¿CUALES SON LAS PRINCIPALES DIFERENCIAS ENTRE LAS

SEÑALES CMOS Y TTL?

TTL CMOS

TECNOLOGIA TTL
HISTORIA:
Aunque la tecnología TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania, fue Signetics la
compañía que la popularizó por su mayor velocidad e inmunidad al ruido que su
predecesora DTL, ofrecida por Fairchild Semiconductor y Texas Instruments,
principalmente. Texas Instruments inmediatamente pasó a fabricar TTL,con su familia
74xx que se convertiría en un estándar de la industria.
CARACTERISTICAS:
 Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre los 4,75V y
los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V.
 Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre
0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,2V y Vcc para el estado H (alto).
 La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base, si bien
esta característica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo.
Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S,
etc y últimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede
alcanzar poco más de los 400 MHz.
 Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a través
de circuitos adicionales de transmisión (no pueden viajar más de 2 m por cable sin
graves pérdidas).

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FAMILIAS:
Los circuitos de tecnología TTL se prefijan normalmente con el número 74 (54 en las
series militares e industriales). A continuación, un código de una o varias cifras que
representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.
Con respecto a las familias cabe distinguir:
 TTL: serie estándar.
 TTL-L (low power): serie de bajo consumo.
 TTL-S (schottky): serie rápida (usa diodos Schottky).
 TTL-AS (advanced schottky): versión mejorada de la serie anterior.
 TTL-LS (low power schottky): combinación de las tecnologías L y S (es la familia
más extendida).
 TTL-ALS (advanced low power schottky): versión mejorada de la serie LSS.
 TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).
 TTL-AF (advanced FAST): versión mejorada de la serie F.
 TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lógicos compatibles
con TTL.

VERSIONES:
A la familia inicial 7400, o 74N, pronto se añadió una versión más lenta pero de bajo
consumo, la 74L y su contrapartida rápida, la 74H, que tenía la base de los transistores
dopada con oro para producir centros de recombinación y disminuir la vida media de los
portadores minoritarios en la base. Pero el problema de la velocidad proviene de que es
una familia saturada, es decir, los transistores pasan de corte a saturación. Pero un
transistor saturado contiene un exceso de carga en su base que hay que eliminar antes
de que comience a cortarse, prolongando su tiempo de respuesta. El estado de saturación
se caracteriza por tener el colector a menos tensión que la base. Entonces un diodo entre
base y colector, desvía el exceso de corriente impidiendo la introducción de un exceso de
cargas en la base. Por su baja tensión directa se utilizan diodos de barrera Schottky. Así
se tienen las familias 74S y 74LS, Schottky y Schottky de baja potencia. Las 74S y 74LS
desplazaron por completo las 74L y 74H, debido a su mejor producto retardo·consumo.
Mejoras en el proceso de fabricación condujeron a la reducción del tamaño de los
transistores que permitió el desarrollo de tres familias nuevas: 74F (FAST: Fairchild
Advanced Schottky Technology) de Fairchild y 74AS (Advanced Schottky) y 74ALS
(Advanced Low Power Schottky) de Texas Instruments. Posteriormente, National
Semiconductor redefinió la 74F para el caso de búferes e interfaces, pasando a ser
74F(r).

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TECNOLOGIA:
La tecnología TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le
nombra:
 Etapa de entrada por emisor: se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la
matriz de diodos de DTL.
 Separador de fase: es un transistor conectado en emisor común que produce en
su colector y emisor señales en contrafase.
 Driver: está formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero
va conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el
nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase
y produce el nivel alto.
Esta configuración general varía ligeramente entre dispositivos de cada familia,
principalmente la etapa de salida, que depende de si son búferes o no y si son de colector
abierto, tres estados (ThreeState), etc.
Se presentan mayores variaciones entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H que difieren
principalmente en el valor de las resistencias de polarización, pero los 74LS (y no 74S)
carecen del transistor multiemisor característico de TTL. En su lugar llevan una matriz de
diodos Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un margen más amplio de
tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos, para facilitar su interfaz con
CMOS.
También es bastante común, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor PNP a
la entrada de cada línea para disminuir la corriente de entrada y así cargar menos el bus.
Existen dispositivos de interfaz que integran impedancias de adaptación al bus para
disminuir la reflexiones o aumentar la velocidad.
APLICACIONES:
Además de los circuitos LSI y MSI descritos aquí, las tecnologías LS y S también se han
empleado en:
 Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros.
 Memorias RAM.
 Memorias PROM.
 Programmable array logic, o PAL, consistente en una PROM que interconecta las
entradas y cierto número de puertas lógicas.

