Scribd Logo
Загрузить

Добро пожаловать в Scribd!

  • Jonctiunea PN PDF

    Загружено:

    MihaiBarbu
    10 просмотров8 страниц

    Оригинальное название

    Jonctiunea PN.pdf

    Авторское право

    © © All Rights Reserved

    Доступные форматы

    PDF или читайте онлайн в Scribd

    Этот документ был вам полезен?

    Это неприемлемый материал?

    Пожаловаться на этот документ

    Авторское право:

    © All Rights Reserved
    Скачайте в формате PDF или читайте онлайн в Scribd
    Отметить как неприемлемый контент
    10 просмотров8 страниц

    Jonctiunea PN PDF

    Загружено:

    MihaiBarbu

    Авторское право:

    © All Rights Reserved
    Скачайте в формате PDF или читайте онлайн в Scribd
    Отметить как неприемлемый контент
    из 8
    Jonetiunea pn Capitolul 3 JONCTIUNEA pn Jonctiunea pn este o structuré semiconductoare care prezinta dowd zone invecinate, cu tipuri diferite de conductibilitate, p respectiv n. Linia de P a demareatie dintre cele doud zone se numeste jonctiune metalurgica. Diodele semiconductoare contin o jonctiune semiconductoare. Fig. 3.1. Jonetiunea pn, 3.1, Jonetiunea pm la echilibru termic Regiunea de trecere ~ sediu al conducti ectrice unidirectional Conductia unidirectionala a jonctiunii pn este asigurata de existenta unui emp electric intern, orientat de la zona n la zona p. Acest cmp este localizat into regiune foarte ingusta, situata de o parte si de alta a jonctiunii metalurgice, numiti zond de trecere sau regiune de barierd. Pentru analiza jonctiunii pn se considera: - model unidimensional (pe axa x); - concentratii constante de impuritai, Nq in zona p si No in zona n (profil abrupt); = jonetiune simetrica, Nq = No. ‘Notatiile folosite pentru concentratiile de impuritafi sunt urmatoarele: yo ~ concentratia de goluri, in zona p, la echilibru termic; ‘nyo — concentratia de eleetroni, in zona p, la echilibru termic; Pao — concentratia de goluri, in zona n, la echilibru termic; ‘Nyy — concentratia de electroni, in zona n, la echilibru termic; Sa presupunem c& nu exist cdmp electric intern, Rezulta Po =N4 pentrux <0; pentru x <0, Rezulta cA, la x = 0 gradientul concentratiei de purtitori este infinit, att pentru goluri, cét si pentru electroni. Ca urmare, conform celor prezentate in sectiunea 2.2.2, rezulta o distributie instabila a purtatorilor de sarcind, ceea ce face ca golurile sa difuzeze din zona p in zona n (apare un curent de difuzie de goluri), iar electronii sa difuzeze din zona n in zona p (curent de difuzie de electroni). Din cauza transportului de sarcina electric mobila (electroni si goluri), in jurul jonctiunii metalurgice apare o zona de sarcina spatial, negativa {in zona p si pozitiva in zona n. Existenta acestei distributii de sarcing spatiali determing aparitia unui camp electric intern, orientat de la n la p. Acest cmp se opune tendintei de difuzie din jurul jonctiunii metalurgice. La echilibru, curentii de cémp sunt egali cu cei de difuzie, Astfel, curentul prin jonetiune este nul, fird sa se anuleze curentii de difuzie si de cmp, Dispozitive electronice Fig. 3.2. Modelul electronic al jonctiunii pn; a) variatia concentratiei de clectroni si goluri la scari logaritmict b) variatia concentratiei de electroni si goluri la scara liniard; c) variatia densitaii de sarcina; 4) variatia cmpului electric; e) variatia potentialulu Notatii folosite in fig. 3.2; 1, Po concentrafii de electroni, respectiv de goluri la echilibru termic; Pwo — densitate de sarcina; E - cmp electric intern; uup— potential. Jonetiunea pn Jonctiunea fiind la echilibru termic, se poate serie relatia: Po(x)-mo(2) Din reprezentarea la scara liniara se observa cl, im zona (regiunea) de trecere sau de barieri (2 (-Lyoslm) ), oncentratia de purtitori mobil de sarcina este foarte mici, Densitatea de sarcina este: Poo = (p+ Np -N4)-q Tinand cont de difuzia purtatorilor mobili de sarcina din jurul jonctiunii metalurgice, pro se poate explicita ast 0 X<-ty -g-Ny ly

    Вам также может понравиться