Laboratorio Nº 05:
Informe Previo
EL TRANSISTOR BIPOLAR – ZONA
ACTIVA, CORTE Y SATURACIÓN
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
Marco Richard Rafael Parraga
I. OBJETIVO
El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como
finalidad:
 Conocer las características técnicas y los
requerimientos de uso del transistor.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y la
obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
 Adquirir destreza en el manejo de los manuales y
obtención de los data sheet de los dispositivos a
usar de Internet y los equipos de medición.
 Determinar las operaciones de corte y saturación
de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de
operación.
 Adquirir destreza en el manejo de los equipos y el
ensamble de los circuitos.
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.
II. TEORÍA
A. Transistor Bipolar…[1]
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT
(siglas de su denominación inglesa Bipo-lar Junction
Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados
emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que
aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de
ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría
de funciones electrónicas se realizan con circuitos que
emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los
cuales son los dispositivos básicos de la electrónica moderna.
B. Polarizacion del transistor
biporlar…[2]
marcorrp24@gmail.com
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las
corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo
queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es
posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o
en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito
en el que se engloba.
Corte… [3]
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente
por sus terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo,
decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se
cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición
indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al
que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el
transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión
base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Activa… [4]
La región activa es la normal de funcionamiento del
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se
cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.
Saturación… [5]
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-
emisor como la base-colector se encuentran en directa. Se
dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo
siguiente:
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se
encuentra en saturación circula también corriente por sus tres
terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β
III. RESPUESTAS A PREGUNTAS
A. Realice los cálculos empleando el
simulador ORCAD / Pspice o similar.
Ajuste la tensión y frecuencia a los
valores de la experiencia, use valores
 comerciales de condensador y D. Determine la relación de corriente y
resistencia. voltaje en la salida vs la entrada.

Fig. 1 Usando el simulador PROTEUS para el Fig 2. Relacion de corriente y voltaje de entrada
circuito 1. y salida.

B. Obtenga el gráfico de respuesta en 𝐼𝑖𝑛 39.5µ𝐴

= = 0.0034
frecuencia para los circuitos: base 𝐼𝑜𝑢𝑡 11.6𝑚𝐴
común, emisor común y colector común 𝑉𝑖𝑛 0.83𝑉
indicando la ganancia de tensión vs = = 1.93
𝑉𝑜𝑢𝑡 0.43𝑉
frecuencia, usando la escala
semilogarítmica. E. Presente la forma de entrada y salida
del circuito.
Emisor común
Circuito 1: emisor común

C. Determine la impedancia de entrada y

salida a 1KHz. Fig 3. Emisor común

Entrada: color azul

Salida: color amarillo

Fig. Calculo de la impedancia de entrada y salida

IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS
Impedancia de entrada : 831.06Ω
Se enuncia el data sheet de los componentes mas
Impedancia de salida: 429.47Ω pronunciados:
 𝑉3 (𝑉) 𝑉𝐶 (𝑉) 𝑉𝐵 (𝑉) 𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝐼𝐵 (µ𝐴) 𝐵𝐸𝑇𝐴
0 12 0.72µV 0.12µA 0 800
1 11.9 0.63 0.22 0.73 301.37
2 11.5 1.10 0.92 3.20 287.5
3 11.1 1.59 1.61 5.81 277.11
4 10.8 2.08 2.25 8.47 265.64
5 10.5 2.58 2.86 11.1 257.66
6 10.3 3.08 3.42 13.8 247.83
7 10.1 3.59 3.95 16.5 239.40
8 9.90 4.09 4.45 19.2 231.77
9 9.76 4.60 4.92 21.9 224.66
10 9.63 5.10 5.37 24.6 218.29
11 9.54 5.61 5.81 27.4 212.04
12 9.45 6.11 6.13 30.1 203.65
13 9.38 6.62 6.33 32.8 192.99
14 9.34 7.13 6.49 35.5 182.82
15 9.30 7.63 6.61 38.1 173.49
Fig.4 Data sheet de BC548 16 9.25 8.14 6.72 40.8 164.71

