Informe final Nº5 EL TRANSISTOR

ZONA ACTIVA, CORTE Y

SATURACIÓN
Alumnos:

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería

Lima, Perú

INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E). La palabra bipolar se deriva del hecho
que internamente existe una doble circulación de corriente: electrones y lagunas o agujeros.

I. OBJETIVO A. CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES

El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como finalidad:
 Conocer las características técnicas y los requerimientos de
uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y la obtención de
las curvas características del transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales y obtención de
los data sheet de los dispositivos a usar de Internet y los
equipos de medición.
 Determinar las operaciones de corte y saturación de los
transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el ensamble
de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo responsabilidades en
el desarrollo de la experiencia.
Competencias
• Maneja correctamente el multímetro, generador, fuente de
alimentación y osciloscopio, configurando y conectándolos
apropiadamente.
• Selecciona correctamente los componentes a utilizar para el
análisis de corte y saturación del transistor bipolar.
• Elabora informes técnicos claros mediante un formato digital
establecido, detallando el proceso de laboratorio desarrollado,
entregando puntualmente.
• Usa software de simulación y compara con los resultados
experimentales.
• Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y
participa en forma efectiva en equipos multidisciplinarios de
trabajo.
BIPOLARES
1.- Por la disposición de sus capas: Transistores PNP y NPN
2.- Por el material semiconductor empleado: Transistores de Silicio y de
Germanio
3.- Por la disipación de Potencia: Transistores de baja potencia, de
mediana potencia y de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de baja frecuencia y
Transistores de alta frecuencia
B. POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES
BIPOLARES
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario
polarizarlo correctamente. Para ellos se debe cumplir que: La juntura
BASE - EMISOR este polarizado directamente, y La juntura COLECTOR
– BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo
con respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje también positivo
pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir
lo contrario.
C. CODIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
BIPOLARES
Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos
especifica la función que cumple y en otros casos indica su fabricación.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos:
Europeos, Japoneses y Americanos.
CODIFICACIÓN EUROPEA
Primera letra:

II. TEORÍA A : Germanio B : Silicio

Segunda Letra:
A : Diodo (excepto los diodos túnel) Ejemplo: Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas
que el 2SA186.
B : Transistor de baja potencia

D : Transistor de baja frecuencia y de potencia

E : Diodo túnel de potencia

F : Transistor de alta frecuencia

L : Transistor de alta frecuencia y potencia CODIFICACIÓN AMERICANA

P : Foto – semiconductor Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con

el prefijo 2N y a continuación un número que indicaba la serie de
S : Transistor para conmutación fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924 (manuales del laboratorio).
Actualmente, cada fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene por
U : Transistor para conmutación y de potencia ejemplo : TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente a
TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
Y : Diodos de potencia

Z : Diodo Zener

Número de serie

100 – 999 :Para equipos domésticos tales como radio, TV, amplificadores, III. TABLAS OBTENIDAS EN EL
grabadoras, etc. LABORATORIO Y EN LA TEORIA
10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales. Ejemplo: Respecto del primer circuito:
AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son
de baja frecuencia.

CODIFICACIÓN JAPONESA

Primero

0 (cero): Foto transistor o fotodiodo 1: Diodos

2: Transistor

Segundo

S : Semiconductor

Tercero

A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)

B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)

C : Transistor NPN de RF

D : Transistor NPN de AF

F : Tiristor tipo PNPN

Tabla datos teoricos:
G : Tiristor tipo NPNP
V3(v) Vc(v) Vb(v) Ic(mA) Ib(uA) beta
Cuarto 0 12 21.663uV 12.25nA -120pA -102
1 11.19 -90mV 84.4uA 500nA 168.8
Número de serie : comienza a partir del número 11 2 11.56 -367mV 438uA 2.04 214.70
3 11.16 -669mV 840uA 3.72 225.8
Quinto 4 10.77 -977mV 1.228 5.433 226.02
5 10.41 -1.29 1.589 7.17 221.61
Indica un transistor mejor que el anterior 6 10.08 -1.6 1.915 8.9 215.16
7 9.78 -1.91 2.21 10.64 207.70
8 9.52 -2.23 2.47 12.36 199.83
9 9.28 -2.54 2.71 14.134 191.73
10 9.06 -2.86 2.936 15.9 184.65
11 8.86 -3.17 3.135 17.65 177.62
12 8.68 -3.49 3.315 19.41 170.78
 13 8.5 -3.81 3.48 21.17 164.38 Ib uA 26 24 15 10 1
14 8.36 -4.12 3.638 22.94 158.58
15 8.22 -4.46 3.782 24.7 153.1 Zona Activa Activa Activa Activa Corte
16 8.08 -4.76 3.91 26.45 147.82

Tabla datos experimentales Tabla teorica:

