UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

Laboratorio Dispositivos Electrónicos

Practica CARACTERIZACION DIODO-CIRCUITOS DC Y AC CON
DIONDOS
Ramos Camargo Jorge Enrique 2124180
Leal Davidson Duban 2124177
E3T, Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga, Colombia

RESUMEN: En esta práctica se pretende analizar

circuitos con diodos tanto en circuitos AC como DC III. ACTIVIDADES DE LABORATORIO
con el fin de obtener la curva característica de un
diodo, además se tomaran valores de la a) Caracterización voltaje-corriente
concentración intrínseca (n) y la corriente de R1
saturación (Is) para realizar el modelamiento del
diodo en orcad . 98.2

V1
I. OBJETIVOS 0Vdc D1I

D1N4001
 Obtener la curva características corriente-
voltaje de los diodos semiconductores.
 Medir los parámetros (n y Is) de
fabricación de un diodo semiconductor.
0
 Examinar y medir las variables de
Figura 1. Circuito 1
corriente y voltajes en circuitos con diodos
semiconductores. 20mA

II. EQUIPOS Y MATERIALES 10mA

 Multímetro digital (2)D 1N4001 o 1N4007

 Fuente de tensión DC. (2)R 100Ω, 1k,10k 0A
0V 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV 800mV
I(D1)
V1(D1)

Figura 2. Curva voltaje-corriente del diodo

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ahora hallamos Is para vd=0.73 (v)

ID(mA) VD(V) Vfuente(V)
0.10 0.424 0.4 i=Is*eˆvd/nVt
1 0.498 0.6 53.1exp-3=Is*eˆ0.73/1.92(25.8exp-3)
1.12 0.503 0.62 Is= 21.13 (nA)
1.74 0.521 0.7
7.23 0.594 1.2 c) Circuitos con diodos en circuitos DC
10 0.612 1.4 R1
D2
R2

10.6 0.618 1.6 V1

9.96k
D1N4001
1.011k

16.25 0.646 2.1 10Vdc V2

19.1 0.652 2.2 D1

10Vdc

24.2 0.669 2.6 D1N4001

34.8 0.696 3.5

46.3 0.714 4.5
0
48.5 0.721 4.6 Figura4. Circuito 2
53.1 0.73 5

Tabla 1. Variación de la fuente

VD1=8.23 v ; VD2=0.597 v
b) Parámetros n y Is ID1=0 A ; ID2=2.54 mA

D2
R1 R2

1.011k 9.96k
V1 D1N4001
10Vdc V2

10Vdc
D1
D1N4001

Figura3. Modelamiento Diod0 Figura5. Circuito 5

Utilizando los valores de:

ID=1 (mA) ; VD=0.498 (v)=V1d VD1=0.607 v ; VD2=0.673 v
ID=10 (mA) ; VD=0.612 (v)=V2d ID1=7.52 mA ; ID2=8.54 mA
Hacemos uso de la siguiente ecuación:

𝑉2𝑑 −𝑉1𝑑 = 2.3 𝑛 𝑉𝑇 log 𝐼2𝑑/ 𝐼1𝑑

0,612-0.498=2.3n(25.8exp-3)log(10exp-3/1exp-3)
n= 1.92

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2.0V

(12.414m,590.447m)

0V

d) Circuitos con diodos en citcuitos AC (17.541m,-1.9991)

-2.0V
V(D1:1)- V(R1:2)
2.0V

D1 0V

(12.414m,1.4012)

V
D1N4001 V
SEL>>
-2.0V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms
V(D1:1) V(R1:2)
Time

V1
VOFF = 0 R1
VAMPL = 4 1k Figura7. Simulación en pspice
FREQ = 100
AC =
Siendo la línea de color azul el MATEMATICO,la
línea verde Vin y la línea roja es Vo.

