Laboratorio Nº 04: EL TRANSISTOR

BIPOLAR – ZONA ACTIVA, CORTE Y

SATURACIÓN
Cesar Sanchez Camac
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
Elcesitar9@hotmail.com

INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos
llamados; colector (C), base (B) y emisor (E). La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente
existe una doble circulación de corriente: electrones y lagunas o agujeros.

I. OBJETIVO emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los

cuales son los dispositivos básicos de la electrónica moderna.
El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como
finalidad:
B. Polarizacion del transistor
 Conocer las características técnicas y los
biporlar…[2]
requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y la
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las
obtención de las curvas características del
corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo
transistor Bipolar.
queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales y
posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o
obtención de los data sheet de los dispositivos a
en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito
usar de Internet y los equipos de medición.
en el que se engloba.
 Determinar las operaciones de corte y saturación
de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de Corte… [3]
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente
por sus terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo,
ensamble de los circuitos. decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición
responsabilidades en el desarrollo de la indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al
experiencia. que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el
transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión
base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.

II. TEORÍA Activa… [4]

La región activa es la normal de funcionamiento del

A. Transistor Bipolar…[1]
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT
(siglas de su denominación inglesa Bipo-lar Junction
Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados
emisor, base y colector.
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se
cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.
Saturación… [5]

La propiedad más destacada de este dispositivo es que
aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de
ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría
de funciones electrónicas se realizan con circuitos que
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-
emisor como la base-colector se encuentran en directa. Se
dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo
siguiente:
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente).

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se

encuentra en saturación circula también corriente por sus tres
terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β

III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

A. Realice los cálculos empleando el

simulador ORCAD / Pspice o similar. Fig. Calculo de la impedancia de entrada y salida
Ajuste la tensión y frecuencia a los
valores de la experiencia, use valores Impedancia de entrada : 831.06Ω
comerciales de condensador y
Impedancia de salida: 429.47Ω
resistencia.
D. Determine la relación de corriente y
voltaje en la salida vs la entrada.

Fig. 1 Usando el simulador PROTEUS para el

circuito 1.
Fig 2. Relacion de corriente y voltaje de entrada
B. Obtenga el gráfico de respuesta en y salida.
frecuencia para los circuitos: base
común, emisor común y colector común 𝐼𝑖𝑛 39.5µ𝐴
indicando la ganancia de tensión vs = = 0.0034
𝐼𝑜𝑢𝑡 11.6𝑚𝐴
frecuencia, usando la escala 𝑉𝑖𝑛 0.83𝑉
semilogarítmica. = = 1.93
𝑉𝑜𝑢𝑡 0.43𝑉
Emisor común
E. Presente la forma de entrada y salida
del circuito.

Circuito 1: emisor común

C. Determine la impedancia de entrada y

salida a 1KHz.

Fig 3. Emisor común

 VI. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
A. Armar el circuito 1:

Entrada: color azul

Salida: color amarillo

Fig.2
IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS
B. Polarizar el dispositivo y medir 𝑉𝐶 y 𝑉𝐵 para
Se enuncia el data sheet de los componentes mas completar la siguiente tabla:
pronunciados:

𝑉3 (𝑉) 𝑉𝐶 (𝑉) 𝑉𝐵 (𝑉) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝐼𝐵 (µ𝐴) 𝐵𝐸𝑇𝐴

0 12 0.72µV 0.12µA 0 800
1 11.9 0.63 0.22 0.73 301.37
2 11.5 1.10 0.92 3.20 287.5
3 11.1 1.59 1.61 5.81 277.11
4 10.8 2.08 2.25 8.47 265.64
5 10.5 2.58 2.86 11.1 257.66
6 10.3 3.08 3.42 13.8 247.83
7 10.1 3.59 3.95 16.5 239.40
8 9.90 4.09 4.45 19.2 231.77
9 9.76 4.60 4.92 21.9 224.66
10 9.63 5.10 5.37 24.6 218.29
11 9.54 5.61 5.81 27.4 212.04
12 9.45 6.11 6.13 30.1 203.65
13 9.38 6.62 6.33 32.8 192.99
14 9.34 7.13 6.49 35.5 182.82
15 9.30 7.63 6.61 38.1 173.49
Fig.4 Data sheet de BC548 16 9.25 8.14 6.72 40.8 164.71