V3(v) Vc(v) Vb(v) Ic(mA) Ib(uA) beta R Ic mA Vc Zona

0 0.88 0.145 0.88 0.805 109.31 o 0.145 12v activa
1 0.123 0.165 0.123 0.915 134.42 1k 0.219 11.78v corte
2 0.495 0.506 0.495 2.88 171.87 3.3k 0.219 11.27v corte
3 0.940 0.848 0.940 4.711 199.53
4 1.366 1.293 1.366 7.18 190.25
5 1.842 1.733 1.842 9.63 191.27 Tabla experimental:
6 2.2 2.15 2.2 12 183.33
7 2.66 2.42 2.66 13.5 197.03 R Ic mA Vc Zona
8 3.06 2.97 3.06 16.5 185.45 o 0.204 12.08v activa
9 3.66 3.3 3.66 18.3 200 1k 0.20 11.89v corte
10 4.1 3.85 4.1 21.3 192.4 3.3k 0.22 11.4v corte

Respecto del segundo circuito implementado:

IV. RESPUESTAS A PREGUNTAS PARA EL

INFORME INFORME FINAL

a). Haga una tabla comparando los valores teóricos con los valores
experimentales. ¿Cómo los explica?

 Los resultados obtenidos tanto experimentales se muestran en

las tablas adjuntadas en el acapite anterior.

 Las dos primeras tablas nos muestran los valores de

corrientes, voltajes y el beta caracteristico del transistor.

FIGURA 2  Las dos tablas siguientes, nos muestran que amedida que
variamos ciertos parametros del circuito estos influyen y nos
indican en que zona esta trabajando el transistor tanto
experimentalmente como teoricamente.

Tabla teorica:

Pot 56k 47k 22k 15k 3.3k b). Para el circuito de la fig.1, obtenga las gráficas de las curvas: Ic vs
Vb 5.61 5.278 3.595 2.782 0.783 Vce ; Ic vs Ib ; β vs Ic é Ib vs Vbe . ¿Qué diferencia observa entre las
Vc 7.08 7.411 9.05 9.854 11.78 curvas teóricas y experimentales?
Ve 4.95 4.62 2.958 2.157 0.221
Ic mA 4.92 4.589 2.943 2.146 0.220
Ib uA 35.48 30.17 15.418 10.622 1.39
Zona Activa Activa Activa Activa Corte  En las siguientes curvas que se mostraran a continuacion,
compararemos tanto los valores teoricos como
experimentales.

Tabla experimental:
CURVA Ic VS Vce:
Potenciometro 56k 47k 22k 15k 3.3k

Vb (v) 5.88 5.45 3.67 2.81 0.8

Vc (v) 6.65 7.29 9.09 9.87 11.89

Ve (v) 5.16 4.8 3.01 2.17 0.21

Ic mA 5.29 4.88 3.04 2.19 0.2

 TEORICO EXPERIMENTAL

CURVA Ic VS Ib:

EXPERIMENTAL

CURVA Ib VS Vbe: TEORICO

TEORICO

EXPERIMENTAL
 CURVA BETA VS IC:

TEORICO

R EALIZACIÓN DEL CIRCUITO EN EL

LABORATORIO

 En ambos gráficos, se observa el desfase de 30Hz

EXPERIMENTAL
aproximadamente,teniendo presente que la frecuencia de
trabajo de ambas ondas están alrededor de los 60Hz, (y no
solo ello también se puede notar que el VL está muy atenuado,
c). Para los circuitos de las figuras: 2 y 3. Presente la forma de onda de esto es por que en al moemnto de ver el voltaje .)
entrada (Vin ) y de la carga (VL ) obtenida en el laboratorio. Qué
relación de fases hay entre ellas?

d). Observe los límites para la zona activa y compárelos con los valores
obtenidos para la región de saturación y corte.

e. Mostrar las capturas e imagen en cada caso y explicar

SIMULACIÓN DEL VOLTAJE DE SALIDA CIRCUITO UTILIZADO EN EL LABORATORIO

 VI. BIBLIOGRAFIA

 MILLMAN Y HALKIAS, "ELECTRÓNICA

INTEGRADA".
 SHILLING Y BELOVE, "CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS DISCRETOS E
INTEGRADOS".
 http://www.equiposylaboratorio.com/sitio/con
tenidos_mo.php?it=1484
FUENTE DE ALIMENTACION DC
 http://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calibra
cion-de-os

 http://univirtual.uni.pe/course/view.php?id=
CONCLUSIONES
2383
1) Al realizar la simulación y con la teoría
obtenida se puede llegar a interpretar que el
voltaje que se refleja en la carga ha de ser
desfasado a esta y atenuada a su vez; lo cual en
la experimentación se llegó a observar; por lo
tanto se concluye que el transistor en la
configuración dada tendrá una AV muy baja.

2) Los resultados obtenidos en circuito número

dos, tanto teórico como experimental
presentan un error casi despreciable. Esto se
debe a que en ese acápite verificamos las zonas
de trabajo del transistor (zona de corte, zona
activa y zona de saturación), dependen
únicamente del tipo de transistor.

V. OBSERVACIONES

1) Al momento de ver la frecuencia de salida

en la carga se pudo llegar a observar
pequeños aumentos en esta; sugiriendo un
análisis en frecuencia, lo cual se verá
capítulos más adelantes.

2) Al momento de comparar los resultados

teóricos y experimentales en las zonas de
trabajo del transistor bipolar estos era
próximos. Con ello se demostró las
propiedades del transistor.