單元20 振盪器電路 20-1

單元二十 振盪器電路
一. 相關原理
回授就是從輸出端取一部份的信號送回輸入端，又稱反饋，如圖20-1，輸出信號V O
與輸入信號V i 之比值A f 稱為閉迴路增益，未加回授迴路前之增益A稱為開迴路增益。

+ Xo=AXi
Xi
Vi

 Vo

Xf=AXi 

圖20-1 基本回授網路

Vo Xi AXi 
Af     ( 20-1 )
Vi Xi  X f Xi  AXi 1  
A
上 式 中 ， 若 Af  則 為 負 回 授 ， 會 使 閉 迴 路 增 益 Af 下 降 ， 穩 定 電 路 ， 若
1  A
A
Af  則為正回授，會使閉迴路增益A f 上升，產生振盪。因此用OP Amp.做振盪
1  A
A
器，必使正回授量大於負回授量，才會產生振盪。因 A f  ，假設A1，此時
1  A
1
A f  ，而  的值是由回授網路內的元件，如電阻、電容所組成的，故可經由調整回授

網路內的元件值，而取得精準的放大率，藉以此調制振盪波形振幅的大小。
由上述可知一回授，網路持續振盪的條件為：
(1) 輸入信號與由回授網路得到的回授信號，兩者相位差為0度或360度，使成為正回授。
A
(2) 因 A f  ，1  A  1 為振盪條件，但又可分為三種情況：
1  A
1. A=1，此時振盪稱為臨界振盪，會有振盪產生，但如沒有接著加入激勵信號或提
高增益，將無法持續振盪。
2. 1＞A＞0時，會產生振盪，但其振幅會逐漸下降，最後停止振盪。
3. 1＜A時，此時閉迴路增益( A f )增加，會使得振幅愈來愈大，此時須控制回授因
數，使A趨近於1，產生穩定振盪。
(3) 實際電路中，調整迴路增益A約1.05，其振幅可用電晶體、稽納二極體來限制。
圖20-1中回授訊號X f 等於：X f =AXi，而要產生振盪，則A=1，故X f =Xi，即輸入訊號
等 於 回 授 訊 號 ， 而 相 位 差 為 零 度 或 360 度 ， 亦 即 ： A  10 ， 此 為 巴 克 豪 生 準 則
( Barkhausen Criterion ) 。弦波振盪器，均以電阻電容組成回授網路，通常放大器透過
RC網路產生相位移，且經由回授網路檔成正回授，以產生振盪。一般較常見低頻振盪器
有RC相移、韋恩電橋、T型振盪器等；高頻振盪器則有考畢滋、哈特箂振盪器。以下就
這些振盪器分別討論並實驗之。
 單元20 振盪器電路 20-2

實習 20-1 ： RC移相振盪器
一. 相關原理
RC 移 相 振 盪 器 可 分 為 兩 種 ： (1). 相 位 領 先 移 相 振 盪 器 ( Phase lead phase shift
oscillator )。(2). 相位落後移相振盪器( Phase lag phase shiftoscillator )。圖20-2所示為基
本的相位領先移相衰減網路，利用基本的網目電流法( Mesh-current method )解此電路，
即可求得Vo與Vi的關係式為：
R 3 Vi
VO  ( 20-2 )
R 3  5RX C 2  j(6R 2 X C  X C 3 )
根據巴克豪生準則( Barkhausen criterion)，電路要振盪，其條件應為：
(1). 環路總相位應為0°或360°，即正回授。
(2). 整個環路增益βＡ≧1。
故於圖20-3之RC移相振盪器中，已知運算放大器電路為反相放大，即在A端的輸入信號
成反相的輸出信號出現在B端，則由電壓B至電壓A間，應有180°的相位移，如此才能使
環路總相位為0°或360°。故(20-2)式中，分母之虛數部分應為零，始可能使Vo與Vi差
0 o ( 實部為正 )或180 o ( 實部為負 )，即
6R 2 X C  X C 3  0
1
因X C =1/C0，故6R 2 -X C 2 =0，取根號後則： 6R  X C  ，故得
2fC
1
f ( 20-3 )
2RC 6
C C C