C. A partir de esta tabla graficar la curva de

V. EQUIPOS Y MATERIALES
transferencia de entrada a salida 𝑉𝐶 vs 𝑉3 Si
Los materiales a utilizar en el laboratorio son:
es necesario, tomar medidas de puntos
intermedios.
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
 01 protoboard
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W Vc vs V3
 02 Fuente DC; puntas de prueba 15
 01 protoboard y cables conectores
 01 multímetro 10
Vc (V)

 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;180KΩ;
3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ ,510KΩ;2KΩ de
1W 5
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500 KΩ
0.5W
0
 01 Generador de funciones
0 5 10 15 20
 02 transistores BJT iguales BC548A V3 (V)
 02 Diodos LED
Fig. 5 Transferencia de entrada a salida
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
D. Graficar la curva de transferencia de
 01 amperímetro analógico
corrientes ( 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 ) y el beta de las mismas
VI. DESARROLLO DE LA (BETA vs 𝐼𝐶 ).
EXPERIENCIA
A. Armar el circuito 1:
Ic (mA) vs Ib (µA)
8

6
Ic (mA)

0
0 20 40 60
Fig.2 Ib (µA)
Fig. 6 corriente colector vs corriente de base
B. Polarizar el dispositivo y medir 𝑉𝐶 y 𝑉𝐵 para
completar la siguiente tabla:
 J. Para determinar la región activa varíe el
1000
beta vs Ic(mA) voltaje de entrada V3 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma que
800 pueda determinar el intervalo de voltaje
(V(min) < V3 < V(max)) que mantiene al
600
beta

transistor operando en la región activa.

400
K. Para determinar cuando el transistor está en
200 corte o está en saturación, aumentar de 1v
0 en 1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar
0 5 10 15 20 un cambio en V0. Luego repetir el
Ic (mA) procedimiento disminuyendo V(min) de V3
desde el último valor de v, hasta cero.
Fig. 7 Beta vs corriente colector
En la simulación determinar la resistencia
E. Armar el circuito de la siguiente figura. R1 que facilite el corte y saturación de
manera más rápida y usar ese valor en la
práctica de laboratorio.

L. Tomar datos y completar la siguiente tabla.

Fig. 8

F. Medir las tensiones 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 y 𝑉𝐵 para trazar

la recta de carga del circuito, variando 𝑅3 .

𝑹𝟑 56K 47K 22K 15K 3.3K

𝑉𝐵 (𝑉) 5.94 5.52 3.66 2.82 0.79
𝑉𝐶 (𝑉) 6.80 7.21 9.05 9.88 11.8
𝑉𝐸 (𝑉) 5.22 4.81 2.96 2.12 0.16
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 5.20 4.76 2.95 2.12 0.16
𝐼𝐵 (µ𝐴) 22.7 20.4 11.3 7.73 0.55

G. Determinar las corrientes y graficar la recta

de carga en el plano 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 del transistor.
Indicar la zona de operación
correspondiente
VII. SIMULACIÓN

En la simulacion hice un intercambio llamé a

𝑹𝟔 por 𝑹𝟑

A. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =

56𝐾.

H. Graficar en un mismo plano las diferentes

rectas de carga, a colores, indicando las
zonas de operación. Adjuntar las datasheet
con los datos de los transistores utilizados.

I. Armar el circuito de la figura 2, conectar los

diodos LED en serie con las resistencias R1
y R2, colocar en V3 una fuente DC y
reemplazar R1 por un potenciómetro.
 E. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =
B. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =
3.3𝐾.
47𝐾.

C. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =

22𝐾. VIII. BIBLIOGRAFÍA

[1] https://www.ecured.cu/Transistor_Bipolar

[2] El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed.

Addison-Wesley Iberoamericana, 2ª
edición, 1994
[3] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.
Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª
edición, 1992
[4] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.
Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª
edición, 1992
[5] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.
Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ª
edición, 1992

D. Simulación de la figura 8 con 𝑅3 =

15𝐾.