INFORME PREVIO

CARACTERISTICA CUADRATICA

1. OBJETIVO:

El estudio de circuitos de característica cuadrática, teóricamente mediante el diseño y

simulación de sus componentes, y experimentalmente a través de procedimientos para
obtener la frecuencia de resonancia, ancho de banda y características de la bobina.

2. FUNDAMENTO TEORICO:

Amplificador sintonizado de característica cuadrática ideal

El amplificador sintonizado a ser considerado primero usa un modelo de transistor

idealizado como el de la figura 2.1 con una característica de entrada lineal por partes. Se
parece a un FET con punto de ruptura en el voltaje umbral Vp, y donde las capacitancias de
entrada, salida y de realimentación son ignoradas. El circuito de amplificador es mostrado en
la figura 2.2. En el lado de entrada, el transistor no presenta carga a las fuentes de voltaje de
excitación y polarización, Vg1coswt y Vg0 respectivamente. Se supone que el transistor esta
polarizado y excitado de modo que ni se satura ni se invierte. La suposición simplifica el
modelo del transistor considerablemente, ya que se requiere que la salida permanezca dentro
de la región 0  Vds  Vd max, 0  Id  Id max. En el lado de salida del amplificador, la bobina de
choque de RF LCHK separa la corriente de drenaje Id en el componente DC Id0, el cual viene de la
batería, y los componentes armónicos, los cuales fluyen a través del capacitor de acoplo Ccpl.
La sintonización de L y C a la frecuencia de operación 0 cortocircuita todas menos la
componente fundamental de corriente, la cual queda como la única para excitar la carga.
Consecuentemente, el voltaje de drenaje Vds es dominado por la componente de frecuencia
fundamental además de su valor DC. En situaciones estacionarias no puede haber un voltaje
DC a través de la bobina de choque LCHK, de esta forma el amplificador tiene una componente
DC de Vds que es igual al voltaje VDD de la batería. Debe notarse que la polarización a través de
un conductor implica un voltaje de drenajes, el cual oscila simétricamente arriba y abajo del
voltaje de la batería.

Figura 1. Modelo simplificado de gran señal de un FET. El transistor es polarizado y excitado para
permanecer dentro del área de c donde 0  Vds  Vd max, 0  Id  Id max.
Figura 2. Amplificador sintonizado de característica idealizada en la figura 1. La sintonización en paralelo
cortocircuita al segundo armónico y superiores de la corriente de drenaje.

Eligiendo el tiempo de origen provee formas de onda simétricas de corriente de

drenaje y voltaje drenador-fuente, la expansión de Fourier mantiene sólo términos de coseno.
Se expresan como:

I d  I d 0  I d 1 cos 0t  I d 2 cos 20t  I d 3 cos 30t  ...

Vd  Vd 0  Vd 1 cos 0t  Vd 2 cos 20t  Vd 3 cos 30t  ... … (1)
 Vd 0  Vd 1 cos 0t (sintonizacion en paralelo)

Los componentes de frecuencia fundamental de la corriente y el voltaje están 180°

fuera de fase, lo cual es la razón para la convención de signos en la expansión de voltaje. La
última expresión de voltaje simplificada incluye la sintonización en paralelo y la suposición de
mantener el voltaje drenador-fuente en el rango 0<VdsVdmax. Las potencias de salida del
amplificador y de la correspondiente batería expresadas por los coeficientes de Fourier son:

I d 1 Vd 1 1
Pout   I d 1Vd 1
2 2 2 … (2)
Pbat  I d 0Vd 0

La eficiencia  es definida como la razón de la potencia de salida entre la potencia de

la batería:

Pout 1 I d 1 Vd 1
  … (3)
Pbat 2 I d 0 Vd 0

La potencia de batería transferida a la carga es perdida en el transistor. Se expresa

como:

Ptrans  Pbat  Pout  1   Pbat … (4)

 Figura 3. Excitación y carga del amplificador hasta la máxima potencia de salida en operación lineal
llamada clase A. Parte b) y d) son características del transistor de la figura 2.

