (1,1,0) y (1,1,1). En un experimento de difracción
de rayos X se envia radiación de longitud de onda 1.79 Å.
a. Determine los indices de Miller en la celda cubica mostrada.
b. A que angulos se deben observar los picos correspondientes a los planos
(1,0,0), (1,1,0) y (1,1,1)?

10. Ecuación de onda de un electrón en un potencial periódico. Desarrolle esta

teoria.
Si la energía potencial es periodica se puede expandir en serie de fourier:
U ( x )   U G e iGx , donde G es un vector de la red reciproca. Ademas, la función de
G

onda tambien es periodica y se puede expandir en una serie de Fourier:

 ( x )   C ( K )e iKx , donde K es el momento cristalino de los electrones.
K

a. Explique fisica y matematicamente que es G y que es K.

b. Escriba la ecuación de Schrödinger en una dimension para un electrón en un
sólido.
c. Reemplace U ( x ) y  ( x ) en la ecuación de Schrödinger y desarrolle los todos
los pasos necesarios para llegar a la ecuación de Schrödinger en el espacio
reciproco, la cual es una ecuación algebraica en los coeficientes C ( K )

11. Un alambre de cobre(Cu) de area seccional 1.0 x 10 -5 m2

Lleva una corriente de 1.5 A. El Cu (z=29) tiene una estructura cristalina
FCC con constante de red a = 3.61 Å.
a. Halle la concentración de portadores en el cobre.
b. Halle la densidad de corriente y la velocidad de arrastre.

cuarto parcial

Numero de avogadro: 6x10 23 atomos/mol, uma: 1.7 x 10 -27 Kg , Masa

del electron: 9.1 x 10 -31 Kg, Carga del electron: 1.6 x 10 -19 C
Constante de boltzman 1.38 x 10 -23 J/K
12. Parta del resultado para una caja cuántica
 2 2 2
E 2
( n x  n 2y  nz2 )
2ma

a. Explique que significan n x , n y , nz . Dados n x , n y , nz particulares, por ejemplo

1,1,2 cuantos electrones puedo acomodar en este estado y justifique su
respuesta. De que fenómenos físicos depende el número de electrones en la
banda de conducción de un semiconductor.
 b. Halle la densidad de electrones(el número de electrones por unidad de
volumen) en la banda de conduccion de un semiconductor

13. A. El gap de silicio varia con la tempeatura de la forma siguiente:

T2
E g  1.17eV  4.73 x10  4 eV , encuentre la concentración de electrones en Si
T  636
intrinseco a 77 K y a 400 K si la concentración intrinseca a 300K es de 1010 cm 3 .
Explique porque la diferencia entre las concentraciones.

me
B. si la mobilidad del Si es de 1400cm 2V 1 s 1 y la masa efectiva  0.33 , calcule
m
el tiempo libre medio de los electrones entre colisiones

14. A. Considere una juntura p-n. Explique las corrientes, de electrones y huecos,
que se producen en la juntura en equilibrio, sin polarización, debido a los
procesos de generación y recombinación. Explique y escriba la condición de
equilibrio para las corrientes.
B. explique como funciona un laser basado en una juntura p-n. Tenga en
cuenta la emisión estimulada, las caracteristicas de los espejos, la inversión de
población, la zona activa

15. Explique la teoria del transistor p-n-p

a. Dibuje el diagrama de bandas de energia con la polarizacion mostrada en el
dibujo para el transistor p-n-p, señale las bandas de conduccion, valencia y
nivel de fermi.
b.
Usando la corriente de emisor como 10 mA, la corriente inversa del emisor 10 µA, el
factor de ganancia de corriente α=0.99, la resistencia de carga 1000 Ω, e/(KT)(K
constante de Boltzman) = 40, T=300 K, hallar la ganacia de potencia (potencia en la
resistencia de carga/potencia en el emisor).

16. Un cristal formado por iones de átomos A, B, y C tiene una estructura como se
indica en la figura adjunta (tipo rutilo): la celda convencional tiene párametros
a=b=0.459nm, c=0.396nm, con iones A en los vértices, iones B en el interior de
la celda, y C en la mitad de las caras, como se indica en la figura.
a) Describir la estructura como red de Bravais más base átomos, indicar la red
de bravais y las posiciones de los atomos en la base.
c) Dar la red reciproca.
d) hallar la densidad de masa de este compuesto si las masas de los átomos son
para A, 137 uma, para B, 48 uma, y para C, 16 uma.

17. A. Considere una juntura p-n. Explique las corrientes, de electrones y huecos,
que se producen en la juntura en equilibrio, sin polarización, debido a los
procesos de generación y recombinación. Explique y escriba la condición de
equilibrio para las corrientes.
B. con base en las corrientes definidas en el numeral anterior, explique la teoria
del diodo de juntura, de la expresion para la corriente en funcion del voltaje
aplicado.
18. Una barra de silicio intrinseco tiene una longitud de 1 cm y un diametro de 1
mm. A temperatura ambiente la concentración intrinseca de silicio es de 1.5 x
10 16 m-3. Las movilidades de electrones y huecos son 0.13 m2V-1s-1 y
0.05 m2V-1s-1 respectivamente. Calcule la conductividad del silicio y la
resistencia electrica de la barra.