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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Juan Hernández, Luis Pacheco, Camila Samaniego.


Laboratorio de Dispositivos Electrónicos
Escuela Politécnica Nacional
juan.hernandez01@epn.edu.ec, luis.pacheco02@epn.edu.ec, sandra.samaniego@epn.edu.ec.

Resumen- Analizar e implementar circuitos de polarización


para JFET.
1.2. Revisar las hojas de datos de al menos 4 transistores de
efecto de campo y presentar un cuadro con los valores de
I. TRABAJO PREPARATORIO
los parámetros más importantes.
1.1. Consultar las principales características de los CARACTERISTICAS ELECTRICAS
transistores de efecto de campo y presentar un cuadro con
las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores Parámetro 2N3819 2N3823 2N5459 BF245A
y los de juntura bipolar.
𝑉𝐷𝐺 25 V 30 V 25 V 30 V

Los transistores de efectos de campo son transistores que se 𝑉𝐺𝑆 -25 V -30 V -25 V -30 V
establecen en el campo eléctrico que es el encargado de 𝐼𝐷 50 mA 50 mA 50 mA 25 mA
controlar la conductividad de un material semiconductor.
Características: 𝐼𝐺𝐹 10 mA 10 mA 10 mA 10 mA
 Es inmune a la radicación. Temperatura
-55°C- -65 °C- -55 °C- -65 °C-
 Cuando se utiliza como switch no posee voltaje de de
150° 175 °C 150 °C 150 °C
juntura. operación
 Provee de estabilidad térmica.
- ESPECIFICACINOES MÁXIMAS
 Posee una resistencia de un alto valor (semejante a
-
100 M)
Parámetro 2N3819 2N3823 2N5459 BF245A
SEMEJANZAS DIFERENCIAS
Voltaje de
El TBJ posee un voltaje
ruptura
umbral igual a 0.7 V a 25 V -30 V -25 V -30 V
compuerta
Presentan altas temperatura mientras
–fuente
impedancias de entrada que el FET no necesita
Corriente
vencer el voltaje
inversa de
umbral. 2 nA -0.5 nA -1 nA -5 nA
compuerta
El TBJ es un dispositivo
(IGSS)
controlado por corriente
Amplifican el voltaje. Voltaje de
mientras que el FET es
ruptura
controlado por voltaje.
compuerta 8V -8 V -8 V -8 V
EL TBJ es un
Sus respuestas similares –fuente
dispositivo bipolar y el
a la entrada que se (VGSoff)
FET es un dispositivo
introduzcan.
unipolar.
El TBJ depende de los
1.3. ¿Qué es el voltaje de corte de compuerta a fuente
Tienen tres terminales y portadores mayoritarios
(VGS(off))?
dos diodos internos con y minoritarios, mientras
una barrera de potencial los FET posee sólo
de 0.7. portadores mayoritario Es el valor de voltaje (generalmente negativo) que existe entre
o minoritarios. la compuerta (gate) y la fuente (source) para el cual se tiene
La impedancia de una corriente de drenaje ID=0, lo que significa que el transistor
Poseen 3 regiones de entrada del FET es se encuentra en la región de corte.
interés. mucho mayor que el
TBJ (Mayor a 100 M).
A frecuencias altas los 1.4. ¿Qué es el voltaje de estrangulación (VP)?
Son dispositivos de
resultados de ganancia
control con corriente Es el voltaje que se provoca la corriente de drenaje, el voltaje
del FET son ligeramente
AC y DC. VP bloquea las zonas de inversión y estrangulan el canal
menores que el TBJ.
evitando el pase de corriente entre el drenaje y la fuente.
1.6. Realizar las simulaciones de los circuitos presentados en
1.5. . Resolver los siguientes circuitos de polarización, forma QUCS y Proteus.
de la curva ID contra VDS y forma de la curva ID contra Grafica 1
VGS:

Anexo 1

Anexo 2

Anexo 3

Grafica 2
+0.12
µA

0.00 R2
1k
Volts

Q1
R1 2N3819 +12.0
Volts
1M

+0.12
µA
-1.98
Volts
BAT2
BAT1 12V
2V

1.7. Presentar los voltajes de polarización


Fig 1
Vg 0.15 V
Vs 0.98 V
Vd 14 V
Ig 0.15 uA
Id 0.3 mA
Is 0.3 mA

Fig 2
Vg 1.98 V
Vs 0 V
Vd 0 V
Ig 0.12 uA
Id 0.12 uA
Grafica 3
Is 0 V

Fig 3
Vg 21.6 V
Vs 22.2 V
Vd 22.2 V
Ig 2.15 mA
Id 0.3 mA
Is 0.3 mA

II. Referencias

OCW.EHU. (s.f.). TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.


Obtenido de
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod
_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-
7-teoria.pdf

ViaSatelital. (s.f.). POLARIZACION DEL FET. Recuperado


el 29 de Junio de 2018, de
http://www.viasatelital.com/proyectos_electro
nicos/polarizacion_fet.htm