Vi R R R Vo

圖20-2 基本相位領先移相衰減網路
1 R 3 Vi
將頻率代回(20-2)式得： VO  Vi 
R  5R  6R 29 3 2

圖20-3中RC衰減網路最後一級的電阻，因OP Amp.虛擬接地之故，可用OP Amp.之

輸入端電阻來代替，其輸入阻抗可表示為：
V
R i  A  R1
I1
故在圖20-3中，只要選取R 1 =R，則A點即可視為圖20-2中移相輸出端Vo，B點即為Vi，
OP Amp.為開迴路放大器，適當調整R 2 ( R 2 29R 1 )，可使βA≧1，則B端即可得到不失
真的正弦波。
 單元20 振盪器電路 20-3

由於RC移相網路因回授之故，將成為OP Amp.之輸入阻抗，為使RC移相衰減網路與
放大器隔絕，以防由於回授而在放大器輸入端造成負載效應，如圖20-4使用OP Amp. A1
隨耦器作為阻抗轉換器，則移相功能更趨理想，只需調整R 2 略大於29R 1 ，則電路即能振
盪。
將圖20-2移相衰減網路電阻﹑電容對調，即成相位落後網路，可得振盪頻率f為：
6
f ( 20-4 )
2RC
此時得衰減移相網路的輸出電壓： VO  1 29 Vi ，輸出電壓為輸入的1/29，且反相，故只
需設計反相放大器的回授電阻R 2 大於R 1 的29以上，則整個電路即可產生正弦波輸出，如
圖20-5所示。
Rx =R2>29R1

+V=+15V

R1
A 2 7 C C C
6
3 uA741
I1 B
4

-V=-15V R
Ri R

圖20-3 基本的RC移相振盪器電路
為防止移相衰減網路對反相放大器造成回授的負載效應，亦可加以改良如圖20-6所示。
R2

+V=+15V
+V=+15V
2 7 R1
6 2 7 C C C
3 A1 6
A 3 A2
4 B
4

-V=-15V R R R
-V=-15V

A1 ， A2 ： OP Amp. uA741

圖20-4 改良型RC相位領先移相振盪器
 單元20 振盪器電路 20-4

Rx =R2 ＞ 29R1

+V=+15V

R1 =R
R R R
uA741
VB
C C C
-V = -15V

圖20-5 相位滯後RC移相振盪電路
Rx =R2 >29R1

+V=+15V
+V=+15V
2 7 R1
6 2 7 R R R
A1
3 6
A2
3
4
4
-V=-15V C C C
-V=-15V

圖20-6 改良型RC相位滯後移相振盪器
二. 實習步驟

工作一：相位領先振盪器
(1) 如圖20-3接妥電路，選擇R=1 k﹑C=0.1uF，Rx為可變電阻100 k。
(2) 以示波器觀測B點電壓V B 的波形( DC檔 )，若V B 無波形或有失真時，則調整電阻
Rx，使V B 為不失真的穩定正弦波為止。
(3) 觀測輸出之峰值電壓及頻率，並比較理論上之振盪頻率，將結果記錄於表20-1中。
(4) 以三用表測Rx電阻，記錄於表20-1中。
(5) 改變R﹑C及Rx之零件，如表20-1所列，重覆(2)～(4)之步驟。
(6) 如圖20-4之接線，選擇R=1k，C=0.1uF，Rx=VR 100k。
(7) 重覆(2)～(5)之步驟，記錄於表20-2中，與表20-1作比較。

