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UBERLÂNDIA
MATERIAIS ELÉTRICOS - 2019
MATERIAIS SEMICONDUTORES
1) INTRODUÇÃO
Os materiais semicondutores são elementos cuja resistência situa-se entre a dos
condutores e a dos isolantes. Dependendo de sua estrutura qualquer elemento pode ser
classificado como isolante, semicondutor ou condutor. Atualmente os principais
componentes dos equipamentos eletrônicos são dispositivos semicondutores tais como:
diodos, transistores e circuitos integrados. Seu emprego deve-se à habilidade de controlar o
fluxo de corrente, executando as mesmas funções das válvulas eletrônicas, porém com
grandes vantagens como tamanho, peso e durabilidade. Por estas razões o emprego dos
dispositivos semicondutores trouxe um grande desenvolvimento à eletrônica.
2) A ESTRUTURA DO ÁTOMO
O átomo é formado basicamente por três tipos de partículas elementares: elétrons,
prótons e nêutrons. A carga do elétron e de polaridade negativa, enquanto a do próton é
positiva. Os elétrons giram em torno do núcleo distribuindo-se em diversas camadas, num
máximo de sete. Em cada átomo, a camada mais externa e chamada de camada valência, e
geralmente, é ela que participa das reações químicas. Todos os materiais encontrados na
natureza são formados por diferentes tipos de átomos, diferenciados entre si pelos seus
números de prótons, elétrons e nêutrons. Cada material tem uma infinidade de
características, mas em Eletrônica, uma é especial: o comportamento quanto a passagem de
corrente elétrica. Em relação a esta característica pode-se dividir os materiais em três tipos:
os condutores, os isolantes e os semicondutores.
Os átomos de silício e de germânio que, como dito, são os mais importantes no estudo de
semicondutores, também se ligam covalentemente e, embora tenham números atômicos
diferentes, possuem valências iguais. Esses átomos podem combinar-se covalentemente
formando uma estrutura cristalina que pode ser representada num plano, como mostra a
Figura 3. Cada átomo compartilha seus elétrons de valência com outros quatro, obtendo
uma estrutura eletricamente estável.
Figura 3 – Estrutura cristalina – ligação covalente.
3) BANDAS DE ENERGIA
Para entender as propriedades de condutividade de diferentes materiais é necessário
analisar como fica a distribuição dos elétrons nos níveis de energia de um grupo de átomos
que formam um determinado material. Para um átomo de silício isolado, seus elétrons
ocuparão os níveis de energia mostrados na Figura 4.
No caso de dois átomos de silício, seus elétrons ocuparão os níveis de energia, ficam com
níveis de energia maiores. Para quatro átomos, os níveis aumentam ainda mais. Tomando-
se uma amostra de silício cristalino, com aproximadamente 1020 átomos, a quantidade de
níveis energéticos e, a proximidade entre eles, é tão grande que pode-se considerar cada
nível como sendo formado por uma banda de energia praticamente contínua, como mostra
a Figura 5.
Figura 5 – Bandas de energia.
Material semicondutor
Material isolante
Material condutor
Figura 6 – Diferença das bandas de energia entre os materiais.
Ao receber energia suficiente para passar da banda de valência para a banda de
condução, um elétron ficará livre para se movimentar através do material quando um
campo elétrico for aplicado. Entretanto, esse elétron deixará um buraco (ou lacuna) na
ligação covalente à qual ele pertencia.
Nas duas estruturas, os átomos se combinam de forma covalente. Cada átomo combina-se
com mais quatro, tomando e fornecendo seus elétrons de valência. Observando as duas
estruturas vemos que cada elétron de valência no material está preso a dois átomos, nessa
condição não deverá haver elétrons livres no material, logo as suas características
elétricas são de isolante. Na realidade, isto só acontece se estes materiais estiverem a uma
temperatura de 0° absoluto. Apesar das ligações covalentes entre os átomos de cristais
puros, de silício e de germânio, serem rígidas, quando o cristal é submetido a qualquer tipo
de energia algumas delas chegam a se romper. O rompimento entre as uniões ocorre
quando o elétron de valência, que pertence aos dois átomos, adquire energia suficiente para
se liberar. Ligações covalentes são interrompidas quando um dos cristais é submetido a
certos campos de energia como: calor, luz, raios X, raios cósmicos etc. O número de
rompimentos é diretamente proporcional à intensidade do campo de energia aplicado ao
cristal. Cada rompimento gera um portador de carga elétrica negativa e uma carga
elétrica positiva, ou seja, um elétron é liberado ficando, no seu lugar um “buraco”
denominado de lacuna.
Figura 10 – Rompimento de uma ligação covalente.
Assim, nota-se que a dopagem criará, no cristal, tantos elétrons livres ou lacunas, quantos
forem os átomos de impurezas, doadoras ou aceitadoras, introduzidos.
Corrente de elétrons
Por serem portadores de carga negativa, os elétrons livres no elemento são atraídos pelo
potencial positivo da fonte de tensão, dando à corrente o sentido mostrado.
