Вы находитесь на странице: 1из 199

Федеральное агентство по образованию Российской Федерации

Московский государственный университет экономики,


статистики и информатики

Проф. Цуркин А.П.

Преподаватель Мосолов Д.Н.

Каф.АСОИиУ

Учебное пособие по курсу


Электротехники и
электроники

Москва 2008г.
1
Содержание:

Тема №1. Введение


Тема №2. Электрическое поле. Электрические цепи постоянного тока
Тема №3. Магнитное поле. Магнитные цепи. Индуктивность и ёмкость в
электрических цепях
Тема №4. Однофазные электрические цепи синусоидального тока
Тема №5. Общие свойства четырёхполюсников

Тема №6. Переходные процессы в электрических цепях


Тема №7. Методы расчётов переходных процессов
Тема №8. Трёхфазные электрические цепи
Тема №9. Периодические и апериодические несинусоидальные сигналы
Тема №10. Расчёт электрических цепей с помощью оператора Лапласа
Тема №11. Основы теории электромагнитного поля
Тема 12. Основы теории электронных приборов
Тема 13. Транзисторные усилители электрических сигналов
Тема 14. Аналоговые и цифровые элементы и устройства
Тема 15. Комбинационные цифровые устройства
Тема 16. Источники вторичные питания Генераторы

2
Раздел 1-ЭЛЕКТРОТЕХНИКА.
Тема №1.
Введение.

Целью курса по "Электротехнике и электронике" является овладение основами


теоретических и практических знаний в области электротехники и электроники.
Без знания основных законов электротехники и электроники, принципов работы
электротехнических устройств и электронных приборов невозможно овладеть избранной
профессией и стать полноценным инженером. Помимо того, следует иметь в виду, что
электротехника и электроника являются теоретической базой для ряда других дисциплин, а
именно автоматики, вычислительной техники, технологического оборудования и т. п.
Теоретические методы, которые разработаны в электротехнике иэлектронике с успехом
применяются и в других инженерных дисциплинах.
Основные задачи курса заключается в освоении базовых понятий, определений и
методов в области электротехники и электронике, которые обеспечивали бы успешное
освоение специальных электротехнических дисциплин и дисциплин по элетронике на
последующих стадиях обучения.

Схематическое проектирование электронных устройств.

Развитие электроники и повышение сложности электронных устройств привело к


необходимости моделирования или проектирования электронных устройств привело к
необходимости моделирования или проектирования электронных устройств. Современные
технологии позволяют проверить изучение электронных устройств по следующей схеме:
 Предварительный расчёт явлений и электрических схем с заданными
параметрами;
 Компьютерное моделирование изучаемых явлений и электрических схем;
 Сравнительный анализ результатов расчётов и моделирования с результатами
измерений на фактических макетах. Это позволяет студентам глубже усваивать
теоретический материал и получать необходимые практические навыки работы
с измерительной аппаратурой.
В представленной работе рассматриваются вопросы компьютерного моделирования,
физических опытов и электрических схем, их преимущества и недостатки.
Развитие программного обеспечения персонального компьютера применительно к
анализу изучаемых явлений и электрических схем создало приемлемую альтернативу
учебной лаборатории – виртуальную электронную лабораторию, которая является
программой численного расчёта схем с интерфейсом, имитирующим деятельность
исследователя в реальной лаборатории. Причём моделированием схем на персональных
компьютерах по сравнению с экспериментальными исследованиями реальных схем обладают
преимуществами: не требуются измерительные приборы и макеты исследуемых схем;
погрешность исследования схем путём моделирования на компьютере можно сделать
достаточно малой; врем, затрачиваемое на компьютерное моделирование, несравненно
меньше времени, расходуемого на изготовление макета и выполнение экспериментального
исследования. Но есть и ряд недостатков: в моделях не учитываются некоторые реально
существующие параметры элементов схем; внутренние сопротивления и проводимости
источников; собственные индуктивности и ёмкости реальных регистров; потери в катушках
индуктивности и конденсаторах и др.
На данный момент существует большое число программ моделирования электронных
схем: Micro-capV, Design Center 6.2, P-spice A/D, APLAC 7.0. Некоторые из них требуют

3
большое число программ предварительной подготовки и наличия специальных заданий. Для
учебных целей необходима такая программа, в которой исследователь мог бы выполнить
такие операции, как сборка электрической схемы, подключение к ней измерительных
приборов, задание параметров генераторов входных воздействий и установить режимы
работы на панелях измерительных приборов, получить результаты измерений в привычной
для него форме. Такие возможности представляет наиболее доступная программа Electronics
Workbench (EWB) – виртуальная электронная лаборатория на компьютере. В настоящее
время широкое распространение получила версия EWB 5.0, которая работает в среде
Windows 95/98 и NT 3.51, с объёмом дисковой памяти примерно 16 Мбайт.
Программа EWB располагает широким набором виртуальных элементов
электрических схем, которые представлены в виде условных обозначений и обладает
основными свойствами реальных физических элементов, используя эти элементы можно
«собрать» на экране ПК необходимую виртуальную электрическую схему, провести её
полный анализ и выполнить требуемые расчёты. Однако, методически неправильно
подменять экспериментальные лабораторные работы – виртуальными. Инновационные
технологии (компьютерное моделирование) позволяют только более широко пополнять
знания студентов о действительных элементах и устройствах, а также о их физических
свойствах.

Электрические цепи и их классификации.

Простейшая электрическая цепь состоит из источника, приемника и проводников


электрической энергии. Эти элементы условно называют основными. Происходящие в
электрических цепях процессы могут быть описаны с помощью понятий ЭДС, напряжение и
сила эл. тока.
Источник эл. энергии преобразует другие виды энергии в электрическую. Сюда
относят различные виды генераторов, аккумуляторы и др.
Приемник эл. энергии преобразуется эл. энергии в иные виды энергии. Сюда относя
различные электробытовые приборы, инструменты и т. п.
Проводниками называют устройства для передачи эл. энергии от источника к
потребителю. Как правило, это провода, кабели и др.
Часто в эл. цепях содержатся вспомогательные элементы, такие как измерительные
приборы, приборы коммутации и т. п.
В электрической цепи различают два участка: внутренний и внешний. Источник
является внутренним участком цепи. Все остальные элементы относятся к внешним
участкам электрической цепи.
Электрические цепи записывают в виде схем, на которых показываются основные и
вспомогательные элементы и их соединения. Наиболее распространены три вида схем:
монтажные, принципиальные и замещения.
На монтажных схемах элементы цепи и их соединение показываются в виде рисунков
или эскиза. Эта схема часто используется при соединении кабелей и проводов приборов или
установок.
Принципиальная схема определяет состав элементов входящих цепь и связь между
этими элементами. С помощью принципиальной схемы получают детальное представление о
принципах работы электрического изделия, установки.
Схема замещения — это схема, в которой реальные объекты и устройства замещаются
идеализированными моделями. Эти схемы используют для облегчения расчетов. В схеме
замещения электрические соединения между элементами такое же, как и в принципиальной
схеме.
Все элементы эл. цепи на схемах указывают с помощью условных обозначений
(исключение составляют монтажные схемы). Условные обозначения для электрических схем

4
установлены стандартами системы ЕСКД. Условные обозначения некоторых основных
элементов эл. цепи и приборов измерения приведены в табл. 1.

Линейные и нелинейные элементы цепи.


Элементы электрической цепи делятся на линейные и нелинейные, в зависимости от
их вольт-амперной характеристики. Вольт-амперная характеристика - это зависимость
напряжения на зажимах элемента от тока в нем.
Если сопротивление R элемента не зависит от тока в нем, то такой элемент называют
линейным, а его вольт-амперная характеристика представляет собой прямую линию.
Электрическая цепь, содержащая только линейные элементы, называется линейной.
Если сопротивление R элемента зависит от тока в нем, то такой элемент называют
нелинейным, а его вольт-амперная характеристика носит нелинейный характер.
Электрическая цепь, содержащая хотя бы один нелинейный элемент, называется нелинейной.

Простые и сложные цепи.

Цепи бывают простые и сложные.


Простыми электрическими цепями называют цепи, содержащие одни источник
энергии. Цепь, содержащая два и более источника, называется сложной. Кроме того участок
цепи, содержащий источник электрической энергии, принято называть активным А, не
содержащий — пассивным П.
Участок электрической цепи, по которому проходит ток одного и того же значения и
направления, называют ветвью.
Место соединения трех и более ветвей называют узлом. Узел электрической цепи на
схеме отмечают жирной точкой. Если на схеме место скрещивания ветвей точкой не
отмечено, это означает, что электрического соединения между ними в месте их пересечения
нет.
Замкнутую электрическую цепь, образуемую одной или несколькими ветвями,
называют контуром. Контур, внутри которого не лежат другие ветви, связывающие между
собой его узлы, называют простыми.

Тема №2.Электрическое поле.Электрические цепи постоянного тока.


Напряженность и потенциал электрического поля.

Электрическое поле — это особый вид материи, существующий вокруг заряженных


тел или заряда.
Силовой характеристикой электрического поля является напряженность.
Обозначается напряженность Е , измеряется в В/м. Напряженность каждой точки
электрического поля характеризуется силой, с которой поле действует на единицу заряда,
помещенного в эту точку и определяется по формуле:
F
E (1.1)
q
Е – напряженность электрического поля, F – сила действующая на заряд, q –
электрический заряд.
Направление вектора напряженности в любой точке электрического поля совпадает с
направлением силы, действующей заряд.
Напряженность является параметром каждой точки электрическою поля и не зависит
от величины от заряда q.
Напряженность электрического поля, созданного несколькими зарядами в какой-либо
точке этого поля, определяется геометрической суммой напряженностей, созданных в этой
точке каждым точечным зарядом: E  E 1  E 2  ...  E n .

5
Для наглядности электрическое поле изображают силовыми линиями. Силовые линии
направлены от положительного заряда к отрицательному. Линия проводится так, чтобы
вектор напряженности поля в данной точке являлся касательной к ней (рис.).
Электрическое поле называют однородным, если напряженность его во всех точках
одинакова по величине и направлению. Однородное электрическое поле изображается
параллельными линиями, расположенными на одинаковом расстоянии друг от друга.
Для энергетической характеристики каждой точки электрического поля вводится
понятие «потенциал». Обозначается потенциал буквой  , измеряется в вольтах (В).
Электрический потенциал – работа, которую нужно выполнить, чтобы перенести
единицу заряда (1Кл) из данной точки в бесконечность или
  А (1.2).
q
Потенциал — скалярная величина. Если электрическое поле создано несколькими
зарядами, то потенциал в каждой точке поля определяется алгебраической суммой
потенциалов, созданных в этой точке каждым зарядом.
Заряд перемещается из точки с большим потенциалом в точку с меньшим
потенциалом. Между двумя точками с равными потенциалами заряд перемещаться не будет.
Для перемещения заряда между двумя точками электрического поля должна быть разность
потенциалов в этих точках.
Разность потенциалов между двумя точками характеризует напряжение
U  1   2 (1.3).
Кроме того, напряжение между двумя точками электрического поля характеризуется
энергией, затраченной на перемещение единицы положительного заряда между этими
точками, т. е.
А12
U  (1.4).
q
Между напряжением и напряженностью в однородном электрическом поле (рис.)
существует зависимость
А12
U  1   2   F l  El (1.5).
q q

Отсюда видно, что напряжение - это работа,затрачиваемая на перенос единицы заряда


(1Кл) из точки 1 в точку 2 поля напряженностью E по произвольному пути.
В общем случае для неоднородного электрического поля значение напряжения

определяется U    dl (1.6).
l
E

Постоянный электрический ток.

Явление направленного движения свободных носителей электрического заряда в


веществе или вакууме называется электрическим током.
Условиями возникновения электрического тока являются: 1) наличие источника
электрической энергии; 2) замкнутость пути, по которому перемещаются заряды.
Обозначается величина постоянного тока буквой I. Измеряется ток в амперах, т.е. А
(ампер). Величина тока I определяется количеством электричества (зарядов) q, проходящим
через поперечное сечение проводника в единицу времени t:
q
I (1.7).
t
Постоянным называется ток, величина и направление которого не изменяется с
течением времени.
За направление постоянного тока в замкнутой электрической цепи принимается
направление от положительного полюса источника к его отрицательному полюсу по
внешнему участку цепи, т. е. от «+» к «-».
6
Силу электрического тока измеряют с помощью амперметра. Амперметр включается в
цепь последовательно. Причем в цепях постоянного тока клемма со знаком «+»
подключается в направлении положительного полюса источника энергии, а клемма со знаком
«–» в сторону отрицательного полюса источника энергии.
На практике вместо силы тока, часто используют плотность. Обозначается плотность
тока буквой J. Отношение величины тока в проводнике I к площади его поперечного сечения
S характеризует плотность тока в этом проводнике.
I
J (1.8).
S
Единицей измерения плотности тока является А/м 2 . Так как площадь сечения
проводов выражают в мм 2 , то плотность тока выражают и в А/мм 2 .

Электродвижущая сила (ЭДС).

Электрическую энергию можно получить из других видов энергии при наличии


сторонней силы. Сторонние силы – это любые силы неэлектростатистического
происхождения.
Величина, характеризующая способность сторонних сил вызывать электрический ток,
называется электродвижущей силой (ЭДС). Единицей измерения ЭДС является вольт.
ЭДС характеризуется энергией, которую затрачивает или может затратить источник на
перемещение единицы положительного заряда по всей замкнутой цепи:
Аист
Е (1.9)
q

Источники энергии постоянного тока. Источники ЭДС и тока

К источникам энергии постоянного тока относят гальванические элементы


аккумуляторы и т. п. Принципом действия гальванических элементов и аккумуляторов
является электролиз.

Источник электродвижущей силы – это источники электрической энергии,


характеризирующейся электродвижущей силой E и внутренним электрическим
сопротивлением Rвн. За положительное направление ЭДС источника принимается
направление возрастания потенциала внутри этого источника.

Внутреннее сопротивление Rвн показывает, что часть энергии, вырабатываемой


источником, используется внутри источника. Поэтому, напряжение на выходах источника
равна разности между ЭДС источника и падением напряжения на внутреннем сопротивлении
и определяется по формуле:
U12  U  E  U вт  E  Rвт I (1.10)
При напряжении U = 0 ток источника равен току короткого замыкания:
E
Iк  (1.11)
Rвн
Источник электрической энергии с малым внутренним сопротивлением можно
заменить идеализированной моделью, для которой Rвн = 0. Такой идеализированный
источник электрической энергии называется идеальным источником ЭДС с одним
параметром Е = U. Напряжение между выводами идеального источника ЭДС не зависит от
тока, а его внешняя характеристика определяется выражением: U = Е = const.

7
Источник электрической энергии с большим внутренним сопротивлением называется
источником тока. При Rвн >> Rн:
E
I  I к  J  const (1.12)
Rвн
Отсюда видно, что ток источника тока не зависит от напряжения между его выводами.

Закон Ома для участка цепи.

Закон Ома для участка электрической цепи устанавливает зависимость между током,
напряжением и сопротивлением на этом участке цепи. Математическое выражение закона
Ома для участка имеет вид:
U
I (1.13)
R
Часто место сопротивления пользуются проводимостью. Проводимость – это
1
величина обратная сопротивлению g  (1.14). Единицей проводимости является сименс
R
(См).
Тогда закон Ома для участка цепи можно записать так I  Ug (1.15)
Для замкнутой электрической цепи ЭДС источника, можно определить выражением
E  U вн  U  IRвн  IR  I ( Rвн  R ) (1.16)
Из формулы 1.14 следует, что ток в замкнутой цепи равен
E
I (1.17).
Rвн  R

Первый закон Кирхгофа.

Первый закон Кирхгофа говорит о том, что в любой момент времени количество
электрических зарядов, направленных к узлу, равно количеству зарядов, направленных от
узла, откуда следует, что электрический заряд в узле не накапливается. Поэтому
алгебраическая сумма токов в ветвях, сходящихся в узле электрической цепи, равна
нулю:
n

I
i 1
i  0 (1.18), где n — число ветвей, сходящихся в узле.

До написания уравнения (1.18) необходимо задать условные положительные


направления токов в ветвях, обозначив эти направления на схеме стрелками. В уравнении
(1.18) токи, направленные к узлу, записывают с одним знаком (например, с плюсом), а токи,
направленные от узла, с противоположным знаком (с минусом).

Второй закон Кирхгофа.

Второй закон Кирхгофа отражает положение о том, что изменение потенциала во всех
элементах контура в сумме равно нулю. Из этого следует такая формулировка второго закона
Кирхгофа: в любом контуре электрической цепи постоянного тока алгебраическая
сумма ЭДС равна алгебраической сумме падений напряжений на всех элементах этого
контура:
n m

 Ei   Ri I i (1.19). Где n – число ЭДС в контуре; m – число элементов с


i 1 i 1

сопротивлением Ri в контуре.
При составлении уравнений по второму закону Кирхгофа предварительно задают
условные положительные направления токов во всех ветвях электрической цепи и для

8
каждого контура выбирают направление обхода. Если при этом направление ЭДС совпадает с
направлением обхода контура, то такую ЭДС берут со знаком плюс, если не совпадает — со
знаком минус. Падения напряжений в правой части уравнения (1.19) берут со знаком плюс,
если положительное направление тока в данном элементе цепи совпадает с направлением
обхода контура, если не совпадает — со знаком минус.

Последовательное и параллельное соединение элементов электрической цепи.

Если несколько резисторов соединены один за другим без разветвлений и по ним


протекает один и тот же ток, такое соединение называется последовательным.
При таком соединении:
n n
I = const, U  U1  U 2 ... U n  U i (1.20), R  R1  R2  ...  Rn   Ri (1.21)
i 1 i 1

Если сопротивления равны, т. е R1  R2 ...  Rn , то R  nR1 (1.22),а U  nU1 (1.23).


Параллельным соединением приемников называется такое соединение, при котором
к одним и тем же двум узлам электрической цепи присоединяется несколько ветвей.
При таком соединении:
n n
1 1 1 1 1
U = const, I  I1  I 2 ...  I n   I i (1.24),  
R R1 R2
 ...   
Rn i 1 Ri
(1.25).
i 1

R
Если сопротивления равны, то R  1 (1.26), а I  nI1 (1.27).
n

Последовательное и параллельное соединение ЭДС.


При последовательном соединении ЭДС один источник ЭДС следует за другим. Возможны
два случая включения последовательно: согласованное и встречное. При согласованном
включении ЭДС складываются при встречном вычитаются. По второму закону Кирхгофа
можем записать:
E1  E2 ...  En  IRвн1  IRвн2 ...  IRвнn  IR (1.28)
Отсюда
E1  E2 ...  En E
I  (1.29)
Rвн1  Rвн2 ...  Rвнn  R Rвн  R
При последовательном соединении n источников с одинаковыми параметрами
nE E
I 
nR вн  R R (1.30)
R вн 
n
При параллельном соединении источников с одинаковыми параметрами их общая ЭДС
не изменится, но уменьшатся токи через каждый источник и внутреннее сопротивление общего
источника. При n одинаковых источниках ЭДС:
Rвн1 E
Rвн  ; (1.31) I 
n R (1.32)
R  вн1
n

Метод контурных токов

Этот метод расчета основан на том, что действительный (истинный) ток в любой
ветви, входящей в несколько контуров (например, на рис.1 ветвь с сопротивлением R5 входит

9
в контур абе и в контур бвде), можно представить в виде алгебраической суммы токов,
каждый из которых замыкается по своему контуру.

Исходя из этого, сложную цепь можно разбить на ряд контуров и считать, что в каждой
ветви данного контура протекает одинаковый ток. Этот ток называют контурным.
Направление его выбирают произвольно. Контурные токи и будут теми неизвестными,
которые нужно определить. Зная значения и направления контурных токов, можно
определить действительный ток в каждой ветви цепи:
a) ток в ветви, входящий в данный контур, равен контурному току;
b) ток в ветви, входящий в несколько контуров, равен алгебраической сумме контурных
токов.
Как определить контурные токи? Для каждого контура составляют уравнения по второму
закону Кирхгофа, причем при составлении уравнений контур обходят по направлению
контурного тока. При этом необходимо учитывать падение напряжения в смежной с другим
контуром ветви от контурного тока смежного контура. Это падение напряжения будет
положительным, если направление контурного тока в смежном контуре совпадает с
направлением обхода данного контура и отрицательным, если направление контурного тока
не совпадает с направлением обхода.
Значение э.д.с. берется со знаком плюс, если направление обхода контура совпадает с
направлением действия э.д.с., и со знаком минус – если не совпадает.
При выборе контуров руководствуются следующим:
1. контуры должны быть независимы, т.е. каждый из них должен иметь ветвь, не
входящую в другой контур. Число независимых контуров можно определить по
уравнению
N=b-y+1 (1.33)
где b – число ветвей;
y – число узлов;
2. для расчета удобнее выбирать контуры с минимальным числом ветвей.
На примере расчета цепи, представленной на рис.1, поясним сказанное выше.
1. Разбиваем цепь на N независимых контуров (N=3): абе, бвде, вгд.
2. Выбираем произвольно направления контурных токов во всех контурах по часовой
стрелке, обозначив контурные токи:
1-й контур – I11,
2-й контур – I22,
3-й контур – I33.
3. Составляем для каждого контура уравнения по 2-му закону Кирхгофа, приняв обход
контура по направлению контурных токов.
1-й контур:
E1  R1I11  R5 I11  R5 I 22   R1  R5  I11  R5 I 22
10
2-й контур:
0  R2 I 22  R5 I 22  R4 I 22  R6 I 22  R5 I11  R6 I 33
=
=  R2  R5  R4  R6  I 22  R5 I11  R6 I33
(1)
3-й контур:

 E2  R3 I 33  R6 I 33  R6 I 22   R3  R6  I 33  R6 I 22
4. Решая совместно полученную систему уравнений (1), находим значения контурных
токов I11, I22, I33.
5. Определяем значения и направления действительных токов в ветвях (рекомендуется
начертить схему рис.1 и указать действительное направление токов в ветвях). Если
значение контурного тока получится отрицательным, это означает, что действительное
направление тока противоположно выбранному. Действительные токи схемы рис.1
будут иметь значения:
I1=I11, I2=I22, I3=I33, I4=I22, I5=I11-I22, I6=I22-I33.
Для решения системы уравнений, составленной по второму закону Кирхгофа,
целесообразно применить метод определителей. Тогда в общем виде эта система уравнений
записывается следующим образом:
E11  R11 I11  R12 I 22 R13 I 33  ...
E22  R21I11  R22 I 22  R23 I 33  ...
E33  R31I11  R32 I 22  R33 I 33  ...
(2)
и т.д.
Поясним смысл каждого члена уравнений.
a) В левой части каждого уравнения стоят суммарные значения э.д.с., входящие в
контур. Они имеют знак плюс, если направление обхода контура и направление
действия суммарной э.д.с. совпадают. Для цепи на рис.1:
E11=E1, E22=0, E33=-E2
b) Сопротивление R11, R22, R33 – собственные сопротивления I, II, III контуров
соответственно. Собственные
сопротивления контуров для цепи на рис.1:
R11=R1+R5,
R22=R2+R5+R4+R6,
R33=R3+R6
c) Сопротивления R12, R21, R13, R31 и т.п. – общие или смежные сопротивления контуров.
Смежное (общее) сопротивление представляет собой сопротивление ветви, входящей
в несколько контуров. Его обозначают с индексом, состоящим из номеров контуров, в
которые входит ветвь. Для цепи на рис.1 смежные сопротивления:
для I контура R12,
для II контура R21,
для II контура R23,
для III контура R32.
Если через общее сопротивление контурные токи смежных контуров протекают в
разных направлениях, в уравнение (2) такое общее сопротивление ставится со знаком минус.

11
В цепи на рис.1 через все смежные сопротивления токи текут в разных направлениях
и в этом случае принимают, что R12=R21=-R5; R23=R23=-R6.
Для составления определителя необходимо, чтобы все уравнения имели одинаковое
число членов. В правую часть каждого уравнения записываются произведения всех
контурных токов на соответствующие сопротивления, а в случае, если это сопротивление не
входит в рассматриваемый контур, его принимают равным нулю. Составим уравнения для 3-
х контуров на рис.1, учитывая сделанные замечания.
E11  R11 I11  R12 I 22  0
E22  R21I11  R 22 I 22  R23 I 33
E33  0  R32 I 22  R33 I 33
(3)
Если в эти уравнения поставить значения каждого члена и учесть сказанное о знаках,
получим уравнение (1).
Покажем, как решается система уравнений (2) методом определителей.
Ток К-го контура равен

k
Ik  (4)

где  - главный определитель (детерминант);

k - частный определитель К – го столбца

R11 R12 R13


  R21 R22 R23
R31 R32 R33
(5)
Каждый частный определитель k получается путем замены в главном
определителе сопротивлений К – го столбца на соответствующие э.д.с.
Например, если определяется ток I – го контура, частный определитель будет иметь
вид
E11 R12 R13
 k  E22 R22 R23
E33 R32 R33
(6)
При расчете цепи методом контурных токов можно не составлять уравнения по 2 –
ому закону Кирхгофа, а достаточно составить определители по уравнениям (5), (6) и по
уравнению (5) рассчитать контурные токи.
При составлении определителей нельзя забывать о знаках перед членами
определителя (перед э.д.с. ставят знак минус, если направление обхода и направление
действия э.д.с. не совпадают, перед общими сопротивлениями ставят знак минус, если
12
контурные токи тех контуров, в которые входят эти сопротивления, направлены в разные
стороны).

Метод наложения

Метод наложения основан на принципе независимости действия э.д.с. Согласно этому


принципу токи, протекающие в цепи при наличии нескольких э.д.с., можно представить как
алгебраическую сумму токов, создаваемых каждой из э.д.с. в отдельности.
Вначале определяются значения токов в ветвях, создаваемых действием только одного
источника (например, для рис.1 I1, I2, I3, I4, I5, I6 от Е1, полагая Е2=0). Затем таким же образом
определяют токи в ветвях, создаваемые действием другого источника (например, для рис.1
токи I1//, I2//, I3//, I4//, I5//, I6// от Е2, полагая Е1=0). Затем находятся действительные токи в ветвях,
как алгебраические суммы токов, создаваемые в одних и тех же ветвях отдельными
источниками.
Рассмотрим порядок определения токов, создаваемых отдельными э.д.с. на примере
схемы рис.1. Вначале находятся токи в ветвях и их направления при действии только одной
э.д.с., например, Е1, когда Е2=0. Для этого определяется общее сопротивление цепи R/общ
(внутренним сопротивлением источника э.д.с. Е2 пренебрегаем).
R5  R2  R4  Rвд 
/
Rобщ  R1  Re ; Re  ;
R5  R2  R4  Rвд
R4 R6
Rвд 
R3  R6
После этого определяются токи в ветвях схемы рис.1 при действии только э.д.с. Е 1, а
именно:

E1
I1/  / ;
Rобщ
E1  I1/ R1
I 5/  ;
R5
I 2/  I 4/  I1/  I 5/ ;

R3
I 6/  I 4/ ;
R3  R6
R6
I 3/  I 4/ .
R3  R6

13
Затем составляется схема рис.1 при действии Е2 (Е1=0, внутреннее сопротивление
источника э.д.с. пренебрегаем) и наносятся направления токов I1//, I2//, I3//, I4//, I5//, I6//.
Аналогично вышеизложенному рассчитываются токи, создаваемые действием
источника Е2. Действительные токи в ветвях определяются как алгебраическая сумма
составляющих токов, проходящих через соответствующие ветви:

I1  I1/  I1// ; I 2  I 2/  I 2// и т.д.


Составляется третья схема, на которой наносится направления действительных токов.
Направление действительных токов в ветвях выбирается по большему составляющему току в
каждой цепи.
Пример расчета линейной цепи методом контурных токов.
Найти токи в схеме рис.2. Численные значения сопротивлений и э.д.с. указаны на
рисунке.

Решение.
В этой схеме два независимых контура I и II (N=3-2+1). Выбираем произвольно
направление контурных токов I11 и II22 по часовой стрелке.
Система уравнений согласно второму закону Кирхгофа для данной цепи запишется в
следующем виде:
E11  R11 I11  R12 I 22 ,
E22  R21I11  R22 I 22.
Определяем собственные сопротивления контуров:
R11  r1  r4  r5 =4+10+6=20 Ом
R22  r2  r3  r4 =8+2+10=20 Ом
Сопротивление смежной ветви R12=R21=-r4. Внутренними сопротивлениями
источников пренебрегаем. Контурные э.д.с. равны: E11=E1=21 B, E22=-E2=-15 B. Перед э.д.с. E2
знак минус, так как направление обхода контура не совпадает с положительным
направлением действия э.д.с.
При составлении уравнения по второму закону Кирхгофа направление обхода
контуров принимаем совпадающим с направлением контурных токов.
В соответствии с численными значениями, полученными для R11, R12, R21, R22, E11 и E22,
с учетом знаков уравнения перепишутся следующим образом:
21  20I11 10I 22
15  10I11  20I 22
14
Главный определитель системы  равен:
R11 R12 20 10
  
R21 R22 10 20

 R11 R22  R12 R21  20  20  (10)  (10)  300


Контурные токи I11 и I22 будут равны:

E11 R12 21 10


1 E22 R12 15 20 270 ,
I11      0,9 A
  300 300
R11 E11 20 21
 2 R21 E22 10 15 90
I 22      0,3 A
  300 300
.

После подсчета контурных токов определяются действительные токи в ветвях:


I1=I5=I11=0,9A; I2=I3=I22=-0,3A; I4=I11-I22=1,2A
Значение контурного тока I22 получилось отрицательным, поэтому истинное
направление его будет обратным принятому на рис.2.
Истинные направления токов во всех ветвях показаны стрелками на рис.3.

Пример расчета линейной цепи методом наложения. Найти этим методом токи в
ветвях схемы рис.2.
Решение. Исключаем из схемы э.д.с. E2. При действии в схеме рис.2 одной э.д.с. E1
примем, что токи будут иметь направления, как указано на рис.4.

15
Для схемы рис.4 находим общее сопротивление цепи (внутреннее сопротивление
источников э.д.с. E1 и E2 принимаем равными нулю).

Rобщ 
 r2  r3  r4  r  r  8 2 10
1 5=  4  6  15 Ом
r2  r3  r4 8 210
Затем находим токи в ветвях схемы рис.4 от действий только э.д.с. E1.
I1/  I 5/  I общ
/  1,4 A ;
r2  r3 8 2
I 4/  I 5/  1,4  0,7 A ;
r2  r3  r4 8 210
r4 10
I 2/  I 3/  I 5/  1,4  0,7 A
r2  r3  r4 8 210
Полагая э.д.с. E1=0, находим направления и значения токов в ветвях схемы от действия
э.д.с. E2.

//  E2 E2 15
I общ    1A
Rобщ  r1  r5  r4  r  r  4 610 8 2
//
2 3
r1  r5  r4 4 610
;
I 2//  I 3//  I общ
//  1A ;

16
r1  r5 4 6
I 4//  I 3//   0,5 A ;
r1  r5  r4 4 610
r4 10
I1//  I 5//  I 3 1  0,5 A .
r1  r5  r4 4 610
Действительные токи в ветвях определяются алгебраическим сложением
составляющих токов ветвей. Направления действительных токов в ветвях определяются по
большей составляющей тока каждой ветви.
Итак, для схемы рис.2 действительные токи в ветвях будут равны:
I1  I1/  I1  1,4  0,5  0,9 A ;
I 2  I 2//  I 2/  1,0  0,7  0,3 A ;
I 3  I 3//  I 3/  1,0  0,7  0,3 A ;
I 4  I 4/  I 4//  0,7  0,5  1,2 A ;
I 5  I 5/  I 5//  1,4  0,5  0,9 A .
Таким образом, накладывая схему рис.4 на схему рис.5 получим схему рис.6 с
действительными значениями и направлениями токов в ветвях при одновременном действии
двух источников э.д.с E1 и E2.

Следует отметить, что при расчете более сложной электрической цепи, общее
сопротивление эквивалентной схеме более удобно определить, разбивая всю схему, начиная
со стороны противоположной действию источника э.д.с., на ряд участков, заключенных
между соответствующими узлами.