工作二：相位落後振盪器之測試
(1) 如圖20-5接妥電路，選擇R=1 k﹑C=0.1uF，Rx=VR 100k。
(2) 以示波器觀測B點電壓V B 的波形( DC檔 )，若V B 無波形或有失真時，則調整電阻
Rx，使V B 為不失真的穩定正弦波為止。
(3) 觀測輸出之峰值電壓及頻率，並比較理論上之振盪頻率，將結果記錄於表20-3中。
(4) 以三用表測Rx電阻，記錄於表20-3中。
(5) 改變R﹑C及Rx之零件，如表20-3所列，重覆(2)～(4)之步驟。
(6) 如圖20-6之接線，選擇R=1 k﹑C=0.1uF，Rx為可變電阻100k。
(7) 重覆步驟(2)～(5)之步驟，並將結果記錄於表20-4中，且與表20-3作一比較。
 單元20 振盪器電路 20-5

三. 結果數據

表20-1 基本的RC相位領先移相振盪器實驗結果

R C Rx 輸出峰值電壓 測試頻率 理論頻率 Rx值

1
1k 0.1uF 100k f   649.75 Hz
2RC 6
1
1k 0.01uF 100k f
2RC 6

表20-2 改良型RC相位領先移相振盪器實驗電路

R C Rx 輸出峰值電壓 測試頻率 理論頻率 Rx值

1
1k 0.1uF 100k f
2RC 6
1
1k 0.01uF 100k f
2RC 6

表20-3 基本型RC相位滯後移相振盪器實驗結果

R C Rx 輸出峰值電壓 測試頻率 理論頻率 Rx值

1k 0.1uF 100k f  3898.48 Hz

表20-4 改良型RC相位滯後移相振盪器實驗結果

R C Rx 輸出峰值電壓 測試頻率 理論頻率 Rx值

1k 0.1uF 100k 6

f 
2RC
 單元20 振盪器電路 20-6

實習 20-2 ：韋恩電橋振盪器 ( Wien Bridge Oscillator )

一. 相關知識
韋恩電橋振盪器是弦波振盪器中 最古老的一種，利用平衡電橋作為回授的振盪電
路，如圖20-7所示，圖中電路包括正、負回授網路，正回授網路由R 1 、C 1 、R 2 、C 2 所組
成，負回授則由R 3 、R 4 組成。回授放大電路構成弦波振盪器，必須符合三個條件：
(1) 電路之正回授 P 值需大於負回授 n 值。即：
A A A
Af    ，而  p   n  0
1  (  n   p )A 1  (  p   n )A 1  A
(2) 要有足夠的增益，不然只會產生一段振盪而己。
A A
(3) 符合巴克豪生準則，即迴路增益A=1，造成 A f     ，在沒有外加
1  A 1  1
訊號時仍然會有振盪輸出，且輸入與輸出相位差為0度或360度。
圖20-7中，正回授端：
1
R2 
jC2
1
R2 
jC2
V f  V1  VO ( 20-5 )
 1 
 R2  
1  jC2 
R1  
jC1  R  1 
 2 jC 
 2 

C1
R1 R3
+15V
V1 V2 
R2 - Vo
741
C2 +
R4 
-15V

圖20-7 基本的韋恩電橋振盪器
假 設 韋 恩 電 橋 處於平衡狀態，亦即 V 1 =V 2 ， 相位移為 0 O ，即虛數為0。令C 1 =C 2 =C、
R 1 =R 2 =R，由(20-5)式得
Vf 1
1  
Vo 1
3  j(R 1 R 2 C1C 2  )
R 1 R 2 C1C 2
1

1 ( 20-6 )
3  j(R 2 C 2  )
R 2 C 2
1
R 2 C 2 
   tan 1 R 2 C 2  0 ( 20-7 )
3
 單元20 振盪器電路 20-7

1
即 R 2 C 2   0  R 2 C 2  1 ，可得
R C
2 2

1
  2 2  O
R C
1
f  f0 ( 20-8 )
2R 2 C 2
1
將   2 2  代入(20-6)與(20-7)式中得到
R C
 0

1  0 
   tan ( 20-9 )
3
1
1  ( 20-10 )
  0
3  j  
0  
1 1
則  ，當達到諧振點時( =O )，  1  。根據(20-9)與(20-10)式，
  02 3
9    
0  