Por sua vez, ao polarizarmos um elemento P, conforme indicado na Figura 18, haverá
uma corrente de lacunas no cristal no sentido mostrado.
Corrente de lacunas
Figura 18 – Polarização do cristal P.
As lacunas, que são positivas, são repelidas pelo terminal positivo da fonte de tensão e
atraídas pelo terminal negativo da mesma. Um elétron entra no cristal no lado negativo da
fonte e se combina com uma lacuna, completando a união, estes já não existem mais como
portadores elétricos. Em seguida a bateria que perdeu um elétron no lado negativo da fonte,
tira um elétron do cristal no lado positivo da fonte, gerando assim, uma lacuna que é
imediatamente repelida pelo terminal positivo da fonte e atraído pelo terminal negativo.
Tem-se assim uma corrente elétrica constante que é limitada pela resistividade do
elemento, que, por sua vez, depende do número de portadores criados no processo de
dopagem do mesmo.
3.3) Junção do Elemento N com o Elemento P (Junção PN)
Como já visto, quando se adiciona impurezas pentavalentes à um cristal, surgem nesse
cristal tantos elétrons livres quantos forem os átomos de impurezas adicionados. Sabe-se
que, na temperatura ambiente, o cristal puro apresenta portadores positivos e
negativos em números iguais. Porém, com a dopagem essa igualdade é alterada e o
material que possuía igual quantidade de portadores, possui agora, maior número de
elétrons do que de lacunas. Diz-se então que os elétrons são portadores majoritários e as
lacunas portadores minoritários no elemento N. Quando se une um elemento P a um
elemento N, há uma combinação natural de portadores ou seja, elétrons do elemento N e
lacunas do elemento P, em toda a estrutura das superfícies unidas. Porém, nem todos os
elétrons e lacunas se recombinam porque as primeiras recombinações criam íons, que
fazem uma barreira ao processo de recombinação. Isto pode ser visto na Figura 19.
Região de depleção
Pode-se observar que o potencial positivo, no lado N, é uma força de atração para os
elétrons e que o potencial negativo, no lado P é uma força de atração para as lacunas. A ação
dessa força faz com que os portadores se desloquem. Tem-se então, um aumento na
barreira de potencial, como é mostrado na Figura 16. Este aumento é diretamente
proporcional ao aumento da tensão aplicada à junção PN. Nesta situação não deve circular
corrente normal no circuito, porém, devido às características do cristal, haverá uma
pequena corrente que é denominada corrente de fuga.
VD − Tensão direta.
ID − Corrente direta.
VZ − Tensão de ruptura.
IR − Corrente reversa.
Na polarização inversa da junção PN, o lado N está ligado no pólo positivo da fonte de
tensão e o lado P no pólo negativo da mesma, como mostra a Figura 25.
Na polarização inversa da junção PN, o lado N está ligado no pólo positivo da fonte de
tensão e o lado P no pólo negativo da mesma. Pelo circuito, nota-se que, através do
potenciômetro R, faz-se com que a tensão negativa no elemento P aumente lentamente.
Nesta situação, a corrente que flui no circuito é desprezível, porém, se aumentarmos ainda
mais o valor da tensão sobre o diodo atingiremos um valor em que há um aumento brusco
da corrente reversa, comprometendo até mesmo a integridade da junção PN. Este valor de
tensão é denominado tensão de ruptura. A ruptura da junção ocorre quando a corrente
reversa atinge um nível suficiente para romper as ligações entre os átomos do cristal,
danificando a mesma. O valor da tensão de ruptura é de suma importância no projeto de
circuitos utilizando diodos polarizados inversamente. Os diodos construídos com cristais de
silício suportam maiores tensões inversas do que os diodos de germânio. A ruptura da
junção de um diodo pode ser causada por vários fatores como tensão inversa (ou
avalanche) e por efeito térmico.
Quando a tensão inversa atinge um valor alto o suficiente para provocar o rompimento
das ligações entre os átomos do cristal, diz-se que a ruptura se dá por tensão inversa ou
por efeito avalanche, porque esses rompimentos geram portadores, que por sua vez vão
romper, por choque, outras ligações e, assim por diante, como numa avalanche. Este
processo de quebra e geração de portadores diminui rapidamente a resistência da junção,
aumentando bruscamente a corrente por ela, podendo inclusive danifica-la.
Como visto anteriormente, existe na junção PN a geração de portadores minoritários
devido à temperatura. A ruptura por efeito térmico se dá quando os portadores
minoritários provocam uma corrente inversa que resulte numa potência maior que a da
capacidade de dissipação da junção. Para uma tensão inversa constante, a corrente inversa
pode ser aumentada pelo efeito térmico, o que aumenta a potência da junção. Com o
aumento dessa potência haverá também um aumento de temperatura o que resulta num
novo aumento da corrente inversa, esse aumento de corrente tende a aumentar ainda mais
a potência e essa por sua vez a temperatura. E assim sucessivamente, até a ruptura.
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