MESFET significa de metal-semiconductor de efecto de campo transistor.

Es muy similar a un JFET en la construcción y terminología. La diferencia es que en

lugar de utilizar una unión pn para una puerta, se utiliza un Schottky (metal-
semiconductor) de unión. MESFETs generalmente se construyen en las tecnologías de
semiconductores compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de la
superficie, tales como GaAs, InP o SiC, y son más rápidos pero más caro que JFET o
MOSFETs basados en silicio. MESFET de producción son operados hasta
aproximadamente 45 GHz, y se utilizan comúnmente para las comunicaciones de
frecuencia de microondas y radar.
Los primeros MESFETs se desarrollaron en 1966, y un año después su rendimiento
microondas extremadamente alta frecuencia se demostró. Desde una perspectiva de
diseño de circuitos digitales, cada vez es más difícil de usar MESFET como base para
circuitos integrados digitales como la escala de integración sube, en comparación con
la fabricación a base de silicio CMOS.
MESFETs totalmente integrados han demostrado para trabajar en múltiples procesos
comerciales CMOS de silicio sobre aislante (SOS) y silicio sobre zafiro (SOI) sin
cambiar un paso en el flujo del proceso. Las características únicas del MESFET
incluyendo el funcionamiento en modo de agotamiento, avería tensiones superiores a
50 V, y fácil de ajustar, pero voltajes de umbral bien controlados han dado a los
diseñadores de manera gratuita lograr ciertas soluciones de diseño de circuitos que
anteriormente eran ineficientes en cuanto a costo o difícil de implementar en sus
respectivos procesos.
Estructura
Como el nombre del MESFET indica, tiene un contacto de metal directamente sobre el
silicio, y esto forma una unión de barrera diodo Schottky.
El material que se utiliza puede ser de silicio u otras formas de semiconductor. Sin
embargo, el material que se utiliza más ampliamente es GaAs arseniuro de galio.
Arseniuro de galio es normalmente elegido debido a la movilidad de electrones muy
superiores que establece que permite un funcionamiento de alta frecuencia superior a
lograrse.
El sustrato para el dispositivo semiconductor está semi-aislante para baja capacitancia
parásita, y luego la capa activa se deposita epitaxial. El canal resultante es típicamente
menos de 0,2 micras de espesor.
El perfil de dopaje es normalmente no uniforme en una dirección perpendicular a la
puerta. Esto lo convierte en un dispositivo que tiene una buena linealidad y bajo en
ruido. La mayoría de los dispositivos son requeridos para operaciónes de alta
velocidad, y por lo tanto un canal n se utiliza porque los electrones tienen una movilidad
mucho mayor que los agujeros que estarían presentes en un canal p.
Los contactos de puerta se pueden hacer de una variedad de materiales incluyendo
aluminio, una estructura en capas de titanio, platino y oro, en sí platino o tungsteno.
Estos proporcionan una elevada altura de la barrera y esto a su vez reduce la corriente
de fuga. Esto es particularmente importante para los dispositivos en modo de
enriquecimiento que requieren una unión de polarización directa.
La longitud de la puerta a la proporción de la profundidad es un importante ya que esto
determina un número de los parámetros de rendimiento. Normalmente se mantiene en
alrededor de cuatro ya que hay un compromiso entre parásitos, la velocidad, y los
efectos de canal corto.
Las regiones de fuente y drenaje están formados por implantación de iones. Los
contactos de drenaje para MESFETs GaAs son normalmente AuGe - una aleación de
oro-germanio.
Operación
-Modo de Empobrecimiento: Si la región de agotamiento no se extiende todo el camino
hasta el sustrato de tipo p, el MESFET es un MESFET modo de empobrecimiento. Un
MESFET en modo de empobrecimiento es conductor o "ON" cuando no se aplica
voltaje de puerta a fuente y está en posición "OFF" en la aplicación de una tensión
negativa de puerta a fuente, lo que aumenta la anchura de la región de agotamiento tal
que se "pellizca" el canal.
-Modo de Enriquecimiento: La región de agotamiento es lo suficientemente amplia
como para evitar el paso de la canal sin tensión aplicada. Por tanto, el MESFET-modo
de enriquecimiento es, naturalmente "OFF". Cuando se aplica una tensión positiva
entre la puerta y la fuente, la región de agotamiento se contrae, y el canal se vuelve
conductor. Desafortunadamente, un voltaje positivo de puerta a fuente pone el diodo
Schottky en polarización directa, donde una gran corriente puede fluir.
Aplicaciones
-Comunicación militar
-Optoelectrónica Comercial
-Las comunicaciones por satélite.
-Como amplificador de potencia para la etapa de salida de enlaces de microondas.
-Como oscilador de potencia.
Se utilizan en muchas aplicaciones de amplificadores de RF. La tecnología de
semiconductores MESFET proporciona alta movilidad de electrones, y además de esto
el substrato semi-aislante existen niveles más bajos de capacitancia parásita. Esta
combinación hace que el MESFET sea ideal como un amplificador de RF. Es así que
se pueden usar como amplificadores de potencia de microondas, amplificadores de
bajo nivel de ruido de RF en alta frecuencia, osciladores, y derivaciones.
El FET de GaAs / MESFET tiene una serie de diferencias y ventajas en comparación
con transistores bipolares. El MESFET tiene una entrada mucho más alto como
resultado de la unión del diodo no conductor. Además de esto también tiene un co-
eficiente de temperatura negativa que inhibe algunos de los problemas térmicos
experimentados con otros transistores.
Cuando se compara con el MOSFET de silicio más común, el GaAs Fet o MESFET no
tiene los problemas asociados con las trampas de óxido. También un MESFET tiene
mejor control de la longitud de canal de un JFET. La razón de esto es que el JFET
requiere un proceso de difusión para crear la puerta y este proceso está lejos de ser
bien definido. Las geometrías más exactas de un MESFET proporcionan un producto
mucho mejor y más repetible, y esto permite muy pequeñas geometrías adecuadas a
frecuencias de microondas de RF para atendidos.

-Lepkowski, W.; Wilk, S.J.; Thornton, T.J., "45 GHz silicon MESFETs on a 0.15 µm SOI
CMOS process," in SOI Conference, 2009 IEEE International, vol., no., pp.1-2, 5-8 Oct.
2009 doi: 10.1109/SOI.2009.5318754. URL:
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5318754&isnumber=531872
8
-http://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/fet-field-effect-transistor/gaasfet-
mesfet-basics.php
-https://en.wikipedia.org/wiki/MESFET