將 以數值0.1至10分別代入，可求出正回授  1 及相位之關係如圖20-8所示。
0
 
-73.14
0.5
60
 50
0.4 40
30
20
1/3 10
0.3 0
-10
-20
 -30
0.2
-40
-50
-60
0.1 -73.14
0.1 1 10
/o
圖20-8 韋恩電橋正回授臂回授因數與相位關係圖

同理，負回授
R4
 2  Vo 
R3  R4
R4
如電路要產生振盪，則需  1   2 ，故  1 3 ，由此可知在選擇R 3 ，R 4 電阻
R3  R4
時，R 3 的電阻值必需大於R 4 電阻值兩倍以上。增益A大於3時，因開迴路增益過大，而造
成輸出嚴重失真現象( 例如弦波因飽和而變成方波 )。故必須利用電阻自動平衡的方式來
控制負回授量，以穩定其輸出振幅。最常用的方法是R 3 使用負溫度係數的電阻，使振盪
建立後，增益增加，輸出振幅隨之增加，則熱敏電阻的負溫度係數使得R 3 電阻值減小，
提高負回授因素，使放大器增益降低而保持放大器一定的增益。
 單元20 振盪器電路 20-8

圖20-9是另一種維持振盪穩定的方法，一開始兩個稽納二極體均不導通，此時迴路
V Z2 R 1
增益因回授因數   f  ，且A  1  1 ，故 A  ，依巴克豪
Vo Z1  Z 2 R2  1 
3  j RC  
 RC 
1 1 R 
生準則，則需滿足   ，且  1  1   1 。
RC 3 R2 
Vz Vz R3=8.5R`

- ++ - R1=2.15R`

0.2R` 0.8R`
+15V
R2
-
741
+

-15V
VO

Z2 Z1

圖20-9 另一型式之韋恩電橋振盪器

1 R 
若取R 1 =2.15R`，R 2 =(0.2+0.8)R`， 1  1   105
.  1 將引起振盪，同時振幅逐漸擴
3 R2 
大 ， 直 到 振 幅 的 峰 值 超 過 稽 納 二 極 體 的 崩 潰 電 壓 Vz ， 當 達 到 此 電 壓 時 ， 會 使 得 R 1 與
(R 3 +0.8R`)電阻並聯，如選R 3 =8.5R`，則：
 2.95  8.5 
 
1 (2.15  0.8)  8.5 
A  1  4
3 0.2 
 
 
( 負回授上升 )使其閉迴路增益下降，並且將振幅限制於Vz上下。以上所討論的韋恩電橋
振盪器，由於輸出阻抗高，在連接低負荷電阻時須串接一電壓隨耦器( Voltage Follower )
作為緩衝級。
二. 實習步驟
(1) 按圖20-10電路接妥線路，選擇C 1 =C 2 =C，R 1 =R 2 =R，R 4 =R 5 =3.3k，R 3 為100k之
可變電阻，R、C之值按照表20-5依序改變。
(2) 將R 3 由零慢慢調整，以示波器看Vo端輸出，當Vo達到振盪且不失真時，量測其R 3
電阻值記錄於表20-5中。
(3) 繼續調整R 3 ，使V O 達到最大不失真弦波輸出，量測其R 3 電阻值並依示波器波形換算
頻率，記錄於表20-5中。
(4) 繼續加大R 3 電阻，觀察其輸出端變化，並記錄其開始失真之R 3 電阻值於表20-5中。
 單元20 振盪器電路 20-9

