UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA

FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA DE ELECTRICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA, COMPUTACIÓN Y CONTROL
ELECTRONICA I (2216) Semestre 1-2019

PRACTICA No.4
El transistor de efecto de campo (JFET)
OBJETIVOS

Esta práctica tiene como propósito:

 Reconocer algunas de las características de los transistores JFET en sus distintas zonas de operación.
 Obtener nociones acerca de la polarización de los transistores.

TRABAJO PREVIO AL LABORATORIO

Esta práctica de laboratorio se desarrolla con un dispositivo nuevo para el alumno, y en la que debe obtener una
serie de puntos de medición a fin de reconocer algunas características básicas de los transistores JFET.

Es recomendable para el estudiante prestar la mayor atención posible al trabajo práctico a fin de culminar con
éxito todos los puntos de medición propuestos. Por su parte, el profesor de laboratorio guiará en todo momento cada
punto, haciendo que los estudiantes realicen la actividad en conjunto.

El estudiante debe:
 Obtener los componentes requeridos y realizar el montaje correspondiente. El transistor JFET requerido para
esta práctica es canal N que puede ser MPF 102 o equivalente (2N3819, NTE319, MPF820).
 Deben obtener además la hoja de datos del dispositivo. Nota: Si por alguna razón no llega a conseguir alguno
de los transistores recomendados, solicite al vendedor de la tienda un transistor JFET con las siguientes
características (Vpinchoff ≤ -3V, IDSS ≤ 10mA).
 Preparar una hoja de datos con todos los puntos que serán motivo de estudio durante el trabajo de
laboratorio.

TRABAJO DE LABORATORIO

Lista de componentes
Cantidad Descripción
1 Resistencia 510 1/4W
1 Resistencia 1M 1/4W
1 Transistor JFET MPF102 o equivalente
 UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA
FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA DE ELECTRICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA, COMPUTACIÓN Y CONTROL
ELECTRONICA I (2216) Semestre 1-2019

Figura 1. Circuito para determinar la relación VGS - IDS

1. Características del J-FET (IDS vs. VGS)

Para el circuito de la figura 1.
1.1 Conecte los canales del osciloscopio como se indica en la figura 1. Configure el modo de operación
del osciloscopio en la opción X-Y.
1.2 Coloque una tensión de 10V en la fuente de alimentación denominada VDD.
1.3 Configure el generador de señales en forma de onda triangular, con amplitud de 5Vp, offset de -5V
y frecuencia de 1kHz.
1.4 Grafique la señal vista en el osciloscopio y obtenga IDSS y Vpinchoff del transistor.
 UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA
FACULTAD DE INGENIERIA
ESCUELA DE ELECTRICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA, COMPUTACIÓN Y CONTROL
ELECTRONICA I (2216) Semestre 1-2019

Figura 2. Circuito para determinar la relación VDS - IDS

2. Características del J-FET (IDS vs. VDS)

2.1 Conecte los canales del osciloscopio como se indica en la figura 2. Configure el modo de operación
del osciloscopio en la opción X-Y.
2.2 Configure el generador de señales en forma de onda triangular, con amplitud de 5V p, offset de -
5Vy frecuencia de 1kHz.
2.3 Para siguientes valores de VGG: 0V, -0.5V, -1V, -1.5V, -2V, -2.5V, -3V, -3.5V; obtenga la gráfica del
transistor.
2.4 Para cada una de estas gráficas, determine el valor de Rds.

3. Características del J-FET (Zonas de operación)

3.1 Con las gráficas de la parte anterior y los datos obtenidos en la primera experiencia, determine las
distintas zonas de operación del transistor.