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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

facultad de ingeniería eléctrica y electrónica

LABORATORIO N°4:
TRANSISTOR BIPOLAR – ZONA ACTIVA, CORTE Y SATURACION
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I. OBJETIVO
El siguiente laboratorio tiene como objetivo:
 Entrenar y mostrar al alumno los diferentes
 Conocer las características técnicas y los
requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y la
obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales
y obtención de los data sheet de los dispositivos
a usar de Internet y los equipos de medición.
 Determinar las operaciones de corte y
saturación de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los equipos y
el ensamble de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia

II. TEORIA

Transistor BJT
El transistor bipolar (BJT Bipolar Junction
Transistor) fue desarrollado en los Laboratorios Bell
Thelephone en 1948. El nombre Bipolar viene de que
en los procesos de conducción intervienen tanto
huecos como electrones. Su invención marcó la era de
todo el desarrollo tecnológico e informático que
tenemos hoy día. B: Base
Durante tres décadas fue el dispositivo utilizado en C: Colector
E: Emisor
todos los diseños de circuitos discretos o integrados.
En los 70 y 80 apareció un competidor muy fuerte: El
transistor de Juntura, que dio origen a otros
componentes, los MOSFETs. Actualmente la
tecnología CMOS es la más utilizada en los diseños de
circuitos integrados. Pero el BJT se sigue usando en
aplicaciones específicas, entre ellas circuitos de muy Zona de funcionamiento del transistor
alta frecuencia.
Uno de los dispositivos más utilizados en los sistemas
de electrónica de potencia es el IGBT, que combina las
características de entrada de in MOSFET con las de
salida de un BJT.



Zona Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula
corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos
de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en
corte cuando se cumple la condición: ó básicas importantes para un transistor:
(Esta última condición indica que la corriente por el
emisor lleva sentido contrario al que llevaría en
funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es
decir, basta con que
Zona Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y
se cumple que la unión base-emisor se encuentra
polarizada en directa y la colector-base en inversa.
En general, y a efectos de cálculo, se considera que se
verifica lo siguiente:
donde es la tensión de conducción de la unión base-
emisor (en general 0,6 voltios).
Zona Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión
base-emisor como la base-colector se encuentran en
directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y
se verifica sólo lo siguiente:
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donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se
encuentra en saturación circula también corriente por
sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación:
Polarización de cd: bit
Debido a que los transistores tanto el NPN como el
PNP no son capases de manejar las dos polaridades de
alimentación (NPN regularmente trabaja con voltaje
positivo y el PNP con negativo (se nota en las cuevas
características)), se requiere un método para salvar el
problema, esto se logra con la llamada polarización la
cual consta de sumar a la señal de entrada una
componente constante para así lograr que la señal que
entra al transistor tenga una sola polaridad (la
adecuada según el tipo de transistor). Aunque se
analizan diversas redes, existe una similitud
fundamental en el análisis de cada configuración,
debida al uso recurrente de las siguientes relaciones
1.Operación en la región activa:
Unión base-emisor con polarización directa. Unión
base-colector con polarización inversa.
2. Operación en la región de corte:
Unión base-emisor con la polarización inversa.
3. Operación en la región de saturación:
Unión base-emisor con polarización directa. Unión
base-colector con polarización directa
Polarización fija
El circuito de polarización fija como el mostrado en la
figura 10, proporciona una introducción relativamente
directa y simple al análisis de polarización de cd de
transistor. Aun cuando la red emplea un transistor
NPN, las ecuaciones y cálculos se aplican en forma
correcta por igual a una configuración PNP con sólo
cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades
de voltaje.
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a) Armar el circuito de la figura 2:

b) Polarizar el dispositivo y medir y para

completar la siguiente tabla:

III. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

Equipos y materiales
 01 osciloscopio, puntas de prueba
Los usaremos para poder plasmar las gráficas
de voltaje vs tiempo que se generan en un punto c) A partir de esta tabla graficar la curva de
de nuestro circuito transferencia de entrada a salida vs Si es
necesario, tomar medidas de puntos
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
intermedios.
 01 protoboard
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W d) Graficar la curva de transferencia de corrientes
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores ( vs ) y la beta de las mismas (BETA vs
 01 multímetro ). Ejemplo:
En nuestro experimento se usará para poder
medir los corrientes voltajes que habrá en
nuestro circuito y a la vez para comprobar la
lectura que arroja el osciloscopio.