Решение.
В этой схеме два независимых контура I и II (N=3-2+1). Выбираем произвольно
направление контурных токов I11 и II22 по часовой стрелке.
Система уравнений согласно второму закону Кирхгофа для данной цепи запишется в
следующем виде:

17
E11  R11 I11  R12 I 22 ,
E22  R21I11  R22 I 22.
Определяем собственные сопротивления контуров:
R11  r1  r4  r5 =4+10+6=20 Ом
R22  r2  r3  r4 =8+2+10=20 Ом
Сопротивление смежной ветви R12=R21=-r4. Внутренними сопротивлениями
источников пренебрегаем. Контурные э.д.с. равны: E11=E1=21 B, E22=-E2=-15 B. Перед э.д.с. E2
знак минус, так как направление обхода контура не совпадает с положительным
направлением действия э.д.с.
При составлении уравнения по второму закону Кирхгофа направление обхода
контуров принимаем совпадающим с направлением контурных токов.
В соответствии с численными значениями, полученными для R11, R12, R21, R22, E11 и E22,
с учетом знаков уравнения перепишутся следующим образом:
21  20I11 10I 22
15  10I11  20I 22
Главный определитель системы  равен:
R11 R12 20 10
  
R21 R22 10 20
 R11 R22  R12 R21  20  20  (10)  (10)  300
Контурные токи I11 и I22 будут равны:

E11 R12 21 10


1 E22 R12 15 20 270 ,
I11      0,9 A
  300 300
R11 E11 20 21
 2 R21 E22 10 15 90
I 22      0,3 A
  300 300
.
После подсчета контурных токов определяются действительные токи в ветвях:

I1=I5=I11=0,9A; I2=I3=I22=-0,3A; I4=I11-I22=1,2A


Значение контурного тока I22 получилось отрицательным, поэтому истинное
направление его будет обратным принятому на рис.2.

18
Истинные направления токов во всех ветвях показаны стрелками на рис.3.

Пример расчета линейной цепи методом наложения. Найти этим методом токи в
ветвях схемы рис.2.
Решение. Исключаем из схемы э.д.с. E2. При действии в схеме рис.2 одной э.д.с. E1
примем, что токи будут иметь направления, как указано на рис.4.

Для схемы рис.4 находим общее сопротивление цепи (внутреннее сопротивление


источников э.д.с. E1 и E2 принимаем равными нулю).

Rобщ 
 r2  r3  r4  r  r  8 2 10
1 5=  4  6  15 Ом
r2  r3  r4 8 210
Затем находим токи в ветвях схемы рис.4 от действий только э.д.с. E1.
I1/  I 5/  I общ
/  1,4 A ;
r2  r3 8 2
I 4/  I 5/  1,4  0,7 A ;
r2  r3  r4 8 210
r4 10
I 2/  I 3/  I 5/  1,4  0,7 A
r2  r3  r4 8 210
Полагая э.д.с. E1=0, находим направления и значения токов в ветвях схемы от действия
э.д.с. E2.

19
//  E2 E2 15
I общ    1A
Rобщ  r1  r5  r4  r  r  4 610 8 2
//
2 3
r1  r5  r4 4 610
;
I 2//  I 3//  I общ
//  1A ;
r1  r5 4 6
I 4//  I 3//   0,5 A ;
r1  r5  r4 4 610
r4 10
I1//  I 5//  I 3 1  0,5 A .
r1  r5  r4 4 610
Действительные токи в ветвях определяются алгебраическим сложением
составляющих токов ветвей. Направления действительных токов в ветвях определяются по
большей составляющей тока каждой ветви.
Итак, для схемы рис.2 действительные токи в ветвях будут равны:
I1  I1/  I1  1,4  0,5  0,9 A ;
I 2  I 2//  I 2/  1,0  0,7  0,3 A ;
I 3  I 3//  I 3/  1,0  0,7  0,3 A ;
I 4  I 4/  I 4//  0,7  0,5  1,2 A ;
I 5  I 5/  I 5//  1,4  0,5  0,9 A .
Таким образом, накладывая схему рис.4 на схему рис.5 получим схему рис.6 с
действительными значениями и направлениями токов в ветвях при одновременном действии
двух источников э.д.с E1 и E2.

Следует отметить, что при расчете более сложной электрической цепи, общее
сопротивление эквивалентной схеме более удобно определить, разбивая всю схему, начиная
со стороны противоположной действию источника э.д.с., на ряд участков, заключенных
между соответствующими узлами.

Активные и пассивные двухполюсники.

20
Двухполюсником называется часть сложной электрической цепи, которая имеет два
зажима (входной и выходной), называемых полюсами. Двухполюсники бывают пассивные и
активные.
Двухполюсник, не содержащий источника энергии, называется пассивным.
Линейным пассивный двухполюсник будет и тогда, когда в нем будут содержаться источники
энергии, э. д. с. которых взаимно компенсируются, т. е. направлены навстречу друг другу и
равны по значению. Двухполюсники условно изображают в виде прямоугольника, при этом
для обозначения пассивного двухполюсника в прямоугольнике либо ставят букву П, либо не
ставят никакой буквы (рис.).

В схеме некомпенсированные двухполюсники, в которых содержатся источники


электрической энергии, называются активными (рис.). В этом случае при обозначении
двухполюсника в прямоугольнике ставят букву А.

При анализе электрической цепи, в которую входит пассивный двухполюсник,


достаточно знать его характеристику. Так как пассивный двухполюсник является
потребителем энергии, то в качестве характеристики можно взять его сопротивление,
которое в этом случае называется внутренним или входным. Следовательно, на схеме
замещения пассивный двухполюсник можно представить в виде одного элемента с
сопротивлением, равным входному сопротивлению двухполюсника. Для активного
двухполюсника наряду с сопротивлением важной характеристикой является внешняя, или
вольт-амперная, характеристика, которая полностью определяет его свойства.

Электрическая энергия и работа. Мощность электрической цепи.

Работа источника электрического тока определяется по формуле:


Aист  EIt (1.34)
А
Так как U  q , q  It , Aвн  I Rвнt , то Aист  A  Aвн (1.35)
2

Работа и энергия – понятия равноценные. Энергия – способность источника


совершать работу. Чтобы измерить энергию источника, надо измерить работу, которую он
совершает, расходуя эту энергию. Измеряется энергия и работа в Джоулях (Дж).
На практике за единицу энергии принимают 1 кВт·ч = 3600000 Дж.
Электрическая мощность – это физическая величина, характеризующая быстроту
передачи или преобразования электрической энергии:
A
Pист  ист  Еист I (1.36)
t
Измеряется мощность в ваттах (Вт).
Мощность, отдаваемая (полезная) источником энергии потребителю (приемнику)
I2 U2
P  U I  I 2R   U 2g  (1.37)
g R
Потери мощности во внутреннем сопротивлении
Pвн  I 2 Rвн (1.38)

Условие передачи в нагрузку максимальной мощности.

21
Отношение мощности приемника (полезной мощности) к мощности источника
энергии Pист называется его коэффициентом полезного действия (КПД):
P UI U IR R
      .
Pг EI E IR  IRвн R  Rвн (1.39)
Источник ЭДС развивает максимальную полезную мощность, когда внешнее
сопротивление равно внутреннему сопротивлению источника:
E2
Pmax 
4 Rвн (1.40)
Такой режим является невыгодным, так как 50 % энергии теряется во внутреннем
сопротивлении источника
R R
    0,5.
R  Rвн 2 R
Режим цепи, при котором внешнее сопротивление цепи равно внутреннему
сопротивлению источника энергии, называется режимом согласованной нагрузки.
При согласованном режиме  согл = 0,5, при холостом ходе R =  , а при коротком
замыкании R = 0  к = 0. Таким образом, более высокие значения к. п. д. достигаются при
R > Rвн .

Закон Джоуля-Ленца.

При протекании электрического тока по проводникам происходит преобразование


электрической энергии в тепловую. Эта зависимость выражается формулой получившей
название закон Джоуля-Ленца:
Q  I 2 Rt (1.41)
Q— количество тепла, выделенного в проводнике.
Количество тепла Q измеряется иногда внесистемной единицей — калорией. 1 кал =
4,187 Дж. Отсюда, 1 Дж = 0,24кал.

Тема №3.
Магнитное поле.Магнитные цепи. Индуктивность и ёмкость в
электрических цепях.

Магнитной цепью называется совокупность магнитодвижущих сил (МДС),


ферромагнитных тел или других сред, по которым замыкается магнитный поток.
Если магнитный поток во всех сечениях магнитной цепи одинаков, то такая цепь
называется неразветвленной. Магнитные цепи, в которых магнитные потоки на разных
участках неодинаковы, называются разветвленными.
Для расчета магнитных цепей пользуются законом полного тока. Закон полного тока
гласит, что циркуляция вектора напряженности магнитного поля Н по замкнутому контуру
равна алгебраической сумме токов, которые охвачены этим контуром
 Н dl   I . (3.1)
Если контур интегрирования охватывает w витков катушки, по которым протекает
ток I, то закон полного тока принимает вид
 Hdl  Iw . (3.2)

22
В том случае если напряженность имеет постоянную величину по всему контуру, а
направление по магнитной линии, то уравнение принимает вид:
Hl   I …………………………………………………………………………………
(3.3)
Для разветвленных магнитных цепей справедливы законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа – алгебраическая сумма магнитных потоков в узле равна
нулю
 Фk  0 …………………………………………………………… (3.4)
Второй закон Кирхгофа – алгебраическая сумма ЭДС в замкнутом контуре равна
алгебраической сумме падений магнитных напряжений на участках этого контура
 Iw U м   Hl ………………………………………………………………. (3.5)
Произведение числа витков катушки на протекающий в ней ток называют
магнитодвижущей силой (МДС)
F  Iw , [А]. (3.5)
МДС вызывает в магнитной цепи магнитный поток. На схемах МДС указывают
стрелкой, направление стрелки определяют по правилу правого винта.

Свойства ферромагнитных материалов. Гистерезис.

Если среда способна намагничиваться в магнитном поле, т.е. создавать собственное


магнитное поле, то такая среда называется магнетиком. В самом деле, если
ненамагниченный магнетик поместить в магнитное поле с индукцией B   0 H , то он
намагничивается и дает добавочную индукцию поля B ´, которая векторно складывается с
первоначальной индукцией B , т.е. B  B 0  B  ´.
Векторная сумма B называется вектором магнитной индукции внутри магнетика.
Вещества, для которых B ´ совпадает по направлению с B0 , называются
парамагнетиками. Внутри парамагнетиков магнитное поле усиливаются.
Вещества, для которых B ´ и B0 противоположны по направлению, называются
диамагнетиками. Магнитное поле внутри диамагнетиков ослабляются. Для парамагнетиков
(алюминий, платина и др.) магнитная проницаемость µ>1. Для диамагнетиков (медь,
поваренная соль и др.) µ<1.
Наряду с пара- и диамагнетиками существуют ферромагнетики (железо, никель,
кобальт и др.), для которых µ>>1, т.е. они способны сильно намагничиваться.
Для всех магнетиков B   0 H ……………………………………………….. (3.6),
Гн
где  0  4  10
7
- магнитная постоянная,
м
µ - напряженность магнитного поля.
Для пара- и диамагнетиков зависимость между B и H линейная, так как µ=const.
Для ферромагнетиков эта зависимость носит нелинейный характер (рис.3.2), потому что
µ≠const, а зависит от Н, т.е. µ=ƒ(Н) (рис.3).

23
Рис.3.2 Рис.3.3
Характерной особенностью ферромагнетиков является гистерезис. Явление
гистерезиса заключается в том, что магнитная индукция В зависит не только от мгновенного
значения Н, но и от того, какова была напряженность поля раньше. При этом происходит
отставание изменения индукции В при изменении Н. Если ненамагниченный ферромагнетик
поместить в магнитное поле, которое увеличивается от нуля, то зависимость В от Н (кривая
намагничивания) выразится кривой Oa (рис.3.4). Точка a на рис3..4 соответствует
магнитному насыщению.

Рис.3.4
Если же затем уменьшить Н до 0, то кривая намагничивания не совпадает с Oa, а
пойдет по кривой ав. В результате, когда Н станет равной нулю, намагничивание не исчезнет
и будет характеризоваться величиной Ве, которая называется остаточной индукцией (отрезок
ов). Намагничивание обращается в нуль (точка С) лишь под действием поля с
напряженностью Нс (отрезок ос), имеющего направление, противоположное полю,
вызывающему намагничивание. Напряженность магнитного поля Н с называется
коэрцетивной силой.
При воздействии переменного магнитного поля напряженностью Н индукция В
ферромагнетика меняется в соответствии с кривой авсаа′в′с′а (рис3.4), которая называется
петлей гистерезиса. Петля гистерезиса может быть объяснена наличием в ферромагнетиках
отдельных областей самопроизвольного намагничивания, называемых доменами.
Если максимальные значения напряженности поля Н таковы, что намагничивание
достигает насыщения, получается так называемая максимальная петля гистерезиса
(обозначена сплошной линией на рис.3.4). Если при максимальных значениях Н насыщение

24
не достигается, получается петля, называемая частным циклом (обозначена пунктирной
линией на рис.4).

ЭДС самоиндукции и индуктивность. Энергия магнитного поля. Индуктивность


соленоида.

Индукцией называется явление возникновения электрического тока в замкнутом


контуре при изменении магнитного потока, пронизывающий этот контур (закон Фарадея).
ЭДС индукции в замкнутом контуре пропорционален скорости изменения магнитного
потока:

Ei   …………………………………………………………………………. (3.7)
t
Знак минус следует из правила Ленца, которое утверждает, что индукционный ток
имеет такое направление, при котором создаваемое им магнитное поле, противодействует
изменению магнитного потока, вызывающего этот ток.
Если магнитный поток через поверхность, ограниченную контуром, меняется в связи
с изменением тока, протекающего по контуру, то в контуре возникает ЭДС самоиндукции:

Esi   ……………………………………………………………………………… (3.8)
t
Отношение магнитного потока через контур, созданного магнитным полем тока в
контуре, к силе этого тока называют индуктивностью контура. Обозначается индуктивность
L, в системе СИ измеряется генри (Гн). Отсюда ЭДС самоиндукции находится как
 I
Esi    L …………………………………………………………………………. (3.9)
t t
При произвольном изменении силы ток в контуре ЭДС самоиндукции определяется
как
dI
E si   L ……………………………………………………………………………..
dt
(3.10)
Индуктивность бесконечно длинного соленоида может быть вычислена по формуле:
N2
L  0 n 2V (3.11) или L  0  S
l
………………………………………………….(3.12)
N
где n  ; N – число витков соленоида, на единице длины l; V – объем соленоида.
l
Энергия магнитного поля выражается следующей формулой
LI 2
Wмагн  (3.13)
2

Взаимная индукция и взаимная индуктивность.

Взаимная индуктивность является параметром магнитосвязанных проводников.


Обозначается взаимная индуктивность М, измеряется в генри (Гн).
Взаимная индуктивность двух магнитосвязанных катушек зависит от числа витков
этих катушек, габаритов и материала магнитопровода, на котором располагаются катушки.
Математическая запись этой зависимости имеет следующий вид:
WW
M  0  r 1 2 S ………………………………………………………. (3.14)
l
При отсутствии рассеяния величина взаимной индукции также определяется по
формуле:

25
M  L1 L2 …………………………………………………………………….. (3.15)
При наличии рассеяния в формулу вводится коэффициент связи, и формула
приобретает следующий вид:
M   L1L2 ……………………………………………………………………. (3.16)
Явление наведения ЭДС взаимоиндукции в одной из магнитосвязанных катушек,
вызванное изменением тока в другой катушке, называется явлением взаимоидукции. ЭДС
взаимноиндукции определяется по формуле:
di
EM 2   M 1 ……………………………………………………………..(3.17) и
dt
di
E M 1   M 2 …………………………………………………………………………….(3.18)
dt
Знак «-» отражает правило Ленца.

Емкость проводящих тел. Конденсаторы. Энергия электрического поля.

Электрическая емкость уединенного заряженного проводника называется отношение


q
c …………………………………………(3.19)

Если два изолированных друг от друга проводника зарядить равными по величине и
противоположными по знаку зарядами, то они образуют конденсатор, емкость которого
q q
c  …………………………………………………………………. (3.20)
1   2 U
Электроемкость плоского конденсатора вычисляется по формуле
 S
c  0 ……………………………………………………………………………. (3.21)
d
Для вычисления электроемкости уединенного шара применяют формулу
c  4 0R …………………………………………………………………………….(3.22)
Если n конденсаторов соединены последовательно, то их общая емкость вычисляется
из формулы:
n
1 1 1 1 1
   ...    ……………………………………………………….. (3.23)
собщ с1 с2 сn i 1 ci
Если последовательно включено n одинаковых конденсаторов, то общая емкость
определяется по формуле:
с
собщ  …………………………………………………………………………………
n
(3.24)
Если n конденсаторов соединены параллельно, то их общая емкость вычисляется из
формулы:
n
собщ  c1  c2  ...  cn   ci …………………………………………………………….3.25)
i 1
Если параллельно включено n одинаковых конденсаторов, то общая емкость
определяется по формуле:
собщ  nc …………………………………………………………………………………
(3.26)
Энергия уединенного заряженного проводника вычисляется по формуле:
q c  2 q 2 ………………………………………………………………….(3.27)
W   
2 2 2c
Энергия заряженного конденсатора вычисляется по формуле:

26
qU cU 2 q2 …………………………………………………………………..
W   
2 2 2c
(3.28)

Тема №4.
Однофазные электрические цепи синусоидального тока.

Если в однородном магнитном поле с индукцией В равномерно со скоростью 


вращать рамку, то в каждой стороне этой рамки индуктируется ЭДС электромагнитной
индукции, которая равна:
e  Bl sin  (4.1)
Если к рамке подключить нагрузку, то в замкнутой цепи пойдет ток, изменяющийся
по синусоидальному закону.
Значения, при которых ЭДС достигает своих максимальных величин, называются
амплитудными, обозначается Em . При амплитудном значении ЭДС этом sin   1 и e  Em ,
следовательно Em  Bl , а e  Em sin  (3.2).
Промышленный ток изменяется по синусоидальному закону, также как изменяются
Э.Д.С. и напряжения:
i = Im sin  t или i = Im sin (  t + α)…………………………….. (4.3)
e = Em sin  t или e = Em sin (  t + α1) …………………………….(4.4)
u =Um sin t  или u = Um sin (  t + α2)…………………………….(4.5)

где i, е, u – мгновенные значения тока, э.д.с. и напряжения соответственно;


Im , Em , Um - амплитудные (максимальные) значения тока, э.д.с. и напряжения;
 = 2πƒ – угловая частота;
α, α1, α2 – начальные фазы.

Среднее и действующее значение переменного тока.

Среднее значение переменного тока равно величине постоянного тока, при котором
через поперечное сечение проводника проходит такое же количество электричества, что и
при переменном токе. Обозначается среднее значение тока, напряжения и ЭДС
соответственно I c , U c , Ec .
Определяются средние значения по формулам:
2
Uc  U  0,637U m ……………………………………………………………(4.6),
 m
2
Ec  Em  0,637 Em ……………………………………………………………(4.7),

2
I c  I m  0,637 I m ……………………………………………………………… (4.8).

Эффективным или действующим значением переменного тока называется такой ток,
который за одинаковый промежуток времени выделит в одном и том же проводнике такое же
количество теплоты, что и данный переменный ток. Определяется действующее значение
переменного тока, напряжения и ЭДС по формулам:
I
I  m  0,707 I m ………………………………………………………………… (4.9)
2

27
T
1 U
U  
t 0
U 2 dt  m  0,707U m ………………………………………………….(4.10)
2
Em
E  0,707 Em ……………………………………………………………….. (4.11)
2

Векторные диаграммы.

При расчете цепей переменного тока часто приходится суммировать (или вычитать)
несколько однородных синусоидально изменяющихся величин одной и той же частоты ƒ, но
имеющих разные амплитуды (Im , Em , Um) и начальные фазы (α, α1, α2 ).
Такую задачу можно решать аналитическим путем тригонометрических
преобразований или геометрически.
Геометрический метод более прост и нагляден, чем аналитический.
Синусоидальную величину (например, u = Um sin (wt + α))
изображают в виде радиуса-вектора ОАU m с декартовыми координатами х=а, у=в
(см. рис.3).

α – угол, образованный ОА с осью Х в начальный момент времени, называемый


начальной фазой. Вектор ОА вращается в заданной плоскости вокруг точки О с
постоянной угловой скоростью, равной угловой частоте ω, против часовой стрелки.
Направление вектора ОА не указывает направление действия напряжение (или тока и э.д.с.).
Это его отличие от векторов в механике, которыми обозначаются величина и направление
силы, скорости, ускорения. Сумма двух синусоидальных величин изображается суммой
векторов, изображающих отдельные слагаемые, а линейная комбинация нескольких
синусоидальных величин – соответствующей линейной комбинацией векторов. Такое
изображение синусоидальных величин называется векторной диаграммой. При построении
векторных диаграмм один из векторов – исходный располагают произвольно, другие векторы
– под соответствующими углами к исходному.
Пусть необходимо сложить две синусоидальные функции с одинаковым периодом, но
разными начальными фазами (см.рис.4):
U = Um1 sin (ωt + α1) и U2 = Um2 sin (ωt + α2) .

Рис.4

28
По известному правилу сложения векторов можно получить вектор ОМ ,
изображающий сумму обеих функций U1(t) и U2(t), как геометрическую сумму векторов
ОМ 1иОМ 2 , изображающих эти функции. Все три векторы вращаются одновременно с
угловой скоростью ω и легко непосредственно проверить, что ордината точки М
представляет собой сумму функций Um1sin(ωt + α1) и Um2sin(ωt + α2). Аналогично абсцисса
точки М равна сумме функций Um1cos(ωt + α1) и Um2cos(ωt + α2).
Вместо того, чтобы вращать векторы с угловой скоростью, можно предположить, что
они неподвижны, а оси координат вращаются с угловой скоростью ω.
На рис.4 изображено относительное расположение векторов и осей в момент t = 0.
Геометрическое построение, описанное выше, определяет амплитуду ОМ =Um, фазу α
и тем самым позволяет найти выражение Umsin(ωt + α) = Um1sin(ωt + α1) + Um2sin(ωt + α2),
причем амплитуда Um будет равна

1 U m 2  2U m1U m 2 cos( 2 1 )


2 2
Um  Um ,
фаза α может быть определена через tg α
U m1 sin 1 U m2 sin  2
tg  .
U m1 cos1 U m2 cos 2
Аналогично линейная комбинация нескольких синусоидальных функций времени и
той же частоты есть синусоидальная функция времени той же частоты:
n
 U m sin(t  i ) U m sin(t  )
i 1 i
Часто нужно вычислять производную или интегралы синусоидальных функций
времени типа U(t) = Umsin(ωt + α) . Имеем

dU 
 U m cos(t   )  U m sin(t    )
dt 2
Um Um 
Udt   cos(t  )  sin(t   ) .
  2
Производные и первообразные от функции U (t) изображаются векторами,
 
повернутыми к исходному вектору соответственно на углы + 2
и- 2
, а длины этих
Um
векторов равны ωUm и .

Изложенное выше применимо в тех случаях, когда требуется произвести сложение,
дифференцирование, интегрирование синусоидальных напряжений и токов, либо линейные
комбинации этих операций. Но это не применимо, если нужно подвергнуть напряжения или
токи нелинейным алгебраическим операциям, как, например, умножению или возведению в
степень. При таких операциях возникают круговые частоты, отличные от ω. Это обрекает на
неудачу векторное построение, изображенное на рис.4.
Построение векторов, изображенное на рис.4, называется векторной диаграммой.
Обычно при построении векторных диаграмм вместо амплитудных значений
синусоидальных величин берут их действующие значения.

29
Действующие значения переменного напряжения и тока будут равны:
Посредством действующих значений напряжения и тока проще выражается активная
мощность. Активная мощность является основной величиной, характеризующей
энергетические условия в цепи. Если для любого участка цепи известны векторы, длины
которых равны действующим значениям напряжения U и тока I, то активная мощность есть
скалярное произведение этих векторов:
P  U I  U  I cos , Вт.
Здесь φ – угол между векторами напряжения и тока.
Для электрических расчетов применяют также две вспомогательные величины:
полную мощность S = U I , ВА;
реактивную мощность Q = U I sin φ , вар.
Величины Р, Q, S соотносятся как стороны прямоугольного треугольника.
Прямоугольный треугольник , стороны которого численно равны величинам Р, Q, S,
называется треугольником мощностей (рис.5).

Цепи с последовательным соединением элементов R L C.

Для последовательной цепи, состоящей из нескольких элементов, строится


векторная диаграмма напряжений.
За исходный вектор принимается вектор тока, т.к. при последовательном
соединении через все элементы цепи протекает один и тот же ток. Может быть показано, что
напряжения на отдельных участках цепи сдвинуты по фазе относительно тока.
а) Пусть в цепи только активное сопротивление R.
По закону Ома ток в такой цепи
U
i
R
U m sin t
Т.к. U = Um sin ωt, то i  I m sin t .
R
Отсюда следует, что напряжение и ток совпадают по фазе.
б) Пусть в цепи только индуктивность L.
Допустим, что ток в цепи
i = Im sinωt.
Этот ток в индуктивности вызывает э.д.с. самоиндукции
di
eL   L  LI m cost .
dt
По 2-му закону Кирхгофа: eL = -UL,
отсюда получаем UL = ω L Im cos ωt.

30
Из этого следует, что напряжение на индуктивности опережает ток на угол π/2.
Рассуждая аналогично, для цепи с емкостью С выявим, что напряжение на емкости отстает
от тока на угол π/2 (рекомендуется установить самостоятельно).
Таким образом, векторная диаграмма напряжений для цепи с последовательно
соединенными элементами R, L, C (см.рис.6) будет иметь вид, как показано на рис.7.

Вектор напряжения U , приложенного к цепи, определяется как сумма векторов


U  UR U L U C ,
а его величина равна

U  U R2  (U L U C ) 2
Построим векторную диаграмму напряжений для цепи на рис.1. Для произвольных
значений сопротивлений R, XL и XC и тока I она будет иметь вид, показанный на рис 8.

Вектор напряжения U равен сумме векторов напряжений на отдельных участках цепи


U  U R1  U L  U R2  U C .
Если сумму векторов представить следующим образом:
U  (U R1  U R2 )  (U L  U C ) ,
то в соответствии с этой записью векторную диаграмму можно изобразить так, как показано
на рис.9 или на рис.10.

Векторная диаграмма, представленная на рис.10 называется треугольником


напряжений. Вектор результирующего напряжения U на рис.10 опережает вектор тока I на
угол φ.
Если модули векторов треугольника напряжений разделить на модуль вектора тока, то
получим сопротивления последовательной цепи R , X, Z :
R = R1 + R2 ; X = XL – XL ; Z  R2  (X L  X C )2

31
Эти сопротивления соотносятся как стороны прямоугольного треугольника.
Прямоугольный треугольник, стороны которого численно равны величинам R, X, Z,
называется треугольником сопротивлений (см.рис.11).

Таким образом, U  U a2  (U L  U C ) 2 или U  I R 2 ( X L  X C ) 2  IZ


- это выражение является законом Ома для последовательной цепи переменного тока.
На рис.8, 9, 10, 11 рассмотрен случай, когда XL>XC(UL>UC). Если
ХL<XC, треугольники напряжений и сопротивлений будут иметь вид, показанный на рис.12
(а,б).

В этом случае вектор напряжения отстает от вектора тока на угол φ. Возможен


частный случай, когда XL=XC. В цепи при этом наступает режим, называемый резонансом
напряжений.
Обычно для расчета электрических цепей используют комплексные числа. Тогда все
векторы можно изобразить на комплексной плоскости как показано на рис.13 для цепи на
рис.1 (значения величин произвольные).

В комплексной форме полное напряжение записывается следующим образом


Ů = Ůа + ŮL + ŮC
Для цепи на рис.1
Ůa = ŮR1 + ŮR2 , R = R1 + R2
Или Ů = İR + jωLİ + İ / jωC
Ů = (R + j (ωL – 1 / ωC)) İ.

Это соотношение есть закон Ома, записанный в комплексной форме. Сомножитель


перед I есть полное сопротивление последовательной цепи в комплексной форме
1
Z  R  j (L  j )  R  j( X L  X C ) .
c
Полное напряжение Ů = Z İ
Все комплексные величины можно записать в показательной форме.
В общем случае ток равен
İ = I ejψ ,
32
Ψ – угол между током и вещественной осью.
В нашем примере направление тока совпадает с вещественной осью, угол ψ=0, тогда
İ = I.
Полное сопротивление Z = Zejφ , где
X  XC
Z  R2  (X L  X C )2 ,   arctg L .
R
Комплекс напряжения в показательной форме
Ů = z İ = z I ejφ .

Цепи с параллельным соединением ветвей.

Для расчета цепи с параллельным соединением ветвей применяется метод


проводимостей.
Рассмотрим применение этого метода на примере расчета цепи, показанной на рис.2.
Нужно определить общий ток I в неразветвленной цепи. Он равен векторной сумме токов
параллельных ветвей.
При построении векторных диаграмм в случае параллельного соединения элементов в
качестве исходного вектора используется вектор напряжения U , так как напряжение в этом
случае одно и то же для всех ветвей (см.рис.14).

Вектор тока Ī представляет собой сумму векторов тока ĪR1, который совпадает с
вектором напряжения U по фазе и вектора тока I L1 , отстающего от вектора напряжения
U на угол π⁄2. Вектор тока I 2 равен сумме векторов тока I R 2 , совпадающего с
вектором напряжения U по фазе, и вектора I c 2 , опережающего U на угол π/2. Вектор
тока Ī, совпадает с напряжением U по фазе, а вектор тока I L 4 отстает от U на угол
π/2. Из векторной диаграммы на рис.14 видно, что активная составляющая тока всей цепи
равна арифметической сумме активных составляющих токов ветвей:
Ia = IR1 + IR2 + IR3
Реактивная составляющая тока цепи равна алгебраической сумме реактивных
составляющих токов ветвей:
IP = IC – IL1 – IL4 (cкалярные величины).
Векторную диаграмму токов на рис.14 можно преобразовать к виду, изображенному
на рис.15.

33
Векторную диаграмму, показанную на рис.15, обычно называют треугольником токов.
Ток в цепи до разветвления равен

I  I a2  I 2p
Для нахождения активной, реактивной и полной проводимостей можно разделить
модуль каждого вектора тока на модуль вектора U , в результате чего получится
прямоугольный треугольник, подобный треугольнику тока, стороны которого равны
проводимостям g, b, у – так называемый треугольник проводимостей (рис.16).

g – активная проводимость;
b – реактивная проводимость;
у – полная проводимость.
В общем случае, если ветвь содержит не только одно сопротивление ( R или L или C),
но несколько (как ветви аб и гд на рис.2) значения проводимостей определяются следующим
образом:
R1 R1 X L1 X L1
g1  2
 2 2
; bL1
 2
 2 2
;
Z1 R1  X L1 Z1 R1  X L1
R R X X
g 2  22  2 2 2 ; bc2  c22  2 c2 2 ;
Z 2 R2  X c2 Z 2 R2  X c2
1 1
g3  ; bL4  ;
R3 X L4
y  ( g1  g 2  g 3 ) 2  (bc 2 bL1 bL4 ) 2 .
Считается, что емкостная проводимость bc положительна, так как ей соответствует
опережающий по фазе напряжение емкостный ток, а индуктивная bL- отрицательна, так
как ей соответствует индуктивный отстающий ток.
В общем случае активная проводимость разветвления в целом равна арифметической
сумме активных проводимостей ветвей:
n
g a   gi ,
i 1
а реактивная проводимость равна алгебраической сумме реактивных проводимостей:

34
n k
b   bci   bL1
i 1 i 1
Условно можно принять, что угол φ>0, если ток опережает напряжение.
Следовательно, в общем виде закон Ома для параллельного соединения будет иметь
вид
I = уU,

 n m k 
I   (  gi )  (  bCi   bLi ) 2  U.
2

 i 1 i 1 i 1

В схемах с параллельным соединением ветвей может преобладать емкостная или
индуктивная проводимость, но возможен и частный случай, когда
m k
 bCi   bLi
i 1 i 1
Это равенство является условием резонанса токов, при таком режиме реактивные токи
в ветвях могут значительно превышать общий ток I, поступающий от источника.
Векторную диаграмму токов можно изобразить на комплексной плоскости. Для цепи на рис.2
она будет иметь такой вид, как на рис.14 (см.рис.17).