(5) 依最大不失真弦波輸出時之R 3 值計算理論之振盪頻率，與實測值作比較，並計算其

誤差於表20-5中。

C1 R5
R1 +15V
R3

V1 V2
-
R2 741 Vo
+
C2 R4

-15V

圖20-10 韋恩電橋振盪器實驗電路

三. 結果數據

表20-5 韋恩電橋振盪器實驗結果

開始振盪 最大不失真 開始失真 振盪頻率 振盪頻率 頻率誤差

C R R3 R3 R3 實測值 理論值 %
1k f 0  15915.49kHz 實測值  理論值
理論值

0.1uF 10k 1
f0 
2R 2 C 2

100k 1
f0 
2R 2 C 2

1k 1
f0 
2R 2 C 2

0.2uF 10k 1
f0 
2R 2 C 2

100k 1
f0 
2R 2 C 2
 單元20 振盪器電路 20-10

實習 20-3 ： T 型電橋振盪器
一. 相關原理
圖20-11為T型電橋振盪器，其回授因數、相位變化關係和韋恩電橋振盪器一樣，同
為非線性變化。圖20-11之回授組態為電壓取樣電壓回授( 串並組態 )，其中正回授網路
由R 1 、R 2 組成，正回授電壓為V f2 ；負回授網路由C 1 、C 2 、R 3 與R 4 組成，負回授電壓為
V f1 。假設OP Amp.為理想的，其輸入阻抗無限大，則圖 20-11之等效電路可繪成圖20-
12。
T型電橋振盪器振盪原理與頻率，可由圖20-12之等效電路以回授因數關係推導出：
負回授端之回授因數 1 依定義為

R3
+15V

-
C1 C2 Vo
741
R4 Vf1 +

-15V
R2

R1
Vf2

圖20-11 T型電橋振盪器

R3 Ro Vo
I1
Vf1
c -
I
a AoV
C1 b C2 +
Vf2
Zin R2
R4 R1
d

圖20-12 T型電橋振盪器等效電路
Vf 1
1  ( 20-11 )
Vo
 1 1 
 ( R  ) 
 1  jC 2 jC1 
3
1
Zin  Zab  R 4  ( R 3  )//   R4     R4
 SC 2 SC1  R  1  1 
 3 jC 2 jC1 
1  j (C 2 R 3  C1 R 4  C 2 R 4 )   2 C1C 2 R 3 R 4
 ( 20-12 )
 2 C1C 2 R 3  j (C1  C 2 )

Vad=Vo=I×Zin ( 20-13 )
 單元20 振盪器電路 20-11

1
SC1
依分流定理： I 1  I 
1 1
  R3
SC1 SC 2

 1 
 
1  jC1 1
Vf1  I 1   I  R4  I    R4 
jC 2  1 1 jC 2 
   R3 
 jC1 jC 2 
 
   
 1 1
I  R 4   I  R4 
 1 1   jC 2  jC1   C1C 2 R 3
2

 jC 2 jC1 (   R3) 
 jC1 jC 2 
j ( R 4 C 2  C1 R 4 )  1   2 C1C 2 R 3 R 4
 I ( 20-14 )
j (C 2  C1 )   2 C1C 2 R 3

將(20-14)式及(20-13)式代入(20-11)式中可得到

j ( R 4 C 2  C1 R 4 )  1   2 C1C 2 R 3 R 4
I
Vf 1 j (C 2  C1 )   2 C1C 2 R 3
1  
VO j (C 2 R 3  C1 R 4  C 2 R 4 )  1   2 C1C 2 R 3 R 4
I
j (C1  C 2 )   2 C1C 2 R 3
j ( R 4 C 2  C1 R 4 )  1   2 C1C 2 R 3 R 4

j (C 2 R 3  C1 R 4  C 2 R 4 )  1   2 C1C 2 R 3 R 4
令C 1 =C 2 =C，R 3 =R 4 =R
2 jRC  1   2 C 2 R 2
則 1  ( 20-15 )
3 jRC  1   2 C 2 R 2
1
設O  ，則
RC
1
RC  ( 20-16 )
O
將(20-16)式代入(20-15)式，可得
2
 2   O     
2j 1 2j O      6  j O  
O  O2  O   O    O 
1   
 2 O  O  
2
1 3j   
3j    (3 j)
2
O  O2  O   O 
       