En las amplificaciones lineales tradicionales, ambos voltaje y corriente de drenaje son

sinusoidales y proporcionales al voltaje sinusoidal de excitación de compuerta Vg1.
Permaneciendo en la región 0 < Vds, 0 < Id, las amplitudes de corriente y voltaje sinusoidales
deben ser menor o igual los correspondientes valores DC, es decir Vd1  Vd0 e Id1  Id0. La
igualdad en ambas condiciones implica eficiencia máxima de acuerdo con la ecuación (4). Para
obtener máxima potencia de salida del transistor, debe ser excitado hasta sus límites de
voltaje y corriente máximos como las condiciones en la figura 2.3. La amplitud de polarización
Vg0 y de excitación Vg1 de entrada son elegidas en (a) y (b) para permitir al voltaje de entrada
variar en el rango de entrada donde el transistor es activo, comenzando desde el voltaje
umbral Vp y yendo hasta el voltaje que provee la máxima corriente de drenaje. Si el transistor
es especificado por los parámetros Vp, Gm, Id max y Vdmax, el voltaje de polarización y excitación
de entrada se convierte en:

Vg 0  Vg1  Vp 
 I d max I d max
I d max   Vg1  , Vg 0  Vp  … (5)
Vg 0  Vg1  Vp  2Gm 2Gm
Gm  

Según esto, la corriente DC de drenaje se convierte en la mitad de la corriente máxima

Id max y la corriente de drenaje permanece sinusoidal con amplitud igual al valor DC, Id1 = Id0,
como se indica en (c) de la figura. Para obtener máximo voltaje de salida de excursión, (d) y (e)
muestran que el voltaje de la batería y la resistencia de carga deben ser elegidos según:

Vd max Vd max
Vd 0  Vbat  , RL  … (6)
2 I d max

La eficiencia y la potencia de salida correspondiente a estas selecciones son:

 I d max Vd max I d maxVd max I d maxVd max
Pout , A max   , Pbat , A max  Prat 
2 2 2 2 8 4
… (7)
1
 A max 
2
La “A” en el subíndice se refiere a la convención común de llamar a un amplificador de
potencia excitado linealmente como amplificador clase A. Como se ve, su eficiencia máxima es
50%, de modo que la mitad de la potencia de la batería se pierde por el calentamiento del
transistor. En situaciones prácticas debe verificarse que el transistor puede soportar el
calentamiento. Este es asumido bajo y la potencia relacionada con los ratings del transistor
Prat=¼VdmaxIdmax –el cual es igual a Pbat,Amax– es usado como una referencia de normalización
para las potencias.

Amplificador sintonizado en paralelo con FET de ley cuadrática

Los detalles de cómo la potencia y eficiencia del amplificador depende del ángulo de
conducción son gobernados por la forma de los pulsos de corriente a través de los transistores.
Son de nuevo determinados por las características de excitación del dispositivo. Las
características lineales por tramos en el amplificador de abajo es una razonable primera
aproximación al FET de potencia.

Figura 4. Modelo simplificado de ley cuadrática en gran señal de un JFET. El transistor es polarizado y
excitado para permanecer en el área de (c) donde 0  Vds  Vd max, 0  Id  Id max.

Sin embargo, el FET de unión uniformemente dopado, que es presentado en la

mayoría de libros de texto ejemplificando a toda la familia de transistores FET, tiene una
característica de excitación de ley cuadrática como se indica en la figura 2.4.b, donde Vp es el
voltaje de estrangulamiento. Para hacer comparaciones, se desarrollan los correspondientes
valores promedios y componentes armónicos, introduciendo el ángulo de conducción como
una medición para el periodo donde el transistor conduce corriente. Expresada en la variable
neutral de la figura 2.5. obtenemos:

 X p  X0  X  X0 
X p  X 0  X1 : cos  ó   2 cos 1  p 
2 X1  X1 
 2 
2
 … (8)
c  X 1 cos t  X 0  X k   cX 1  cos t  cos  , t  2 p 
2

y (t )    2 2
0, p  ...  1, 0,1, 2...
 otros casos
 Valores promedio y componentes armónicos son entonces evaluados a través de:

