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Microeletrônica

Prof. Luciano Mendes Camillo


professorcamillo@gmail.com
https://sites.google.com/site/cefetmicroeletronica/
Processo de
Fabricação de
Circuitos Integrados
(VLSI)
Para o projeto de bons circuitos integrados dedicados
(VLSIs) ou de aplicação específica (ASICs) é
importante que o projetista conheça as características
dos dispositivos, afim de obter economia de escala e
superar algumas sérias limitações dos dispositivos
(pouco flexível a tolerância) e ao mesmo tempo
explorar as suas vantagens, afim de compensar essas
deficiências.
• Material mais popular com boa relação custo-desempenho,
pois é um material abundante encontrado na areia.
• Pode ser refinado usando-se técnicas simples de
purificação e crescimento de cristais.
• Apresenta propriedades físicas adequadas para fabricação
de dispositivos ativos com boas características elétricas.
• Novas tecnologias: liga de SiGe e silício microtensionado).
• Pode ser facilmente oxidado para formar uma excelente
camada isolante (SiO2).
• É possível alterar de forma localizada as suas
propriedades elétricas, possibilitando construir elementos
ativos e passivos em um mesmo pedaço de material
(substrato).
• Permite a interconexão de componentes utilizando-se
camadas de metal (similar ao empregado para definição de
circuitos impressos) em único substrato.
• Preparação da lâmina de silício
• Fotolitografia
• Dopagem
• Oxidação
• Corrosão
• Deposição
• Metalização
• Encapsulamento
• Silício com alto grau de pureza cresce na forma de
lingote e toma a forma de um cilindro sólido de 10 a 30 cm
de diâmetro, com 1 a 2 m de comprimento, na cor cinza-
metálica.
• O lingote é laminado com espessura de 0,40 mm a 0,60
mm.
• A superfície da lâmina (wafer) é polida até ficar com o
acabamento de um espelho.
• Os fabricantes de semicondutores geralmente compram
lâminas de silício já prontas dos fornecedores.
• Em todas as etapas envolvidas na fabricação de circuitos
integrados é necessário manter o ambiente muito limpo, para
evitar que a introdução de pequenas quantidades de
contaminantes possam alterar significativamente as
propriedades elétricas do silício.
• Qualquer partícula (até poeira) pode destruir o silício.
• O ar que circula em toda a área de processamento deve ser
filtrado e todo o pessoal deve vestir roupas feitas de materiais
especiais (bunny suits).
• Define a geometria superficial (traçado) de
vários componentes do circuito integrado.
• A lâmina (wafer) é coberta por uma substância
fotossensível, que é solúvel quando exposta a luz
ultravioleta.
• A máscara é aplicada e a lâmina exposta a luz
ultravioleta.
• Processo finaliza quando todas as máscaras
forem aplicadas
• Pequenos traçados com resolução de até 50 nm
podem ser produzidos por essa técnica.
• Num processo de fabricação de VLSI pode-se
utilizar muitas fotomáscaras (podendo chegar a
mais de 20), devendo ser alinhadas precisamente
uma sobre a outra.
Abertura de Janelas : Fotogravação e
Corrosão Química
Abertura de Janelas : Fotogravação e
Corrosão Química
Abertura de Janelas : Fotogravação e
Corrosão Química
• É o processo de adicionar portadores do tipo p ou n ao substrato de
silício para criar regiões condutoras cujas características dependem da
quantidade e perfil de distribuição do dopante.
• Para haver condução elétrica, estas impurezas devem substituir
átomos de silício dentro da rede cristalina.
• A dosagem varia conforme a finalidade (tipicamente 1 átomo
dopante para 109 átomos de silício).
• As impurezas mais comuns usadas como dopantes são: boro (tipo
“p”) e o fósforo ou arsênio (tipo “n”).
• Se a concentração da dopagem for suficiente alta, a camada de
difusão pode ser usada como um condutor.
• É o processo pelo qual os átomos se movem de uma região com
alta concentração para uma região com baixa concentração pela
rede cristalina.
• É um processo semelhante ao fenômeno de dispersão de uma
gota de tinta em um copo com água.
• Na fabricação, a difusão é um método em que são introduzidos
átomos de impurezas (dopantes) no silício para mudar sua
resistividade.
• A velocidade da difusão depende da temperatura (1000°C a
1200°C) para se obter a dopagem desejada.
• Quando a lâmina é resfriada e atinge a temperatura ambiente, as
impurezas são essencialmente “congeladas” na posição.
• A profundidade com que as impurezas se difundem depende da
temperatura e do tempo do processo.
• Na implantação iônica, íons dopantes são formados em uma
câmara de vácuo e selecionados por um campo magnético que
descarta os íons de outros materiais.
• Estes íons são acelerados por um campo elétrico, colidindo com
a lâmina.
• Devido a sua energia cinética, os íons penetram na lâmina até
uma profundidade definida por sua massa, pela tensão de
aceleração aplicada e pelo ângulo entre eles e o plano de
cristalização.
• Este processo é mais complexo que a difusão e as lâminas são
processadas uma por vez, consumindo tempo e recursos.
• Apresenta vantagens de precisão na área dopada e sua
implementação pode ser executada à temperatura ambiente.
• É o processo químico de reação do silício com o oxigênio
para formar o dióxido de silício (SiO2), com excelentes
propriedades de isolamento elétrico (∼107 V/cm).