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TECNOLOGIA CMOS:
HISTORIA:
La tecnología CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,1 de Fairchild Semiconductor, a
principios de los años 1960. Sin embargo, su introducción comercial se debe a RCA, con
su famosa familia lógica CD4000.
Posteriormente, la introducción de un búfer y mejoras en el proceso de oxidación
local condujeron a la introducción de la serie 4000B, de gran éxito debido a su bajo
consumo (prácticamente cero, en condiciones estáticas) y gran margen de alimentación
(de 3 a 18 V).
RCA también fabricó LSI en esta tecnología, como su familia COSMAC de amplia
aceptación en determinados sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la mayor
dificultad de fabricación frente a dispositivos NMOS.
Pero su talón de Aquiles consistía en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la
frecuencia de reloj, su consumo sube proporcionalmente, haciéndose mayor que el de
otras tecnologías. Esto se debe a dos factores:
 La capacidad MOS, intrínseca a los transistores MOS.
 La utilización de MOS de canal P, más lentos que los de canal N, por ser
la movilidad de los huecos menor que la de los electrones.
El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de
transistores, que obliga a utilizar un mayor número de máscaras.
Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores pronosticaban el final de la
tecnología CMOS, que sería sustituida por la novedosa I2L, entonces prometedora.
Esta fue la situación durante una década, para, en los ochenta, cambia el escenario
rápidamente:
 Por un lado, las mejoras en los materiales, técnicas de litografía y fabricación,
permitían reducir el tamaño de los transistores, con lo que la capacidad MOS
resultaba cada vez menor.
 Por otro, la integración de dispositivos cada vez más complejos obligaba a la
introducción de un mayor número de máscaras para asegurar el aislamiento entre
transistores, de modo que no era más difícil la fabricación de CMOS que de
NMOS.
En este momento empezó una eclosión de memorias CMOS, pitos de 256x4 bits de la
5101 a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo
reducido y velocidad a sus contrapartidas NMOS. También los microprocesadores, NMOS
hasta la fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02, etc.).
Y aparecieron nuevas familias lógicas, HC y HCT en competencia directa con la TTL-LS,
dominadora del sector digital hasta el momento.

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Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la arquitectura de
los circuitos NMOS:
 Uso de cargas activas. Esto es, un transistor se polariza con otros transistores y
no con resistencias debido al menor tamaño de aquellos. Además, el transistor
MOS funciona fácilmente como fuente de corriente constante. Entonces un
inversor se hace conectando el transistor inversor a la carga activa. Cuando se
satura el transistor, drena toda la corriente de la carga y el nivel da salida baja.
Cuando se corta, la carga activa inyecta corriente hasta que el nivel de salida
sube. Y aquí está el compromiso: es deseable una corriente pequeña porque
reduce la necesidad de superficie en el silicio (transistores más pequeños) y la
disipación (menor consumo). Pero las transiciones de nivel bajo a nivel alto se
realizan porque la carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor,
además de las capacidades parásitas que existan, por lo que una corriente
elevada es mejor, pues se cargan las capacidades rápidamente.
 Estructuras de almacenamiento dinámicas. La propia capacidad MOS se puede
utilizar para retener la información durante cortos periodos de tiempo. Este medio
ahorra transistores frente al biestable estático. Como la capacidad MOS es
relativamente pequeña, en esta aplicación hay que usar transistores grandes y
corrientes reducidas, lo que lleva a un dispositivo lento.
La tecnología CMOS mejora estos dos factores:
 Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que sólo se consuma
corriente en las transiciones, de modo que el transistor de canal P puede aportar la
corriente necesaria para cargar rápidamente las capacidades parásitas, con un
transistor de canal N más pequeño, de modo que la célula resulta más pequeña
que su contrapartida en NMOS.
 En CMOS se suelen sustituir los registros dinámicos por estáticos, debido a que
así se puede bajar el reloj hasta cero y las reducidas dimensiones y bajo consumo
de la celda CMOS ya no hacen tan atractivos los registros dinámicos.
Por último, se suelen emplear transistores pequeños, poniendo una celda mayor para la
interfaz con las patillas, ya que las necesidades de corriente son mucho mayores en las
líneas de salida del chip.
La disminución del tamaño de los transistores y otras mejoras condujo a nuevas familias
CMOS: AC, ACT, ACQ, etc.

CARACTERISTICAS:

Disipación de baja potencia: La disipación de potencia depende de la potencia de la

fuente de poder, su frecuencia, carga en la salida y el tiempo de arranque. A 1 MHz y a
50pF de carga, la disipación de potencia es típicamente 10nW por compuerta.

• Retrasos de propagación corta: Depende de la fuente de poder, los retrasos de

propagación son usualmente de 25 ns a 50 ns.

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• Tiempos de subida y bajada controlados: Los flancos de subida y de bajada son
usualmente denominados como rampas en lugar de funciones de escalón, y tardan entre
20% – 40% más que los retrasos de propagación.

• La inmunidad al ruido ronda el 50% o 45% de la oscilación lógica.

• Niveles lógicos serán esencialmente iguales a la fuente de poder, esto debido a la alta
impedancia de entrada.

• Nivel de tensión desde 0 a VDD donde VDD es la fuente de tensión. Un nivel bajo es
cualquier valor entre 0 y 1/3 de VDD mientras que un nivel alto se representa como
cualquier valor entre 2/3 VDD y VDD.

