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UNMSM

Facultad de Ingeniería Electrónica,


Eléctrica y de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Nº de Matricula

-Huaytalla Cotrina Abel Isaac -17190013


--Porras Cavero Rubén Alonso -17190272
-Merjildo Alanía Luis David -17190122
-Silvera Ñaupari Jhordano -16190236

Curso Tema

Respuesta en alta frecuencia de un


Circuitos Electrónicos II
amplificador de una etapa

Informe Fechas Nota

Final Realización Entrega

Número 15 de Mayo del


11 de Mayo del 2019
2019
2

Grupo Profesor

17 Ing. Luis Paretto Q.


UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA
LABORATORIOS

CURSO: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II.


PROFESOR: ING. LUIS PARETTO Q.

EXPERIMENTO N°2:
I. TEMA: RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE
UNA SOLA ETAPA.

II. OBJETIVOS:

1. Investigar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de


audio para determinar el punto de corte superior.
2. Dominar el uso del papel semilogarítmico para graficar la ganancia en
función de la frecuencia del circuito amplificador.

III. MARCO TEÓRIORICO:


La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores depende de los
capacitores externos utilizados para acoplamiento y paso. La respuesta en alta
frecuencia depende de la capacitancia interna del transistor. Se amplía el circuito
equivalente simplificado para incluir los efectos de estos capacitores internos.
Estos capacitores, que afectan la respuesta en alta frecuencia, existen entre las
terminales del dispositivo. Cada uno de ellos se puede ver como si estuviese en
serie con la resistencia equivalente (Thevenin) de los circuitos asociados. Por tanto
se comienza con el examen del circuito RC de la figura Conforme aumenta la
frecuencia de la señal de entrada, la señal de salida disminuye en amplitud a razón
de 20dB/década de acuerdo con la expresión:

Se hace a la constante de tiempo τ=RC. En general se ignoran las capacitancias de


alambrada y distribuidas y se consideran sólo las capacitancias parásitas entre
terminales.
Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación

En la región de alta frecuencia, los


elementos capacitivos de importancia son
las capacitancias entre electrodos (entre
terminales) internas al dispositivo activo y la
capacitancia de alambrado entre los cables
de conexión de la red. Todos los grandes
capacitores de la red que controlaban la
respuesta en baja frecuencia fueron
reemplazados por su equivalente de
cortocircuito debido a sus muy bajos niveles
de reactancia. Para amplificadores
inversores (desfasamiento de 180° entre la
salida y la entrada, que produce un valor negativo de Av), la capacitancia de entrada
y salida se incrementa en un nivel de capacitancia sensible a la capacitancia entre
electrodos entre las terminales de entrada y salida del dispositivo y la ganancia del
amplificador. En la figura, esta capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos:

Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:

Pero entonces
El resultado es una impedancia de entrada
equivalente al amplificador de la figura anterior,
que incluye Ri y un capacitor de retroalimentación
aumentado por la ganancia del amplificador. En
general, la capacitancia de entrada de efecto Miller
se define como:

El efecto Miller también incrementará el nivel de la


capacitancia de salida, la que también hay que considerar cuando se determine la
frecuencia de corte superior, realizando un análisis similar al anterior se obtiene la
siguiente ecuación para la capacitancia de salida de efecto Miller:

Respuesta del EC en alta frecuencia

En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el punto de corte
de -3dV: la capacitancia de la red (parásita e introducida) y la dependencia de la
frecuencia de hfe (𝛽).
En la figura se incluyen las diversas capacitancias parásitas (Cbe, Cbc, Cce) del
transistor junto con as capacitancias de alambrado (CWi, CWo) introducidas durante
la construcción.

Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo 𝜋-


híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los parámetros de los modelos
están relacionados entre sí. En la siguiente figura se muestra el equivalente de c.a
de alta frecuencia para la red de la figura.
IV MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

 Un multímetro.
 Un miliamperímetro (Dc).
 Un micro amperímetro (Dc).
 Cables cocodrilo/banano.
 Una fuente de c.c variable.
 Un osciloscopio.
 Resistores: Re=680Ω, Rc=1.5kΩ, R1=56kΩ, RL=10kΩ, R2=12kΩ, Rg=1kΩ.
 Condensadores: Ci=22uF,Cc=22uF,Ce=100uF.
 Una placa con Zócalo de 3 terminales.
 Dos placas con Zócalo de 2 terminales.
 Transistor: 2N2222.

V. PROCEDIMIENTO
1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar tabla 1
Terminales R. Directa(Ω) R. Inversa(Ω)
Base-Emisor 651 60M Ω >
Base-Colector 642 60M Ω >
Colector-Emisor 60M Ω > 60M Ω >

2. Armar el siguiente circuito


a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib.).Obtener el β
b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-emisor (Vbe) y entre
emisor –tierra.
c) Colocar los datos obtenidos

3. Ajustar el generador de señales a 150mvpp, 1 KHz, onda senoidal. Observar la


salida Vo con el osciloscopio, luego obtener la máxima salida sin distorsión. Anotar
en la tabla 3.
Tabla 2.
Valores Ic(mA) Ib(uA) β Vce(v) Vbe(v) Ve(v)
Teóricos 2.01 15.54 129 7.60 0.57 1.383
Medidos 2.05 15.00 136 7.65 0.62 1.380
Tabla 3.
Valores Vg(mv.pp) Vo(v.pp) Av
Teóricos 150 8.54 56.93
Medidos 256 6.16 24.06

¿Cuál es la relación de fase entre Vo y Vg?