/2 2
cX 12   cX 12   3  
y0    cos t  cos  dt 
2  / 2  2
  sin   cos  
 2 4 4 
/2 2
cX 12   cX 12  3  1 3 
y1    cos t  cos  cos tdt 
  / 2  2  2
 sin  sin   cos 
2 6 2 2
/2 2
cX 2   cX 2   1 1 
y2  1   cos t  cos  cos2tdt  1   sin   sin 2 
  / 2  2  4 3 24  … (9)
2 /2 2
cX  
yn    cos t  cos  cos ntdt
1

  / 2  2
 n n (n  1) 
 (4  n 2 )sin  (n  1)(n  2)sin cos   3n sin
2 
2cX  2 2 2 
 1

 n(n 2  1)(n 2  4)
donde n>2

Figura 5. Excitación sinusoidal de una característica de ley cuadrática.

Los coeficientes de Fourier dados en la tabla I, donde están normalizados con respecto
al valor pico de los pulsos. En el caso de ley cuadrática es dado por:


2

y p  cX 1  cos 
1
2
… (10)
 2
 Tabla I

La tabla muestra:

y0/yp valor promedio normalizado (DC),

y1/yp componente de frecuencia fundamental normalizada,
y2/yp segundo armónico normalizado, y
y3/yp tercer armónico normalizado.

de y(t) como función del ángulo de conducción . Las normalizaciones son tomadas con
respecto al valor pico yp.
Figura 6. Valores promedios y componentes armónicos normalizados para un tren de pulsos desde una
característica de ley cuadrática excitada sinusoidalmente. Todos los componentes armónicos se vuelven
el doble del valor promedio en el límite del impulso 0.

Además de las entradas de tabla, la figura 2.6 muestra los componentes armónicos y el
valor promedio. La razón de dos entre los componentes armónicos y el valor promedio es aún
observado en ángulos de conducción pequeños. En contraste a los casos previos, un ángulo de
conducción de 360° aún implica operaciones no lineales como las vistas en la presencia de un
segundo componente armónico. Sin embargo, no hay componentes armónicos de órdenes
mayores a dos como una consecuencia de la característica de ley cuadrática.

Figura 7. Curvas del amplificador de ley cuadrática sintonizado en paralelo mostrando eficiencia ,
potencias de batería, de salida y del transistor. Las curvas de potencia están normalizadas con respecto
a los ratings en Prat.

Con un dispositivo de ley cuadrática, la eficiencia y las potencias normalizadas de

batería, de salida y del transistor tienen las formas de la figura 2.7.
3. CUESTIONARIO:

1. Diseñar la red de polarización del gate determinando los valores de RB y CB, tal
que CB se cargue al valor pico de v1(t) (frecuencia del generador = 1 MHz)

Figura A. Circuito para determinar la característica cuadrática.

Sea la entrada es:

v1 (t )  V1 cos 0t

Donde f0 = 1 MHz.

Para que se produzca el enclavamiento del FET:

2
RBCB T  VDC  V1
0

Por lo tanto para que el condensador CB se cargue al valor pico de v1(t):

1
RBCB 6
 106 s
10 Hz

Además el valor de RB debe ser grande:

RB  1 M
 Entonces, el valor de CB debe ser:

CB 1012 F=1pF

Elegimos un valor de 100 veces:

CB  100pF

2. Determinar una expresión general v0(t). Asumir datos de la bobina, QT alto y datos
del FET.

iL
iD 1: n


 V1 
v GS

Figura B. Circuito equivalente en AC.

Se sabe que v0(t) depende de la relación entre V1 y VP. Esta relación podemos
resumirla en tres casos.

