Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
____________________________________________________________________________________________________________________
ALUMNO(A):……………………………………………………..…………..Fecha: 16/10/15
I Ciclo Diurno Duración: 60 min.
ELECTRÓNICA ANALOGICA 1
6. Mencione 4 características del UJT. (2 pts.)
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………….
8. En el siguiente circuito calcular: VR1; VR2; VRc; VRe; Vce; Vb; Vb; Vc; Ve; Ie, Ic y
Ib. Considerar β=100 y Vbe = 0.7V. (4 pts)
Instituto de Educación Superior Tecnológico
Público de las Fuerzas Armadas
____________________________________________________________________________________________________________________
ALUMNO(A):……………………………………………………..…………..Fecha: 16/10/15
I Ciclo Diurno Duración: 60 min.
ELECTRÓNICA ANALOGICA 3
6. Mencione 4 características del MOSFET de enriquecimiento
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………………….
8. En el siguiente circuito calcular: VR1; VR2; VRc; VRe; Vce; Vb; Vb; Vc; Ve; Ie, Ic y
Ib. Considerar β=110 y Vbe = 0.7V. (4 pts)