• Para acelerar a reação é necessário aquecer a lâmina a


altas temperaturas (1000°C a 1200 °C) em fornos especiais
ultra limpos.

• Serve como boa máscara contra impurezas, permitindo a


introdução de dopantes no silício apenas nas regiões que não
estão cobertas pelo óxido.
• Consiste em retirar seletivamente algum tipo de material em
regiões delimitadas por uma máscara.

• Os processos mais comuns são:


• Corrosão líquida - líquidos reativos e perigosos (como ácido
fluorídrico) corroem o material delimitado pela máscara.
• Corrosão por plasma - um gás inerte (CF4) sob baixa pressão
é ionizado por um campo elétrico intenso que por sua vez
bombardeiam a superfície da lâmina de silício arrancando o
material exposto.
• Processo pelo qual filmes finos com espessuras
submicrométricas, formados pelos mais diversos
materiais orgânicos e inorgânicos podem ser
depositados com precisão nos substratos de silício.
• Por epitaxia
• processo de acrescentar material a uma estrutura cristalina de modo
ordenado, sem solução de continuidade.
• Química em fase de vapor (CVD)
• as moléculas vaporizadas do composto se decompõem ou reagem na
superfície da lâmina, depositando o material desejado.
• Evaporação
• Numa câmara de vácuo, o alumínio é vaporizado depositando-se livremente
sobre a superfície da lâmina.
• Borrifamento (sputtering)
• O material a ser depositado é instalado e eletricamente conectado a uma
placa metálica, enquanto que a lâmina é instalada em outra placa metálica
próxima. O gás é ionizado por uma fonte de alta tensão contínua aplicada nas
placas. Os íons do plasma formado colidem com o material arrancando
moléculas que se depositam sobre a lâmina.
• Consiste em interligar vários componentes do circuito
integrado (resistores, capacitores, diodos, transistores) para
formar o circuito integrado desejado.
• Inicia-se com a deposição de um metal (alumínio) sobre toda a
superfície do silício, através do processo de pulverização catódica
denominado sputtering.
• A espessura da camada de metal pode ser controlada pelo
intervalo de tempo da pulverização catódica, o qual está
normalmente na faixa de 1 a 2 minutos.
• Aplica-se a técnica de fotoresiste, para que o ataque químico
remova todas as áreas não desejáveis de alumínio, deixando o
padrão de interligações.
• Fios finos de ouro são
tradicionalmente usados para
interconectar os suportes de
encapsulamento aos pontos de contato
do circuito acabado.
• Finalmente, o suporte é encapsulado
(selado), utilizando-se material plástico ou
epóxi sob vácuo ou em uma atmosfera
inerte.