I) V1 < VP /2 (trabajando en la zona cuadrática)

vGS  v1 (t )  VDC  V1 cos wot  VDC  V1 cos wot  V1
vGS  V1 (cos wot  1)
2 2
 v   V (cos wot  1) 
iD  I DSS 1  GS   I DSS 1  1 
 VP   VP 

I DSS
ID  VP  V1  V1 cos wo t 
2
2
VP
I DSS 
2  P
ID  V  V1   2 VP  V1 V1 cos wo t  V1 cos 2 wo t 
2 2

VP 

I DSS  
2
V1
ID          (1  cos 2wo t ) 
2
2 
VP V1 2 VP V1 V1 cos wo t
VP  2 
I DSS  
2 2
V1 V1
2  P 1  P 1 1
ID      
2
V V 2 V V V cos wo t cos 2wo t 
VP  2 2 
I D  I o  I1 cos wo t  I 2 cos 2wo t
 Debido a la selectividad del tanque, basta la componente fundamental:

Vp  V1 V1
2 I DSS
I1 
V p2

I' I N1
 1  I'  I1
N1 N 3 N3
N1
vo (t )   I1  RL cos wo t
N3

N1  2 I DSS 
2  P
vo (t )   V  V1 V1  RL cos wo t
N 3  VP 

II) V1 = VP/2 (trabajo en el límite de la zona cuadrática).

Según el análisis de la parte I: VP - V1 = V1

2 I DSS 2 I DSS VP VP I DSS

I1  2
(V1 )V1  2
  
VP VP 2 2 2
N1
vo (t )   I1  RL cos wo t
N3

N1 I 
vo (t )    DSS   RL cos wo t
N3  2 

III) V1 > VP/2 (trabajo fuera de la zona cuadrática).

 V  V 
  cos1  P 1 
 V1 

El tanque es selectivo (pasa sólo la componente fundamental):


In
iD  I P  cos wo t  I o  I1 cos wo t  I 2 cos 2wo t  ...
n 0 I P
 Donde :
 3  
I o 1    4 sin 2  2 cos 2 
  
IP   1  cos  
2

 
  sin 2 sin 4 
 
I2 2  4 6 48 
  
IP   1  Cos 
2

 
I1 2   4  n  sin n   n  1 n  2  sin n cos n  3n sin  n  2   
2

  
IP  
 n  n 2
 1 n 2
 4  1  cos  
2



El tanque es selectivo (pasa sólo la componente fundamental).

N
vo (t )  1 I1 RL cos wo t ; I P  I DSS
N3

 3 1 
N  2I  4 sin   12 sin 3   cos  
vo (t )  1  DSS    RL cos wo t
N3    1  cos   
  

3. Especificar los métodos para determinar los parámetros del FET(uno para
determinar experimentalmente VP y el otro para IDSS). Explicar en forma clara y
concisa.
El procedimiento experimental es resumido a continuación.

a) Determinación de IDSS.-

I DSS

 VGS


Figura C. Circuito para determinar IDSS experimentalmente.

Síntesis del procedimiento:

i. Cortocircuito entre compuerta y fase: VGS = 0.

ii. Aumentar VDD desde cero a valores positivos, cuidando de no sobrepasar el
voltaje de ruptura V(BR)GSS, hasta que ID alcance su nivel de saturación, esto
es IDSS.

Resultados:

Vmeter VGS  0
I DSS 
RD

b) Determinación de Vp.-

I DSS  0

 VGS


Figura D. Circuito para determinar IDSS experimentalmente.

Síntesis del procedimiento:

i. Alimentar el circuito con VDD = 15V.

ii. Variar Vgg_var desde cero a valores negativos hasta que el voltaje del
multímetro se haga cero (Vmeter = 0), esto es IDSS = 0.

Resultados:

V p  VGS I D 0
.
4. SIMULACION DEL CIRCUITO:

La simulación se hizo en Electronics Workbench 5.12, para lo cual se dibujó el siguiente

circuito:

Figura A.1. Circuito de característica cuadrática.

Los datos de la bobina roja son:

n = 3.2

Lp = 350H

Y teniendo en cuenta que el transformador usado es:

Figura A.2. Modelo de Transformador en Electronics Workbench.

Luego editamos los parámetros del transformador (en este caso n = 1/3.2 y
Lp=Lm=350H):
 Figura A.3. Parámetros del Transformador en Electronics Workbench.

Luego usamos el generador de función para alimentar el circuito con una señal
sinusoidal de 1V a 1MHz. La fuente +Vdd es de +15V. Luego tenemos el siguiente resultado en
el osciloscopio:

Figura A.4. Simulación del circuito para V1 = 1V.