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INFORME PREVIO
LABORATORIO N°4:
LIMA-PERÚ
2019
SIMBOLOS DEL FET q
Canal N Canal P
TRANSISTORES MOSFET
TRANSISTOR MOSFET
1.- Explicar cómo se obtiene el punto “Q” de trabajo de la figura 1.1
Figura 1.1
I) Análisis en DC (continua).
Todos los condensadores son circuitos abiertos, 𝐼𝐺 = 0 (Ver figura 1.2)
+15 V
D 𝐼𝐷
𝐼𝐺 = 0
G
S 𝐼𝑆
Del circuito:
15 ∗ 100
𝑉𝐺 = = 0.484𝑉
3000 + 100
Además
𝑉𝑆 = 1 ∗ 𝐼𝑆 = (1 ∗ 𝐼𝐷 )𝑉
→ 𝑉𝐺𝑆 = (0.484 − (1 ∗ 𝐼𝐷 ))𝑉 …………………. (*)
En zona de saturación
𝐼𝐷 = 𝐾𝑃 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 ………………(**)
𝑢∗𝐴
Asumiendo 𝑉𝑡 = 0.4𝑉 𝑦 𝐾𝑝 = 200 𝑉2
De (*) y (**)
𝐼𝐷 = 0.2(0.484 − (1 ∗ 𝐼𝐷 )) − 0.4)2
→ 𝐼𝐷 = 3.03 ∗ 10−3 𝑚𝐴
Del circuito
15 − 10 ∗ 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 1 ∗ 𝐼𝑆 = 0
→ 𝑉𝐷𝑆 = 14.967 𝑉
Finalmente
TRANSISTOR JFET
Figura 2
2.- Como se obtiene la curva de transferencia Io vs Vgs indicando los puntos de
operación y las rectas de polarización Io (1 / Rs ).Vgs Obtenidas de
Vgs IoRs por inducción de la curva aproximar los datos de FEJFET como son
Idss y Vp
3.- Como se Traza la curva de transferencia Id Vs Vgs indicando los puntos de operación
obtenidos Indicar la zona del transistor JFET y la recta de carga en cada caso
𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
CANAL N CANAL P
𝑉𝐺𝑆 (𝑉)
𝑉𝑃 = −5𝑣 𝑉𝑃 = 6𝑉
𝐼𝑆
𝐼𝐺 = 0
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∗ (1 − )
𝑉𝑃
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 12 ∗ (1 + ) …………………..(*)
4
Del circuito
𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 − 2.7 ∗ 𝐼𝑆 = 0
6 − 2.7 ∗ 𝐼𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 …………………..(**)
De (*) Y (**)
6 − 2.7 ∗ 𝐼𝐷 2
→ 𝐼𝐷 = 12 ∗ (1 + )
4
5.4675 ∗ 𝐼𝐷 2 − 41.5 ∗ 𝐼𝐷 + 75 = 0
𝐼𝐷 = 2.697𝑚𝐴 𝑜 𝐼𝐷 = 4.62336𝑚𝐴