2

    6  j  
       

   
2

   9
   
 單元20 振盪器電路 20-12

2
    2     
2
    6    
    
   
大小   ( 20-17 )
   
2
   9
   
 

角度    tan 1   ( 20-18 )
   
2

   6
   
1
當到達諧振點( =O )， f  f O 
，負回授迴路 1 =2/3，角度=0 o 或360 o 。
2RC
R1 
同理可得，在正回授端之回授因數  2 值為 ，角度為0 o 。將 以數值0.1至10
R1  R 2 0
分別代入(20-17)、(20-18)式，可求出負回授因數 1 及相位之關係如圖20-13所示。
比較圖20-8與圖20-13可知：T型振盪器負回授因素之變化波形恰與韋恩電橋正回授
1
因數之變化波形相反，即T型電橋振盪器。在 f  fo  時，其回授RC網路( 負回授 )
2RC
受到最大衰減( 負回授量最小 )，而韋恩電橋，其RC回授網路( 正回授 )卻衰減最小( 正回
授量最大 )。欲使圖20-11產生振盪，只要讓正回授 2 大於負回授 1 即可，圖20-11中之正
回授由R 1 、R 2 電阻所控制，只需將R 1 、R 2 調整使其 2 大於 1 即可振盪。由於T型電橋Q值
較高，若要得到不失真之波形，則可變電阻需精確性高，且要緩慢調整，若是考慮到溫
度的變化，亦可如前面韋恩電橋般，加入熱敏元件，穩定其輸出振幅。
二. 實習步驟
(1) 按圖20-14電路接線，先選擇R=10k，C=0.1uF。
(2) 調整可變電阻Rx，使Vo為最大不失真弦波輸出。將結果記錄於表20-6中，測量Rx
電阻值，並將實測頻率與理論頻率值作比較。
(3) 依表20-6所列數值改變R、C元件，重覆步驟(2)。
(4) 按圖20-15電路接線，先選擇R=10k，C=0.1uF。
(5) 調整可變電阻R 2 ，R 4 ( R 2 先固定，再調整R 4 ；且R 2 之值由大而小調整 )，使Vo為最
大不失真弦波輸出。以電表量測其結果記錄於表20-7。
(6) 依表20-7所列數值改變R，C元件，重覆步驟(5)。
(7) 比較表20-6與20-7之實驗結果。
 單元20 振盪器電路 20-13



10.3
1
 0.987
5.4
0.8
0
0.6

-5.4 0.4

 0.2
-10.3

0.1 1 10
 / o

圖20-13 T型電橋負回授臂回授因數與相位關係圖
R
+15V

-
C C
741 Vo
R +

-15V

R1=1k Rx=10k

圖20-14 T型電橋振盪器實驗電路

+15V R2=100k
R
- +15V

741 -
C C R1=10k
+ 741
R Vo
-15V +

-15V

R3=1k R4=10k

圖20-15 改良之T型電橋振盪器實驗電路
 單元20 振盪器電路 20-14

三. 結果數據

表20-6 T型電橋振盪器實驗結果

R 實驗數據 弦波峰值 理論頻率 實測頻率 Rx

C

1
10k 0.1uF fO 
2RC

1k 0.1uF f O  1591.55 Hz

1
1k 0.01uF fO 
2RC

表20-7 改良式T型電橋振盪器實驗結果

R 實驗數值 弦波峰值 理論頻率 實測頻率 Rx

C

1
10k 0.1uF fO 
2RC

1
1k 0.1uF fO 
2RC

1
1k 0.01uF fO 
2RC
 單元20 振盪器電路 20-15

實習 20-4 ：考畢滋振盪器 ( Colpitts Oscillator )