Общий ток цепи равен сумме токов ветвей İ = İ1 + İ2 + İ3 + İ4

 

U U  R X  
I  U ( 1  j L 1  U ( g  jb )  y1U
1 L1
Z1 R  jX
1 L1 Z2 Z2
1 1
,
где y1  g  jb .
1 L1
 
  R X C2   
I2 
U

U
Z 2 R2  jX C 2
U 

2
2
j 2

 
  U g 2  jbC  y2 U
2
 Z2 Z2 
, где
y2  g 2  jbL2
35
 
 
U U 1
I3    y3 U , где y3 
R3
 y3  g 3
Z 3 R3
 
  
U4 U4 1 где y4   j
1
  jbL4
I4    U 4 j  y4 U , X L4
Z4 jX L 4 X L4
Исходя из написанного выше, можно записать выражение для общего тока:
İ = (у1 + у2 + у3 +у4) Ů ,
İ = (g1 + g2 + g3 + j bC2 - j bL1 - j bL4) Ů,
 
 k l m 
I   gi  j  bCi   bLi  U
i 1  i 1 i 1 
Это соотношение есть закон Ома для параллельной цепи, записанный в комплексном
виде.
Сомножитель перед - полная проводимость параллельной цепи в комплексной форме
 
Ток цепи I  yU
Все комплексные величины можно записать в показательной форме. В общем случае
Ψ – угол между напряжением и вещественной осью. У нас ψ = 0, . Комплекс
проводимости в показательной форме y  ye j , где

2
n 2  l m 
y  g i   bi   bi 2  ,
i 1  i 1 i 1 
k k
 bCi   bLi
  arctg i 1 i 1
gi
Комплекс тока в показательной форме
 
I  yU  yUe j

Резонанс в электрических цепях.

Рассмотренные выше электрические цепи представляют собой последовательный и


параллельный колебательные контуры соответственно. Цепь, в которой индуктивность,
емкость и активное сопротивление соединены последовательно, называется
последовательным колебательным контуром . Цепь, в которой индуктивность, емкость и
активное сопротивление соединены параллельно, называется параллельным колебательным
контуром.

36
В колебательных контурах при определенных условиях могут возникать особые
явления, которые называют резонансными. Резонанс в последовательном колебательном
контуре называют резонансом напряжений, резонанс в параллельном колебательном контуре
– резонансом токов.
В цепях переменного тока резонанс наступает тогда, когда частота источника
напряжения равна резонансной частоте контура (собственной частоте колебаний контура,
если Rk  0 ). При резонансе ток и напряжение совпадают по фазе, т.е. угол φ = 0.
Резонанс напряжений.

Закон Ома для последовательной цепи, состоящей из активного, индуктивного и емкостного


сопротивлений (си.рис.1), выражается формулой
U U
I 
Z R 2  X L  X C  2
где R – активное сопротивление контура;
XL и XC - индуктивное и емкостное сопротивления контура соответственно.
Угол сдвига фаз между током и напряжением

X L  XC
  arctg
R
Резонанс наступает тогда, когда цепь ведет себя как чисто активная, т.е. когда ток и
напряжение совпадают по фазе, угол φ = 0.
Условием возникновения резонанса в последовательном колебательном контуре
является равенство реактивных сопротивлений контура X L  XC .
Тогда полное сопротивление цепи будет равно его активной составляющей:

Z  R2  X L  X C  2  R
Сдвига фаз между током и напряжением не будет, угол φ = 0, cos φ = 1.
Векторная диаграмма цепи при резонансе напряжений представлена рис. 18 (а и б).

При резонансе напряжений действующие значения реактивных составляющих


напряжения UL и UC равны по величине, мгновенные значения равны и противоположны по
знаку, векторы U L и UC равны и противоположны по знаку.
Результирующее напряжение при резонансе равно его активной составляющей
U =Ua.
Следовательно, мощность, развиваемая источником, является активной мощностью,
она поддерживает в цепи R, L, C незатухающие колебания, несмотря на то, что в цепи есть

37
активное сопротивление. Энергия магнитного поля при резонансе полностью переходит в
энергию электрического поля и наоборот:
CU m2 LI m2

2 2
Частота, при которой в контуре наступает резонанс, называется резонансной.
Значение резонансной частоты можно определить из условия резонанса XL=XC.
1 1
Т.к. X L  L  2fL и XC   ,
C 2fC
то резонансная частота контура
1
f рез 
2 LC
Резонанс напряжений можно получить изменяя в цепи индуктивность, емкость или
частоту напряжения источника питания контура, всего, если хотят настроить контур в
резонанс, используют конденсатор переменной емкости. С этого конденсатора снимают
выходное напряжение.
Если XL=XC>=R, напряжение на индуктивности UL и емкости UC могут достигать
значительной величины и во много раз превышать общее напряжение U, приложенное к
U.
цепи. Ток в цепи I также значительно возрастает: I рез 
R
Для исключения перегрузки источника питания в схему иногда вводят ограничивающее
сопротивление Rорг . Поскольку резонанс сопровождается значительными перенапряжениями
и сверхтоками, в мощных установках он является аварийным. Свойства колебательного
контура характеризуются рядом величин:
а) Характеристическое сопротивление контура (или волновое)

L
 .
C
Эта величина имеет размерность сопротивления (величину ρ можно получить из
Um L
уравнения (х)  ).
Im C
).
S
б) Добротность контура Q
R
Добротность контура служит характеристикой реального контура, когда R  0.
При резонансе добротность контура равна отношению напряжения на емкости или
индуктивности к напряжению на активном сопротивлении.

38
S IS
Покажем это: Q   , но   L  L 1  LC
R IR C LC C
1 
1
Т.к.   , то S   рез L  X L и  XC
рез
LC  рез C

X L UL X C UC
Отсюда Q  и Q 
R Ua R Ua
Добротность радиотехнических контуров обычно составляет 50-200.

1
в) Затухание контура d
Q
г) Резонансные кривые – это графическое изображение зависимости напряжений
на емкости, индуктивности и активном сопротивлении, а также тока от частоты (см.рис.19).

Чаще всего резонансные кривые стоят в зависимости от относительной частоты

    f 
A    f 
  рез   f рез 
   
где А – значение напряжения или тока;
w, f - текущее значение угловой частоты и частоты соответственно;
 рез , f рез - значения угловой частоты и частоты при резонансе.
Построенные таким образом зависимости обладают наибольшей общностью.
Вид резонансных кривых, построенных в функции относительной частоты, целиком
определяется добротностью контура Q. На рис.20 показано семейство резонансных кривых

I   
   для различных значений добротности контура.
I max  рез 
 
39
Из рис.20 видно, что с увеличением добротности контура резонансная кривая
становится острее.
д) Полоса пропускания контура (или ширина резонансной кривой) – это полоса
частот вблизи резонанса, на границах которой выходная величина А (напряжение, ток)
1
составляет  0,707 от резонансного (максимального) значения (см.рис.21).
2

Резонанс токов.

Как указывалось выше, резонанс токов наблюдается в параллельных колебательных


контурах, содержащих элементы L, C и R (см.рис.22). Параллельные контуры могут быть и
другого вида.

40
Примечание: Rогр включают для исключения перегрузки источника питания.
Закон Ома для параллельного соединения активного сопротивления, емкости,
индуктивности в общем случае выражается формулой:

I  yU  U g 2   bc bL  2 ,

где g - активная проводимость;


bL и bc - реактивные проводимости, индуктивная и емкостная соответственно.
Угол сдвига фаз между током в неразветвленной части цепи I и приложенным
напряжением равен
bc bL
  arctg
g
Если bL = bc , цепь будет вести себя так, будто она содержит только активное
сопротивление. В этом случае в неразветвленной части цепи ток I будет совпадать по фазе с
приложенным к контуру напряжением, φ = 0, cosφ = 1.Такое состояние цепи называется
резонансом токов.
Резонансная частота контура определяется следующим образом
XL L
bL  
R12  X L2 R12 L 2
1
X C
bc  2 c 2  2
R2  X C  1 
R22  
 C 
Т.к. при резонансе
1
L
bc  bL , R1   L 
2 2
 C
2  1 
2
R2   
 C 

41
L 2
 R1
1 C
Отсюда  рез 
LC L  R 2
2
C
L 2
 R1
1 C
Или f рез 
2 LC L  R 2
2
C
При малых значениях активных сопротивлений R1 и R2 выражение для fрез для
последовательного колебательного контура

1
f рез 
2 LC
Векторная диаграмма цепи для случая, когда bc  bL показана на рис.23
(значения величин взяты произвольно).

Общий реактивный ток, равный разности реактивных токов ветвей, при резонансе
токов равен 0. Общий ток цепи имеет только активную составляющую, таким образом, его
величина в момент резонанса имеет наименьшее значение. В идеальном случае, если R 1 = R2
= 0, резонанс токов эквивалентен размыканию цепи.
Рассмотрим, какое значение имеют токи в ветвях и индуктивностью и емкостью при
резонансе, если активное сопротивление ветвей контура R 1 и R2 малы, по сравнению с
реактивными сопротивлениями. Ток Ī1 отстает, а ток Ī2 опережает напряжение U аб и
ток Ī на угол, близкий к π⁄2 (см.рис.24).

42
В этом случае токи Ī1 и Ī2 между собой сдвинуты по фазе на угол, близкий к π, а
амплитуды их будут практически равны, т.к. Х L = Хc, и во много раз больше амплитуды
тока в неразветвленной ветви. Поэтому резонанс в параллельных контурах называют
резонансом токов.
Поскольку токи ветвей сдвинуты по фазе на угол ≈ π при малых R 1 и R2 и равны по
величине, можно считать, что при резонансе они образуют как бы один контурный ток Ir,
замыкающийся в колебательном контуре. Зависимость тока I к от частоты ƒ показана на
рис.25 (резонансная кривая).
Свойства параллельного колебательного контура характеризуются теми же
величинами, что и последовательный колебательный контур.
Добротность Q = ρ ⁄ R для параллельного контура равна отношению тока в
индуктивности Il или емкости Iс к току в неразветвленной части цепи при резонансе

IC I L
Q 
I I
Резонансные кривые для параллельного колебательного контура показаны на рис.26.
(R≈0).

Резонанс токов в отличие от резонанса напряжений не является опасным для


электрических установок, поскольку в реальных условиях реактивные проводимости редко
бывают высокими.
Явления резонанса напряжений и токов широко используются в технике связи,
автоматике и телемеханике, для улучшения cosφ в промышленных установках.
Путем настройки колебательного контура в резонанс с частотой передаваемого
сигнала можно выделить полезный сигнал.

Анализ и расчёт цепей sin-идального переменного тока символическим методом.

Величины постоянного тока исчерпывающе определяются одним числом.


Для определения величин переменного тока одного числа уже не достаточно, здесь
необходимо два числа: амплитуда и начальная фаза.

43
Однако и переменный ток может быть определён не 2-мя величинами, а одним
комплексным числом, если воспользоваться символичным методом.
При его использовании для расчёта цепей переменная тока воспользуемся законами,
методами и приёмами, рассмотренными ранее для цепей постоянного тока символический
метод удобен и тем, что позволяет избежать построения векторных диаграмм. Он основан на
использовании комплексных чисел.
Комплексное число состоит из 2-х частей действительной и мнимой, и может
изображаться вектором на комплексной плоскости.

алгебраическую форму записи комплексного числа:


  a  jb

комплексные числа изображаются заглавными буквами латинского алфавита с точкой
наверху
  a 2  b 2 или
   a 2  b 2 всегда +

 связан с проекциями на ось координат:


b a b
sin   ; cos   ; tg 
a2  b2 a2  b2 a
очевидно, что a =Y cos u, b = Y sin u
подставляя значения a и b в предыдущие выражения получим тригонометрическую формулу
записи комплексного числа:
   (cos   j sin  )

очевидно, что 2-й член, стоящий в скобках, представляет собой мгновенное значение тока.
Формула Эйлера связывает тригонометрию и показательную форму записи
   (cos   j sin  )    e j

таким образом, комплексное значение тока запишется в трёх формах:
1. алгебраическая
2. тригонометрическая   a  jb   (cos   j sin  )    e j
3. показательная

из изложенного выше вытекает, что символический метод равносилен методу векторных


диаграмм.
Операции + и – векторов эквиваленты операциям + и – комплексов.
Умножение комплексного числа на действие означает изменение
длины вектора без изменения его положения на плоскости.
Умножение 1-го комплексного числа на другое приводит к образованию нового числа,
изображается новым вектором, повернутым на новый угол относительно оси координат.
A B  a  e j  b  e j  ab  e j (  )  c  e j  c

44
Поскольку при перемножении комплексных чисел изменяется и угол поворота, то множитель
 
e+ j называют оператором поворота, если   , то e  j 2   j
2
Следовательно, умножение комплексного числа на (+j) означает поворот вектора

на  в положительном направлении, т.е. против часовой стрелки, а умножение на
2

(-j) означает поворот на в противоположном направлении.
2

  m e je  (cos   j sin  )


e e
2
Um ju
U  e  U (cos  u  j sin  u )
2
  m e ji   (cos i  j sin i )
2

Законы Ома и Кирхгофа в символической форме.

Комплексные величины изображаются заглавными буквами; эти величины называют


комплексными действующими значениями э.д.с. U и Y

полученные величины выражают комплексные действующие значения э.д.с. U и Y.


Кроме приведённых обозначений они могут быть представлены и в алгебраической форме
записи комплексных чисел.

Закон Ома для участка цепи, содержащей r, x r,x c в символической форме.

Он запишется в форме:
u
 , где Z-величина полного сопротивления
z
U-комплекс напряжения, действующий на данном участке цепи.
U    x  j
 r  j x 
c
 (r  jx  jx )  
 g
 
Z- величина полного сопротивления
Z = r+ jxr-jxc

45
Z=r+jx
Величина полного сопротивления может быть представлена и в показательной форме.
U
  z  e j ; z  r 2  x 2

Однако комплексное сопротивление цепи z не зависит от начальных сдвигов фаз, токов и
напряжений. Z определяется Rакт , C,  , она не является sin-идальной функцией времени и
поэтому точка над Z не ставится.
В технической литературе (ин.яз) величину полного сопротивления цепи частo называют
импедансом.
Под комплексной проводимостью понимают величину обратную величине полного
сопротивления, т.е.
1 1
y   g  jbc  jb  g  jb
z r  jx  jxc
y  g  jb

Если реактивное сопротивление цепи носит индуктивный характер, то Xa > Xc


При емкостном характере цепи Xa< Xc

Законы Кирхгофа в комплексной форме.

1) В любой узловой точке цепи алгебраическая сумма сил токов равна нулю.
Для цепей переменного тока этот закон выполняется для мгновенных значений.
i  0
В символической форме закон запишется :    0
2) В любом замкнутом контуре сумма действующих е.д.с.= сумме падений напряжения
переменного тока.
В цепях переменного тока для мгновенных значений е.д.с. токов и напряжений запишется:
 e   u   iz
В комплексной форме:      

Мощность в комплексной форме.


Комплексную мощность вычисляют, умножая комплексное значение напряжения на
~
сопряженный комплексный ток. S  u  y  u  e j (  )  Y  e  j  uy  e j  s  e j
Т.О. полная мощность в комплексной форме может быть представлена в 3-х формах записи:
алгебраической, показательной, тригонометрической.
~
S  s  e j  U   cos   jU sin     jQ
~
S    jQ

Действительная часть комплекса представляет собой активную мощность. Мнимая часть -


реактивную.

Активная мощность расходуется на преобразование в тепловую энергию.


Реактивная мощность характеризует интенсивность обмена энергии между источником и
реактивными нагрузками.
~
Полная мощность S не является sin-идальной функцией времени, поэтому над символом
ставится не точка, а волнистая черта.
Значение полной или кажущейся мощности обозначается на щитках и в паспортах
электрогенераторов переменного тока.
Распределение её на активную и реактивную части зависит от характера нагрузок.
В промышленных электроустановках переменного тока реактивную мощность стремятся
свести к min величине, и тем самым повысить коэффициент полезного действия той или
иной электроэнергетической установки.

46
Тема№5.Общие свойства четырёхполюсников.

При передачи электроэнергии от источника к потребителю используются различные


передающие цепи: линии электропередач, трансформатор, фильтры и т.д.
Эти промежуточные передаточные цепи объединяют одним общим названием
четырёхполюсник. Он представляет собой устройство с двумя входными зажиганиями. В том
случае, когда имеется источник энергии – активный А. Если нет, то пассивный П. Часто
пассивный четырёхполюсник является передаточным звеном между источником энергии и
нагрузкой, находящейся под воздействием U2. Полагая, что схема внутренних соединений
его неизменна, и входящее R – линейно, можно составить соотношение между U1 и Y1 , и U2
и Y2. Эти соотношения определяются так называемыми уровнями четырёхполюсника.
U1=A U2 + B Y2
Y1=C U2 = D Y2

Величины А, В, С, D представляют собой комплексный коэффициент зависящий от


внутренней схемы, параметров отдельных элементов схемы и частоты питающего
напряжения. Очевидно, что в соответствии с написанным уравнением A и D = 0, B=R, C=
проводимости. Связь: AD-DC=1
В том случае, когда перемена мест источника электроэнергии и нагрузки не вызывает
изменений Y и A=D
Последнее уравнение примет вид A2-BC=1. A,B,C,D определяется на основании
опытов холостого хода и короткого замыкания. Если четырёхполюсник работает на
переменной Y, то коэффициенты неизменные комплексные величины. Если на постоянном,
то A,B,C,D – вещественные числа. При опыте x x сопротивление нагрузки считается равным
, к зажимам 2 2’ подключается V, обладают высоким r.
Измерив величины U1xx и Y1xx, P1xx со стороны входа что Y2xx – со стороны входа
можно определить коэффициенты A, C из основного уравнения, учитывая что Y2xx=0.
Из уравнения очевидно, что U1xx=A U2, а Y1xx=A U2, откуда A=U1xx/U2; C=Y1xx/U2.
Входное сопротивление определяется: Z1xx=U1xx/Y1xx=A/C
P1xx
Угол сдвига фаз определяется:  1 xx  ar cos s
U 1xx Y1xx

При опыте k3 2-е напряжение считается равным 0. поэтому основное уравнение будет:
U1k3=B Y2 B=U1k3/Y2
Y1k3=D Y2 D=Y1k3/Y2

При режиме л3 входное сопротивление определяется по формуле:


Z1k3=U1k3/Y1k3=B/D
Угол сдвига фаз между U и Y при л3:
P1xx
 1xx  ar cos s
U 1xx Y1xx

Располагая числовыми значениями A,B,C,D можно определить выходные Y и U при любых


заданных выходных величинах, и наоборот.

Напомним, что устройство, которое имеет два входных контакта, называют


четырехполюсником. Четырехполюсник, в схеме которого отсутствует источники
электрического питания, называют пассивным(трансформаторы, электрические фильтры,
лимит передачи электрической энергии и т.д.), а если присутствуют источники питания –
активным(усилители, мостовые схемы, если в одной из диагональных схем находится
источник электрического питания и т.п.). Четырехполюсник, который содержит линейные

47
элементы, называется линейным, а если он содержит нелинейные элементы, называется
нелинейным или параметрическим. Напомним, что линейным элементом называется
элемент, если его параметры не зависят от электрического токаи напряжения, а параметры
нелинейного элемента зависят от тока и напряжения. Кроме того, четырехполюсники делятся
на автономные (содержат независимые источники электрического питания) и неавтономные,
которые имеют в своих схемах зависимые источники питания.
В электрических цепях четырехполюсники используются в качестве передаточных
звеньев между источниками питания и нагрузкой. В этом случает полагают, что можно
изменить нагрузку и напряжение на входе, а сама схема четырехполюсника и сопротивление
его элементов остаются неизменными.
Принципиально теория четырехполюсника заключается в том, что, используя
o o
некоторые параметры, можно связать между собой U è I на входе и выходе
o o
четырехполюсника, при этом не проводить расчетов U è I в схеме самого
четырехполюсника.
Рассмотрим линейный пассивный четырехполюсник, изображенный на рис 5.1:

o o o o
Рис 5.1. ( I 1 U -входной ток и напряжение, I 2 U 2 -выходной ток и напряжение)
1

Если заменить z источником ЭДС, внутреннее сопротивление которого равно нулю, то


применяя принцип наложения можно считать, что действует в схеме только один источник,
o '
o
напряжение U1 ,а зажимы 2, 2 - накоротко замкнуты, и U 2 =0 (рис 5,2):

Рис.5.2.

�o
�U1 o
 Y11 U 1
�Io
Тогда �1 (5.1)
�o
�I '  Y Uo 1
�2 21

Где Y11 - входная проводимость при коротком замыкании на выходе, Y21 - передаточная
проводимость (проводимость прямой передачи)

48
Если рассмотреть случай, когда действует в схеме четырехполюсника только U2 , которое
учитывает влияние нагрузки Z, а зажимы 1’ и 1 замкнуты накоротко (U1=0,рис 5.3)
�o'' o
I
�1  Y12 U 2
То � (5.2)
�o'' o
I
�2  Y22 U 2

Где Y22 – выходная проводимость при коротком замыкании на входе


Y12 – взаимная или передаточная приводимость(проводимость обратной связи)

Рис.5.3

Следует заметить, что Y21=Y12 согласно принципу обратимости и определяют токи во


входном (или выходном) контуре четырехполюсника при заданном U в выходном (или
входном) контуре и при одинаковом напряжении на входе и выходе
o o
Y12 U  Y21 U (5.3)

Проведя наложение схем рис 5.2 и рис 5.3 получают:


�o o o o o o o

�I 1  I '
1  I ''
1  Y U
11 1  Y12 U 2  Y U
11 1  Y12 U 2
� (5.4)
�o o o o o o o
�I 2  I 2  I 2  Y21 U1  Y22 U 2  Y21 U1  Y22 U 2
' ''

Уравнение (5.4) называют уравнением четырехполюсника с Y-параметрами(параметры


короткого замыкания)
При анализе четырехполюсники применяют так же уравнения с Н-параметрами
(смешанные параметры). В этом случае независимые переменные U2 и I2 из системы
уравнений (5.4) можно записать

�o 1 o Y12 o o o
U 1  I 1 U  H I 1  H12 U 2
� Y11 Y12
2 11

�o (5.5)
�I 2  Y21  Y I 1  Y21Y12 U  Y U  H I 1  H U 2
o o o o o

2 22 2 21 22

� Y21 Y11

o
U1 o
где H11  o
U 2  0 -входное сопротивление при коротком замыкании на выходе
I1

49
o
U1 o
H12  o
I1  0 -коэффициент обратной связи по напряжению или коэффициент
U2
обратной передачи напряжения при холостом ходе на входе
o
I2 o
H 21  o
U 2  0 -коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на входе
I1

o
I2 o
H 22  o
I 2  0 -входная проводимость при холостом ходу на входе.
U2
Проводя аналогичные рассуждения можно получить другие формы уравнений
четырехполюсника. Например, уравнение четырехполюсника с Z-параметрами(параметры
холостого хода)

�o o o
U1  z11 I1  z12 I 2

�o o o
(5.5)

U 2  z21 I1  z22 I 2

o o
Следует заметить, что в данном случае известны (или заданы) токи ( I ),а
1, I 2

z11 , z12 , z21 , z22 являются сопротивлениями.

o
U1 o
А) z11  o
I 2  0 - входное сопротивление на холостом ходу на выходе
I1

o
U1 o
Б) z12  o
I1  0 -сопротивление обратной связи
I2

o
U2 o
С) z21  o
I 2  0 -сопротивление прямой передачи
I1

o
U2 o
Д) z22  o
I1  0 -выходные сопротивления пир холостом входе на входе
I2

Четырехполюсники в основном используются для систем, которые передают


электрические сигналы. Чтобы проводить анализ сигналов через четырехполюсник следует
рассмотреть функции четырехполюсника по направлению к току

50
o o
U âû õ I âû õ
KU  o
, KI  o
(5.6)
U âõ I âõ

Коэффициент передачи активной мощности


o
Pâû õ
KP  o
(5.7)
Pâõ

Комплексное входное сопротивление

o
U1
zâõ  o
(5.8)
I1

Рассмотрим коэффициенты передачи четырехполюсника, например, при известных Y-


параметрах. Если взять из системы уравнений (5.4) второе уравнение, а также закон Ома
o o
U 2   z I 2 (рис 5.1), то решая их совместно получают коэффициент передачи по
напряжению
Y21
Ku  (5.9)
Y22  Y

где Y=1/z

Если использовать формулу для входной проводимости


o o
Yâõ  I / U1 (5.10)

o
и для уравнения системы (5.4) на U1 можно найти входную проводимость

четырехполюсника
Y12Y21
Yâõ  Y11  (5.11)
Y22  Y

o
Если в схему рис 5.1 на место, где проходит ток z1 ,
I1 -
но
Y21Y12
Yâû õ  Y22  (5.12)
Y11  Y1

где Y1  1/ z1
51
Аналогичные расчеты можно сделать самостоятельно и получить при заданных z-
параметрах четырехполюсника
 z21
Ki  (5.13)
Y22  z
Z12 Z 21
Z âõ  Z11  (5.14)
Z 22  Z

Z 21Z12
Z âû õ  Z 22  (5.15)
Z11  Z1

Классификация фильтров. Фильтры нижних и верхних частот будут описаны в теме 8.

Тема №6.
Переходные процессы в электрических цепях.
В электрических цепях, содержащих реактивные элементы при изменении режимов работы,
возникают переходные процессы.
Изменение режима электрической цепи наблюдается при коммутации: включении,
выключении, изменении нагрузки, коротком замыкании и т.п.
Характер изменения напряжений и токов на участках электрической цепи при
переходном неустановившемся режиме можно определить путем решения линейных
уравнений, составленных для каждой конкретной цепи.
Для определения начальных условий при переходных процессах используют два
закона коммутации.
Первый закон коммутации формулируется следующим образом: в любой ветви с
индуктивностью ток в момент коммутации сохраняет то значение, которое он имел до
коммутации, и начнет изменяться именно с этого значения.
Например, при включении цепи с индуктивностью на постоянное напряжение ток в
начальный момент времени равен нулю. Если допустить, что в такой цепи в момент
di
коммутации будет наблюдаться скачок тока, то напряжение на индуктивности L t0
dt
будет равно бесконечности, что противоречит второму закону Кирхгофа.
Согласно второму закону коммутации напряжение на конденсаторе в момент
коммутации сохраняет то значение, которое оно имело до коммутации и начинает изменяться
именно с этого значения.
Например, если включается цепь с конденсатором, который до этого не был заряжен, в
момент коммутации напряжение на конденсаторе будет равно нулю.
Если предположить, что в момент коммутации напряжение на конденсаторе может
измениться скачком, то ток будет равен бесконечности

52
dU c
i(0)  C t 0
dt
и в цепи, всегда имеющей сопротивление, не будет соблюдаться второй закон Кирхгофа.
С энергетической точки зрения ток в индуктивности и напряжение на конденсаторе не
CU c
могут измениться скачком, так как энергия магнитного поля емкости We  и энергия
2
Li c
магнитного поля индуктивности Wm  не могут изменяться скачком, поскольку для
2
этого потребовалось бы наличие бесконечно большой мощности, что лишено физического
смысла.
Рассмотрим переходный процесс при включении цепи RC на постоянное напряжение
Е (см.рис.6.1, ключ К в положении I).

Рис.6.1

Для любого момента времени для цепи на рис.2, когда ключ К в положении I, можно
составить по второму закону Кирхгофа уравнение:
Ri + U c = E (6.1)
dU c
Так как i  C , можно записать
dt

dU c
RC U c  E (6.2)
dt
Всякий переходный режим представляют состоящим из принужденного
(установившегося), который как бы наступил сразу, и свободного режима, наблюдаемого
только во время переходного режима.
Учитывая это, запишем напряжение на емкости в виде
Uc=Uc´ + Uc´´ (6.3)
´
где Uc - составляющая напряжения принужденного режима (или принужденная
составляющая напряжения);
Uc´´ - составляющая напряжения свободного режима (или свободная
составляющая напряжения).
Уравнение (2) с учетом (3) будет иметь вид

d (U c U c)
RC  U c  U c  E
dt
(6.4)

53
Для принужденного (установившегося) режима, когда переходный процесс
закончился, уравнение цепи

dU c
RC  U c  E
dt
(6.5)
тогда уравнение свободного режима, если из (6.4) вычесть (6.5), запишется следующим
образом

dU c
RC  U c  0
dt
(6.6)
Обратим внимание на то, что свободный процесс обусловлен только внутренней
реакцией цепи на изменение ее режима, поэтому в уравнении (6) нет члена, выражающего
воздействие извне.
Уравнение цепи для свободного режима есть однородное линейное дифференциальное
уравнение первого порядка. Для его решения записывается характеристическое уравнение
RCP + 1 = 0
Решение этого уравнения
1
P
RC
Общее решение уравнения (6.6) имеет вид
t

U c  Ae pt
 Ae RC

Напряжение на емкости в соответствии с уравнением (6.3)


t

U c  U c  Ae RC (6.7)

Принужденная составляющая напряжения установится в цепи, когда конденсатор


зарядится, ток в цепи станет равным нулю, а напряжение на конденсаторе равно
приложенному напряжению, т.е. U c  E . Тогда
t

U c  E  Ae RC (6.7а)

Постоянная А определяется из начальной условий, учитывая второй закон


коммутации.
В момент включения цепи, при t=0 (момент замыкания ключа К) согласно второму
закону коммутации Uc=0.
Из (7а) определяем А=-Е.
Таким образом, напряжение на емкости в период переходного процесса будет
изменяться следующим образом:
t t
 
U c  E (1  e RC )  E (1  e  )
(6.8)
где τ=RC - постоянная времени цепи RC.
τ имеет размерность времени.

54
 RC  Om B  A  B  C
K ^ B AC
Ток переходного процесса
t
dU c E  
i C  e
dt R
(6.9)
Кривые изменения Uc=ƒ(t), U´c=ƒ(t), U´´c=ƒ(t) и i=ƒ(t) показаны на рис.3.
E
В начальный момент времени t=0, i= .
R

Рис.6.3
Рассмотрим процесс разрядки конденсатора на сопротивление R (рис6..2, когда ключ
К переведен в положение 2). После замыкания ключа К напряжение на емкости U с вызовет в
цепь ток i, конденсатор начнет разряжаться.
По второму закону Кирхгофа, если направления тока и напряжения совпадают,
уравнение цепи будет иметь вид
iR  U c  0 (6.10)
Принужденное напряжение U´ и принужденный ток i´ в цепи равны нулю.
Свободная составляющая тока
dQ dU c
i  C …………………………………………..(6.11)
dt dt
(11)
Тогда (6.10) запишется в виде:

dU c
RC  U c  0
dt
……….(6.12)
Это однородное дифференциальное уравнение первого порядка, как и уравнение (6.6).
Решение уравнения (12)
t

U c  Ae  Uc

55
C помощью второго закона коммутации определяем значение постоянной А:
при t=0, Uc=U0=E.
Таким образом, напряжение на емкости при разрядке конденсатора
t

U c  U 0e  (6.13)

где τ=RC - постоянная времени цепи RC.

Уравнение для тока разрядки в цепи можно получить, если подставить U c в (6.10) или
(6.11).
t
U 0 
i e (6.14)
R
Кривые изменения U0=ƒ(t) и i=ƒ(t) показаны на рис6..4.

Рис6..4
Для цепи RL можно провести рассуждения, аналогичные тем, какие сделаны для цепи
RC.
Поскольку принужденная и свободная составляющие тока и напряжения введены для
удобства рассмотрения переходного процесса, на экране осциллографа будут только
действительные токи и напряжения.
Для общего случая, когда время замкнутого и разомкнутого состояний цепи равно
времени переходного процесса (tпп≈4τ), кривые изменения напряжений на элементах цепи
будут иметь вид, аналогичный показанному на рис.5 а, б (цепь RC) и на рис. 6 а, б (цепь RL).

56
В лабораторной работе функции ключа К выполняет генератор прямоугольных
импульсов ГПИ.
Постоянная времени цепи характеризует длительность переходного процесса
tпп=(3÷4)τ и составляет доли микросекунд. Для цепи RC постоянная времени τ=RC, для цепи
L
RL   .
R
Графически τ определяют следующим образом. К кривой U=ƒ(t) проводят
касательную (к любой точке кривой) и измеряют подкасательную (отрезок от точки касания
до точки пересечения касательной с асимптотой (см.рис.3 и рис.4).
Величину, обратную постоянной времени τ, называют коэффициентом затухания
1
 .

Значения напряжения U и времени t определяют с помощью осциллографа, поэтому
кривые U(t) следует зарисовывать строго по клеточкам на экране осциллографа.