Respuesta: como observamos en la experiencia hay un desfase de 180o entre Vo y
Vg, esto se debe porque la configuración es de emisor común.

4. Llenar la tabla 4, anotando el punto de corte superior que se produce en la


frecuencia que tiene la ganancia Av el 0.707 de su valor máximo (70.7% o -3db)
Frecuencia(Hz) 1k 2k 5k 10k 20k 50k 100k 200k 500k 1M 2M
Vo 6.16 6.08 5.92 5.60 5.28 4.56 3.28 1.84 1.76 1.28 800m
Cc=22uf Vo/Vg 24.03 22.68 23.49 21.21 19.70 18.68 13.89 7.66 7.09 5.07 3.174
Vg(mv.) 256 268 252 264 268 244 236 240 248 252 276
Vo 6.08 6.08 5.76 5.6 5.12 4.4 3.2 2 1.68 1.12 800m
Cc=10uf Vo/Vg 23.75 24.12 23.22 20.28 18.82 16.17 12.69 7.69 6.66 4.52 3.22
Vg(mv.) 256 252 248 276 272 272 252 260 252 248 260
5. Cambiar el condensador de salida Cc al valor de 10uf y llenar las filas
correspondientes de la tabla 4. ¿Qué sucedió con f H?
Al cambiar el condensador de 22uf por uno de 10uf el f H también cambio
reduciéndose a un valor casi la mitad del primer valor de f H.
fH =640kHz con el condensador de 22uf, y f H= 360kHz con el condensador de 10uf
640 − 360
% = 43.75%
640
.

Prácticamente se ha reducido un 43.75% del valor inicial


VI. CUESTIONARIO FINAL
1. Compare sus cálculos teóricos del informe previo con los obtenidos en el
experimento. Si es necesario mencione a que se debe las diferencias

Valores Ic(mA) Ib(uA) β Vce(v) Vbe(v) Ve(v)


Teóricos 2.01 15.54 100 7.60 0.57 1.383
Medidos 2.05 15.00 136 7.65 0.62 1.380

Comparando el margen de error


|15.54 − 15|
𝐸𝐼𝑏 = = 0.03
15.54

|2.01 − 2.05|
𝐸𝐼𝑐 = = 0.02
2.01

|100 − 136|
𝐸𝛽 = = 0.36
100

|7.60 − 7.65|
𝐸𝑉𝑐𝑒 = = 0.0065
7.60

|0.57 − 0.62|
𝐸𝑉𝑏𝑒 = = 0.08
0.57

|1.383 − 1.380|
𝐸𝑉𝑒 = = 0.0021
1.380

Si nos ponemos a observar los valores de los errores vemos que están dentro de
un rango aceptable, el que tiene un error más grande es el beta, esto se debe a
que el valor de los manuales hay un valor min y otro máx. Nosotros hemos
escogido el valor promedio.

Consideremos un β=100,RB=56k//12k, Ri=1k Ω,RL=10K Ω .La corriente de


polarización el transistor IQ =1.99m A.
rb’e=1.31 kΩ
RTH= Rin//ri = 0.536 k Ω
AV =80
Cb´c=10pF
Cb’e=100pF
1
fT=2π ∗𝑅
𝑇𝐻 ∗[𝐶𝑏′ 𝑒 +𝐶𝑏′ 𝑐 (1+𝐴𝑣)]

 fT=0.326 M Hz.=326KHz
fH= 360kHz

|326 − 360|
𝑓𝐻 = = 0.104
326

Está dentro de los parámetros de errores aceptables

2. Graficar en papel semilogarítmico (según la tabla 4) la ganancia de voltaje


expresada en db. VS la frecuencia

3. Explique las curvas obtenidas

Como se puede observar en las gráficas obtenidas de la experiencia, a


medida que se va incrementando la frecuencia la ganancia de voltaje va
disminuyendo poco a poco, llegando a un punto que cae abruptamente y luego
si se sigue aumentando la frecuencia la señal se distorsiona.
El Punto que es 0.707 de Av es la frecuencia de corte superior eso quiere
decir que pasada esa frecuencia la señal empieza a distorsionarse con mayor
rapidez.
4. De acuerdo a su gráfico encontrar fH y con ese dato calcular ( 𝐶𝑏 ′ 𝑒 +
𝑅𝐿
𝐶𝑏 ′ 𝑐 (1 + 𝐴𝑣 𝑅𝑐 ))

Consideremos un β=100,RB=56k//12k, Ri=1k Ω,RL=10K Ω .La corriente de


polarización el transistor IQ =1.99m A.
rb’e=1.31 kΩ
RTH= Rin//ri = 0.536 k Ω
AV =80
Cb´c=10pF
Cb’e=100pF
1
fT=2π ∗𝑅
𝑇𝐻 ∗[𝐶𝑏′ 𝑒 +𝐶𝑏′ 𝑐 (1+𝐴𝑣)]
 fT=0.326 M Hz.=326KHz
fH= 360kHz

5. ¿Qué conclusiones obtuvo del experimento?


 En altas frecuencias la ganancia va disminuyendo hasta un punto donde
se distorsiona y cae abruptamente.
 Los condensadores tienen una vital importancia, son relevantes
 Si se le cambia al condensador de desacoplo del emisor por uno casi la
mitad del primero, entonces la frecuencia de corte también disminuirá
hasta un poco menos del 50%
 Los condensadores tienen trascendencia en altas frecuencias no es
como en media frecuencia, ósea que los condensadores están en corto.