Microeletrônica

Prof. Luciano Mendes Camillo

professorcamillo@gmail.com
https://sites.google.com/site/cefetmicroeletronica/
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito de Campo - FET
Transistores de Efeito de Campo - FET
Transistores de Efeito de Campo - FET
Transistores de Efeito de Campo - FET
Transistores de Efeito de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
Transistores de Efeito
de Campo - FET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET Eletrônica III
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
• Transistor nMOS IDS
Porta
VDS=cte
Fonte Dreno

N+ N+

P VTn1 V VGS

IDS (Tensão de Limiar)

Substrato Região Região de
IDS Triodo Saturação VGS2>VGS1
D VGS2
G VGS1
VDS

VDS
VGS S
 VDS
IDS
Silício policristalino VGS W
(condutor) Óxido de porta
(isolante)
Porta xox

N+ N+
L
Fonte Dreno
P

Substrato
 Equações de IDS=f(VGS, VDS) de 1a Ordem
• Região de Corte: VGS VTn ou VGS-VTn 0
IDS=0
• Região Triodo: 0< VDS  VGS-VTn
2
 VDS 
I DS   n VGS  VTn VDS  
 2 
• Região de Saturação: 0< VGS-VTn  VDS
2
I DS   n
VGS  VTn 
onde n 
 n  ox  W 
 
2 x ox  L 
Fator de Ganho
  n  ox  W 
Fator de ganho n   
x ox  L 
n Mobilidade dos elétrons
Dependentes  ox Permissividade do óxido
do Processo
x ox Espessura do óxido de porta

Dependentes W Largura de canal

da Geometria
(lay-out) L Comprimento de canal
• Transistor pMOS
Porta -IDS
Fonte Dreno -VDS=cte

P+ P+

N
VTp-1 V -VGS
(Tensão de Limiar)
Substrato -IDS
IDS Região Região de
D Triodo Saturação
G -VGS2
VDS -VGS1

VGS S
-VDS
• Região de Corte: VGS VTp ou VGS-VTp  0
IDS=0

• Região Triodo: VGS-VTp  VDS < 0

2
 VDS 
I DS    p VGS  VTp VDS  
 2 
• Região de Saturação: VDS VGS-VTp < 0

I DS    p
V
GS  VTp 
2

2
Fator de ganho
 p ox  W 
p    p Mobilidade das lacunas
x ox  L 
n
p 
2
Tensão de Limiar do Transistor canal P
VTp-1 V Normalmente simétrico com relação a VTn
|VTp| = VTn
Geometrias
Normalmente Wp  Wn para compensar o fato de p< n
Lp Ln
e assim podemos ter p=  n
VGS > Vt
VDS < VGS - Vt
VGS > Vt
VDS > VGS - Vt
Transistor MOSFET
Transistor MOSFET
 Transistor MOSFET

1)

2)

3)

4)