Тема№7.Методы расчёта переходных процессов.


На рисунке 7.1 при сопротивлении нагрузки бесконечно большом I 2  0 . Выбрав
параметры схемы такие, что  CR  1 , то U 2  j    j CR U1  j  , значит в цепи
происходит дифференцирование входного напряжения.

Рис.7. 1 Рис. 7.2


Так же для схемы на рисунке 2, при  CR  1 U 2  j   U1  j  j CR , т.е. в
цепи происходит интегрирование входного напряжения.

Какому знаку подчиняется сигнал на выходные цепи (вывод формулы)

А) Дифференц. RC
Диф.цепь – это линейный четырёхпомостник, у которого выходное и пропорц.
производной от входного.
dUbx
Uвых= 
dt

dUc
ic  C
dt

di
U1  L
dt

Учитывая, что ic проходит через сопр-е, для Uвых можно записать

Uвых = icR
du
Uвых = CR
dt

57
Из схемы видно, что Uc = Uвх=Uвых
Учитывая что Uвых « Uвх
du
Уравнение Uвых = CR можно записать в следующей форме.
dt
dubx
Uвых = СR
dt
С=RС

2. Прохождение через линейные формирующие цепи с т.з. переходом процессов.


А) диф. RC
3 С = tu
Если tu = 3с то за время действия входного импульса (tu = t2 – t1) Конд. Почти
полностью зарядится и в момент t2, когда действие импульса закончится Uвх = 0, напр-е на
конд. Uc станет равен Uu (на рисунке пунктиром), а напр-е на резисторе R Ur упадёт до 0,
т.к. теперь цепь отключена от вх напр-я (Uвх = 0, Ur+Uc = 0), конд. Начнёт разряжаться и
через время t=tu напр-е на нём станет равно 0.
Так в цепи с момента t2 изменится направление, а направление на резисторе К в
t
момент t2 скачком будет равно Ur = -Uп и начнёт спадать по  экспоненте Ur = -UuL, а
0
через время t=tu станет равно 0. Т.о., на выходе цепи образуются два острокон. или полож. и
отриц. полярностей, площади которых равны, а амплитуда равна Uп.

Б) Диф. RL
Tu»С
Для рассмотрения прохождения импульса следует воспользоваться первым законом
коммутации.

В) интегр. RC
tu=3C
В момент вкл цепи напряжение на входе в силу 2-го закона коммутации = 0, а затем
конд будет заряжаться и напряжение на нём будет возрастать по экспоненц. закону.
t
Uc  Uп(1  C )
F

По истечении времени действия импульса tu конд полностью разряд и в момент


времени t2 напр-е на нём достигнет Uп. С этого момента действие импульса на цепь
прекратится, конд начинает разряжаться по экси закону и через tп, напр-е на нём спадёт до 0.

Б) диф. RL

XI = W L
При вкл. XI очень большая
Вых напр-е снимается с катушки индуктивности

di
Uвых = UI = L
dt

L duвuв
Uвых = 
R dt

58
Если посмотреть на схему, то очевидно
Ubx UR
i i Ur=Uвх – Uвых
R R
L duвu
Учитывая все уравнения, запишем Uвых = 
R dt
L
C
R

В) интир. RC
Интер.цепь – это четырёх полюсник, у которого Uвых = Kt0 Uвх (t) dt
Снимаем напряжение на конденсаторе, составим для данной цепи уравнение, Uвх =
RY + Uвых
dUc dUc
Учитывая что Ic = C имеем Uвх = RC  Uвых = Uвых
dt Dt
RC dUc=Uвх-Uвых
Разделяя переменные и интегрируя уравнение RC dUc=Uвх-Uвых получаем
Uвых = 10 (Uвв (t )  Uввы (t ) dt
1

1 1
Если Uвых <<Uвх, то получаем Uвых = K 0t Uвх (t)dt, где K  
RC C

Г) интегр RL

R
Uвых = Uвх dt
L0

4. Применение диф. и инт. цепей.


Применение диф. цепей.
1. для выполнения математической операции дифференцирования в сочетании с
усилителями в вычислительных машинах непрерывного действия.
2. Для формирования импульсов стороконечной формы из прямоуг. импульсов.
3. Для селекции прямоуг. импульсов по длительности (выд.самые короткие)
4. В кач-ве раздел цепи в усилителях. В этом случае искл. прохождение пост.
напр-я коллектора транзистора предыдущего каскада но вход последущего.

Интигр.цепей.
1. для выполнения мат. операций интегр-я.
2. для получения линейного изменения токов и напр-ий.
3. для селекции импульсов по длительности.
4. доля получения целесообразно напр-я из прямоугольных импульсов.

При замыкании ключа ток от источника э.д.с. U потечет по цепи. Очевидно, что согласно
второму закону Кирхгофа, должно выполняться U l U r U или, заменяя Ul и

di
U r , получим L  IR  U . Учитывая что в момент переходной процедуры
dt
i  iсв.  iпр .
Дифференциальное уравнение можно записать в виде:

59

d iсв. iпр.   i  R U
L св.  iпр.
(7.1)
dt
При установившемся режиме iсв.  0 следовательно,

diпр.
L  iпр R  U (7.2)
dt

Очевидно, что постоянной величине приложется U, iпр.  const

diпр. U
Поэтому L  0 iпр. 
,
dt R
diсв.
Вычитая уравнение 2 из 1, получим L  iсв R  0
dt
Мы получили дифференциальное уравнение первого порядка с постоянными
коэффициентами без правой части. Решаем его, пользуясь преобразованием Лапласа.
Очевидно iсв.  Ae pt .
Величина определиться из начальных условий при t=0 iпр.  iсв.  0

U.
Следовательно, iпр.  iсв.  
R
U
Подставляя его в уравнение получим   Ae pt
R
U
Следовательно A 
R
60
R.
Оператор Лапласа Ф определиться из PL+R=0. Очевидно, что P
L
t
L U
Обозначив j , получим iсв.   e j действительный ток в цепи,
R R
определяется как сумма токов свободного и принужденного.

t
U
iсв.  (1  e j
)
R
L
Постоянная времени j графически представим следующим образом
R
Тема №8.
Трехфазные электрические цепи.
Три взаимно связанные электрические цепи с ЭДС одинаковой частоты и амплитуды,
но сдвинутые по фазе одна относительно другой на 1/3 периода называется трехфазной
системой переменного тока.
Участок трехфазной системы, по которому протекает одинаковый ток, называется
фазой.
Трехфазная цепь состоит из трехфазного генератора, соединительных проводов и
приемников или нагрузки, которые могут быть однофазными или трехфазными.
Мгновенные значения действующих значений ЭДС имеют следующий вид:
e1  E m sin t , e2  E m sin(t  120  ) , e3  E m sin(t  240 )
Отсюда видно, что сумма электродвижущих сил симметричной трехфазной системы в
любой момент времени равна нулю.
Если концы трех обмоток соединить в один узел, а начала будут служить для
подключения нагрузки, то такой вид соединения называют соединения обмоток генератора
звездой. При этом три обратных провода сливаются в один, называемый нулевым или
нейтральным.
РИС.8.1

При таком способе соединения напряжение между каждой фазой и нулевым проводом
называют фазным напряжением. Напряжение между фазами А-В, В-С, С-А называют
линейным напряжением.
Соотношение между напряжениями имеет следующую формулу:

61

Uф 
3
Внизу представлена векторная диаграмма фазных и линейных напряжений
симметричного источника.

РИС.8.2.

Если мы конец первой обмотки соединим с началом второй, конец второй – с началом
третьей, конец третьей – с началом первой, а узлы соединения служат отводами, то это будет
соединение треугольником.

РИС.8.3

При таком соединении нет различия между фазным и линейным соединением. Здесь
появляется различие между фазными и линейными токами приемника.
Соотношение между фазными и линейными токами имеет следующую формулу:
I
Iф  л
3
Внизу представлена векторная диаграмма фазных и линейных токов симметричного
источника

РИС.8.4.

Активная мощность трехфазного генератора равна сумме активных мощностей всех


фаз:

62
P  P1  P2  P3  I ф1U ф1 cos 1  I ф 2U ф 2 cos  2  I ф 3U ф 3 cos  3
При симметричной нагрузке:
P  3I фU ф cos  ф

Тема №9.Периодические и апериодические несинусоидальные сигналы.

При анализе форм электрических сигналов их представляют в виде спектра частот.


Причем непериодический сигнал (импульс) представляют непрерывным, а периодический –
дискретным спектром. Для характеристики спектра применяют функцию, которая позволяет
определить закон изменения амплитуд составляющих спектра в зависимости от частоты. Иначе
ее называют спектральной плотностью. Спектральную плотность представляют амплитудно-
частотной (для четной функции частоты) или фазо-частотной (для нечетной функции)
характеристиками.
Спектральная функция импульсного сигнала продолжительностью  и высотой
aмакс в общем виде представляет собой функцию
 2
F  j    aмакс e  j t dt .
 2
Если непериодический сигнал имеет форму импульса косинусоидальной формы, т.е.
f  x   aмакс cos  t длительностью  (рис.9.1 а), то его спектральная плотность
 2
F  j    aмакс e  j t dt .
 2
Ниже представлена амплитудно-частотная характеристика такой функции
а) б)

Рис. 9.1
Амплитудно-частотная характеристика цепи при входном сигнале прямоугольной формы
(рис.8.2 а) длительностью  и высотой aмакс имеет вид (рис. 9.2 б)
2aмакс 
F  j   sin .
 2

63
Фазо-частотная характеристика     превращается в нуль при положительных значениях
синуса и равна  – при отрицательных (рис.9.2 б).

б)

а)

в)
Рис. 9.2
При воздействии периодическим импульсом, например, синусоидальной формы, если в его
длительности укладывается целое число периодов, т.е.   nT (рис.9.3 а), амплитудно-частотная
характеристика имеет вид, показанный на рис9.3 б.
а) б)
Рис. 9.3

Для примера рассмотрим реакцию цепи (ток через катушку L), схема которой
приведена на рис. 9.4 а. Если входное напряжение изменяется скачком
а) б) в)
Рис. 9.4
(форма показана на рис. 9.4 б), то ток в ветви с катушкой имеет вид, показанный на рис 9.4 в.
Особый интерес для практики представляет собой реакция электрической цепи на
единичный импульс (единичный скачек), который называют дельта-функцией   t 
(рис.8.5). Единичный скачек определяется как производная по времени от единичной
функции
d1 t 
  t  .
dt
Поскольку площадь единичного импульса равна 1, то реакция электрической цепи
будет

64
dh  t 
k  t  .
dt
Например, при включении RC-цепи на единичный импульс напряжения реакция цепи
h t   1 R .
Между спектрами непериодических и периодических функций, которые получаются
повторением непериодических, существует связь. Дискретный спектр амплитуд
непериодической функции TF вписывается в амплитудно-частотную характеристику F    ,
соответствующую непериодической (рис. 9..6).

Рис.9.5 Рис.9.6

Тема№10.Расчёт электрических цепей с помощью оператора


Лапласа.Спектры.
Преобразование Лапласа является основой операторного метода по решению
линейных дифференциальных уравнений. Имеет оно следующий вид:

F ( s)  
0
f (t )e  st dt

  j
1
, где f (t )   F ( s )e
st
.
2   j

Также говорят, что f (t ) - оригинал функции времени, а F (s ) ее операторное


изображение.
Упрощая расчеты, пользуются свойствами преобразования Лапласа. Выделим
следующие:
1. линейность: f (t )   ai f i (t ) или F ( s )   ai Fi ( s )
2. смещение в частотной области: et f (t )  F ( S   )
 st
3. запаздывание во временной области: f (t  t0 )  F ( s )e 0
Изображение F ' ( s ) производной функции имеет следующий вид:
F ' ( s )  sF ( s )  f (0)

65
Используя эту формулу, можем перейти к предельным соотношениям, которые
являются полезными для оценки диапазонов величин:
1. f ( 0)  lim sF ( s )
s 

2. f ( )  lim
s 
sF ( s )
Использование преобразований Лапласа для анализа цепей возможно следующим
образом:
1. Решить заранее сформированные уравнения состояния цепи.
2. Применение преобразований Лапласа.
3. Сформировать уравнения в операторной форме
4. .

Передаточная функция и ее связь с дифференциальным уравнением, импульсной и


частотной характеристикой

В области комплектной частоты характеристикой линейной цепи является


передаточная функция.
Передаточная функция – это есть отношение изображений по Лапласу реакции цепи
при нулевых начальных условиях к воздействию:
U ( s)
H ( s) 
V (s)
В случае линейных систем передаточная функция может быть представлена как
отношения полиномов:
M ( s) bm s m  ...  b1 s  b0
H ( s)  
N ( s ) cn ( s  s1 ) ... ( s  sn )
Дифференциальное уравнение с передаточной функцией N ( s )U ( s )  M ( s )V ( s ) при
d
s имеет вид:
dt
d nu du d mV dV
cn n
 ...  c1  c 0 u  bm m
 ... b1  b0V
dt dt dt dt
Передаточная функция H (s ) линейной системы представляет собой преобразование
Лапласа ее импульсной характеристики h (t ) . Если применить преобразование Лапласа к
выходному и входному сигналам при V ( s )  1 , то мы получим соотношение H ( s )  U ( s ) ,
значит H ( s )  h (t ) , где
n
h (t )   A e
k 1
k
kt

H ( s )  h (t ) показывает связь передаточной функции и импульсной характеристики.


Комплексный коэффициент передачи позволяет вести расчет переходных процессов с
помощью частотных характеристик. Комплексный коэффициент передачи имеет вид:
H ( j )  H ( s ) s  j

Тема №11.

Основы теории электромагнитного поля

66
Электромагнитное поле - особый вид материи посредством которого осуществляются
электромагнитные взаимодействия; представляющий собой единство электрического и
магнитного полей. В каждой точке электромагнитное поле характеризуется:
напряженностью и потенциалом электрического поля; а также индукцией магнитного поля.
Электрическое поле создают электрические заряды и заряженные частицами в
пространстве. Магнитное поле создают движущиеся электрические заряды.
Физической причиной существования электромагнитного поля является то, что
изменяющееся во времени электрическое поле возбуждает магнитное поле, а изменяющееся
магнитное поле – вихревое электрическое поле. Непрерывно изменяясь, обе компоненты
поддерживают существование электромагнитного поля.
Однако при ускоренном движении носителей электромагнитное поле «срывается» с
них и существует в окружающей среде независимо, в виде электромагнитной волны, не
исчезая с устранением носителя.
Уравнения Максвелла устанавливают связь между напряженностями электрического и
магнитного полей и распределением в пространстве электрических зарядов и токов, а также
описывают электромагнитные явления в различных средах и вакууме.
Первое уравнение Максвелла имеет вид:
dB
E  
dt
Второе уравнение Максвелла имеет вид:
dD
H  jпров 
dt
Третье уравнение Максвелла имеет вид:

E 
 0
Четвертое уравнение Максвелла имеет вид:

Пространственная структура электромагнитной волны имеет следующий вид:

Раздел 2. ЭЛЕКТРОНИКА
67
Тема 12.
Основы теории электронных приборов
К полупроводникам относят многие химические элементы (кремний, германий, индий,
бор, галлий и др.), большинство окислов и сульфидов (закись меди, окись цинка, сульфид
галлия и др.), интерметаллические соединения (арсенид галлия, карбид кремния и др.)
Удельное электрическое сопротивление полупроводников лежит в широких пределах от
10 до 10-6 Ом*м. Для сравнения, например металлы при комнатной температуре имеют
-5

удельное сопротивление10-7 Ом*м, а диэлектрики 1012/1014 Ом*м. Основная особенность


полупроводников – возрастание удельной электрической проводимости при увеличении
температуры.
Проводимость полупроводников значительно зависит от внешних воздействий:
нагревания, облучения, электрического и магнитного полей, давления, ускорения, а также от
содержания даже незначительного количества примесей.
Свойства полупроводников хорошо объясняются с помощью зонной теории твердого
тела. Согласно квантовой механике энергия электрона дискретна (прерывиста) или
квантована. Вследствие этого электрон может двигаться только по той орбите, которая
соответствует его энергии. Значение энергии электрона называют энергетическим уровнем.
Энергетические уровни электронов отделены друг от друга запрещенными интервалами.

На одинаковых уровнях по принципу запрета Паули не может находиться более двух

электронов.

В результате воздействия на электрон не только ядра своего атома, но и соседних атомов,


энергетические уровни смещаются и расщепляются и образуются энергетические зоны,
называемые разрешенными.
Расщепление в кристалле уровней, занятых внутренними электронами мало, заметно
расщепляются лишь уровни, занимаемые валентными электронами.
Для полупроводников наиболее важной является валентная зона, образованная уровнями
энергии валентных электронов невозбужденных атомов (т.е. при отсутствии внешней энергии)
и ближайшая к ней разрешенная зона (см. рис.12-1). Разрешенная зона, в которой при
возбуждении могут находиться электроны, называется зоной проводимости, или свободной
зоной.

Рис.12 -1Образование энергетических зон

68
С точки зрения зонной теории твердого тела деление твердых тел на металлы,
полупроводники и диэлектрики производят, исходя из ширины запрещенной зоны и степени
заполнения разрешенных энергетических зон.
Ширина запрещенной зоны W называется энергией активизации собственной
проводимости. Считают, что при W2эВ (электрон–вольт) кристалл является
полупроводником, при – W>2эВ диэлектриком. Определить вероятность нахождения
электрона на том или ином энергетическом уровне при данной абсолютной температуре
можно с помощью функции Ферми:

1
F (W )  w  wF (12.1)
e kT
1

Функция (12.1) определяет вероятность нахождения электронов на том или ином


энергетическом уровне. В уравнении (1) W- энергия данного уровня;k- постоянная Больцмана;

T-абсолютная температура; W F -параметр, называемый уровнем Ферми. Уровень

Ферми – это последний заполненный электронами уровень при Т=00К. Из (1) видно, что если:

1) Т=00К, W< W F , то F(W)=1; 2) Т=00К, W< W F , то F(W)=0; 3) T>0 0К, W= W F , то

F(W)=0,5.
Электроны с верхних уровней энергии валентной зоны при получении энергии извне
(тепловой, световой и др.) могут переходить на уровни энергии зоны проводимости.
При уходе электрона в валентной зоне остаются свободные (вакантные) места, называемые

дырками. Дырки так же, как и электроны способны «перемещаться» в кристалле, так как

появившиеся свободные места могут быть заняты электронами, энергия которых лежит ниже

энергии ушедших из валентной зоны электронов и на их месте также появляются дырки.

Таким образом, в полупроводнике носителями заряда являются электроны и дырки.

Итак, в валентной зоне перемещение электронов вызывает перемещение в


противоположном направлении дырок. При отсутствии внешнего электрического поля
электроны, a следовательно и дырки движутся хаотически. Под воздействием внешнего
электрического поля движение электронов станет упорядоченным, при этом электроны будут
перемещаться против направления электрического поля, а дырки – по направлению поля.
Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения
валентных связей, называется собственной.
Процесс образования пары электрон–проводимости дырка проводимости называется
генерацией пары носителей заряда.
Процесс воссоединения электрона и дырки называется рекомбинацией.
Среднее время существования пары носителей заряда называется временем их жизни.
Среднее расстояние, которое проходит носитель заряда за время жизни, называется
диффузионной длиной носителя заряда (Lp–для дырок,Ln–для электронов).
В проводниках с собственной проводимостью уровень Ферми лежит посредине
запрещенной зоны (см. рис.12-2).

69
Рис.12- 1 Расположение уровня Ферми
Примесная проводимость. Если некоторые атомы полупроводника заменить в узлах
кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности
основных атомов, возникает тип проводимости, называемый примесным. Примеси, валентность
атомов которых выше валентности основных атомов, называются донорными (или донорами), в
этом случае электропроводность будет обусловлена в основном электронами их называют
основными носителями заряда, а дырки – не основными.
Энергетический уровень свободных электронов будет находиться в запрещенной зоне у
дна зоны проводимости. Он называется донорным уровнем. Уровень Ферми сместится от
середины запрещенной зоны к дну зоны проводимости (см. рис.12-3А).
W W

3П 3П

ΔWg Wg
WF WF
ΔWa Wa

В3 В3

А) Б)

А Б
Wg донорный уровень Wa акцепторный уровень
энергии энергии

Wg энергия ионизации Wa энергия ионизации


донора акцептора
Рис. 12-3 Акценторные и донорные уровни

70
Примеси, валентность атомов которых ниже валентности основных атомов, называются

акцепторными (акцепторами). В этом случае электропроводность будет обусловлена в

основном дырками, которые называются основными носителями заряда, а электроны –

неосновными.

Энергетический уровень свободных дырок будет находиться в запрещенной зоне у


потолка валентной зоны, он называется акцепторным уровнем. Уровень Ферми сместится к
потолку валентной зоны (см. рис.12-3Б).

Электронно-дырочный переход и его свойства. При контакте двух полупроводников с


разным типом примесной проводимости (п – и р– типа) на границе раздела образуется
область, которую называют электронно–дырочным переходом или р–п переходом.
Свойства р–п перехода положены в основу принципа действия подавляющего большинства
полупроводниковых приборов. Контакт p-n перехода осуществляется сложными
технологическими приемами. Как только произойдет соприкосновение, в каждой области
нарушается равенство концентраций ионов примесей и свободных зарядов. Так как в области р
концентрация дырок Рр значительно выше концентрации дырок Рn в области n. (Рр>>Рn), а
концентрация электронов nн в области n значительно ниже концентрации их в области р ,
происходит диффузия дырок в область n–типа и электронов в область р– типа.
Вследствие ухода дырки из области p в ней образуется не скомпенсированный
отрицательный заряд иона акцепторной примеси, а при уходе электрона из области n в ней
образуется положительный заряд иона донорной примеси.
Часть электронов и дырок, попавших в смежную область может рекомбинировать, что
также нарушает равновесие концентраций между свободными носителями заряда и
неподвижными ионами примеси.
В результате около границы раздела областей создается объемный двойной слой,

обедненный основными носителями заряда. Он обдает большим удельным сопротивлением.

Его называют запирающий слоем или р–п переходом. Объемные заряды имеют разные знаки

и создают электрическое поле р–п перехода.


Напряженность этого поля Е , направлена в сторону от положительно заряженного слоя
к отрицательно заряженному слою (см. рис. 12-4). Для основных носителей каждой области
оно является тормозящим, поэтому будет препятствовать дальнейшему диффузионному
перемещению через р–п переход основных носителей. Электрическое поле наряду с
напряженностью Е характеризуется потенциалом. Разность потенциалов в р–п переходе
называют контактной. Величину контактной разности потенциалов называют высотой
потенциального барьера. (  к )

71
pn - переход
p n
+

+
– – – + +

+

+
– + – ионы
+ + – –

– – – – + + + + – свободные заряды
+ + – – – +
– – – – + + + +


Е
φ



Рис. 12-4 Электрическое поле p-n перехода

С точки зрения зонной теории твердого тела потенциальный барьер (  к ) образуется


следующим образом: при контакте полупроводников р- и n–типа образуется единая система, в
которой уровень Ферми является общим для областей р– и n–типа (см. рис.12-5).

--

Рис.12-5 Величина потенциального барьера pn-перехода

На границе раздела уровень Ферми проходит через середину запрещенной зоны. Так как
в области р–типа уровень Ферми находится недалеко от потолка валентной зоны, а в области
n–типа недалеко от дна зоны проводимости, энергетические зоны смещаются относительно
друг друга, и в области рn перехода образуется потенциальный барьер, высота которого будет
равна:
 = W/q, (12.2)
где W – минимальная энергия (эВ), которую нужно сообщить электрону (или дырке),
чтобы они могли перейти в смежную область; q – заряд электрона.

Таким образом, все энергетические уровни области р–типа подняты над энергетическими
уровнями области n–типа на высоту, численно равную
W = q . k

72
Токи р-n перехода.

Выше было рассмотрено диффузионное перемещение через р–п переход дырок и


электронов. Этот поток носителей представляет собой диффузионный ток:

I диф = Ipp + Inn, (12.3)

где Ipp– ток, образованный дырками области р–типа;


I nn – ток, образованный электронами области n типа.

Поле р–п перехода, являясь тормозящим для основных носителей, а для неосновных
носителей ускоряющее. Под воздействием его не основные носители перемещаются в
смежную область. Их поток представляет собой дрейфовый ток:

I др =I pn + Inp, (12.4)

где
I рn, –ток, образованный дырками области n–типа;
I np–ток, образованный электронами области р–типа.
В отсутствии внешнего электрического поля

I диф = I др (12.5)

Для случая равновесия обозначим I диф =I од, а I др =I o и тогда


I oд = I о (12.6)

Следует заметить, что диффузионный и дрейфовый токи направлены в


противоположные стороны, поэтому результирующий ток через р–п переход равен 0.
В условиях динамического равновесия через р–п переход переходят только те свободные
носители, энергия которых выше высоты потенциального барьера.

Влияние внешнего напряжения на р–п переход.


Прямое включение – источник напряжения подключен знаком «плюс» к области р–типа
и «минусом» к области n–типа. Обратное включение противоположно прямому. При прямом
включении электрическое поле источника напряженностью Enp направленo навстречу
контактному полю Е и результирующая напряженность будет равна Е1= Е – Enp.
Уменьшение напряженности поля вызовет уменьшение высоты потенциального барьера на
величину прямого напряжения источника U пр= +U (см.рис.12-5 и 12-6):

1 =  – Uпр (12.7)

Уменьшение высоты потенциального барьера приводит к увеличению числа основных


носителей через р-n переход, т.е. к увеличению диффузионного тока:

qU
I диф = I од . kT (12.8)
e
73
Так как I од = Iо , то можно записать

qU
I диф = Io e kT (12.9)

На величину дрейфового тока изменение высоты потенциального барьера не влияет, он

остается таким же, как и в условиях равновесия. Поэтому результирующий ток через р–п

переход, называемый прямым, c учетом (12.9) будет равен:

qU
Iпр= Iдиф –Iо = Io ( e kT  1 ) (12.10)

Рис.12-6 Прямое и обратное включение pn-перехода

При прямом включении уменьшается ширина р-n перехода.


Обратное включение р-n перехода (см. рис.12-6 б)) Рассуждая аналогично можно
заключить, что в этом случае результирующий ток, называемый обратным, будет равен:

 qU
I об = I o ( e kT
 1 )… (12.11)

При некотором значении обратного напряжения диффузионный ток станет равен нулю,

через р–п переход будет протекать только дрейфовый ток. Его величина незначительна, т.к.

концентрация не основных носителей мала. Поскольку ток, образованный движением не

74
основных носителей зависит от тепловой генерации пар носителей, его называют также

тепловым. Тепловой ток называют также током насыщения, так как это предельное значение

обратного тока при возрастании обратного напряжения.

При обратном включении ширина р–п перехода увеличивается.

Емкость р–п перехода.


По обе стороны границы p-n перехода расположены атомы донорной и акцепторной
примесей и образуют отрицательные и положительные пространственные заряды. Если к p-n
переходу приложить напряжение, то в зависимости от его величины будет изменяться его ширина,
а , следовательно, и пространственный заряд. В этой связи p-n переход можно рассматривать как
две пластины конденсатора с равными по величине, но противоположными по знаку заряду, т.е. p-
n переход обладает электроемкостью. Различают барьерную и диффузионную электроемкость.
Барьерная электроемкость определяется:

, (12.12)

где Qоб – объёмные заряды, образованные ионизированными атомами акдепторной примеси;


Uоб – обратное напряжение.

При включении p-n перехода в прямом направлении из каждой области в смежную


инжектируются неосновные для нее носители заряда. Это связано с диффузией зарядов при
понижении потенциального барьера. Если слои тонкие, то около границы p-n перехода
возникает избыточная концентрация неосновных носителей. Чтобы нейтрализовать этот
заряд из прилегающих слоев отсасываются основные носители. Следовательно, в каждой
области у границы p-n перехода возникают равные по значению, но противоположные по
знаку заряды Qдиф. Электроемкость, которая связана с изменением инжектированных
носителей при изменении напряжения, называют диффузионной. Эта электроемкость
увеличивается с увеличением прямого тока, а барьерная электроемкость увеличивается при
увеличении обратного тока. При расчетах p-n перехода при прямом напряжении учитывают
Сдиф, а при обратном Сδ.
Вольтамперная характеристика р–п перехода. Это зависимость тока проходящего через
рп переход от приложенного к нему напряжению I =  (U) (см. рис.12-7.)

Рис. 12-7 Вольтампермерная характеристика диода

У
равнение
зависимости I
от U имеет
вид:

I = Iо(
 qU
)
e kT
1

(12.13)

75
Если р–п перевод включен в прямом направлении, напряжение со знаком плюс, если в
обратном – со знаком минус.

Режим работы полупроводникового выпрямительного диода определяются его


характеристикой.
Вольтамперная характеристика (ВАХ) - это зависимость электрического тока, протекающего через
диод от напряжения, приложенного к диоду. Прямой ток резко растет при небольших
положительных напряжениях (UnpB). Но этот ток не должен превышать максимального значения,
т.к. в противном случае произойдет перегрев диода и он выйдет из строя. Максимальное обратное
напряжение определяется конструкцией диода и находится в интервале 10В ÷ 10кВ.

Динамический режим работы диода.


Переключение полупроводникового диода из проводящего соединения в закрытое происходит не
сразу, а по истечении какого-то времени, т.к. при этом p-n переход должен освободиться от
накопленного заряда. Время накопления заряда для маломощных диодов составляет 10-100нс.
Следует заметить, что период колебания входного напряжения должен быть больше времени
накопления заряда. Если такое правило не соблюдается, то диод теряет свои свойства. Чтобы
уменьшить время переключения используют диод Шотки. Время накопления заряда в этом диоде
очень мало и поэтому время переключения может быть доведено до 100нс.

Пробой р–п перехода .

Рис. 12-8 Виды пробоя p-n перехода

Если обратное напряжение р–п перехода увеличить сверх определенной величины,


наступает пробой р–п перехода. При этом будет резкое увеличение величины обратном тока.
Пробой делят на два вида: тепловой и электрический. Тепловой пробой (рис.1-8, кривая
I) приводит к разрушению р–n перехода.
При электрическом пробое р–п переход может сохранить свою работоспособность. При

этом различают пробой лавинный (рис.12-8,кривая 2) и туннельный (рис. 12-8, кривая 3).

76
Свойства р–п перехода в условиях лавинного и туннельного пробоя используют при создании

туннельных диодов.

Лавинный пробой наблюдается в широких р–п переходах. Он возникает вследствие того, что
под действием электрического поля большой величины носители заряда приобретают энергию,
достаточную для того, чтобы при столкновении с атомом решетки полупроводника выбить из
ковалентной связи электроны, вследствие чего возникает пара свободных носителей электрон–
дырка. В свою очередь эти носители также выбивают электроны и т.д. Этот процесс ударной
ионизации атомов кристаллической решетки протекает лавинообразно и приводит к
значительному возрастанию тока через р–п переход.
Туннельный пробой наблюдается при больших напряженностях поля в узких р–п
переходах. В них наблюдается туннельный эффект, который состоит в том, что электроны
через узкий р–п перехода проходят в смежную область без затраты энергии, «туннелируют».

Параметры, характеристики выпрямительных диодов.


Типы полупроводниковых диодов.
Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с одним р–п переходом и двумя
омическими контактами. Он чаще всего образуется между двумя полупроводниками р–и п–типа,
иногда между полупроводником и металлом.
Одна из областей (низкоомная) является эмиттером, другая (высокоомная) –базой.
Параметры диодов.
Максимально допустимый ток, постоянное прямое напряжение, максимально допустимое
обратное напряжение, максимально допустимый обратный ток, дифференциальное сопротивление.
По типу р–п перехода диоды делят на два класса: точечные и плоскостные.
По назначению и принципу работы диоды бывают следующих типов: выпрямительные,
стабилитроны (стабилизаторы напряжения), вариканты, туннельные, и др.
Выпрямительные диоды

Условное обозначение туннельных диодов в схемах

В выпрямительных диодах используется свойство односторонней проводимости p-n


перехода. Такие диоды применяются в качестве вентилей, которые пропускают переменный
ток только в одном направлении. Принцип работы таких приборов будет рассмотрен в главе
«Источники вторичного питания».
Схема замещения выпрямительного диода представлена на рисунке 12-9.