 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;180K
Ω; 3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,510KΩ;2KΩ
de 1W
 01 potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
0.5W
 01 generador de funciones
 02 transistores BJT iguales BC548A
 02 diodos LED
 01 amperímetro analógico

SIMULACIÓN (Tomando datos en R1):

Procedimiento
POLARIZACIÓN- CURVAS DEL TRANSISTOR
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h) Graficar en un mismo plano las diferentes

rectas de carga, a colores, indicando las zonas
de operación. Adjuntar las datasheet con los
datos de los transistores utilizados.

i) Armar el circuito de la figura 2, conectar los

diodos LED en serie con las resistencias R1 y
R2, colocar en una fuente DC y reemplazar
R1 por un potenciómetro.

j) Para determinar la región activa varíe el voltaje

de entrada y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar
el intervalo de voltaje ( < < ) que
mantiene al transistor operando en la región
activa.

k) Para determinar cuando el transistor está en

corte o está en saturación, aumentar de 1V en
1V el DC de ; hasta encontrar un
e) Armar el circuito de la figura 3
cambio en . Luego repetir el procedimiento
disminuyendo V(min) de desde el último
valor de v, hasta cero.

En la simulación determinar la resistencia

que facilite el corte y saturación de manera más
rápida y usar ese valor en la práctica de
laboratorio.

f) Medir las tensiones , y para trazar la l) Tomar datos y completar la siguiente tabla
recta de carga del circuito, variando

g) Determinar las corrientes y graficar la recta de

carga en el plano vs del transistor.
Indicar la zona de operación correspondiente.

IV. RESPUESTAS A PREGUNTAS

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1. Realice los cálculos para hallar ,

empleando el simulador ORCAD / Pspice o
similar.
2. Simule los pasos de la guía de laboratorio y
anote las tensiones y corrientes que se piden
en el experimento.
3. Con los valores obtenidos con el simulador,
haga las gráficas de las curvas: vs ;
vs ; β vs ; vs ; y obtenga el
 Para =0V
gráfico de respuesta en frecuencia indicando
la ganancia de tensión vs. Frecuencia usando
la escala logarítmica.
4. Obtenga el Data Sheet del transistor y
determine las características de corte y
saturación, así como el punto de operación
del 2N 2222 y el 2N 3904.
5. Que voltaje AC de entrada puede soportar el
transistor 2N 2222 y el 2N 3904.
6. Determine la impedancia de entrada y salida
a 60 Hz.
 Para =1V

 Para =2V

V. SIMULACIÓN

a) Armar el circuito de la figura 2:

 Para =3V
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 Para =8V

 Para =4V
 Para =9V

 Para =5V
b) Polarizando el circuito

(V) (V) (V) (mA) (uA)

0V 12 0 0 0 0
1V 11.7 0.83 0.51 1.72 296
2V 11.2 1.51 1.49 5.63 264.
6
 Para =6V
3V 10.7 2.21 2.4 9.12 263.
1
4V 10.4 2.91 3.23 12.9 250.
3
5V 10.1 3.62 3.99 16.7 238.
9
6V 9.83 4.34 4.68 20.5 228.
3
 Para =7V 7V 9.65 5.05 5.33 24.3 219.
3
8V 9.50 5.77 5.93 28.3 209.
5
9V 9.40 6.84 6.28 32.1 195.
6
10V 9.33 7.20 6.51 35.8 181.
8
 7

12V 9.21 8.63 6.81 43.4 156.

9
14V 9.12 10.1 7.01 50.9 137.
7
15V 9.09 10.8 7.08 54.7 129.
4
16V 9.05 11.5 7.14 58.5 122.
0

c) Grafica (V) vs (V)

e) Armar el circuito de la figura 3

d) Grafica (mA) vs  Para =56k

(uA)

 Para =47k

Grafica beta vs (uA)

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(V) (V) (V) (mA) (uA) Zona

56k 5.94 6.8 5.22 5.20 22.7

47k 5.52 7.21 4.81 4.79 20.3
22k 3.66 9.05 2.96 2.95 11.3
15k 2.82 9.88 2.12 2.12 7.73
3.3k 0.79 11.8 0.16 0.16 0.55

 Para =22k

R (mA) (V) Zona

=0

=1k

=3.3k

 Para =15k

Zona de corte Zona activa Zona de

saturación

(corte)= < < (sat)=

(corte)= < < (sat)=

(corte)= < < (sat)=

 Para =3.3k (corte)= < < (sat)=

(corte)= < < (sat)=

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VI. BIBLIOGRAFÍA
 http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1
177/Contenido/clase10.pdf
 https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_
T2.pdf
 https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_re
source/content/1/electro_gen/teoria/tema-4-
teoria.pdf