一. 相關原理
一般高頻振盪器電路結構都屬於圖20-16之型式，其中Z 1 、Z2 、Z3 為任意阻抗，圖中
之OP Amp.為理想OP Amp.，輸入阻抗為無限大，回授為並聯取樣、串聯回授( 串並式，
或電壓取樣、電壓回授 )，等效電路以圖20-17表示，其中Ro為OP Amp.之輸出阻抗，Av
為其開路增益。則高頻振盪器之工作原理、種類與其振盪頻率，可以由等效電路以回授
觀念加以分析而得到。

Z3

Z1
Vo
+

Z2

圖20-16 一般高頻振盪器電路基本組態

Ro
Vo
_
V AvV
Z3
+

Z2

Z1

圖20-17 高頻振盪器等效電路
Z 2 ( Z1  Z 3 )
圖 20-17 之 等 效 電 路 中 ， 其 負 載 阻 抗 為 Z L  Z 2 / /( Z1  Z 3 )  ，而輸出電壓
Z 2  Z1  Z 3
Av  V  Z L
Vo   ，其電路增益：
Z L  Ro
Vo Av  Z L AvZ 2 ( Z1  Z 3 )
A  
V Z L  Ro Z 2 ( Z1  Z 3 )  Ro( Z1  Z 2  Z 3 )
Vf Z1
回授因數為：    ，故迴路增益A為：
Vo Z1  Z 3
 單元20 振盪器電路 20-16

Z1 AvZ 2 ( Z1  Z 3 )
  
Z1  Z 3 Z 2 ( Z1  Z 3 )  Ro( Z1  Z 2  Z 3 )
 vZ1 Z 2

Z 2 ( Z1  Z 3 )  Ro( Z1  Z 2  Z 3 )

假設Z1 、Z2 、Z3 是純電抗( 電感或電容 )，則阻抗值為jX 1 、jX 2 與jX 3 ；若Zi為電容器，則

1
X ；若Zi為電感器，則X=L，因此迴路增益可改寫為：
C
AvX1 X 2
 
jX 2 ( jX1  jX 2 )  Ro  j( X1  X 2  X 3 )
AvX1 X 2
 ( 20-19 )
X 2 ( X1  X 3 )  jRo( X1  X 2  X 3 )

要使電路產生振盪，則需符合巴克豪生準則：相位角為零度，因此虛數部份為零：

X 1 +X 2 +X 3 =0 ( X 1 +X 3 =-X 2 ) ( 20-20 )
將(20-20)式代回(20-19)式得
AvX1 X 2 X
   Av 1 ( 20-21 )
X 2 (X 2 ) X2

由 於 產 生振盪之回授條件為迴路增益 A1 ，因此，由 (20-21)式知：X 1 ，X 2 為相 同 電

抗，再由(20-20)式可知X 3 必為相異之電抗。如X 1 與X 2 為電容的話，則X 3 就為電感，此電
路稱做考畢滋振盪器( Colpitts Oscillator )。反之，當X 1 、X 2 為電感元件，則X 3 為電容，
則此電路被稱做哈特萊振盪器( Hartley Oscillator )。
(一) 考畢滋振盪器
1 1 1 1 1
因X 1 +X 2 =-X 3 ，即    L 3 ，或 (  )  L 3 ，可求得：
C1 C 2  C1 C 2
1 1 1
 (  )
L 3 C1 C 2
故振盪頻率為：

1 1 1 1
f (  ) ( 20-22 )
2 L 3 C1 C 2
1
AvX1 X C 2 C1
由於    1，可得 Av  2   。
X2 X1 1 C2
C1
(二) 哈特萊振盪器
 1  1
因X 1 +X 2 =-X 3 ，即 L1  L 2    ，或  ( L1  L 2 )  ，可得：
 C 3  C 3
1