CMOS ANALOGICOS:
os transistores MOS también se emplean en circuitos analógicos, debido a dos
características importantes, a saber.
Alta impedancia de entrada
La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeño condensador, por lo que no
existe corriente de polarización. Un transistor, para que pueda funcionar, necesita tensión
de polarización.

Baja resistencia de canal

Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la superficie
del transistor. Es decir, que, si se le piden corrientes reducidas, la caída de tensión en el
transistor llega a ser muy reducida.
Estas características posibilitan la fabricación de amplificadores operacionales "Rail-to-
Rail", en los que el margen de la tensión de salida abarca desde la alimentación negativa
a la positiva. También es útil en el diseño de reguladores de tensión lineales y fuentes
conmutadas.
CMOS Y BIPOLAR:
Se emplean circuitos mixtos bipolar y CMOS tanto en circuitos analógicos como digitales,
en un intento de aprovechar lo mejor de ambas tecnologías. En el ámbito analógico
destaca la tecnología BiCMOS, que permite mantener la velocidad y precisión de los
circuitos bipolares, pero con la alta impedancia de entrada y márgenes de tensión CMOS.
En cuanto a las familias digitales, la idea es cortar las líneas de corriente entre
alimentación y masa de un circuito bipolar, colocando transistores MOS. Esto debido a
que un transistor bipolar se controla por corriente, mientras que uno MOS, por tensión.
La relevancia de estos inconvenientes es muy baja en el diseño microelectrónica actual.

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VENTAJAS E INCONVENIENTES DEL CMOS
Ventajas
La familia lógica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la
fabricación de circuitos integrados digitales:
 El bajo consumo de potencia estática, gracias a la alta impedancia de entrada de
los transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS
sólo experimentará corrientes parásitas. Esto es debido a que en ninguno de los
dos estados lógicos existe un camino directo entre la fuente de alimentación y el
terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el
inversor CMOS básico se encuentra en la región de corte en estado estacionario.
 Gracias a su carácter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido
o degradación de señal debido a la impedancia del metal de interconexión.
 Los circuitos CMOS son sencillos de diseñar.
 La tecnología de fabricación está muy desarrollada, y es posible conseguir
densidades de integración muy altas a un precio mucho menor que otras
tecnologías.
Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:
 Debido al carácter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos
son empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los
circuitos CMOS es comparativamente menor que la de otras familias lógicas.
 Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parásito en la
estructura CMOS que entra en conducción cuando la salida supera la
alimentación. Esto se produce con relativa facilidad debido a la componente
inductiva de la red de alimentación de los circuitos integrados. El latch-up produce
un camino de baja resistencia a la corriente de alimentación que acarrea la
destrucción del dispositivo. Siguiendo las técnicas de diseño adecuadas este
riesgo es prácticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos
de sustrato y pozos de difusión con suficiente regularidad, para asegurarse de que
está sólidamente conectado a masa o alimentación.
 Según se va reduciendo el tamaño de los transistores, las corrientes parásitas
empiezan a ser comparables a las corrientes dinámicas (debidas a la conmutación
de los dispositivos).
APLICACIONES:
La tecnología CMOS es de amplísima aplicación en el día de hoy. Es la base principal de
la electrónica debido a la excelente capacidad de compactación. En electrónica digital la
mayor parte de los circuitos integrados cuentan con esta tecnología, es decir,
procesadores, tarjetas gráficas, memorias, placas base, etc. Además, por su reducido
consumo, es aplicada para la elaboración de circuitos integrados de elementos portátiles,
que de otra manera por su elevado consumo no permitiría su uso continuado por mucho

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tiempo. Además de su utilización en la electrónica digital, también son utilizados en la
elaboración de circuitos analógicos debido a dos características importantes como son: la
alta impedancia de entrada y la baja resistencia de canal. Como la compuerta de un
transistor MOS viene a ser un pequeño condensador no se necesita una corriente de
polarización, así para que un transistor funcione solamente se necesita una tensión de
polarización. Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de
la superficie del transistor. Es decir, que, si se le piden corrientes reducidas, la caída de
tensión en el transistor llega a ser muy reducida. Estas características posibilitan la
fabricación de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail", en los que el margen de la
tensión de salida abarca desde la alimentación negativa a la positiva. También es útil en
el diseño de reguladores de tensión lineales y fuentes conmutadas
DIFERENCIAS ENTRE SEÑALES CMOS Y TTL:
En comparación con las familias lógicas TTL, las familias lógicas CMOS son más lentas
en cuanto a velocidad de operación; requieren de mucho menos potencia; tienen un mejor
manejo del ruido; un mayor intervalo de suministro de voltaje; un factor de carga más
elevado y requieren de mucho menos espacio (área en el CI) debido a lo compacto de los
transistores MOSFET. Además, debido a su alta densidad de integración, los CI MOS
están superando a los CI bipolares en el área de integración a gran escala. (LSI -
memorias grandes, CI de calculadora, microprocesadores, así como VLSI). Por otro lado,
la velocidad de operación de los CI TTL los hace dominar las categorías SSI o MSI
(compuertas, FF y contadores).

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