Рис. 12-9 Схема замещения выпрямительного диода


Включенное в схему сопротивление “r” определяет учет утечки электрического тока,
электроемкость С учитывает диффузионную и барьерную электроемкость p-n перехода, i –
управляемый источник электрического тока, который моделирует ВАХ p-n перехода.
СТАБИЛИТРОН.

77
Такой полупроводниковый прибор, который работает в режиме электрического пробоя p-n
перехода. Условное графическое обозначение стабилитрона в схемах

Обратная ветвь ВАХ (рис. 12-7) имеет значительный излом, который характеризуется
резким ростом электрического тока. При резком возрастании тока наблюдается соответствующее
напряжение стабилизации, которое может охватить диапазон 4-÷180 В. Эффект стабилизации
состоит в том, что резкое возрастание электрического тока вызывает незначительное изменение
напряжения, которое практически незаметно.
ВАРИКАП.
Этот полупроводниковый прибор предназначен для работы в качестве конденсатора
переменной емкости. Условное графическое обозначение варикапа в схемах

Работа варикапа в режиме конденсатора объясняется следующим образом. Если подать на


варикап обратное напряжение, то барьерная электроемкость варикапа уменьшается при
увеличении напряжения и наоборот. Варикапы используются для электрической настройки
колебательных контуров.

Туннельные диоды.

Условное обозначение туннельных диодов в схемах

Эти диоды изготовляются на основе вырожденного полупроводника, т.е. из такого материала,


содержание примесей в котором очень велико. Вследствие высокой концентрации примесей
удельные сопротивления областей р–и n типа очень малы, а ширина р–n перехода составляет
примерно 0,02 мкм, что в сто раз меньше, чем в других полупроводниковых диодах.
Напряженность электрического поля в таких р–n переходах достигает огромной величины – до 106
В/см.

Рис.12-9 Вольтамперная характеристика тунельного диода

На вольтамперной характеристике туннельного диода наблюдают следующие участки:


1. Рост электрического тока до максимального значения (точка «а»);
2. Снижение электрического тока до минимального значения (точка «В»);
3. Рост электрического тока от точки минимального значения (до уровня точка «а»).

78
Из рисунка 12-9 видно, что на участке «аВ» рост напряжения соответствует «отрицательному
приращению» электрического тока. В этом случае говорят об «отрицательном» сопротивлении (-
di
R) или «отрицательном значении дифференциальной проводимости ( ).
du
Благодаря своей своеобразной ВАХ, туннельные диоды используют в качестве
быстродействующих переключающих устройств, для усиления и генерирования электрических
сигналов.
Схема замещения туннельного диода на участке отрицательного сопротивления для малого
сигнала представлена на рисунке 1-10.

Рис. 12-10. Схема замещения туннельного диода


В этой схеме С – общая электроемкость туннельного диода в точке «В»; -R – отрицательное
сопротивление; r – сопротивление потерь; L – индуктивность выходов.

Диод Шотки.
Условное обозначение
Диод Шотки выполнен на основе контакта металл-полупроводник и при этом работа выхода
электронов в металле больше работы выхода электронов в полупроводнике. При идеальном
контакте металла и полупроводника происходит диффузия электронов из полупроводника и
металл заряжается отрицательно, и при этом в приконтактной области полупроводника образуется
слой, который обеднен основными носителями заряда и заряжен положительными ионами
доноров. В результате возникает электрическое поле, напряженность которого направлена в
сторону к металлу. Возникшее электрическое поле не дает возможности движению электронов в
металл и возникает потенциальный барьер.
При прямом включения источника напряжения диода Шотки, потенциальный барьер снижается
и электроны переходят в металл. При обратном включении – высота потенциального барьера
повышается и этот барьер могут преодолеть только дырки, которые создают обратный ток.
Концентрация дырок мала и обратный ток очень незначительный.
Таким образом в диоде Шотке создается также, как и в обычном p-n переходе, запирающий слой,
который обладает выпрямляющими свойствами. Кроме того, этот слой является
неинежктирующим (инжекция – впрыскивание) и имеет незначительную барьерную
электроемкость. Также свойства позволяют создавать на основе диода Шотки полупроводниковые
приборы с идеальными характеристиками.

Влияние температуры на работу полупроводниковых диодов.

На электропроводимость полупроводников значительно влияет температура. Если температура


повышается, то возрастает генерация пар носителей заряда и при этом электропроводимость
возрастает. В этой связи прямой и обратный токи увеличиваются. Например для германиевых
диодов при увеличении температуры на каждые 10° С обратный ток может возрасти в два раза, а
для кремниевых диодов в 2,5 раза. Прямой ток при нагреве диода возрастает незначительно, так
как такой ток получается за счет примесной проводимости. Также с повышением температуры
незначительно возрастает барьерная электроемкость диода.

79
Биполярные транзисторы -
биполярным транзистором называют
полупроводниковый прибор с тремя областями чередующегося типа электрической
проводимости, разделенными двумя взаимодействующими р–п переходами, способный
усиливать мощность.
Конструктивно–сплавной биполярный транзистор представляет собой пластинку
монокристалла полупроводника проводимостью p или n – типа, по обеим сторонам которой
наплавлены полупроводники, образующие с данным полупроводником иной тип
проводимости.
На рис.12-11 показана конструкция транзистора, в которой в пластинку германия n–типа
вплавлены по обеим сторонам шарики индия, образующие с германием проводимость p–типа.

n
p-n
p-n переход
переход
э ~ ~ к
In In

w
Ge(n)

б
Рис. 12-11. Реальная структура сплавного транзистора p-n-p

На рис.12-12 показана упрощенная плоскостная структура транзистора.

p n p n p n
w

Э Б К Э Б К

Эмиттерный Коллекторный
p-n переход p-n переход

а) б)

Рис.12-12. Упращённая структура транзистора p-n-p (а) и n-p-n (б)


Э-эмиттер, Б-база, К-коллектор

Крайние области транзистора называют эмиттером и коллектором среднюю – базой, р–п


переходы соответственно называют эмиттерным и коллекторным. Если эмиттер и коллектор

80
обладают дырочной проводимостью (области р), а база – электронной проводимостью (область п),
структура транзистора р–п–р. Если проводимости областей транзистора противоположна
названным, его структура п–р–п.
Принцип действия транзисторов обеих структур одинаков и основан на использовании свойств
р–п переходов.
Условное обозначение транзисторов в схемах полярности напряжений в активном

(усилительном) режиме работы и направления токов показаны на рис.12-13

Рис. 12-13. Условное обозначение транзисторов структур р–п–р (а) и п–р–п (б), полярности

напряжений в активном режиме работы и направления токов.

Различают 3 схемы включения транзисторов в зависимости от того, какой вывод транзистора

принимается общим для его входной и выходной цепей (см. рис.12-14) :

1) с общей базой (ОБ),


2) с общим эмиттером (ОЭ)
3) с общим коллектором (ОК)

81
Рис.12-14. Схемы включения транзисторов:

а) с общей базой.

б) с общим эмиттером.

в) с общим коллектором.

Транзисторы в схемах могут работать в различных режимах: активном (усилительном),


насыщения и отсечки. Последние два режима называют ключевыми.
Рассмотрим принцип работы транзистора структуры р–п–р на примере схемы с общей
базой. Обычно для исследования работы транзистора используют условную плоскостную
схему (рис.12-15).

Рис.12-15 Направления токов в транзисторе


Для работы транзистора в активном режиме на его эмиттерный переход подается

небольшое по величине напряжение в прямом направлении, а на коллекторный переход –

значительно большее по величине (примерно, на порядок) напряжение в обратном

направлении. При подаче напряжения на эмиттерный переход в прямом направлении

понижается высота его потенциального барьера, поэтому дырки вследствие разности

82
концентрации их в эмиттере и базе (т.е. вследствие диффузии) инжектируются

(впрыскиваются) в область базы, образуя дырочный ток эмиттера ,Iэр.

Одновременно из области базы в результате диффузии в области эмиттера переходят


электроны базы, образуя в эмиттере электронный ток Iэп.

Итак, ток эмиттера равен:


Iэ=Iэр+Iэn (12.13)

Ток Iэn не участвует в создании коллекторного (выходного) тока транзистора и только


нагревает эмиттерный переход, поэтому его величину уменьшают. Для этого базу насыщают
донорной примесью незначительно. Из–за малой величины тока Iэn им часто пренебрегают.
Инжектированные в область базы дырки у эмиттерного перехода имеют значительную
концентрацию и за счет диффузии перемещаются в сторону коллекторного р–п перехода. Так
как поле коллекторного перехода для дырок является ускоряющим, происходит экстракция
(всасывание) дырок в область коллектора. Поскольку их концентрация около коллекторного
перехода выше, чем в остальной части коллектора, за счет диффузии дырки перемещаются в
сторону омического контакта, где рекомбинируют с электронами, поступающими от источника
Екб. Таким образом, дырки от эмиттера через базу попадают в коллектор, образуя дырочную
составляющую тока Iкр в области коллектора. Токи Iэр и Iкр по величине не равны, так как
часть дырок эмиттера, попавших в область базы, не доходит до коллекторного перехода,
рекомбинируя с электронами базы, в результате чего исчезают и дырка и электрон. В базе
вследствие этого процесса протекает составляющая тока базы называемая током
рекомбинации Iбрэк.
Вместе с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы
движутся не основные носители, образующие дрейфовую составляющую тока в каждой из
областей транзистора.
Влияние на свойства транзистора оказывает дрейфовый ток, образованный перемещением
не основных носителей через коллекторный переход: дырок, из области базы и электронов из
области коллектора. Этот ток называют обратным током коллекторного перехода Iко.
Так как он образуется в результате генерации пар носителей дырка–электрон при
повышении температуры сверх 0 0 К, его называют тепловым током. С повышением
температуры он растет по экспоненциальному закону. В германиевых транзисторах при
повышении температуры на каждые 10 0 К Iко возрастает в 2 раза, в кремниевых – в 2,5 раза.
Величина Iко не зависит от величины потенциального барьера р–п перехода, так как
поле р–п перехода для не основных носителей является ускоряющим, она зависит от
температуры транзистора, т.е. Iко является неуправляемым током.

Таким образом, можно записать значения токов, протекающих в отдельных областях


транзистора в схеме ОБ.
Ток эмиттера был определен выше:

Iэ=Iэр+IэпIэр (12.14)
Ток базы
Iб=Iэn–Iбрэк–Iко (12.15)

Ток коллектора

Iк=Iкр+Iко. (12.16)
Из уравнений (14),(15),(16) можно установить

83
Iэ=Iб+Iк, (12.16)
что соответствует 1–му закону Кирхгофа.

Токи Iк и Iб содержат составляющую Iко, следовательно, их величина, как и Iко, изменяется


с изменением температуры. Для того, чтобы поддерживать величины этих токов на определенном
уровне вне зависимости от температуры, схемы, в которых работает транзистор, стабилизируют.
Итак, через транзистор течет сквозной дырочный ток от эмиттера через базу в коллектор,
а в выводах транзистора – электронный ток.
Напомним, что за положительное направление тока принимают направление движения
положительных зарядов (дырок), т.е. направление, противоположное направлению движения
электронов (см. рис.12-15)
Током коллектора можно управлять. Для изменения его величины следует изменять
величину напряжения источника питания Еэ. С увеличением Еэ уменьшается высота
потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличивается ток Iэ, а, следовательно, и ток
Iк. Таким образом, ток эмиттера является управляющим током, а ток коллектора –
управляемым. Поэтому транзистор часто называют прибором, управляемым током.
Усиление электрических сигналов с помощью биполярного транзистора.
Транзистор в активном режиме обладает способностью усиливать мощность
электрического сигнала, включенного в входную цепь. При этом в зависимости от схемы
включения транзистора (ОБ, ОЭ, ОК) будет наблюдаться усиление сигнала либо по току, либо
по напряжению, либо по тому и другому. Например, в схеме с ОБ имеется усиление по
напряжению и по мощности, усиление по току не происходит . Для того, чтобы выделить
мощность входного сигнала, в выходную цепь транзистора включают нагрузочный резистор
Rк, обладающий большим сопротивлением, значительно превышающим входное
сопротивление транзистора Rэ (сопротивление эмиттерного перехода, включенного в прямом
направлении (см. рис. 12-16).
Включение резистора Rк, хотя и вызывает снижение потенциального барьера
коллекторного перехода из–за уменьшения напряжения на коллекторе (Uкб=Eкб–Rк .Iк), но это
не вызовет инжекцию дырок коллектора в базу и коллекторный ток Iк не уменьшится.
Величина тока Iк, как установлено выше, практически равна величине тока эмиттера Iэ.
Поскольку входное сопротивление транзистора Rэ мало, небольшое изменение тока
эмитгера вызовет небольшое изменение напряжения в эмиттерной цепи. В коллекторной цепи
на сопротивлении нагрузки Rк это небольшое изменение тока вызовет значительное
изменение напряжения Uк=RкIк, т.к. Rк велико.
Действительно, если напряжение между эмиттером и базой изменится на величину
Uэб, ток эмиттера изменится на величину Iэ=Uэб/Rэ. Ток коллектора изменится на ту же
величину Iк=IэIэ, (1). Напряжение на нагрузке Rк в коллекторной цепи изменится на
Uк=RкIк или Uк=(Rк/Rэ)Uэб, т.е. приращение напряжения на коллекторной нагрузке в
Rк/Rэ раз больше приращения напряжения в эмиттерной цепи. Так как Rк>>Rэ,
следовательно, Uк>>Uэб. При этом происходит и усиление по мощности. Приращение
входной мощности равно Рвх=РэIэ2 приращение выходной мощности
Рвых=RкIк2RкIэ2 или Рвых=(Rк/Rэ)Рвх. Т.к. Rк>>Rэ, то Pвых>>Pвх.
При работе транзистора в схеме усилителя на вход его подается переменное напряжение
сигнала, которое нужно усилить. В этом случае Еэ не изменяется, но последовательно с ним
включенное переменное напряжение сигнала малой величины изменяется, и это будет приводить
к большим изменениям (колебаниям) переменного напряжения сигнала на сопротивлении
нагрузки Rк, т.е. в схеме будет происходить усиление малого входного сигнала.
В схеме с ОЭ происходит усиление по току и напряжению. Здесь входным током
является ток базы, он значительно меньше тока эмиттера. Если изменить входное напряжение
Uбэ, изменится потенциально барьер эмиттера и, следовательно, дырочный ток эмиттера и ток
коллектора. Так как в базу от источника поступает небольшой ток, меньший по величине, чем

84
ток эмиттера и, следовательно, и коллектора, то незначительное изменение тока во входной
цепи вызовет значительно большее изменение тока в выходной цепи коллектора.

Рис.12-16 Структурная схема транзистора с ОБ с нагрузочным резистором Rk в выходной


цепи.

Таким образом, в схеме с ОЭ происходит усиление по току. При этом имеется


усиление и по напряжению. Так как выходное сопротивление велико, в цепь коллектора можно
включить большое сопротивление. На этом сопротивлении напряжение будет значительно
выше, чем напряжение во входной цепи. Усиление по напряжению и току приводит к
значительное усилению по мощности.
В схеме усиления с ОК (p-n-p) Ku=1, а коэффициент усиления по току Ki=10-100. Так
как в этой схеме Uвх=Uвых, то такую схему называют эмиттерный повторитель.
Параметры транзистора:
1) Статический коэффициент усиления по току в схеме с ОБ
=Iкр/Iэ (12.17)

Обычно =0,9–0,99.
Статический коэффициент усиления по току в схеме о ОЭ имеет другое выражение. Его
можно получить из соотношения Iк=Iэ+Iко, если подставить в него выражение Iэ=Iб+Iк.
Тогда Iк=(Iб+Iк)+Iко, откуда:

Iк=(/(1–))Iб+Iко/(1–), (12.18)
или
Iк=Iб+Iкоэ, (12.19)
=/(1–), (12.20)

где =/(1–) статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ, выраженный


через .
Из уравнения (12.9) можно установить, что схема с ОЭ обладает большим усилением по
току. Например, если=0,985, то =66.

Обратный ток коллекторного перехода в схеме с ОЭ.


Iкоэ=Iко/(1–)=(1+)Iко (12.21)

Коэффициенты  и  являются важнейшими параметрами транзисторов. Их часто


называют коэффициентами передачи тока эмиттера () и тока базы ().
2) Коэффициент обратной связи по напряжению. В схеме с ОБ он равен

M б =Uэб/Uкб , (12.22)

85
в схеме с ОЭ

Mэ =Uбэ/Uкэ, (12.23)

где Uэб, Uбэ, Uкб, Uкэ – соответственно приращения напряжений эмиттера, базы и
коллектора.
3) Входное сопротивление. В схеме с ОБ равно:

Rвхб=Uэв/Iэ, (12.23)

в схеме с ОЭ

Rвхэ=Uбэ/Iб , (12.24)

где Iэ и Iб – соответственно приращения тока эмиттера и тока базы.

4) Выходное сопротивление. В схеме с ОБ равно


Rвыхб=Uкб/Iк, (12.25)

в схеме с ОЭ
Rвыхэ=Uкэ/Iк (12.26)

На рис. 12-17 показаны входные и выходные статические характеристики транзистора,

включённого по схемам ОБ и ОЭ

Iэ Uкб=0

Uкб<0 Uкб>0 Uкэ=0 Uкэ<0

0 Uкэ 0 -Uбэ
а) б)

Iк Iк

Iэ>0 Iб>0

Iб=0
Iэ=0

0 -Uкб 0 -Uкэ
в) г)

86
Рис. 12-17. Входные (а,б) и выходные (в,г) статические характеристики транзистора,

включенного по схеме с ОБ (а,в) и по схеме с ОЭ (б,г)

Схемы замещения транзисторов типа p-n-p

Схемы замещения транзисторов строят на той основе, что эммиттерный переход имеет

сопротивление до десятков Ом, коллекторный переход имеет сопротивление до сотни

килоОм, область базы имеет сопротивление до сотен Ом.

Рис. 12-18. Схема замещения транзистора p-n-p, включенного по схеме с ОБ.

В схеме ОБ (рис.12-18) входное напряжение равно сумме падений напряжений на

сопротивлениях Rэ и Rб при прохождении по ним токов, соответственно эмиттерного и тока

базы. Как показывают расчёты, по приведённой схеме, Rвхб совпадает с расчётами Rвхб= 

Uэб/  Iэ  десяткам Ом.

87
Аналогичные расчёты можно проводить по схемам замещения транзисторов,

включённых по схемам с ОК и с ОЭ (рис. 12-19, а, б)

Рис 12-19. а) Схемы замещения транзистора p-n-p, включенного по схеме с ОК.

Рис 12-19. б)Схемы замещения транзистора p-n-p, включенного по схеме с ОЭ.

Н-параметры транзистора. При расчётах часто транзистор рассматривают как

усиливающее мощность устройство, имеющее на входе напряжение U1 и ток I1, а на выходе

соответственно U2 и I2. Такую модель называют активным четырёхполюсником. (рис. 12-20)

88
Рис. 12-20. Транзистор, как активный четырёхполюсник, включённый по схеме с ОЭ.

Рассмотрим Н-параметры транзистора включенного по схеме с ОЭ (рис.12-20)

1. Входное сопротивление VT для переменного тока:


Н11=  Uбэ/  iб (Uкэ=const) (12.27)

2. Выходная проводимость: (12.28)


Н22 =  iк/  Uкэ (iб=const)

3. Коэффициент усиления по току:


Н21 =  iк/  iб ( Uкэ=const) (12.29)

Для маломощных транзисторов:

Н 11  10 3  10 4 (Ом)

а для транзисторов средней и большой мощности Н 11  50  1000(Ом) (12.30)

89
Выходная проводимость для маломощных транзисторов

10 4
Н 22  10 5  10 6 (См) , а для средней и большей мощности Н 22  (См) (31)
10 6

Коэффициент усиления по току

Н 21  20  200 (12.32)

Общая характеристика схем включения транзисторов p-n-p типа.

Схемы Iвх Iвых Ki Rвх и Rвых Uвх Uвых Ku Kp Инв


ОБ Iэ Iк <1 Rвх < Rвых Uэб Uкб >1 >1 Нет
ОЭ Iб Iк >1 Rвх < Rвых Uбэ Uкэ >1 >1 Да
ОК Iб Iэ >1 Rвх > Rвых Uбк Uэк <1 >1 Нет

Влияние температуры на работу полупроводниковых транзисторов. На

работу транзисторов значительно влияет повышение температуры. При этом возрастает

начальный ток коллектора, а, следовательно, это приводит к изменению характеристик

транзистора. Например, для германиевого транзистора включённого по схеме ОБ при

диапазоне нагрева от 200С до 700С Iко (начальный ток коллектора) увеличится в 25 раз.

Известно, что Iк=Iко+  Iэ, (12.33)

90
Iк
где   - не зависит от температуры, Iэ=const и поэтому незначительное увеличение Iк
Iэ

при повышении температуры практически не изменяет режим работы транзистора. В том

случае, если транзистор включён по схеме ОЭ, то начальным током является сквозной ток и

он возрастает при изменении температуры от 20 0С до 700С примерно в 2 раза. Очевидно, что

такое возрастание тока приводит к резкому изменению выходных характеристик

(зависимости Iк от Uкэ) транзистора, перемещается рабочая точка и режим усиления

нарушается.

Полевые транзисторы.

Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы, предназначенные для

преобразования и усиления электрических сигналов с помощью полевых транзисторов

обусловлены потоком основных носителей, которые протекают через проводящий канал и

управляются электрическим полем. В образовании выходного тока в полевых транзисторах

участвуют только электроны или дырки, а поэтому эти полупроводниковые приборы ещё

называются униполярными транзисторами.

Полевые транзисторы делятся на две группы: с управляющим p-n переходом и

изолированным затвором, или МДП-транзисторы (металл-диэлектрик-полупроводник). Также

к полевым транзисторам с изолированным затвором относятся МОП-транзисторы (металл-

диоксид кремния-полупроводник)

В этих группах полевых транзисторов электроды обозначают истоком И (эмиттер-

биполярного транзистора), затвором З (база биполярного транзистора) и стоком С (коллектор

биполярного транзистора). На рис. 12-21 изображена упрощённая структура полевого

транзистора с управляющим p-n переходом.

91
Рис. 12-21. Структурная схема полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

Условное графическое изображение полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

с каналом n-типа и p-типа приведены на рис. 12-22 а, б

Рис. 12-22. Условное графическое обозначение полевого транзистора с управляющим p-n

переходом с каналом n-типа (а), p-типа (б).

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом выполнен в виде пластины из

полупроводника n-или p-типа (рис.1-21в данном случае рассматривается полупроводник n-

типа). На гранях этой пластины созданы области p-типа электропроводности (3) и в

92
результате образуются p-n переходы, а контакты областей «3» соеденены между собой. Объём

пластины, расположенный между p-n переходом является каналом полевого транзистора.

Если приложить к затвору отрицательное напряжение, то происходит обеднение электронами

(основные носители) участков канала, примыкающих к затвору, ширина p-n перехода

возрастает и увеличивается его сопротивление. Таким образом происходит управление

сопротивлением канала. В том случае, если канал полевого транзистора p-типа, то при подаче

положительного напряжения между затвором и истоком p-n переход расширяется и

уменьшается толщина канала и, следовательно, увеличивает его сопротивление.

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (канал n-типа) оказывается запертым

(Iс=0) при обратном напряжении, которое называется напряжением отсечки Uзиотс. В этом

случае p-n переходы сливаются и ток через канал не проходит. Напряжение насыщения:

Uси(нас) = /Uзи(отс)/-/Uзи/…………………………………………………………..(12.34).

Режим, когда Uси>=Uсиназ называется режимом насыщения и рост тока Iс прекращается при

увеличении Uси.

Полевые транзисторы имеют три схемы включения с общим истоком (ОИ) (а), общим стоком

(ОС) (б) и с общим затвором (ОЗ) с каналом n-типа. Наиболее часто используемой схемой

включения применяется схема с ОИ (рис. 12-23).

Рис. 12-23. Схема включения полевого транзистора с общим истоком.

93
Так же как у биполярных транзисторов полевые транзисторы имеют статические

характеристики. Основной статической характеристикой полевого транзистора с

управляющим p-n переходом - выходная (стоковая), которая показывает зависимость Iс от

Uси при Uзи=const. Вольтамперная стоковая характеристика полевого транзистора с

управляющим p-n переходом показана на рис. 12-24.

Рис. 12-24. Стоковая вольтамперная характеристика полевого транзистора с управляющим

p-n переходом.

Из рис. 12-24 видно, что с повышением Uси электрический ток Iс увеличивается линейно, но

при Uси=Uси(нас) ток стока не увеличивается. Для полевых транзисторов с управляющим p-n

переходом зависимость Iс от отрицательного значения Uзи при Uси=const называют

характеристиками прямой передачи или стокозатворной. Вольтамперная характеристика

прямой передачи показана на рис. 12-25.

94
Рис. 12-25. Вольт-амперная характеристика прямой передачи (стокозатворной) полевых

транзисторов.

Параметрами полевых транзисторов с управляющим p-n переходом являются крутизна

стокозатворной характеристики, входное и выходное дифференциальное сопротивление,

напряжение отсечки, междуэлектродные электрические ёмкости, коэффициент усиления.

Крутизна стокозатворной характеристики характеризует управляющее действие затвора и её

измеряют при Uзн= данное и Uси=const.

S=dIс/dUзи ………………….(12.35)

Входное дифференциальное сопротивление очень большое (10 8-1010 Ом) и связано это с тем,

что концентрация неосновных носителей в канале небольшая и поэтому обратный ток

невелик и практически не зависит от /Uзи/. Выходное дифференциальное сопротивление

ic
электрической цепи стока определяют по формуле: 1 / r  ( ) при Uзи=const. Напряжение
Uc

отсечки – это напряжение на затворе при Ic=0 и Uси=0.

Междуэлектродные электрические ёмкости – это электроёмкости между затвором и истоком,

между затвором и стоком, между стоком и истоком.

95
Коэффициент усиления К=dUис/dUзи , ……………….(12.36)

где Uзи – заданное при Iс=const.

Можно также рассчитать коэффициент усиления по следующей формуле:

К=S . Rисдиф (12.37)

Для расчёта схем на полевых транзисторах используют схемы замещения (рис. 12-26)

Рис. 12-26. Схема замещения полевого транзистора:

Сзс – электроёмкость между затвором и истоком; Rси – дифференциальное выходное

сопротивление; Uзи – источник тока, управляемого напряжением на затворе Uзи, Сзи –

электроёмкость между затвором и истоком.

Полевые транзисторы с изолированным затвором.

Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют исток и сток в виде сильно

легированных областей полупроводника. Оба вида полевых транзисторов (МДП и МОП)

могут быть сконструированы с каналами p-типа и n-типа. Встроенный канал создаётся при

96
изготовлении полевого транзистора, а индуцированный канал при работе полевого

транзистора наводится под влиянием поля, которое приложено к затвору.

Полевой транзистор со встроенным каналом (МДП- транзистор).

Такие МДП-транзисторы имеют канал, обогащённый носителями зарядов. Основу МДП

транзистора со встроенным каналом составляет мало насыщенная примесью пластина

полупроводника с электропроводимостью p-типа или n-типа (рис. 12-27)

Рис. 12-27. Структурная схема полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.

(тонкий слой полупроводника n-типа)

Если на затвор полевого транзистора со встроенным каналом n-типа подавать отрицательное

напряжение (Uзи), то электроны выталкиваются из области канала в подложку, а канал

обедняется носителями и ток Iс уменьшается. При подаче на затвор полевого транзистора

положительного напряжения, электроны втягиваются из подложки в канал и ток Ic через

канал увеличивается. Следовательно МДП-транзистор может управляться положительным и

97
отрицательным напряжением. Условное графическое изображение полевых транзисторов со

встроенным каналом показана на рис. 12-28 (О-основание или подложка)

Рис. 12-28. Условное графическое изображение МДП транзисторов со встроенным каналом

n-типа (а), p-типа (б)

Схема выключения МДП-транзисторов показана на рисунке 12-29 (а,б,в)

Рис. 12-29. Схемы включения МДП-транзисторов с ОИ (а), с ОС(б), с ОЗ(в).

98
Статические характеристики МДП-транзисторов показаны на рисунке 12-30 (а, б).

Рис. 12-30. Статические характеристики МДП-транзисторов со встроенным p-каналом.

Выходные или стоковые (а), стокозатворная (б).

Транзистор с индуцированный каналом (МОП- транзистор).

МОП-транзисторы могут быть выполнены с индуцированным каналом n-типа и p-типа.

Транзистор (например n-типа) устроен так, что при отсутствии напряжения на затворе канал

закрывается (рис. 12-31), в связи с тем, что n-области истока и стока образуют с О-

основанием два p-n перехода, которые включены навстречу друг другу и при любой

полярности напряжения СИ один из переходов заперт.

99
Рис. 12-31. Структурная схема полевого транзистора с индуцированным n-каналом.

В том случае, если на затвор подать положительное напряжение больше порогового

Uзи >Uзи (пороговые), то создаётся канал n-типа, соединяющий исток и сток. МОП-

транзисторы с индуцированным каналом p-типа имеют принцип работы такой же как n-типа,

но полярность напряжений у них противоположна МОП транзисторам n-типа. Условное

графическое изображение полевых транзисторов с индуцированным каналом показано на

рис. 12-32.

Рис. 12-32. Условное графическое изображение МОП-транзисторов с индуцированным

каналом n-типа (а), p-типа (б).

100
Следует заметить, что МОП-транзисторы можно включать по схеме с ОЗ, ОИ, ОС. На

практике чаще используются схемы полевых транзисторов с ОИ, что даёт возможность

получить большие коэффициенты по напряжению, току и мощности.

Входные и выходные характеристики МОП-транзисторов показаны на рис. 12-33 (а, б)

Рис. 12-33. Статические характеристики МОП-транзистора: стокозатворные (а) и

выходные (б).

Транзистор с затвором Шотки.

Полевой транзистор (металл-полупроводник) или ПТШ (полевой транзистор с затвором

Шотки) имеет в своей структуре вместо полупроводника кремния – арсенид галлия, что

позволяет в несколько раз увеличить быстродействие при использовании его в

информационных передающих устройствах (рис. 12-34).

101
Рис. 12-34. Структурная схема полевого транзистора с затвором Шотки.

ПТШ - транзисторы по принципу работы аналогичны полевым транзисторам с p-n

затвором, а только роль управляющего p-n перехода выполняет переход Шотки. Напряжение

перехода Шотки создаёт под затвором обеднённый слой, ширину которого можно изменять

Uзи. Для того, чтобы создать в МЕР транзисторе проводящий канал, следует к затвору подать

положительное напряжение относительно потока. Это напряжение в свою очередь является

прямым для перехода Шотки и уменьшает ширину обеднённого слоя. Uзи можно увеличивать

только до 0,7 В, так как при большем этого значения напряжение может создать для

транзистора ток, который выведет транзистор из строя. Стокозатворные характеристики ПТШ

- транзистора приведены на рис. 12-35.

102
Рис. 12-35. Стокозатворные характеристики в режиме обогащения (а), обеднения (б)

канала.

Силовые полупроводниковые приборы.

Силовые полупроводниковые приборы – это управляемые приборы, работающие в

ключевом режиме. Такие приборы работают на токах до 1000А и напряжении до 6000 В при

частотах до 106Гц. Эти полупроводниковые приборы называются тиристорами и

симисторами. В свою очередь теристоры подразделяются на диодные тиристоры (динисторы)

и триодные (тиристоры)

Динисторы – это полупроводниковые приборы с тремя или более p-n переходами и с

двумя режимами работы (включен, выключен).

Рассмртрим работу диодных динисторов, которые имеют два вывода от крайних

чередующихся p-и n- областей (рис. 12-36 а,б).

103
рис. 12-36. Конструктивная схема устройства динистора (а) и его условное графическое

изображение (б). А-апод, К-катод, У-управляющий электрод, П1, П2, П3 – электронно-

дырочные переходы.

В том случае, если на динистор подаётся электрическое напряжение переключения, то он

будет находится в закрытом состоянии (П1 и П3 смещены в прямом направлении, а П2 – в

обратном и ток динистора практически равен нулю) и нагрузка отключена от электрического

источника при условии, что напряжение питания больше напряжения переключения –

динистор будет находиться в открытом состоянии (все переходы смещаются в прямом

направлении) и нагрузка включается к электрическому источнику.

В включенном режиме работают также и тиристоры. В тиристоре имеется вывод от одной

из баз транзисторов T1 и T2 четырёхсложной структуры. При подаче тока на одну из баз этих

транзисторов коэффициент передачи растёт и транзистор включается.

