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LABORATORIO Nº 4
CARACTERISTICA CUADRATICA DEL FET
INTRODUCCION
Los transistores efecto de campo, (FET) son componentes unipolares debido a que su acción
solo depende de un tipo de portador de carga. Los FET pueden ser del tipo unión (JFET) y el
tipo de óxido metálico semiconductor ( MOSFET).Podemos citar entre las características del
FET, las más saltantes que la corriente de drenaje está controlada por el voltaje de
INFORME PREVIO
1.- El canal de un JFET se puede restringir hasta que la corriente de drenaje se corta al
incrementar la polarización inversa en la compuerta o la fuente.
4.-El voltaje de drenaje máximo en el que un JFET se puede operar con seguridad, cuando
= 0, se denomina 𝑉𝑉𝑉 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉.
8.-Las curvas características del drenaje de un transistor unipolar corresponden a las curvas
características del colector de un transistor bipolar V (verdadero).
9.-La curva característica del drenaje muestra como 𝑉𝑉 varia con 𝑉𝑉𝑉 , cuando 𝑉𝑉𝑉 permanece
constante.
Ventajas
✓ Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012 ohmios).
✓ Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
✓ Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
✓ Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
✓ Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
✓ La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
✓ Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas
✓ Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada, mientras los BJT presentan una respuesta en frecuencia alta.
✓ Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los
BJT.
✓ Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado se
estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas
principalmente a sus aplicaciones analógicas.
✓ Los BJT ofrecen una buena ganancia de amplificación respecto a los FET.
Materiales
Fig.N°1 Circuito experimental para determinar las características del drenaje del JFET canal N.
Nota los dos instrumentos NO se conectan en simultaneo. puede sustituir el JFET por otro siempre que conozca sus terminales.
Tabla N° 1
1. Abra s1 y s2.
2. Haga VDD y VGG en 0 Voltios. Cierre s1 y s2. Encienda la fuente.
3. Ajuste VGG y haga que VGG mida -0.25V. Mantenerlo en ese valor para los pasos 4 y
5.
4. Mida ID y registre su valor para VDS=0.
5. Incremente VDD para cada valor listado en la tabla. Para cada valor de VDS mida y
registre ID en la Tabla 1.
6. Reduzca VDD a cero Voltios. Incremente VGG a -0.5 V., manténgalo en ese nivel para
el siguiente paso.
7. Repita los pasos anteriores para cada valor de VDS listado en la Tabla N°1.
8. Repita los pasos anteriores hasta que alcance la corriente de drenaje de corte.
9. Apague la fuente.
Característica de transferencia
- - - - - - - - - -
2.5 2.0 1.75 1.5 1.25 1.0 0.75 0.50 0.25 0
,
mA
3. Dibuje en papel milimetrado la familia de curvas características de drenaje con los datos
define ?
3. Con los datos de la Tabla N°1 y la familia de curvas características, compare el nivel de
4. ¿Su experimento indica que es más efectivo para controlar la corriente de drenaje,
se compara con ?
6. A partir de las curvas características de drenaje obtenidas de la Tabla N°1, determine el
Expresando su opinión y la de su grupo de la manera más objetiva posible, calificando con una
nota del 1 al 10 su participación en la experiencia:
N° 1
N° 2
N° 3
N° 4