( L1  L 2 ) C 3
故振盪頻率為：
 單元20 振盪器電路 20-17

1 1
f ( 20-23 )
2 ( L1  L 2 ) C 3
AvX1 AvL1 X L
為符合巴克豪生準則，     1 ，得 Av  2  2 。
X2 L 2 X 1 L1
故為使電路持續振盪，放大器之增益至少為X 2  X 1 ，在一般實際電路中增益均略大
於X 2 / X 1 ，以補償電路上之損失。圖20-18為考畢滋振盪器電路，己知欲使電路產生振
盪，正回授因數( Feedback Factor )需大於負回授因數，在回授網路中，C 1 ，C 2 與L為一
並聯振盪電路，而已知考畢滋振盪器，振盪頻率如下：
1 1 1 1 1 1
 (  ) ( ) ( 20-24 )
L C1 C 2 L Cz LCz
因在共振電路中，環路電流均流經L、C 1 與C 2 。C 1 與C 2 可視為串聯，故等效電容C Z 為：
C 1C 2
Cz 
C1  C 2
圖20-18之考畢滋振盪器電路有二回授路徑，路徑一為C 1 與C 2 構成，路徑二為R f 與R 1 組
成，故其回授因數亦可分成 1 、 2 兩部份加以探討。
回授因素 1 ：
Z C2
1 
Z L  Z C2
1
j
C 2 1
  2
jL  j
1  LC 2  1
C 2
將2 以(20-24)式代入，可得：
1 1 C
1    1
C1  C 2 C2 C2
LC 2  1
LC1C 2 C1
回授因素 2 ：
R1
2 
R1  R f
欲使電路振盪需使負回授之回授因素為負，即移相180 o ，可因負負而得正回授，故回授
R1 C
因數 1 與回授因數 2 之和需小於0，即  1  0 ，可得：
R1  R f C2
C1 R1

C2 R1  R f
調整R f 即可改變回授因數 2 之值，亦可控制是否振盪與振幅大小。
圖20-19為另一種振盪器電路，A 1 為緩衝器，具有高輸入阻抗，以避免負載效應。
 單元20 振盪器電路 20-18

Rf

R1 +15V
_

Vout
+
-15V
C1
L
C2

圖20-18 考畢滋振盪器電路

Rf

+15V
_
R1 +15V
A1 _

+ A2
Vout
-15V +
-15V

C1 C2

圖20-19 改良式考畢滋振盪器電路

二. 實習步驟
(1) 按 圖 20-18 接 線 ， 選 擇 R f =250k 之 可 變 電 阻 ， R 1 =10K ， C 1 =47uF ， C 2 =47uF ，
L=0.1mH。
(2) 調整R f 電阻值，使Vo為最大不失真弦波輸出，將R f 記錄於表20-8中。
(3) 依表20-8所列數值改變R，C元件，重覆步驟(2)。
(4) 按圖20-19接線，重覆步驟(2)，將R f 記錄於表20-9中。
(5) 比較表20-8與表20-9之實驗結果，兩者有何差異，為什麼？
 單元20 振盪器電路 20-19

三. 結果數據

表20-8 考畢滋振盪器電路實驗結果

數值 輸出峰值 實驗測試頻率 理論振盪頻率 Rf

C1 C2

47uF 47uF

10uF 1uF

47uF 10uF

表20-9 改良式考畢滋振盪器電路實驗結果

數值 輸出峰值 實驗測試頻率 理論振盪頻率 Rf

C1 C2

47uF 47uF

10uF 1uF

47uF 10uF
 單元20 振盪器電路 20-20

肆 問題討論
1. 在頻率1MHz之間最常用的振盪器有那些？而對更高頻的頻率可採用那些振盪器？
2. 韋恩電橋和T型電橋兩者有何不同？
3. 韋恩電橋振盪器振盪頻率大約在20Hz至200kHz之間，為何不能使用於高頻範圍？
4. 考畢滋與哈特萊兩者有何差異，其元件可否用電阻代替之？