Оптоэлектроника.

Оптоэлектроника это раздел электроники, изучающий преобразование оптических

сигналов в электрические и наоборот. В системах передачи, обработки и хранения

информации. Передача информации в оптоэлектронных приборах осуществляется

световыми фотонами с энергией

W  h ……………………………………………….(12.38)

где, h=6,6 . 10-34 Дж.с – постоянная Планка;  - частота.

104
Передача, обработка и хранение информации с помощью оптоэлектронных элементов

обеспечивает ряд преимуществ:

а) Высокую ёмкость оптических каналов передачи информиции;

б) Большую плотность записи;

в) Высокую помехозащищённость каналов связи (световая волна не реагирует на

действие электромагнитных полей)

г) Большую возможность микроминиатюризации компонентов связи.

Светодиод.

Светодиоды – это такие приборы, которые имеют один p-n переход, преобразующий

электрическую энергию в энергию некочерентной световой волны. Это явление происходит

при протекании прямого тока диода в результате рекомбинации электронов и дырок в области

p-n перехода и результатом этого явления получают излучение фотонов. Условное

графическое изображение светодиода.

Фотодиод.

Фотодиоды – это приборы в которых выдимое оптичесок излучение воздействует на p-n

переход и за счёт внутреннего фотоэффекта происходит разделение пар и образуется

гальванический элемент. Условное графическое изображение фотодиода:

105
Фоторезистор.

Фоторезисторы – это приборы, электрическое сопротивление которых изменяется в

зависимости от падающей на него интенсивности и спектрального состава светового луча.

Поток фотонов вызывает появление пар электрон-дырка, которые уменьшают сопротивление

резистора. Явление уменьшения сопротивления резисторов под воздействием света называют

внутренним фотоэффектом. Условное графическое изображение фоторезистора:

Фототранзистор.

Фототранзисторы – это биполярные транзисторы, в которых при попадании света на базу

транзистор открываеся . условное графическое изображение фототранзисторов структуры n-p-

n.

106
При включении фототранзисторов по схеме с ОЭ базовый фототок увеличивается в  -

раз (  =50÷200). Это говорит о том, что фоточувствительность прибора очень высока.

Оптроны.

Оптроны – это приборы, состоящие из источника и приёмника светового излучения,

которые помещены в один корпус

Различают следующие оптроны (оптопары):

 Резисторная оптопара

 Диодная оптопара

 Транзисторная оптопара

Рассмотрим простейшую схему усилителя на диодной оптопаре (рис. 1-37).

Рис. 12-37. Схема усилителя на диодной оптопаре.

107
В рассматриваемой схеме находится транзистор VT, с которого можно снимать усиленный

сигнал. Uвх подаётся на светодиод и световая энергия от него попадает на вход фотодиода,

который преобразует световую энергию в электрическиу, которая снимается с Uвых.

Тема 13.
Транзисторные усилители электрических сигналов.

Усилителями электрических сигналов называют устройства, предназначенные для


усиления мощности электрических сигналов. Обилие задач, решаемых при помощи
электрических усилителей, весьма разнообразно, и поэтому трудно классифицировать
усилители по какому–либо одному признаку Довольно распространенной является
классификация усилителей по типу применяемых усилительных элементов (ламповые,
полупроводниковые, оптоэлектронные) и по полосе пропускаемых частот:
а) усилителя низкой частоты (20 – 30000 Гц);
б) усилители высокой частоты (свыше 100 кГц);
в) усилители широкополосные (от долей Гц до нескольких МГц);
г) усилители постоянного тока (медленные колебания напряжения или тока).
Обычно любой электрический усилитель содержит несколько усилительных каскадов,
каждый из которых является самостоятельным простейшим усилителем.
Усилительный каскад содержит активный усилительный элемент (полупроводник) и
набор вспомогательных деталей (конденсаторов, резисторов, индуктивностей),
обеспечивающих заданный режим работы усилительному элементу и связь между отдельными
усилительными каскадами. Кроме того, в состав усилителя входят входные и выходные
устройства и источники питания сетевого или автономного.
Структурную схему усилителя можно представить в следующем виде (рис.2-1)
В общем виде усилитель можно рассматривать как регулятор мощности электрической
энергии, поступающей из источников питания в нагрузку, причем это регулирование
осуществляется в соответствии с изменением входного сигнала (непрерывно, плавно, линейно
и однозначно).
Название отдельных элементов структурной схемы усилителя следующее:
1. Входное устройство – «ВХ.У» предназначается для согласования сопротивлений
источника сигнала – « ec » с входа первого каскада предварительного усиления – «1КПУ».
2. Каскады предварительного усиления (их может быть несколько) усиливают амплитуду
входного сигнала до величины, необходимой для нормальной работы усилителя мощности –
«УМ».
3. Усилитель мощности (иногда его называют оконечным усилителем) предназначен для
отдачи в нагрузку заданной мощности усиленного сигнала – Р.
По способу соединения отдельных усилительных каскадов между собой различают
усилители:
 с непосредственными (гальваническими) связями;
 резистивно–емкостными связями (RC –усилители);
 с трансформаторными связями.
При усилении электрических сигналов неизбежно возникают некоторые отклонения
формы выходного сигнала от формы входного. Данные, характеризующие свойства усилителя
и вносимые им искажения, называются показателями качества работы усилителя. Важнейшими из
них являются следующие:

108
Рис. 13-1 Структурная схема усилителя (блок-схема)

Коэффициент усиления.
В зависимости от целевого назначения усилители имеют коэффициенты:
а) усиления по току Кi =Iвых/Iвх;
б) усиления по напряжению Кu = Uвых/Uвх;
в) усиления по мощности Кр = Pвых/Pвх, где Iвых – ток в нагрузке, Iвх – ток,
потребляемый от входного источника сигнала ec , Рвых мощность, выделяемая в нагрузке, Pвх
– мощность, потребляемая от входного источника ec.
Для многокаскадных усилителей общий коэффициент усиления равен произведению
коэффициентов усиления отдельных каскадов:
К=K1 К2 … Кn, (13.1)
где n – число каскадов.

Часто коэффициенты усиления выражают в логарифмических единицах децибелах – дБ,


что позволяет заменить произведение коэффициентов усиления суммой их логарифмов и
строить логарифмические амплитудно–частотные характеристики (ЛАЧХ) усилителей. Такой
подход позволяет исследовать и синтезировать усилители с заданными амплитудными и
частотными характеристиками.
Коэффициенты усиления в децибелах:
Ku=20lgKu=20 lg(Uвых/Uвх);
Ku=20lg(Iвых/Iвх);
Ku=10lg(Pвых/Pвх); (13.2)

Полоса пропускаемых частот (полоса пропускания) усилителя. Полосой пропускания


называются тот диапазон частот, в пределах которого усилитель обеспечивает заданную
величину коэффициента усиления (не ниже чем в корень из 2–х раз от максимального).
Диапазон частот ограничивается верхней и нижней граничной частотами, за пределами
которых частотная характеристика усилителя снижается ниже допустимого уровня. Снижение
(завал) частотной характеристики происходит из–за наличия в схеме усилителя реактивных
элементов, сопротивление которых зависит от частоты сигналов, подаваемых на вход усилителя.
Идеальная амплитудно–частотная характеристика усилителя имеет форму прямоугольника с
основанием равным полосе пропускания усилителя и высотой равной Ко. Реальная частотная
характеристика в силу указанных выше причин приобретает вид, изображенный на рис. 2-2

109
Рис13-2 Амплитудно-частотная характеристика усилителя

На амплитудно–частотную характеристику усилительного каскада наибольшее влияние


оказывают две емкости: емкость разделительного конденсатора C1 и паразитная емкость,
нагружающая каскад по переменной составляющей выходного сигнала – C 2 Первая из них
включена последовательно с входом каскада, вторая – параллельно выходу каскада.
Поскольку емкостное сопротивление конденсатора определяется частотой сигнала:
1
Хс  , (13.3)
2C
то ёмкость C1 снижает усиление каскада в области нижних частот, а емкость С2 – в области
верхних частот. На средних частотах влиянием емкостей С1 и С2 можно пренебречь и поэтому
усиление каскада будет максимальным.

Чувствительность усилителя.Чувствительность усилителя определяется той


минимальной величиной тока или напряжения на входе усилителя, при которой на
выходе усилителя создается номинальная мощность. Под номинальной мощностью
обычно понимают мощность, при которой искажения не превышают допустимой
величины при работе на расчетную нагрузку.

Собственные шумы усилителя. Собственными шумами усилителя называются сигналы


на выходе усилителя, которые существуют и при отсутствии полезных сигналов на входе
усилителя.
Возникают собственные шумы в результате теплового перемещения зарядов на
сопротивлениях и хаотического движения носителей зарядов в области базы транзистора.
Оцениваются собственные шумы по шумовому фактору, равному отношению мощности
шума на выходе усилителя к произведению к мощности шума на входе усилителя,
помноженному на коэффициент усиления:

Динамический диапазон частот. Динамическим диапазоном усилителя называется


отношение величины максимального допустимого сигнала на входе усилителя к минимально –
допустимому сигналу на его входе и обычно оценивается в децибелах. Определяется он по
линейной части амплитудной характеристики усилителя рис. (2-3)

110
Амплитудная характеристика усилителя не линейна как в области малых, так и в области
больших сигналов. В области малых сигналов отклонения от прямой линии связаны с
собственными шумами усилителя, в области больших сигналов – с нелинейными
искажениями, вносимыми активными усилительными элементами (в основном –
перегружающимися транзисторами) при выходе рабочей точки за пределы линейного участка
характеристики.

Нелинейные искажения. Нелинейными искажениями называют искажения формы


усиливаемого сигнала в результате нелинейности вольтамперных характеристик отдельных
элементов схемы усилителя (например, транзисторов, катушек индуктивности с ферромагнитными
сердечниками и т.д.). Причиной появления значительных нелинейных искажений может быть или
неправильный выбор начального положения рабочей точки транзистора, или чрезмерно большая
величина входного сигнала, или неправильно рассчитанная индуктивность.
Проявляются нелинейные искажения в том, что при подаче на вход усилителя чисто
синусоидального сигнала, на его выходе появляются новые гармонические составляющие,
искажающие форму первоначального сигнала.
Оцениваются нелинейные искажения по коэффициенту гармонии, равному отношению
геометрической суммы n напряжений высших гармоник Ui к амплитуде первой гармоники U 1
на выходе усилителя:
U 2  U 2  ...  U n
2
 
2 3 (13.4)
U1

В практических расчетах обычно ограничиваются несколькими первыми гармониками,


поскольку амплитудные значения гармонии более высоких порядков незначительны.

Линейные искажения. К линейным искажениям относятся частотные и фазовые


искажения. Частотные искажения оцениваются по амплитудно–частотной характеристике
усилителя (см. рис.2-2).
Мерой частотных искажений служит коэффициент частотных искажений, определяемый
как отношение коэффициента усиления на средних частотах к коэффициенту усиления на
данной частоте.
Обычно при расчетах значения коэффициентов на данных граничных частотах
принимаются равными друг другу. В этом случае коэффициент частотных искажений
определяется как:

K0
Kн  Kв  (5)
2

Фазовые искажения возникают в результате неодинакового времени прохождения


отдельных гармонических составляющих сложного сигнала через реактивные элементы схемы
усилителя.
В результате на выходе усилителя образуются фазовые (во времени) сдвиги
гармонических составляющих
График зависимости угла сдвига фаз от частоты усиливаемого сигнала
называется фазовой характеристикой усилителя.(рис.13-4)

111
Рис13-3Амплитудная характерисика усилителя

Рис.13-4 Фазовая характеристика усилителя.

Переходные искажения. Переходные искажения играют существенную роль в


импульсном усилителе. Эти искажения вызваны переходными процессами в цепях усилителя
содержащих реактивные элементы, а также инерционностью активных усилительных
элементов (рис. 13-5).
Переходные искажения оцениваются по переходным характеристикам усилителя,
представляющим собой зависимость мгновенного значения выходного напряжения от
времени при подаче на вход усилителя единичной ступени напряжения (скачка напряжения)
Uвх.
Переходные искажения подразделяются на искажения фронтов и вершин усиливаемых
импульсов. Искажения фронтов импульса характеризуются временем установления - t ф , т.е.
временем, в течение которого амплитуда выходного сигнала возрастает от 0,1 до 0,9 своего
максимального значения. Искажения плоской вершины выходного импульса характеризуются
выбросом  и спадом плоской вершины импульса A .

112
Рис.13-5. Переходная характеристика усилителя

Перед рассмотрением вопроса принципа работы усилителного каскада необходимо


рассмотреть динамические характеристики усилительного каскада, в котором транзистор
включен по схеме с ОЭ и когда вход и выход схемы подключены к источникам смещения Eб и
E к .(рис 13-6)

Рис. 13-6 Простейшая схема усилительного каскада, включенного по схеме с ОЭ.

Если на вход не подан сигнал, то U вых по второму закону Киргофа


 U вых  IuRu  Ek (13.6)
или
U вых   Ek  I k Rk (13.7)
Это уравнение динамического режима или уравнение нагрузочной прямой.

Принцип работы усилительного каскада. Принцип работы усилителя рассмотрим


на примере усилительного каскада (рис. 13-7)
Здесь происходит усиление как по току, так и по напряжению.
I k  I б , а Rk  Rэ , следовательно
U кэ  U бэ , т.е. U вых  U вх и I вых  I вх

113
Рис. 13-7 Принцип работы усилительного каскада

Пусть на выход подаётся синусоидальный сигнал.

U вх  U m  sin t (13.8)
Если на вход подаётся положительный потенциал, то транзистор закрыт (отсечка), тогда
U вых  U к   Ek , т.к. I k  0 (см. уравнение 7.) Если на базу подаётся отрицательный
потенциал (участок ав), то транзистор открыт (насыщение), тогда U вых повторяет U вх , но с
большей амплитудой и в противофазе
U вых   Ek  I k Rk  0 (13.9)
Итак, при подаче на вход усилительного каскада небольшого переменного напряжения
U вх на выходе получается усиленный источником питания Ek сигнал той же формы. Однако
амплитуда U вых не может превысить Ek . Таким образом, имея транзистор можно при
помощи маломощного источника переменного входного напряжения U вх , управлять
энергией источника питания ( Ek ). Если к усилительному каскаду добавить Rб1, а так же
термостабилизирующую цепочку Rэ и Сэ, то получают полную схему одиночного
усилительного каскада. (рис. 13-8). Также усилители имеют частотный спектр сигнала от
десятков Гц до десятков кГц и называются усилителями низкой частоты (УНЧ).

114
Рис. 13-8. Полная схема одиночного усилительного каскада с общим эмиттером (УНЧ).

1) R Б1 и R Б 2 - резисторы, которые образуют делители напряжения питания.


Прежде чем подать на вход схемы переменное входное напряжение, необходимо
обеспечить определённый режим работы транзистора по постоянному току. Эммитерный p-n –
переход смещен в прямом направлнии ( U бэ  0,1 / 1В ) , а коллекторный – в обратном

(U кэ  10 / 12 В ) . Напряжение от Ek , падающее на R Д 2 , создает U бэ ,

определяющее рабочую точку А.


Обычно I д  (2 / 5) I б . В этом случае при изменении I б напряжение смещения на базе
остается постоянным, что обеспечивает активный режим транзистора.
Сопротивление делителя:

Ek  U бэ U бэ
RД1  ; RД 2  (13.10)
I Д1 IД2
2) Rk - резистор нагрузки, обемпечивающий режим работы транзистора. На Rx
выделяется мощность усиливаемого сигнала.
3) C1 и С2 - разделительные конденсаторы. C1 не дает возможности постоянному
току протекать через источник входного сигнала. С 2 - на пропускает постоянную
составляющую тока в следующий усилителный каскад.
4) Rэ , С э - цепочка предназначена для термостабилизации режима работы
усилительного каскада.

Усилитель низкой частоты с двумя каскадами усиления (УНЧ). На рис. 13-9


представлена схема УНЧ, которая состоит из двух усилительных каскадов с электроёмкостной
связью и применяется в уселителях переменного напряжения. Разделительные конденсаторы
С1 и С2 служат для того, чтобы на вход следующего каскада подавалась только переменная,
составляющая коллекторного напряжения, предыдущего каскада. Остальные элементы имеют
такое же назначение как и элементы полной схемы усилительного каскада (рис. 2-8).

115
Рис. 13-9. Схема усилителя низкой частоты с двумя каскадами.

Схема замещения усилительного каскада. На рис. 13-10 представлена эквивалентная


схема усилительного каскада с ОЭ.

Рис. 13-10. Схема замещения усилительного каскада с ОЭ. (А – управляющий источник


тока базы, Rн- эквивалентное сопротивление нагрузки).

RБ1  RБ 2
В этой схеме Rб  - это эквивалентное сопротивление усилителя.
R Б1  R Б 2
Сопротивление первого каскада Rн, которое равно входному сопротивлению второго каскада
легко можно рассчитать пользуясь рис.13-20.

Динамическая характеристика каскада усилителя и режимы его работы. Рабочая


точка. Построение выходной характеристика позволяет определить ток, протекающий по цепи
и, следовательно, падение напряжений на каждом участке цепи.
Для построения выходной характеристики (нагрузочной линии) (рис. 13-11а) на
семействе выходных статических характеристик можно воспользоваться методом холостого
хода и короткого замыкания. При коротком замыкании транзистора ток в цепи нагрузки будет
E
к
равен I
кз

R (точка  на оси ординат), а при холостом ходе ток в цели будет равен 0, на
резисторе R не будет падения напряжения и напряжение на коллекторе транзистора будет
равно напряжению питания U кз   Ek (точка  на оси абсцисс).
Прямая, соединяющие точки  и  и будет динамической характеристикой (или
нагрузочной линией). Рабочая точка А – это точка пересечения нагрузочной прямой с
выбранным значением Iб.

116
Для определения входного напряжения (Uбэ) строят входную динамическую
характеристику на семейство входных статистических характеристик (рис. 13-11а).
В состоянии покоя (Uвх=0), в цепи БЭ протекает ток покоя Iбо, а напряжение Uбэ=Uбо.
Это электрическое состояние входной цепи каскада можно изобразить в виде точки С на
входной динамической характеристике и ей соответствует выходной динамической
характеристике также точка С (Uко, Iко). Также точка называется рабочей точкой. Если Uвх
превышает величину, составляющую линейному участку 1,2 входной динамической
характеристики, то возникает искажение форм входного сигнала.

РИС.13-11.Режимы работы усилительного каскада.


Пересечение, полученной нагрузочной линии и вольтамперной характеристики
транзистора по заданным базовым током Iбр, определяемым величиной резистора в цепи базы
Rб , задает начальное положение рабочей точки С, координаты которой характеризуют ток
покоя Iкр, протекающий по цепи и падение напряжений на каждом из участков цепи (на
активном сопротивлении URk и на транзисторе Uкэп.
При появлении на входе усилительного каскада сигнала переменного напряжения Uвх,
постоянный ток в цепи базы начнет алгебраически суммироваться с изменяющимся током входного
сигнала. Рабочая точка С при этом начнет перемещаться по нагрузочной линии в пределах,
определяемых амплитудой тока входного импульса. Перемещение рабочей точки С будет вызывать
изменение коллекторного тока Iк и коллекторного напряжения Uкэ. Если перемещение рабочей
точки не достигнет пределов, отмеченных цифрами 1 и 2 на нагрузочной линии, то усиленный

117
ток в выходной цепи транзистора будет протекать через резистор Rk в течение всего периода
изменения входного сигнала. Транзистор при этом будет работать в активной области, без
отсечки или насыщения коллекторного тока. Такой режим работы транзистора называется
режимом усиления малого сигнала или режимом усиления класса «А» (иногда режим
усиления называют классом).
Если же рабочая точка в результате соответствующего выбора ее начального положения
или слишком большой амплитуды входного сигнала окажется в области насыщения, то на оба
перехода транзистора попадет смещение в прямом направлении, оба р–n перехода транзистора
полностью откроются и транзистор почти целиком будет пропускать коллекторный ток.
Причем дальнейшее увеличение амплитуды входного сигнала уже не будет вызывать
дальнейшего увеличения коллекторного тока. При положении рабочей точки в области
отсечки оба р–n перехода транзистора закроются. Он скажется в запертом состоянии и
практически не будет пропускать коллекторный ток.

Рис.13-11а. Работа каскада в режиме усиления класса «А»

Таким образом, в зависимости от начального положения рабочей точки и амплитуды


входного сигнала, ток в нагрузке может протекать либо в течение всего периода изменения
входного сигнала, либо в течение какой–то определенной части этого периода.
В зависимости от этого различают три основных режима усиления классов: «А», «В»,
«С», «АВ», «Д».
Количественно режимы усиления характеризуются величиной угла отсечки . Под углом
отсечки понимают половину той части периода, в течение которой протекает ток через
выходную цепь усилительного элемента.
Очевидно, что для режима усиления класса «А», рассмотренного выше, угол отсечки 
составляет 180°. В режиме усиления класса «В» угол отсечки составляет  – 90°, в режиме
усиления класса «С» угол отсечки  меньше 90°.
Режим усиления класса «А» обеспечивает минимальные искажения усиливаемого
сигнала, однако он неэкономичен по расходованию энергии источников питания, поскольку в
этом режиме постоянная составляющая тока все время проходит через выходную цепь
усилительного каскада. Поэтому транзисторные схемы, работающие в режиме усиления
класса«А», применяются в основном каскадах предварительного усиления.

118
В каскадах усиления мощности, в тех случаях, когда в нагрузку требуют отдать наибольшую
мощность усиливаемого сигнала при минимальном расходовании энергии источников питания,
применяется режим усиления класса«В», обладающий высоким коэффициентом полезного
действия (до 70–75%).
Поскольку усилительные каскады, работающие в режиме усиления класса «В», пропускают
только одну полуволну усиливаемого напряжения, то в выходных каскадах усилителей применяют
двухтактные симметричные каскады, позволяющие получить высокий коэффициент полезного
действия при допустимых нелинейных искажениях. (рис. 13-12).

Рис. 13-12. Работа усилительного каскада в режиме усиления класса «В».

Режим класса «С» применяют в мощных усилителях. Этот режим характерен тем, что ток
коллектора протекает в течении промежутка времени, которое меньше периода входного сигнала, а
ток покоя не наблюдается (   90 0 ) рис. 13-13.

Рис. 13-13. Работа каскада в режиме усиления класса «С».

Стабилизация положения рабочей точки. Основные свойства усилительного каскада


определяются положением начала рабочей точки, которые задаёт ток покоя выходной цепи Iок.

119
Поэтому при изменении температуры, замене активного элемента и т.д. положение рабочей
точки не должно изменяться.
Эмиттерная стабилизация. Такая стабилизация осуществляется ООС по постоянному
току. Напряжение ОС снимается с резистора Rэ, который включен в цепь эмиттера. С
изменением температуры изменяется ток коллектора Iок и ток покоя эмиттера Iоэ и, например,
они увеличиваются. Рабочая точка должна подняться вверх, но этого не произойдёт, т.к.
напряжение смещения Uоб уменьшится и при этом уменьшатся и токи транзистора, а рабочая
точка останется на месте.
Коллекторная стабилизация. Такая стабилизация осуществляется ООС по напряжению.
Если напряжение подать через Rб, который находится между коллектором и базой, то Uоб
очень мало и им можно пренебречь, а при увиличении, например, температуры, и
следовательно увеличению Iок, напряжение на резисторе (Rб*Iоб) уменьшится, т.е.
уменьшится Iоб, а это в свою очередь не допустит увеличение тока Iок.
Обратная связь в усилителях. Обратной связью в усилителях (ОС) называют передачу
электрического сигнала с выхода усилителя на его вход (рис. 13-14).
Коэффициент передачи цепи обратной связи:
U oc
 , (13.11)
U вых
который показывает, какая часть выходного сигнала передаётся на вход усилителя.

Рис. 13-14. Обратная связь в усилителях.

Коэффициент усиления по напряжению при отсутствии обратной связи:


U вых
K ………………………………………………………….(13.12)
U вх
Различают в усилителях положительную и отрицательную связь.
ОС называется положительной, если Uос совпадает по фазе с Uвх и суммируется с ним.
K
Коэффициент усиления усилителя K  oc  ……………………….(13.13)
1  K

При ПОС коэффициент усиления увеличивается, но увеличиваются все виды искажений.


ОС называется отрицательной, если Uос и Uвх находятся в противофазе и взаимно
вычитаются.

120
K
K  oc  ……………………………(13.14)
1  K

При ОС коэффициент усиления уменьшается и уменьшает все виды искажений,


увеличивает Rbx и стабилизирует работу схемы.
В зависимости от присоединение ОС к входу усилителя различают: ОС
последовательную по напряжению (рис. 13-15А), последовательную по току (рис. 13-15В),
параллельную по напряжению (рис. 13-15Б), параллельную по току (рис13-15Г) и
последовательную комбинированную (рис.13-15д).

Рис. 13-15 . Обратная связь в усилителях.

121
Трансформаторные усилители мощности. Усилители мощности используются для
передачи в нагрузку максимальной мощности и в этой связи следует иметь в виду, что важным
параметром схемы является коээициент полезного действия (КПД). КПД таких устройств
должен быть высоким, что достигается при определённом соотношении между
сопротивлением нагрузки и выходным сопротивлением. Эти соотношения достигаются при
включении в схему усилителя трансформаторов и в конечном итоге усиление мощности
зависит от коэффициента трансформации выходного трансформатора. Трансформаторные
усилители мощности работают в режиме А,В и АВ.

Однотактный трансформаторный усилитель мощности. Однотактные усилители


мощности применяются для относительно малых выходных мощностях (4-5 Вт). Примером
усилителя мощности является однотактный, который включается по схеме с ОЭ. (рис. 13-16).

рис. 13-16. Однотактный трансформаторный усилитель мощности.

Однотактные усилители мощности работают в режиме усиления «А», который


характеризуется тем, что через транзистор ток проходит в течение всего периода.
Максимальное мгновенное коллекторное напряжение Uкm (рис.13-11)может значительно
превышать (почти в 2 раза) Ek за счёт ЭДС самоиндукции в обмотках трансформатора. Тогда
на первичную обмотку ТР2 будет подаваться мощность равна:

Р=0,5 Ukm/Ikm ……………………….(13.15)


Мощность на нагрузке составляет

Pн= P*КПД, ………………………..(13.16)


где КПД трансформатора составляющая 0,75÷0,95.
Мощность, которая потребляется усилителем от источника питания

122
Рп=EкIкн ………………………..(13.16а)
Отношения Р к Ру для реальных схем составляет 0,3÷0,35.
Тогда КПД усилителя есть отношение Pн к Pп.
Как показывают расчёты теоретический КПД усилителя равен 50%, а реальный КПД
30%÷35%.
Двухтактные трансформаторные усилители мощности. Двухтактный трансформаторный
усилитель мощности может работать в схемах с ОЭ и с ОБ и в режимах классов А, В, АВ.
рассмотрим схему двухтактного усилителя мощности в схеме с ОЭ и в режиме класса В
(рис.13-17).

Рис. 13-17. Двухтактный трансформаторный усилитель мощности.

Если на базу подаётся отрицательная полуволна входного сигнала, то транзистор


открыт, а при подаче положительной полуволны – транзистор заперт и таким образом в
режиме класса В через транзистор проходит ток только в течение полупериода.
Электрические токи в первичной обмотке выходного трансформатора за оба полупериода
будут направлены встречно и поэтому во второй обмотке ток будет синусоидальным заданной
увеличенной амплитуды. Применение класса В позволяет увеличить КПД схемы до 80% за
счёт уменьшения потерь мощности в транзисторах. Нелинейные искажения могут быть
уменьшены за счёт создания незначительного смещения входной цепи в цепи базы.
Следует заметить, что для снижения нелинейных искажений следует применять для
усилителей режим класса АВ, но КПД при этом снижается.

Бестрансформаторный усилитель мощности. Схема двухтактного усилителя мощности


на транзисторах p-n-p и n-p-n показана на рис. 13-18.

123
Рис. 13-18. Схема двухтактного усилителя мощности.

Транзисторы VT1 и VT2 усилителя работают в режиме класса В аналогично как в


двухтактном трансформаторном усилители. При поступлении на вход положительной
полуволны VT1 работает в режиме усиления, а VT2 в режиме отсечки. При подаче на вход
отрицательной полуволны транзисторы меняются ролями. Максимальная мощность на
нагрузке Rн:
2
 Um  1 E2
P    (13.17)
 2  Rн 2 Rн
Чтобы уменьшить нелинейные искажения следует применять для таких усилителей
режим класса АВ.

Импульсные усилители (ИУ).


ИУ предназначены для усиления импульсных сигналов и работает такой усилитель
аналогично усилителю изображённому на рис. 2-8.Импульсные сигналы любой формы – сумма
постоянной состовляющей и гармонических колебаний различных частот. Импульс на выходе
усилителя не будет искажаться, только при достаточно широкой полосе пропускания
усилителя. Удлинение фронта и выброс является следствием завала частотной характеристики
в области верхних частот, а скос вершины – завала в области низких частот. Для устранения
искажения импульса вводят корректирующие цепи.
а) низкочастотная коррекция (рис.13-19)- коррекция плоской вершины импульса.

124
Рис. 13-19 Низкочастотная коррекция

Искажение плоской вершины импульса происходит из-за наличия C 2 . При зарядке C 2


1
на низких частотах ее сопротивление увеличивается ( X C 2  ), а следовательно
2c 2
увеличивается падение напряжения на нем,что приводит к снижению U вых .
Целью коррекции явл. увеличение K ус по мере уменьшения частоты. Для этого в цепь
коллектора включается цепочка Rф Cф и Cф выбирается большой для того, чтобы на верхних
частотах его сопротивление было маленьким, и оно шунтировало бы Rф . В этом случае цепь
не оказывает влияние на работу усилителя.
С уменьшением частоты Х сф увеличивается и Cф уже не шунтирует Rф и общее
сопротивление Rф Х сф возрастает, а следовательно возрастает общее сопротивление
коллекторной нагрузки.( Rк  Rф ), а вместе с тем увеличивается и напряжение U вых ,что
приводит к увеличению K ус .
В этом случае увеличивается полоса пропускания за счет низких частот и устранияется
скос плоской вершины импульса.
б) Высокочастотная коррекция(рис. 13-20) – коррекция форнта импульса.

Рис. 13-20. Высокочастотная коррекция

125
Рис. 13-21. Схема замещения высокочастотной коррекции.
Корректирующая индуктивность Lk выбирается маленькой, чтобы на Н.Ч. и С.Ч.
Lk  2Lk было мало и не оказывало влияния на работу цепи. Емкость C0  Cн  С м  Свых
образует с Rk и L параллелный резонанский контур, где C н - емкость нагрузки; C м -
к

емкость монтажа; Свых -выходная емкость транзистора (13-21)


При высокой частоте контур находится вблизи резонанса и сопротивление его возрастает.
Возрастает U вых и K ус , расширяется полоса пропускания за счет  вч .

Усилители постоянного тока (УПТ). УПТ называют усилитель, предназначенный для


усиления постоянных и медленно изменяющихся электрических сигналов. Схема УПТ
представлена на рис. 13-22.

Рис. 13--22. Схема УПТ


АХЧ усилителя постоянного тока представлена на рис. 2-23.

126
Рис. 13-23 АЧХ для УПТ.

Полоса пропускания частот УПТ должна иметь нижнюю границу  н =0


В схеме УПТ не должно быть конденсаторов (между каскадами, а также блокировочных и
разделительных). При U вх  0 , U вых  0 . В УПТ U вых может самопроизвольно изменятся
независимо. Это называют дрейфом нуля усилителя. Дрейф нуля искажает усиливаемые
сигналы и нарушает работу цепи. Причиной является температурная и временная
нестабильность элементов.

Дифференциальные усилители. Дифференциальные усилители (ДУ) по своей


структуре являются УПТ. Схема ДУ приведена на рис. 13-24. Они имеют два входа и два
выхода. Рассмотрим схему замещения дифференциального каскада.

Рис. 13-24 Схема ДУ Рис. 13-25 Схема замещения ДУ

R1 R2
Если = (рис.13-25), то мост сбалансирован и ток через Rн  0 .
R3 R4
Схема ДУ аналогична схеме моста. Если выбрать Rк1  Rк 2 , а T1 и T2 идентичны,
то схема ДУ будет симметрична.
Если на вход ДУ подать U вх1  U вх 2 в одинаковых фазах (синфазных), то
потенциалы баз T1 и T2 , а следовательно и потенциалы коллекторов изменятся на одну и ту
же величину. Тогда U выхаб  0 .