Para V-offset=1.02
0
Vin= 0.961 v
Vo=0.805 v
Figura5. Circuito 6

Para V-offset=0.08
Vin= 0.064 v
Vo=0.381

Figura8.registro CH1, CH2 Y MAT

CH1:
Vavg= 1.27 v ; Vpp= 3.92 v
CH2:
Figura6.registro CH1, CH2 Y MAT
Vavg= 1.02v
Vmax=2.56 v ; Vmin= 80 mv
CH1:
Vavg= 27 mv ; Vpp= 4 v
CH2:
Vavg= 378 mv
Vmax=1.30 v ; Vmin= 60 mv

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1.0V 4.0V

(2.4590m,532.858m)
(12.239m,617.570m)
0V 0V

(17.566m,-3.0083)
(17.452m,-979.058m)
SEL>>
-1.0V -4.0V
V(D1:1)- V(R1:2) V(D1:1)- V(R1:2)
4.0V 4.0V

(2.5410m,3.0198) (2.4590m,989.252m) (12.541m,456.611m)

0V 0V

(17.566m,-3.0083)
(7.4994m,-978.552m) (12.377m,2.3942)
SEL>>
-4.0V
-4.0V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms V(D1:1) V(R1:2)
V(D1:1) V(R1:2) Time
Time

Figura9.simulacion en pspice Figura11.simulacion en pspice

Siendo la línea de color azul el MATEMATICO,la

Siendo la línea de color azul el MATEMATICO,la línea verde Vin y la línea roja es Vo.
línea verde Vin y la línea roja es Vo.

Para V-offset=-1.010 v IV. ANALSIS DE DATOS

Vin= -1.015 v
Vo=65.7 mv
 Partiendo de la tabla de datos que se recolecto
en la práctica se puede ver un desajuste o error
en la toma de los mismos ya que:

Para Id= 1ma Vd= 0.65 v

𝑇𝑒𝑜𝑟𝑖𝑐𝑜 − 𝐸𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙
%𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100
𝑇𝑒𝑜𝑟𝑖𝑐𝑜

0.65 − 0.498
%𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100
0.65

= 23.38
Que es un error relativamente alto y que
va a verse reflejado también en cada una
de las franjas de colores de la tabla de
datos, las cuales indican las fracciones más
Figura10.registro CH1, CH2
importantes de la curva.

CH1:  Ahora parandonos sobre los valores del

Vavg= 772 mv ; Vpp= 4 v modelamiento del diodo se obtiene un valor
CH2: entre los rangos establecidos de n (1<n<2) y en
Vavg= 78 mv Is se esperaba una corriente menos a 17nA la
Vmax=4.56 mv ; Vmin= 8 mv cual se exede en 36.1nA

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 Analizamos tambien los diodos con

circuitos en Dc en los que se obtuvo
quepara la figura4 el diodo 1 no
conducia es decir esta en inversa y el
diodo 2 si conduce; en la figura5
ambos diodos conducen.
 Por ultimo el analisis de el diodo en un
circuito AC se ve que tanto
simulaciones y montajes en el
laboratorio coinciden lo que indica
buena precision en la toma de datos.

V. Conclusiones
 Puedo concluir que no siempre se debe
confiar en la lactura de los instrumentos,
al momento de evidenciarce el dato
erroneo en corriente en la practica se
debio revisar cuidadosamente por que
pasaba esto.
 La tabla1 nos muestra el comportamiento
brusco y debil en algunos casos de la curva
como el de la franja azul a la verde, que
cambia de 1ma a 10ma en Vd=0.114v lo
que es un cambio suave en tencion y de la
franja amarilla a la roja se evidencia un
cambio “brusco” en Vd= 0.714v a Vd= 0.73
v en Id= 9.9 mA
 Para la figura4 se evidencia que ambos
diodos estan en directa y pasan el umbral
de Vd=0.7 v por ello conducen, pero en la
figura5 el diodo uno esta en inversa lo que
noproduce corriente pero si un voltaje de
circuito abierto y el diodo dos nuevamente
esta en conduccion