C. A partir de esta tabla graficar la curva de

V. EQUIPOS Y MATERIALES transferencia de entrada a salida 𝑉𝐶 vs 𝑉3 Si
es necesario, tomar medidas de puntos
Los materiales a utilizar en el laboratorio son: intermedios.
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
 01 protoboard Vc vs V3
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W 15
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores
 01 multímetro 10
Vc (V)

 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;180KΩ;
3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,510KΩ;2KΩ de 5
1W
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
0.5W 0
 01 Generador de funciones 0 5 10 15 20
 02 transistores BJT iguales BC548A V3 (V)
 02 Diodos LED Fig. 5 Transferencia de entrada a salida
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
 01 amperímetro analógico
D. Graficar la curva de transferencia de Indicar la zona de operación
corrientes ( 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 ) y el beta de las mismas correspondiente
(BETA vs 𝐼𝐶 ).

Ic (mA) vs Ib (µA)
8

6
Ic (mA)

4
H. Graficar en un mismo plano las diferentes
2 rectas de carga, a colores, indicando las
zonas de operación. Adjuntar las datasheet
0 con los datos de los transistores utilizados.
0 20 40 60
Ib (µA)
I. Armar el circuito de la figura 2, conectar los
Fig. 6 corriente colector vs corriente de base diodos LED en serie con las resistencias R1
y R2, colocar en V3 una fuente DC y
reemplazar R1 por un potenciómetro.

J. Para determinar la región activa varíe el

1000
beta vs Ic(mA) voltaje de entrada V3 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma que
800 pueda determinar el intervalo de voltaje
(V(min) < V3 < V(max)) que mantiene al
600
beta

transistor operando en la región activa.

400
K. Para determinar cuando el transistor está en
200 corte o está en saturación, aumentar de 1v
0 en 1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar
0 5 10 15 20 un cambio en V0. Luego repetir el
Ic (mA) procedimiento disminuyendo V(min) de V3
Fig. 7 Beta vs corriente colector desde el último valor de v, hasta cero.

En la simulación determinar la resistencia

E. Armar el circuito de la siguiente figura. R1 que facilite el corte y saturación de
manera más rápida y usar ese valor en la
práctica de laboratorio.

L. Tomar datos y completar la siguiente tabla.

Fig. 8

F. Medir las tensiones 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 y 𝑉𝐵 para trazar

la recta de carga del circuito, variando 𝑅3 .

𝑹𝟑 56K 47K 22K 15K 3.3K

𝑉𝐵 (𝑉) 5.94 5.52 3.66 2.82 0.79
𝑉𝐶 (𝑉) 6.80 7.21 9.05 9.88 11.8
𝑉𝐸 (𝑉) 5.22 4.81 2.96 2.12 0.16
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 5.20 4.76 2.95 2.12 0.16
𝐼𝐵 (µ𝐴) 22.7 20.4 11.3 7.73 0.55

G. Determinar las corrientes y graficar la recta

de carga en el plano 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 del transistor.
 VII. SIMULACIÓN
D. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =
En la simulacion hice un intercambio llamé a
15𝐾.
𝑹𝟔 por 𝑹𝟑

A. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =

56𝐾.

E. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =

3.3𝐾.

B. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =

47𝐾.

VIII. BIBLIOGRAFÍA

C. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 = [1] https://www.ecured.cu/Transistor_Bipolar

22𝐾. [2] El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed.

Addison-Wesley Iberoamericana, 2ª
edición, 1994
[3] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.
Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª
edición, 1992
[4] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.
Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª
edición, 1992
[5] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.
Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª
edición, 1992