127
Если на вход подать U вх1 = U вх 2 , но в противофазе, т.е. U вх12  U вх1  U вх 2
(дифференциальные сигналы), то потенциалы одного эмиттере (следовательно и коллектора)
U
увеличится, а другого уменьшиться на вх12 , т.е. на одну и ту же величину. На выходе (аб)
2
появится U выхаб  U вых1  U вых 2 .
Таким образом, ДУ реагирует на разность входных сигналов, почему и называется
дифференциальным.
Так. как синфазный сигнал ДУподавляется, то дрейфа нуля не существует. Помехи,
являясь синфазными, тоже подавляются усилителем.
Если за ДУ следует каскад с одним входом, то у него используется только один выход.
Если U вх совпадает с U вых по знаку, то такой вход называется неинвертирующим. Если
U вх противоположно по знаку U вых - инвертирующим выходом.

Операционные усилители (ОУ). ОУ называется усилитель постоянного тока с


дифференциальным входным каскадом с широкой полосой пропускания (до 10 6 Гц), большим
коэффициентом усиления по напряжению ( К u  10 3  10 5 ) большим Rвх ( Rвх  10кОМ ) и
малым Rвых ( Rвых  100 ОМ).
Операционный (решающий) усилитель используется для выполнения математических
операций над сигналами (сложение, умножение, дифференцирование, интегрирование и др.)
Современные ОУ выполняются на базе интегральной микросхемы на основе нескольких
ДУ. (Четырехкаскадные и трехкаскадные, и т.д.)

Условное графическое обозначение операционного усилителя показано на рис. 13-27.

Рис13-27. Условные графическое обозначения ОУ (а)


и его амплитудная характеристики (б)

Вх1 , обозначенный (+) называется неинвертирующим (прямым). Здесь сигнал на выходе


и входе имеет одинаковый знак.
Вх 2 , обозначенный (-), наз. инвертирующим. Здесь сигнал на выходе имеет
противоположную полярность по отношению к сигналу на входе.
Рассмотрим некоторые схемы включения ОУ:
1) Инвертирующий операционный усилитель (13-28):

128
Рис. 13-28. Схема инвертирующего операционного усилителя.

Усилитель охвачен отрицательной обработкой связью через R2 между выходом и


инвертирующим входом. Допустим, что входное сопротивление усилителя велико Rвх-0, а Rвых-0,

то при большом коэффициенте усилителя (К0=105) Iвх=Iвых и находятся как Iвх= и Iвых=
R1
Uввы
…………………………………………………………………………………(13.18)
R2
R2
Коэффициент усиления по напряжению с учётом обратной связи равен Ku   , (13.19)
R1
где знак “-“ показывает на то, что при усилении происходит инверсия полярности входного
сигнала на 1800.
Если изменять соотношения R1 и R2, то можно получить требуемый коэффициент усиления.
В том случае когда R1=R2, то схема будет работать в режиме повторителя.

2) Неинвертирующий усилитель.

Рис. 13-29. Схема неинвертирующего операционного усилителя.

R2
Коэффициент усиления по напряжению составляет Ku  1  (13.21)
R1
Из уравнения видно, что Ku можно задать любым, изменяя соотношение сопротивлений
R1 и R2, а при R2=0 можно получить схему повторителя напряжения.
Работа операционных усилителей связана с тем, что коэффициент усиления зависит от
частоты сигнала и уменьшается с увеличением частоты. Для типового операционного
усилителя Ku уменьшается начиная с частоты 104 Гц и достигает практически нулю при
частоте порядка 107 Гц.
129
В настоящее время особое место в операционных усилителях занимают
быстродействующие импульсивные операционные усилители в интегральном исполнении. В
таких усилителях скорость нарастания выходного импульса 4000В за 1 мкс.

Электрические фильтры.
В системах связи часто используется частотный способ разделения электрических
сигналов, то есть каждому виду сигнала соответствует своя полоса частот. Все радиостанции,
телевидение и другие виды связи работают в определенном диапазоне частот, и это
разделение частот производится электрическими фильтрами. Электрические фильтры
пропускают сигналы только определенной частоты, а остальные подавляет. По способу
построения электрические фильтры могут быть пассивными, которые состоят из R,C,L
элементов, и активными, если в их схеме используется усилительные элементы. По
характеру полосы пропускающих частот делятся на фильтры низких частот (ФНЧ, до
100кГц), фильтры высоких частот(ФВЧ), полосовые фильтры(ПФ) и заграждающие
фильтры(ЗФ). Здесь рассмотрим только электрические фильтры ФНЧ и ФВЧ.
Обозначения в схемах электрических фильтров показано на рис 13-30.

Рис.13-30. Условное обозначение электрических фильтров.

Часто в вычислительной технике задающий генератор вырабатывает импульсы


прямоугольной формы, которые предназначены для управления работой узлов
вычислительных устройств. Каждый из узлов требует, чтобы на него подавались импульсы
определенной формы, длительности и амплитуды, отличающиеся в общем случае от
исходных импульсов по своим параметрам. Отсюда возникает необходимость
предварительного преобразования параметров импульсов задающего генератора.
Характер преобразования импульсов может быть разнообразным. Например, может
потребоваться изменение длительности исходных импульсов, амплитуды или полярности,
осуществление задержки во времени и выполнение операций дифференцирования или
интегрирования. Преобразование импульсов осуществляется электрическими цепями,
которые разделяются на два класса: линейные и нелинейные.
С помощью линейных цепей осуществляются также и другие преобразования, как
дифференцирование, интегрирование и другие. Эти операции выполняются соответственно
дифференцирующими и интегрирующими цепями, которые в свою очередь являются ФВЧ и
ФНЧ.

Прежде чем переходить к рассмотрению дифференцирующих и интегрирующих


цепей, проанализируем прохождение прямоугольных импульсов через электрические цепи с
точки зрения переходных процессов в этих цепях. Для этого необходимо знать два закона
коммутации и 2-ой закон Кирхгофа:
1 закон коммутации: в момент коммутации ток в ветви с индуктивностью сохраняет
то значение, которое он имел до коммутации и начинает изменяться именно с этого значения.

130
2 закон коммутации: в момент коммутации напряжение на конденсаторе сохраняет то
значение, которое оно имело до коммутации и начинает изменяться именно с этого значения.
2 закон Кирхгофа: в любом замкнутом электрическом контуре алгебраическая сумма
действующих ЭДС равна алгебраической сумме падений напряжений на всех участках
данного контура.

Напомним, длительность переходного процесса составляет tï .ï .  (3  4) .


Рассмотрим, как будет изменяться напряжение на элементах R, L и C в RC- и RL-
цепях, когда на их вход подается напряжение в виде прямоугольного импульса, показанного
на рисунке 13-31. При этом импульс будет формировать во времени переключателем (см рис
13-31(а,б) рис 13-32 (а,б)).
В момент времени t1 переключатель переводится в положение П ( I ), по истечении времени
tè в момент t2 переключатель переводится в положение П ( 2 ).

Прохождение прямоугольного импульса через RC- цепь.

Рассмотрим процессы в цепи (рис 13-31 а), когда переключатель П переведен в положение I-
П( I ).  �tè
Согласно 2-ому закону коммутации напряжение на конденсаторе не может изменяться
скачком и в момент переключения сохранит свое значение ( U c  0 ), а затем будет возрастать
по экспоненциальному закону (рис 13-31 б).
Где   RC - постоянная времени цепи, в секундах.
Когда переключатель находится в положении П( I ), по второму закону Кирхгофа E  U R  U C
. Отсюда напряжение на резисторе R (рис 13-31 д) во время зарядки конденсатора
U R  E  U C  E �e  t /  (13.22)
По такому же закону будет изменяться и ток (рис 2-31 г), так как ток I, протекающий через
сопротивление R, равен
(13.23)

Ток в цепи в первый момент максимален, затем он убывает по мере зарядки конденсатора.
Рассмотрим процессы в цепи (рис 13-31 а) в момент времени t2 , когда переключатель
переводится из положения П( I )в положение П(2).
Согласно 2-ому закону коммутации напряжение на обкладках конденсатора не может
изменяться скачком.
Поэтому после переключения в момент времени t2 напряжение на конденсаторе С будет
равно значению напряжения до переключения
U C  E (1  e  t /  ) (13.24)

Конденсатор будет заряжаться с этого значения напряжения по экспоненциальному закону


(рис 13-31 в)
U C  VC e  t / (13.25)

После переключения согласно второму закону Кирхгофа


UC  U R  0 (13.26)

Отсюда напряжение на сопротивлении R


U R  U C  U C �e  t / (13.27)

131
Напряжение U R будет отрицательным, так как теперь ток через R течет в обратном
направлении (рис 13-31 д).
Соответственно выражение для тока будет иметь вид:
U C  t /
i e (13.28)
R

Рис. 13-31.Схема и временный эпюры напряжений и тока в RC –цепи (  �tè )


Прохождение прямоугольного импульса через RL-цепь
Переключатель в положении П( I )  �tè / 3

Согласно 1 закону коммутации ток в цепи с индуктивностью (рис 13-32 а) не может


изменяться скачком. Он нарастает по экспоненциальному закону i  I è (1  e  t / ) с
постоянной времени   L / R (рис13-32 в). По тому же закону изменяется и U R (рис 2-32
г), так как U R  iR . На индуктивности в первый момент напряжение U L  E из-за ЭДС
самоиндукции, а затем убывает по экспоненциальному закону U L  Ee  t / , так что в
любой момент времени соблюдается 2-ой закон Кирхгофа из положения П( I ).
Переключатель переведен в положение П( 2 ) из положения П( I ).
Согласно 1 закону коммутации ток в цепи с индуктивностью не может изменяться скачком.
Он уменьшается постепенно, по экспоненциальному закону (рис 13-32 в) i  Ie t / , где

I  I è (1  e  tè / ) . По такому же закону, как и ток, изменяется напряжение U R , так как


U R  iR (рис 13-32 г). Напряжение по индуктивности в первый момент максимально(рис 2-
32 д), но оно отрицательно, так как ЭДС самоиндукции катушки приближается к нулю, при

132
этом в любой момент времени соблюдается 2 закон Кирхгофа: U L  U R  0 . Ток в цепи за
счет уменьшения магнитной энергии, занесенной в катушке за время t è , постепенно
убывает до нуля (рис 13-32 в).

Рис 13-32. Графики напряжений и тока в RL-цепи.

Дифференцирующие цепи.

Дифференцирующей называется цепь, сигнал на выходе которой пропорционален


производной от входного сигнала.
U âû õ  K �dU âõ / dt (13.28)

Сигналом называют физическую величину, несущую информацию. Нижу будем


рассматривать импульсивные сигналы напряжения – импульсы напряжения.
Схема реальных дифференцирующих цепей показана на рис 13-33 а и 13-33 б.
Коэффициент пропорциональности М представляет собой постоянную времени цепи  .
Для цепи RC  =RC, для цепи RL  =L/R.

133
Рис 13-33. Схема дифференцирующих цепей.

Дифференцирующая RC-цепь. (фильтр нижних частот)


Эта цепь является также четырехполюсником. В дифференцирующей RC-цепи сигнал
снимается с резистора R, то есть U âû õ  U R (см рис 13-33 а). Дифференцирующий
(входной) сигнал имеет прямоугольную форму(см ниже рис 13-33 а).
Рассмотрим действие такого сигнала (импульса напряжения) на дифференцирующую RC-
цепь.

U âõ

б)
a)
Рис 13-34. Дифференцируемый сигнал (а) и сигнал на выходе дифференцирующей RC-цепи
(б), tè  3
В момент t1 (включение цепи) напряжение на выходе U âû õ  U è . Это следует из того, что в
момент включения в цепи по второму закону коммутации напряжение на конденсаторе
сохраняет свое значение, которое было до коммутации, то есть равно 0, следовательно, все
напряжение будет приложено к резистору R( U Ñ  U R  UU ).
Затем U âû õ будет уменьшаться по экспоненциальному закону
U âû õ  UU e  t / (13.29)

Если tè �3 ,за время действия входного импульса ( tè  t2  t1 )конденсатор почти


полностью зарядится и в момент t2 , когда действие импульса закончится U âû õ  0,
напряжение на конденсаторе U Ñ станет равно U è (на рис 13-34 б U Ñ показано пунктиром), а

134
в напряжение на резисторе R U R упадет до 0. Так как теперь цепь отключена от входного
напряжения ( U âõ =0, U Ñ  U R  0 ), конденсатор начнет разряжаться и через время t  tè
напряжение на нем станет равно 0. Ток в цепи с момента t2 изменит направление, а
напряжение на резисторе R в момент t2 скачком станет равно U R  U è и начнет спадать по
экспоненте U R  U è e  t / , а через время t  tè станет равно 0.
Таким образом, на выходе цепи образуется два остроконечных импульса положительной и
отрицательной полярностей, площади которых равны, а амплитуда равна U è .
Если tè �3 форма выходного импульса U R  f (t ) будет иметь другой вид, чем на рис
13-34 б.
Рассмотрим два крайних случая:  = tè и  ? tè (смотри рис 13-35 б и 13-35 в)

Рис 13-35. Изменение формы импульса на выходе дифференцирующей цепи в зависимости


от соотношения между tè и  .
А.   0.1tè (см рис 13-35 б)
В этом случае за время длительности импульса конденсатор успевает полностью зарядиться
еще до того, как окончится действие импульса. На резисторе в момент включения получается
скачок напряжения положительной полярности, равный амплитуде прямоугольного импульса
Uè , а затем напряжение убывает по крутой экспоненте и по мере зарядки конденсатора
спадает до нуля до окончания действия импульса. По окончании действия импульса (в
момент t2 ) конденсатор начнет разряжаться, а за счет прохождения тока через резистор R на
входе образуется импульс отрицательной полярности амплитудной - Uè . Площадь этого
импульса будет равна площади положительного импульса. Такие цепи называются
дифференцирующими укорачивающими.
Б.   10tè (см рис 13-35).
Так как время зарядки конденсатора примерно равно 3 , конденсатор успеет зарядиться не
ранее, чем через 10t . Следовательно, и напряжение на резисторе U âû õ , равное в момент t1 U è
, уменьшится по экспоненте, станет равно нулю через 30tè . Поэтому за время t  tè импульс
U âû õ на сопротивление R практически не искажается и повторяет по форме импульс на входе.

135
Такая цепь используется как переходная между усилительными каскадами и предназначается
для исключения влияния действия постоянной составляющей напряжение с коллектора
транзистора предшествующего каскада на последующий.
Из формул и рис 13-34 и 13-35 можно заключить, что амплитуда выходных импульсов при
различных соотношениях между tè и  остается неизменной и равной U è , а длительность
их с уменьшением  уменьшается. Точность дифференцирования будет тем выше, чем
меньше  по сравнению с tè .
Наиболее точное дифференцирование можно получиться с помощью операционных
усилителей.
Рассмотрим АЧХ дифференцирующей RC-цепи, изображённой на рис. 13-35а.

Рис. 13-35 а. АЧХ дифференцирующей цепи RC-цепи.


Частотный коэффициент передачи дифференцирующей RC-цепи равен:
1
K ( ) 
1
1
(Rc) 2

Если приравнять K ( ) к 1/ 2 , то получают нижнюю границу полосы пропускания


1
дефференцирующей RC-цепи  н  .
Rc
Из графика 2-35а видно, что полоса пропускания дифференцирующей RC-цепи ограничена
только со стороны нижних частот.

Дифференцирующая RL-цепь
Дифференцирующая RL-цепь показана на рис 2-33 б, выходное напряжение снимается с
индуктивностью L. В этом случае при рассмотрении процессов в цепи при
дифференцировании прямоугольного импульса следует воспользоваться первым законом
коммутации. Все рассуждения аналогичны тем, какие были при рассмотрении RC- цепей.
Следует отметить, что RL-цепи используются реже RC-цепей, так как конструктивно
сложнее.
В связи с тем, что электрический фильтр является четырехполюсником, то для описания его
используют коэффициент передачи( KU  U âû õ / U âõ ), с помощью которого можно определять

136
диапазон пропускных частот. (рис 13-36).В том случае, если KU ( w )  1 , то электрический
импульс с высокой частотой будет пропускаться электрическим фильтром. Если
KU ( w1 ) � 0 , то электрический сигнал с низкой частотой будет подавляться.

1
Полоса
пропускания

1/ 2 w

Рис 13-36. Амплитудно-частотная характеристика ФВЧ.

Рассмотрим АЧХ интегрирующей RC цепи, изображённом на рис. 2-39а

1
Частный коэффициент передачи интегрирующей цепи равен K ( ) 
1   RC 
2

Если приравнять K ( ) к 1/ 2 , то получают нижнюю границу полосы пропускания


1
интегрирующей RC-цепи  н  ,
Rc
и это объясняет, что интегрирующая RC цепь не пропускает высокочастотных составляющих
спектров входных сигналов. Также фильтры ещё называют сглаживающими или
низкочастотными фильтрами

Интегрирующие цепи(ФНЧ)
(фильтр высоких частот)

137
Сигнал на выходе интегрирующей цепи пропорционален интегралу входного сигнала
U âû õ  K �
U âõdt .
Схемы реальных интегрирующих цепей показаны на рис 13-37 а и 13-37 б. Коэффициент
пропорциональности К в уравнении U âû õ есть величина, обратная времени цепи  ( K  1/  ).
Для цепи RC  =RC, для цепи RL  =L/R.

Рис 13-37. Схемы интегрирующих цепей.

Интегрирующая RC-цепь.
Эта цепь является также четырехполюсником.
В интегрирующий RC-цепи выходной сигнал (импульс напряжения) снимается с
конденсатора C, то есть U âû õ  U Ñ (смотри рис 13-37 а).
Рассмотрим, какую форму будет иметь сигнал на выходе, если интегрируемый сигнал
(входной импульс) будет прямоугольной формы. При этом сначала, положим, что
длительность входного импульса tè �3 (смотри рис 13-38).

U âõ Uc 


а)
t1 б)

138
Рис 13-38. Интегрируемый сигнал (а) и сигнал на выходе интегрирующей RC-цепи (б),
tè �3 .

В момент включения цепи ( tè  0 ) напряжение на выходе в силу второго закона коммутации


будет равно 0, а затем конденсатор будет заряжаться и напряжение на нем будет возрастать
 t /
по экспоненциальному закону U è  U Ñ (1  e ) .
По истечению времени действия импульсов tè конденсатор полностью зарядится и в момент
времени t2 напряжение на нем достигнет U è . С этого момента действие импульса на цель
прекращается, конденсатор начинает разряжаться по экспоненциальному закону
U è  U Ñ (1  e  t / ) и через время, равное tè , напряжение на нем спадет до 0.
Если tè �3 , амплитуда и форма импульсов на выходе будут другими. Такие импульсы
Показаны на рис 2-39 б для случая, когда   2tè ,на рис 13-39 в для случая когда   tè и нас
рис13-39 г   0,1tè .

0,64
0,4

a) б) в) д)

Рис 13-39. Изменение формы импульса на выходе интегрирующей цепи в зависимости от


соотношения между tè и  .
Из формул и рис 13-39 следует, что в случае, если постоянная времени цепи tè , амплитуда
выходного сигнала (импульса) будет меньше амплитуды входного сигнала. И она будет тем
меньше, чем больше  .
Для обеспечения более точного интегрирования постоянная времени цепи  выбирается
такой величины, чтобы она была значительно больше длительности интегрируемого
импульса tè . При этом учитывается уменьшение амплитуды. Наиболее точное
интегрирование, как и дифференцирование, можно осуществить с помощью операционных
усилителей.

Интегрирующая RL-цепь

139
Такая цель показана на рис 13-37, выходное напряжение (сигнал) снимается с индуктивности
L.
Все рассуждения и выводы об интегрирующих RC – цепях можно сделать и для RL- цепей.
Интегрирующие RL- цепи конструктивно сложнее RC- цепей.
Отметим, что для дифференцирование и интегрирование с помощью RC – и RL- цепей
можно осуществлять и в случаях, когда сигнал имеет не прямоугольную, а другую форму,
например, трапециидальную.
Так как интегрирующая электрическая цепь является четырехполюсником, то все расчеты
1
ФНЧ аналогичны расчетам ФВЧ. Следует добавить, что на практике, кроме уровня
2
используются дополнительные частоты W Ä , которые показывают границу полосы
подавления частоты фильтром. АЧХ интегрирующей цепи показаны на рисунке 13-40.

KU
1
Переходный
1/0,1 2 Полоса
пропускания
участок

wãðwÄ w

Рис.13-40. Амплитудно-частотная характеристика ФНЧ.

АКТИВНЫЕ ФИЛЬТРЫ.

В области частот порядка 100кГц необходимы электрические фильтры, требующие


значительные электроемкости и индуктивности катушек. В связи с этим при построении
электрических фильтров в качестве базовых элементов используют операционные
усилители, тогда электрические фильтры называют активными. Следует добавить, что в его
схеме присутствуют RC-цепи и операционные усилители. На рис. 13-41 приведена схема
активного фильтра ФНЧ (фильтр низких частот).

140
R1 R2 R3 C1
-
+
U âõ C2 U âû õ

Рис.13-41. Схема активного фильтра ФНЧ.

Коэффициент передачи активного фильтра с ФНЧ имеет вид:


1
K
1 jw R3 R2  R1 R3  R1R2 (13.30)
R1C2 �
R3C1 (  w2 � )
R1C2 �R3C1 C2 R1 R2 R3

В уравнении (13.30) подбором величин R,C можно получить желаемый вид АЧХ.
Если в фильтрах нижних частот заменить сопротивления и конденсаторы, то можно получить
схему активного фильтра высоких частот. Следует заметить, что если параметры схемы
остаются прежними, то коэффициенты передачи и граничные частоты уже становятся
нижними границами, а крутизна спада АЧХ остается прежней.

Интегральные микросхемы
Рассмотренные выше усилители нашли применение в интегральных аналоговых
микросхемах (ИС), но отличаются тем, что дискретное исполнение элементов и
функциональных узлов выполнено другими методами изготовления – методами
интегральных схематичных микросхем (ИС). ИС – это микроэлектронное изделие (высокая
степень миниатюризации ), которая выполняет выбранную функцию обработки
электрического сигнала. Такие схемы имеют очень высокую степень упаковки соединений
элементов и кристаллов. Интегральные схемы по технологиям изготовления разделяются на
гибридные, полупроводниковые, пленочные.
Гибридные ИС содержат компоненты и отдельные кристаллы полупроводника.
Полупроводниковая ИС- все элементы и их соединения выполнены в объеме или на
поверхности полупроводника.
Пленочные ИС – все элементы и их соединения выполнены на поверхности
диэлектрика.
Интегральные микросхемы имеют степени интеграции, показанные в таблице 13.1.

Таблица 13.1.

Название ИС СИС БИС СБИС


схем (простые интег- (средние интег- (большие интег- (сверхбольшие
ральные схемы) ральные схемы) ральные схемы) интегральные
схемы)

141
Отдельные 10 102 103 105
компоненты

При изготовлении интегральных микросхем используется способ обогащения


отдельных участков полупроводниковой пластины донорными и акцепторными примесями с
использованием высоких технологий.
В интегральных схемах для получения конденсаторов используют электроемкость p-n
переходов или наносят на поверхность металла слой диэлектрика, а затем наносят
проводящий слой. Сопротивления могут быть получены в виде p-n переходов, включаются в
обратной полярности, а также в виде полупроводника, который находится между двумя
полупроводниками с другой проводимостью. Индуктивность в схемах получают созданием
эффекта отставания тока от напряжения (этот эффект наблюдается в реальной
индуктивности), что может быть получено путем замедления движения носителей заряда в
полупроводнике. Биполярные транзисторы (например n-p-n типа) для интегральных
микросхем создаются в основном следующим способом: на пластину полупроводника
кремния при сложном техническом процессе ( t oC  1000o C ) наносят диоксид кремния
толщиной 106 м, а затем почти при такой же температуре вводят бор(p-проводимость) и
создается база транзистора, а затем вводят фосфор-эмиттер(n-проводимость), затем
создаются контакты напряжениям алюминия в области базы и эмиттера, осаждают слой на
область коллектора и присоединяют контакты, выполненные и проволоки. Чтобы оценить
степень миниатюризации приведем пример: на кремниевой пластине можно выполнить
около 50,000 транзисторов, а современные технологии повышают это число во много раз.
Приведем интегральную схему усилительного каскада(рис 13-43) и аналогичную этой
схеме – принципиальную схему(рис 13-42).

Рис 13-42. Принципиальная схема усилительного каскада.

142
1 э Б к 2
R1 R2

n3 n1 n4
p2 p1 p3

n01

Рис 13-43. Интегральная схема усилительного каскада.

На схеме транзистор состоит из трех слоев, Э (эмиттер)- n1 , Б (база)- p1 , К (коллектор) - n2 ,


сопротивление R1 и R2 созданы слоями p2 и p3 , слои n0 и n01 - изолируют резисторы от
транзистора при запертых p-n переходах, слои n3 и n4 определяют толщину слоев p2 и p3 ,
и , соответственно, величину R1 и R2 . Включение усилительного каскада в электрическую
цепь осуществляется с помощью контактов 1,2,Э,Б,К.

Тема 14. Аналоговые и цифровые элементы и устройства.

Аналоговые и цифровые устройства работают соответственно с аналоговыми и


цифровыми сигналами. Природа аналоговых сигналов заключается в том, что многие
физические величины могут принимать любые значения и непрерывный сигнал,
отображающий эту информацию, может иметь большое число значений. В этом случае
непрерывный сигнал, который изменяется аналогично исходной информации, называется
аналоговым.
Непрерывные сигналы можно представлять и в дискретной форме. И для этого
непрерывного сообщения применяют квантование по уровню и времени. Для квантования
сигнала по уровню непрерывный сигнал (ток или напряжение) заменяют набором
дискретных значений из представленного интервала. Квантование по времени заключается в
замене непрерывного сигнала чередующимися импульсами, которые следуют через
определенные интервалы времени.
Это и есть цифровой сигнал.
Механический ключ (аналоговый коммутатор).
Ключевая схема (рис 14-1) предназначена для коммутации тока в нагрузке и содержит
источник напряжения питания, нагрузку (R) и ключ (Кл). Полупроводниковый ключ подобен
механическому выключателю.

143
EMBED PBrush
Рис 14-1. Аналоговый коммутатор(механический ключ).

Если ключ идеален, то есть его сопротивление в разомкнутом состоянии бесконечно велико,
а в замкнутом равно 0, то ток в цепи при разомкнутом ключе I=0, а при замкнутом I=E/R.
Аналоговый коммутатор на биополярном транзисторе
(электронный ключ).
На рисунке 14-2 показана схема коммутатора на биополярном транзисторе.

Рис. 14-2 Схема аналогового коммутатора на биополярном транзисторе.


Для перевода транзистора в режим отсечки следует подать на базу отрицательное
напряжение и на выходе Uвых = 0 (выключено). Чтобы открыть VT следует на вход подать
напряжение больше, чем напряжение отсечки на величину ΔU=I1R1 и переход коллектор-база
откроется и VT будет работать как ключ в инверсном включении.
Диодный коммутатор (аналоговый ключ).
Если на вход подать положительное напряжение (рис 14-3) VD открывается и через него
протекает ток (включено), а при отрицательном напряжении, подаваемом на вход, через диод
идет незначительный ток(отключен). Диодный коммутатор подобен механическому ключу.

Рис 14-3. Схема последовательного диодного ключа.

144
Цифровой электронный ключ на биполярном транзисторе
(рис 14-4).

Рис 14-4. Схема цифрового ключа на биполярном транзисторе(а) входная статистическая


характеристика VT(б).

В схеме цифрового ключа (рис 14-4), транзистор, работающий в ключевом режиме, должен
находится только в определенном состоянии. Первое состояние соответствует точке 1 на
выходных статистических характеристиках транзистора(рис 14-4 б) когда Uвх=0, транзистор
закрыт и устанавливается это состояние резистором R1. При этом ток коллектора также
равен 0 и Uвых=Ек. Второе состояние транзистора соответствует точке 2, которое
обеспечивается подачей на вход высокого положительного напряжения и при этом Uвых=0. В
этом случае коллекторный ток достигает максимального значения (Ik=Ek/Rk). Так работает
цифровой ключ на биполярном транзисторе. Следует заметить, что в настоящее время
находят применение цифровые ключи на полевых транзисторах, которые в изготовлении
проще, чем на биполярных транзисторах.

РЕГЕНЕРАТИВНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА

Принципы построения и режим работы регенеративных импульсных устройств.

На вход различных импульсных устройств часто требуется подать импульсы напряжений


прямоугольной формы или крутые перепады напряжений. Крутые перепады напряжений
(токов) могут создаваться в результате возникновения регенеративных процессов.
Регенеративными называются процессы, протекающие лавинообразно под воздействием
положительной обратной связи.
Регенеративными импульсными устройствами называются устройства, в которых в ре-
зультате регенеративных процессов возникают крутые перепады напряжений и токов. В этих
устройствах используют усилители с положительной обратной связью. По построению и
назначению регенеративные импульсные устройства делятся на две группы: муль-
тивибраторы и триггеры.
. Мультивибраторы на биполярных транзисторах (рис.14-6)

145
Мультивибратор это генератор, вырабатывающий импульсы прямоугольной формы.
Рассмотрим мультивибратор на биполярных транзисторах V T1 и V T2 . Схема
мультивибратора с коллекторно-базовыми связями представляет собой двухкаскадный
усилитель.

�ik1 �ik 2

 k1 k 2

C1 C2

Рис.14-6 Схема мультивибратора в режиме автоколебаний.


C1 и C2 - обеспечивают ПОС;
RБ1 и RБ 2 - резисторы, которые осуществляют подачу напряжения смещения на базы V
T1 и V T2 ;
U вых1  U k1   k 1  0   k 1   Ek  ik 1 Rk 1 ;
U вых 2  U k 2   k 2  0   k 2   Ek  ik 2 Rk 2 ;
Схема симметрична и Rk1  Rk 2 ; RБ1  RБ 2 ; С1  С2 и V T1 и V T2 одного типа. Каждый
транзистор работает в режиме ключа, т.е. переходит от отсечки к насыщению и наоборот.
C1 заряжается по контуру , а C2 - по контуру
0 � T1 � C2 � Rk 2 � ( Ek ) . На базы V T1 и V T2 от ( Ek ) через RБ1 и RБ 2 подается
отрицательное смещение, поэтому T1 и T2 будут работать в активном режиме. При малейшем
нарушении симметрии в цепи наступает самовозбуждение. Предположим, что в какой-то
момент ik 1 скачком окажется больше ik 2 , т.е. ik 1 > ik 2 . Тогда ik 1 Rk1 возрастает и  k1
( k1   Ek  ik1 Rk1 ) станет менее отрицательным, следовательно,  Б 2 тоже станет менее
отрицательным (т.к. напряжение на C1 по второму закону коммутации скачком измениться не
может ) и T2 подзакроется и ik 2 уменьшится. Уменьшение ik 2 приведет к уменьшению ik 2 Rk 2
и  k 2 ( k 2   Ek  ik 2 Rk 2 ) станет более отрицательным, следовательно,  Б1 станет более
отрицательным, V T1 еще больше откроется и ik 1 еще больше возрастет. Это закончится тем,
что транзистор V T1 войдет в режим насыщения, а V T2 - в режим отсечки. Этот процесс
называют лавинообразным (регенеративным). Он происходит очень быстро. Во время
лавинообразного процесса формируются крутые фронты импульса (аб).рис 14-7)

t
U k1 а

 Ekб б
146
t
Uk 2
а

 Ek б

Рис 14-7 эпюры напряжений на выходе мультивибратора


Лавинообразный процесс прекращается после того, как V T1 войдет в режим насыщения,
а V T2 - в режим отсечки. Тогда U вых1  U k 1   Ek  ik 1 Rk 1 �0 , а U вых 2  U k 2   Ek ( I k 2  0) .
В схеме наступает состояние квазиустойчивого равновесия, во время которого формируются
плоские вершины (см. графики) импульсов.
Режим насыщения V T1 поддерживается отрицательным смещением на базе от ( Ek )
через RБ1 , а режим отсечки V T2 поддерживается положительным потенциалом C1 .
При этом C2 заряжается по контуру: с постоянной
времени зарядки  3  Rk 2C2 , а C1 перезаряжается по контуру: с
постоянной времени перезарядки.

Ждущий мультивибратор с коллекторно-базовыми связями (одновибратор).


Этот мультивибратор используется для получения одиночных импульсов заданной
длительности (рис 3-8).

Рис 14-8. Схема ждущего мультивибратора (одновибратор).

Из рис 14-8 видно, батарея Eá запирает транзистор VT1 и открывает он тогда, когда его
подключают к E çàï (запускающаяся батарея). Параметры сопротивлений RÁ1 и RÁ2
подбираются так, чтобы VT1 был закрыт батареей + Eá , а VT2 был бы открыт и насыщен.
Зарядка конденсатора идет по цепи 0, T2 ,С, Rê , и  Ek .

147
Для генерации импульса на базу VT1 подают запускающий импульс (- Eçàï ), VT1 и VT2
открываются, в цепи устанавливается лавинообразный процесс, изменяются токи I k1 и I k 2 и
схема опрокидывается. После опрокидывания схема VT1 открывается и переходит в режим
насыщения, а VT2 в режим отсечки. В этом случае C1 и VT2 подсоединяются к нулевому
зажиму  Ek .
Теперь C1 работает по цепи 0, VT1 , C1 , RÁ2 ,  Ek . И по этой цепи C1 разряжается. Когда U c1 =0,
то потенциал базы VT2 тоже станет равен нулю. При значении 0 VT2 открывается и теперь
VT1 и VT2 - открыты, в схеме развивается лавинообразный процесс и схема опрокидывается.
При этом VT1 - закрыта, VT2 -открыт и U c1 � 0 , C1 перезаряжается по схеме 0, VT2 , C1 ,
Rk1 ,  Ek . Схема опять приходит в устойчивое состояние, а на выходе получаются почти
прямоугольные импульсы с любой заданной длительностью.

ТРИГГЕРЫ НА ДИСКРЕТНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Триггер это устройство, имеющее два состояния устойчивого равновесия, которые


скачкообразно переходят одно в другое под воздействием внешнего импульса.
Триггер – цифровой автомат, обладающий памятью и служащий для хранения одного
разряда двоичных чисел (одного бита информации).Его называют также автоматом Мура.
Триггеры изготавливаются как на отдельных (дискретных) элементах, так и в
интегральном исполнении. В различных устройствах они выполняют функцию счетных,
переключающих, пороговых и запоминающих элементов.
Физические процессы удобнее рассмотреть на схеме триггера в дискретном
исполнении с коллекторно-базовыми связями на биполярных транзисторах с независимым
смещением (рис.14-9).

Рис.14-9 Схема триггера с коллекторно-базовыми связями на биполярных транзисторах.

Схема триггера – двухкаскадный усилитель постоянного тока с ПОС, осуществляемой


через цепи R1C1 и R2C2 , которые соединяют коллектор одного с базой другого транзистора.
Схема симметрична: Rk1  Rk 2 ; RБ1  RБ 2 ; С1  С2 , V T1 и V T2 одного типа. В отличии от

148
мультивибратора триггер имеет источник смещения EБ >0, (запирающий транзисторы ) и R1
и R2 в цепях связи между усилительными каскадами.
Параметры триггера подбираются так, чтобы открытый транзистор работал в режиме
насыщения, а закрытый – в режиме отсечки. Открытый транзистор имеет потенциал
коллектора, близкий к нулю (можно приписать ему уровень “0”), т.к. RT �0 . Закрытый
транзистор имеет потенциал коллектора близкий к напряжению источника питания, т.е.
 k   Ek (можно приписать ему уровень “1”), т.к. I k  0 . Это состояние триггера устойчивое
до тех пор, пока на вход триггера не будет подан запускающий импульс, который переводит
триггер из одного устойчивого состояния в другое. Пусть триггер находится в таком
устойчивом состоянии, когда V T1 - открыт, а V T2 - закрыт, т.е. U k 1  0 , a U k 2   Ek . Это
состояние протекает сколь угодно долго. На базу V T1 снизу подается напряжение  EБ , а
сверху ( Ek ) , но т.к. EkБ  E , то на базу подается отрицательный потенциал, который
удерживает V T1 в состоянии насыщения. На базу V T2 снизу ( EБ ) , а сверху (с коллектора V
T1 )  k1  0 . Следовательно, на базу V T2 подается положительный потенциал, который
удерживает V T2 в состоянии отсечки.
Чтобы вывести схему из устойчивого состояния нужно подать на базу T1 через Вых2
запускающий импульс положительной полярности (положительный потенциал) U зап .

Uзап φб1 φб2 φб1 φб2

U k1 t

О Н О Н
 Ek

Uk 2 t

Н О Н

 Ek
Рис.14-10 Эпюры напряжений на выходах триггера:
 б1 ,  б 2 - входные импульсы на базы T1 и T2 ;
0 – отсечка;
Н – насыщение;

149
U k1 , U k 2 примерно равное Ek .
Тогда  б1 становится менее отрицательным и V T1 начинает закрываться, а I k1 -
уменьшается и I k1 Rk1 - уменьшается. При этом  k становится более отрицательным, а,
следовательно,  б 2 тоже более отрицательным и V T2 будет приоткрываться и т.д. Процесс
будет развиваться лавинообразно и закончится тем, что V T1 закроется (отсечка), а V T2
откроется (насыщение). Чтобы вывести схему из этого устойчивого состояния, нужно подать
запускающий импульс на базу открытого теперь V T2 .
C1 и C2 шунтируют R1 и R2 ускоряют процесс открывания и закрывания VT. Их
обычно называют ускоряющими. Если V T1 открыт, а V T2 закрыт, то U C1  0 и U C2   Ek . Как
только V T1 закроется, C1 начнет заряжаться и в цепи базы V T2 потечет зарядный ток,
который добавится к току базы открывающегося V T2 . Это ускорит процесс открывания V T2 .

Схемы запуска триггера.

Существует два способа запуска триггера: раздельный и счетный (общий).


Раздельный запуск.(без пунктирной линии)
Раздельный запуск осуществляется подачей импульсов одной полярности,
попеременно то на один, то на другой входы триггера (на базы транзисторов).
Рассмотрим схему триггера с раздельным запуском с подачей запускающих импульсов
на базы через диоды (рис.14-11).

Рис 14-11 Схемы запусков триггера


V 1 и V 2 , 31 и 32 , R31 и R32 - элементы цепи запуска. Пусть V T1 открыт
Д Д С С

(насыщен), а V T2 закрыт (отсечка). Подадим на Bх1 . Он продифференцируется


R31C31 на два коротких импульса остроконечной формы и противоположенной полярности.
Так как T1 открыт, то  k1 �0 , а, следовательно,  A �0 , но  катод �0 . V Д1 открыт и пропустит
положительный импульс на базу. Тогда V T1 начинает закрываться, а V T2 открываться. В
результате лавинообразного процесса V T1 закроется (отсечка), а V T2 откроется (насыщение).

150
Это состояние будет сохраняться до тех пор, пока не поступит на Вх 2 . Когда V T1
закроется, то  k1   Ek ( катода  0) , VД1 закрывается и отключает Вх1 от базы V T1 (поэтому
диоды V Д1 и V Д 2 называются отсекающими).До подачи следующего С3 разряжается
через R31 . Такой триггер называют RS- триггером.
Счетный запуск.(с учетом пунктирной линии, С31 переносится на 1 и С32 на 2)
При счетном запуске импульсы определенной полярности подаются на общий вход и
каждый импульс приводит к опрокидыванию триггера. В отличие от RS- триггера здесь С31 и
С32 соединены вместе. Эта схема применяется для счета импульсов.
Пусть V T1 открыт (режим насыщения) (  k1 �0 ,  Б1  0 ), а V T2 закрыт (режим
отсечки) (  k 2   Ek ,  Б 2  0 ). Тогда V Д1 открыт, а V Д 2 - заперт. С31 заряжен до U C31 �0, а
С32 до U C32   Ek . Положительный , продифференцированный R31C31 , проходит через
открытый Д1 на базу V T1 , подзакрывая его. При этом V T2 начинает открываться ( Б 2
становится более отрицательным). В результате лавинообразного процесса V T1 запирается, а
V T2 открывается, т.е. триггер опрокидывается. V Д1 и V Д 2 пропускают запускающий
импульс только на базу открытого VТ2.
Разрешающие время триггера – время, за которое триггер переходит из одного
устойчивого состояния в другое.
Tраз  t зап  tпер  tвос
t зап - время, в течение которого транзисторы открываются и устанавливается ПОС;
tперекл - время, в течение которого длится лавинообразный процесс;
tвосстановл - время, в течение которого заканчивается переходной процесс;
Величина, обратная Tраз , называется быстродействием триггера.

Основные логические элементы.


В алгебре логики истинность суждения (высказывания) обозначают символом "I", а
ложное-"0". Значение параметров электронных элементов необходимо перевести на язык
алгебры логики ("0" или "I"). Значение параметров можно задавать уровнем напряжения или
полярностью импульсов.
Если сигналы подаются в виде высокого и низкого напряжения, то такой способ подачи сиг-
нала называть потенциальным. Логика называется положительной, если высокому
потенциалу приписывается "I", а низкому "ноль" "0".

151
U
Логика называется отрицательной, если высокому потенциалу приписывается «0»,а низкому
U1
U1  U 0
«1»
“1”

“0”
U0 t

Если сигнал подают в форме импульса, то такой способ подачи называют импульсным.
Наличие импульса – «1», отсутствие - «0». Это положительная логика. Если наоборот-
отрицательная логика. Если наоборот-отрицательная.

Любые логические операции можно выполнить с помощью трёх основных и простых


логических элементов(базисных логических функций), выполняющих операции:
"НЕ"- логическое отрицание (инверсия); "И"- логическое умножение (конъюнкция);
"ИЛИ"-логическое сложение (дизъюнкция).
Функционально полную систему могут обеспечить составные (комбинированные) логические
элементы, выполняющие логические операции:
"И-НЕ"- отрицание конъюнкции;
"ИЛИ-НЕ"- отрицание дизъюнкции.

Логические элементы в дискретном исполнении


Базисные логические функции(логические элементы) могут быть представлены как в
дискретном исполнении, так и методами интегральной технологии. Базисные логические
функции(логические элементы) «И», «ИЛИ» и «НЕ» могут выполняться на диодах,
резисторах, биполярных полевых транзисторах. В соответствии с конструкцией построения
логических элементов различают резисторно-транзисторную логику(РТЛ), диодно-
транзисторную(ДТЛ), транзисторно-транзисторную логику(ТТЛ), а также логику на полевых
транзисторах(«р»-канальная-рМОП, «n»-nМОП), комплементарную (КМДП) и
динамическую (МОП).
Логический элемент "НЕ" (логическое отрицание).
Логический элемент "НЕ" имеет один вход и один выход. Условно обозначается в схемах:

152
Таблица истинности операции "НЕ" имеет вид:
X Y
0 1

1 0

Логический элемент " НЕ" представляет собой усилительный каскад на транзисторе, вклю-
чённом по схеме ОЭ и работает в ключевом режиме. На вход подаются положительные
сигналы в положительной логике. Используется транзистор типа n-p-n (рис.14-12.).

РИС. 14-12. Электронная схема реализующая логический элемент "НЕ".

Допустим, что транзистор VT закрыт отрицательным потенциалом на базе от -Еб.


Если на "Вх" подать низкий потенциал, соответствующий "0" U âõ �0 , то VT остаётся
закрытым, а при этом Iк=0 и U âû õ   Ek ( Ek  U âû õ  I ê Rê ) . Следовательно, на выходе будет
высокое напряжение соответствующее "I".
Если на “Вх” подать высокий положительный потенциал соответствующий "I", то VT
будет в состоянии насыщения и U âû õ  Ek  I ê Rê �0 .Такой логический элемент еще
называют "инвертором".

Логический элемент "И" (логическое умножение).

Обозначается . Элемент имеет как минимум два входа и один выход.


Условное обозначение элемента “И”:

153
154
Таблица истинности операции «И» имеет вид:

X1 X2 Y

0 0 0

0 1 0

1 0 0

1 1 1

Схема двухходового элемента «И» на биполярных транзисторах показана на рис 14-13.

Рис 14-13. Электронная схема, реализующая логический элемент «И».

Из схемы (рис 14-13) видно, что транзисторы VT1 и VT2 соединены последовательно и
электрический ток может протекать тогда, когда открыты оба транзистора. В том случае,
когда один из транзисторов будет закрыт, то на входе напряжение будет равно «0», что
соответствует таблице истинности. Этот логический элемент называется конъюктор.

Логический элемент «ИЛИ» (логическое сложение)

155
Обозначается y  x1  x2  x1 �x2 .
Таблица истинности операции «или» имеет вид:

X1 X2 Y

0 0 0

0 1 1

1 0 1

1 1 1

Схема двухходового логического элемента «ИЛИ» показаны на рис 14-14.

Рис 14-14. Электронная схема, реализующая логический элемент «ИЛИ».

156
Схема элемента «ИЛИ» выполнена на биполярных транзисторах (технология

транзисторно-транзисторной логики). Если на входы BBX1 и В ВХ не подается


2

напряжение, то TV1 и TV2 заперты и на R3 (на выходе) нет напряжения, и это


соответствует тому, что на выходе логический «0». Если на один вход или на оба входа
подается положительное напряжение (логическая «1»), то один или оба транзистора
открываются и на выходе появляется положительное напряжение, отображающее «1», что
соответствует таблице истинности. Этот логический элемент еще называют дизъюнкцией.

Логический элемент «И-НЕ»(отрицание умножения, штрих Шеффера)

Условное обозначение в схемах.

Таблица истинности операции “И-НЕ” имеет вид:

X1 X2 Y

0 0 1

0 1 1

1 0 1

1 1 0

157
Рассмотрим схему «И-НЕ» транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) (элемент Шеффера,
рис 14-15)

Рис 14-15. Электронная схема, реализующая логический элемент «И-НЕ» (выполнена в


ТТЛ).

Данная схема предназначен для работы от сигналов в виде напряжений, отрицательной


полярности в отрицательной логике. (рис 14-15)
При отсутствии сигналов на входах схемы, VT1 и VT2 заперты положительным смещением
 Е б , тока нет и на выходе U вых   Е к (то есть «I»).Когда на входы одновременно будут
поданы U 0  0 ( то есть «I») и U 0  Е б , то V T1 и V T2 откроются и на выходе U вых  0 .Если
на ВхI подать «0», а на Вх2 –«1», то VT1 будет заперт, а VT2 открыт, тока в цепи нет и
U вых   Е к (логическая «1»). Если на ВХ1 подать «1», а на ВХ2 – «0», то на выходе также
U вых   Е к (логическая «1»)

Логический элемент «ИЛИ-НЕ»(отрицание сложения элемент


Пирса).
Условное обозначение в схемах (логического элемента «ИЛИ-НЕ»)

Таблица истинности логического элемента


«ИЛИ-НЕ» :

X1 X2 Y

158
0 0 1

0 1 0

1 0 0

1 1 0

Рассмотрим схему элемента «ИЛИ-НЕ» (рис 14-16) :

Рис 14-16. . Электронная схема, реализующая логический элемент «ИЛИ-НЕ».

Схема (рис 14-16) работает от сигналов в виде напряжений отрицательной полярности в


отрицательной логике. Схема выполнена на транзисторе и работает как логический элемент
"НЕ" с несколькими входами (не менее двух).
При отсутствии на входах сигналов транзистор заперт положительным смещением +ЕБ на
базе, тогда Iк=0 и Uвых = -Ек (т.е. "I"). Когда на любой из входов поступит сигнал UBX = Uo
(т.е. "I"), то транзистор отпирается и Uвых �0 (т.е. "О") и т.д. Здесь чаще всего используют
МОП-транзисторы, т.к. у них высокая степень интеграции и повышенная
помехоустойчивость.

Основываясь на законах алгебры логики можно любой логический элемент заменить


устройством, собранных только на двухходовых элементах И-НЕ.
1). Операция НЕ, y  x , ( x1  x 2  x)

159
Таблица истинности операции «НЕ».

х1 х2 у
0 0 1
1 1 0

2). Операция И, y  y1  ( x1  x 2 )  x1  x 2

Таблица истинности операции «И».

Х1 Х2 И1 НЕ(у1) И2 НЕ (у)
0 0 0 1 1 0
0 1 0 1 1 0
1 0 0 1 1 0
1 1 1 0 0 1

3). Операция «ИЛИ», y  x1  x 2  x1  x 2

160
Таблица истинности операции «ИЛИ».

Х1 Х2 И1 И2 И1 И2 И3 У(или)
0 0 0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 1 0 0 1
1 0 1 0 0 1 0 1
1 1 1 1 0 0 0 1

4). Операция сложения по модулю два (исключающее ИЛИ),

y  x1  x 2  x1  x 2  x1  x 2  x1  x 2  x1  x 2

Таблица истинности операции «исключающее ИЛИ».

Х1 Х2 И1 И2 И1 И2 И3 И4 И3 И4 И НЕ(У)
0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1
1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1
1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 0

Триггеры в интегральном исполнении.

Обычно триггеры выполняют в виде интегральных микросхем. Такие триггеры состоят из


логических элементов и блок-схема такого симметричного триггера со счетным входом
изображена на рис. 14-18
Он состоит из алогических элементов «ИЛИ» (цепь запуска) и «НЕ» (однокаскадные
усилители -инверторы), соединенных цепями перекрестной обратной связи.
Симметричный триггер работает следующим образом. Предположим, что на вход первого
инвертора HE1 сигнал не подан - «О». В этом случае на его выходе появится сигнал «1». Этот
сигнал, пройдя через логический элемент ИЛИ2, поступит на инвертор НЕ1. В результате на
выходе инвертора НЕ2 установится напряжение, соответствующее «О». Сигнал «О» поступит на
вход элемента ИЛИ1 а далее на вход инвертора HE1. Если учесть предположение, что входные
сигналы триггера равны «О» то триггер все время будет находится в устойчивом состоянии. Это
состояние изменится только тогда, когда на Bxl будет подан сигнал «1». Процесс перехода
триггера в новое устойчивое состояние произойдет аналогично описанному выше.

161
Рис. 14-18 Блок-схема и условное обозначение статического триггера.

Рис. 14-19. Схема для установочного запуска триггеров.

Симметричные триггеры, применяемые в ЭВМ, должны отвечать следующим требованиям:


1.Триггер должен сохранять устойчивое состояние в реальных условиях эксплуатации ЭВМ,
т.е.
при суммарном воздействии всех дестабилизирующих факторов и помеховых импульсов.
2.При каждом воздействии запускающего импульса триггер должен бесперебойно
срабатывать.
3.Триггер должен обладать заданной нагрузочной способностью, т.е. он должен нормально
рабо
тать на нагрузку, включаемую по мере необходимости на выход триггера.В логических
схемах ЭВМ, в устройствах памяти, регистрах, счетчиках, преобразователях кода и т.д.
применяются цепочки из рядов последовательно - соединенных триггеров. Часто возникает
необходимость возвратить всe триггеры данного ряда в исходное состояние, т.е. осуществить
«сброс» триггеров. Это обычно производится при помощи одновременной подачи на входы

162
всех триггеров данного ряда специального сбрасывающего (или установочного) импульса.
Для этой цели используется один общий источник импульсов, работающий по схеме,
приведенной на рис.3-19.
Резисторы R1, R2,..., Rn включаются для выравнивания токов во всех каналах запуска, диоды
VД1,... VДn применяются для разделения цепей установочного запуска.
В случае применения триггеров со счетным входом установочный импульс может
подаваться на коды триггеров после дифференцируемых емкостей.
Интегральная технология и использование методов алгебры логики позволили создать
большое число различных триггеров на базе логических элементов, различающихся
структурой цепей управления и режимами работы. Триггер состоит из цепей управления и
запоминающих устройств и имеет один, два (или более) входа и два выхода. Каждый из
входов имеет определенное функциональное назначение, которое отражается в обозначении
данного входа (R, S, К, D и т. д.). Цепи управления, в которые поступают входные
(информационные) сигналы, преобразуют их в сигналы для запоминания и считывания.
Запоминающие устройства состоят из двух плеч, в каждом из которых одновременно
хранятся сколь угодно долго два сигнала, один из которых соответствует логической 1,
другой — логическому 0. Выход триггера Q, с которого в исходном состоянии снимается
высокий потенциал, обычно называют прямым, другой — инверсным (обозначается Q ).
Кроме симметричных триггеров в зависимости от выполняемых функций различают еще
триггеры с раздельный запуском (RS-триггер), синхронный (RCS- триггер), со счетным
запуском (Т-триггер), с элементами задержки или логическими переключающими схемами в
цепях управления (D-триггер), универсальные JK-триггеры), на базе которых могут быть
реализованы остальные типы триггеров.
По способу записи информации все триггеры подразделяют на асинхронные, в которых
информация записывается непосредственно при поступлении входного сигнала, и
тактируемые (синхронные), записывающие входную информацию только при поступлении
разрешающего тактового импульса.
Названия триггеров составляют из типов входов. Синхронные триггеры бывают со
статическими и динамическими входами. Динамическим называют такой вход, действие
поданных уровней сигналов, на который прекращается после соответствующего
переключения триггера. Рассмотрим примеры построения некоторых типов триггеров на базе
логических элементов либо «ИЛИ — НЕ», либо «И — НЕ»
.
RC-триггер.

Буквы R и S означают: R - раздельный вход установки в состояние О, S — раздельный вход


установки в состоянии 1.
Схема асинхронного RS триггера на двух логических элементах и его графическое
обозначение в схемах показано нак рисунке 3-20. Триггер имеет два прямых входа R и S и два
выхода: прямой Q и инверсный Q . Перекрестная связь выхода каждого элемента ИЛИ —
НЕ со входом другого обеспечивает схеме два устойчивых состояния. Предположим, что на
входах R и S действуют
уровни логического 0,
не влияющие на
состояние триггера.
Примем для
определенности,
что на прямом выходе
триггера Q имеет место
уровень логического 0.
Этот сигнал
163
совместно с нулевым уровнем на входе S образуют на инверсном выходе Q триггера
уровень логической 1. Уровень логической 1, в свою очередь, формирует совместно с 0,на
входе R на прямом выходе Q уровень логического 0. Это устойчивое состояние триггера
называют нулевым по уровню на прямом выходе.

164
Таюлица истинности асинхронного RS триггера (С).

вход выход Режим работы

S R Q Q

0 0 0 0 хранение
1 0 1 0 Запись 1
0 1 0 1 Запись 0
1 1 x x запрещено

рис. 14-20. Асинхронный RS триггер на двух логических элементах ИЛИ-НЕ , а


и его графические обозначения(б)

Переключают триггер в другое состояние тподачей на один из входов сигнала логической


1, при подаче на вход R уровня 1, а на вход S уровня 0 на инверсном выходе
устанавливается сигнал Q=0, который переводит триггер в состояние 1, соответствующее
Q = 1. Аналогично происходит переключение триггера и при подаче уровня логической
единицы на вход S.
Для RS-триггера существует запретная комбинация входных сигналов. Триггер теряет
свойства (его состояние становится неопределенным) при одновременной подаче на входы
R и S уровня логической 1. Если отпирающие импульсы действуют одновременно, то
триггер оказывается временно в симметричном состоянии, из которого он может выйти
равновероятно в любое из двух устойчивых состояний. Таким образом, результат
неоднозначный, что недопустимо.
В схеме рис. 14-21 элементы «ИЛИ — НЕ» могут быть заменены элементами «И — НЕ».
Свойства триггера при этом сохраняются, но управление им должно производиться уровнями
логического 0. Такой триггер можно рассматривать как RS-триггер с инверсными входами.
Более сложные триггеры D-, Т- и JK-типов выполняют на базе одного или двух RS-
триггеров с использованием в цепях управления элементов задержки или логических
переключающих схем. Наибольшее распространение получили триггеры с логическими
переключающими схемами в цепях управления, поскольку интегральное исполнение
элементов задержки затруднено.

165
c)

Таблица истинности асинхронного RS триггера.


вход выход Режим работы

S R Q Q

0 0 0 0 хранение
1 0 1 0 Запись 1
0 1 0 1 Запись 0
1 1 x x запрещено
рис. 14-21 Асинхронный RS триггер на двух логических элементах И-НЕ
(a )
и его графическое изображение(б)
RCS-триггер (синхронный)
Если необходимо, чтобы триггер реагировал на изменение входного сигнала только в
определённый интервал времени, то используют триггерные устройства с синхронизацией
(рис.14-22).
Это - триггеры RSC - типа. Они имеют дополнительный синхронизирующий вход С.
Если С = 0 , то при любых значениях R и S сигналы на входах RS-триггера логические "1"
и состояние RS-триггера не меняется.
Если C = 1,S=1,R = 0, TO формируется нулевой сигнал на выходе Э1 и RS-триггер
устанавливается в "1" (Q= 1, Q =0).
Если С = 1, S = 0, R = 1 , то появляется "0" на выходе Э2 и RS-триггер устанавливается в
"0").
166
Значение входных сигналов S = 1,R =1,C =1 приводит к неопределенному состоянию
устройства. Следовательно, такое состояние схемы является запрещенным.

в)

Таблица истинности синхронного RS триггера.

С S R Q Q Составляющие

1 1 1 x x Запрещено
1 1 0 0 1 Сост. 1
1 0 1 1 0 Сост . 2
0 1 0 0 1 не меняется
0 0 1 0 1 не меняется

Рис.14-22 Синхронный RCS-триггер (a) , графическое изображение(б) и таблица истинности(в)

D-триггер.
D-триггер построен на логических элементах «И-НЕ» и изображен на рис 14-23.

167
Рис 14-23. Логическая схема D-триггер

D-триггер- это триггер, который повторяет на своем выходе состояние входа. Из рис 3-23
видно, что D-триггер можно образовать из RS-триггеров, если на их входы одновременно
подавать инверсные сигналы. Информация в D-триггерах хранится за счет синхронизации и
в этой связи D-триггеры имеют информационный вход D и вход синхронизации С. В
описываемом триггере сигнал на входе передается на выход только по сигналу
синхронизации и этот триггер называется триггером с запоминанием информации (триггер
задержки).

Условное графическое обозначение D-триггера показано на рис 14-24.

Рис 14-24. D-триггер в интегральном исполнении.

Таблица истинности D-триггера.

C D Q t 1 Q t 1

1 0 0 1

1 1 1 0

Q t 1 - логический уровень на этом выходе после подачи импульса синхронизации.

Т-триггер.
Т-триггер состоит из двух синхронных RS-триггеров M и N, которые имеют
синхронизирующие входы С и счетный вход Т и логический элемент НЕ (рис 14-25).

168
Рис 14-25. Т- триггер с синхронизирующим «С» входом в интегральном исполнении

Если , то на выходных триггера М будут такие же сигналы, а на входе S


триггера М появится 1, (на выходе R=0). При подаче сигнала «1» на Т автоматически
отключает триггер N от M и в то же время обеспечивает запись в него сигналов наS=1,
наR=1. При условии, что Т=0 обеспечивает отключение триггера М и запись сигналов с его
выходов проходит в триггер N, который переводится в состояние Q = 0, Q = 1. И тем самым
переходит в состояние, противоположное предыдущему.

JK-триггер.
Это наиболее универсальный триггер, который строится на основе двухступенчатого RS-
триггера и двух логических элементов И-НЕ (рис 14-26).

Рис 14-26. Схема JK-триггера в интегральном исполнении.

169
При комбинации сигналов если J=1 и к=0, то при Q=0 получают на S(триггер М) единицу.
После подачи первого синхронизирующего импульса на С, триггер установится в состояние
Q=1.

При комбинации сигналов J=1 и k=0,то при Q=1 на S и R (триггера М) будут равны “0” и при
подаче синхронизирующего импульса на С, триггер не будет изменять своего состояния.

Таким же образом по отношению к состоянию Q=0 действует сигнал k=1 при j=0.

При комбинации сигналов J=K=1, то получают S=1 (триггер М) и R=0 (триггер М) при Q=0 и
S=0(триггер М) и R=0 (триггер М) при Q=1. Таким образом триггер переключается в
противоположное состояние при соответствующем фронте сигнала на С.

Условное графическое изображение JK-триггера показано на рис 14-27.

Рис 14-27. Условное графическое изображение JK-nhbuuthf/

Таблица истинности JK-триггера.

J(t) K(t) Q(t+1) Q(t+1) Примечание

0 0 Q(t) Q(t) RS- режим

0 1 0 1 RS- режим

1 0 1 0 RS- режим

1 1 Q(t) Q(t) Режим Т триггера

Таблица получения из JK-триггерa. RS, T, D-триггеров

170
JK Q(t )  jQ  RQ

RS Q(t )  S  RQ

T Q(t )  T Q  TQ

D Q(t )  D

Тема 15. Комбинационные цифровые устройства.


Передача и хранение информации проводится с помощью знаков, под которыми
следует понимать совокупность признаков распознания какого-либо объекта или явления.
Сообщение – это последовательность знаков, которые содержат некоторую
информацию.
Аналоговый сигнал – это такой сигнал, который принимает произвольные значения в
любой момент времени
Импульсный сигнал – это такой сигнал, который в течение короткого промежутка
времени изменяется от другого постоянного значения (дискретные значения).
С помощью импульсных сигналов можно составить сообщение, которое отображает
дискретную или аналоговую информацию.
Кодирование информации – это представление сообщения в виде комбинаций из
числа исходных знаков, а кодированные сигналы называют цифровыми сигналами.
В вычислительной технике используется код с основанием два, например, цифры 0 и 1
в двоичной системе счисления. Символу 1 соответствует положительный импульс
напряжения, 0 – отрицательный или отсутствие импульса. В двоичных символах можно
закодировать и передать любую информацию.
К математическим основам цифровой техники относятся системы счисления (СС).
Системы счисления в зависимости от основания бывают: десятичные с основанием десять,
восьмеричные с основанием восемь, двоичные с основанием два и т.д.
В цифровых устройствах используют элементы, которые имеют два устойчивых
состояния и в этой связи двоичная система счисления чаще всего применяется для
представления и обработки информации.
Все системы счисления разделяются на позиционные и непозиционные. Большое
распространение для информационных систем получили позиционные системы счисления.
Позиционная система счисления - это система представления чисел, в которой
количественные значения каждой цифры, входящий в запись числа зависит от позиции в
ряду цифр, представляющих число. Позиционные системы счисления, в которых для всех
разрядов числа используется одинаковое основание, называются однородными. В
однородной позиционной системе счисления с основанием «к» положительное число М(к)
записывают в виде последовательности к-тых цифр: M (k )  a n  k n 1  a n 1  k n  2  a n  2  k n 3 ... ,
где а – содержимое разряда; n- номер разряда. Чтобы записать числа в различных системах
счисления используются различные цифры: в 2СС (0;1), в 8СС (0,1,2,3,4,5,6,7), в 16СС

171
(0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F). Согласно (1) приведём примеры записи целых чисел в
различных системах счисления и перевода в десятичную систему:

Сумматоры
Сумматоры выполняют следующие операции:
 сложение
 вычитание
 деление
 умножение
 вычисление тригонометрических функций
и т.д.

Различают последовательные и параллельные сумматоры.


Последовательные сумматоры производят суммирование разряд за разрядом.
Параллельные сумматоры производят суммирование по всем разрядам сразу.
В сумматоре предусматривается устройство, которое функционирует перенос в старший
разряд.

Рассмотрим схему полусумматора, представленного на рис 15-1.

Рис 15-1.Логическая схема полусумматора.

172
Этот полусумматор обеспечивает существование одноразрядных чисел при x1
и x2 =1.Значение младшего разряда сопровождается переходом в старший разряд.

Таблица истинности полусумматора


x1 x2 y Pi
0 0 0 0
0 1 1 0
1 0 1 0
1 1 0 1

Полный одноразрядный сумматор

Полный одноразрядный сумматор складывает три одноразрядных двоичных числа x1 , x2 , x3 и


имеет два выхода ( Si и Pi 1 )

Действие этого сумматора можно описать следующими логическими функциями:


()
Si  Pi ai bi �Pa
i i bi �Pi ai bi �Pa
i i bi

Pi 1  ai bi  Pb
i i  Pa
i i
Логическая схема полного одноразрядного сумматора представлена на рис 15-2.

173
Рис 15-2. Логическая схема полного одноразрядного сумматора.

Условное обозначение полного одноразрядного сумматора.

174
Таблица истинности полного одноразрядного сумматора.

Pi ai bi S Pi+1
0 0 0 0 0
0 0 1 1 0
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
1 0 0 1 0
1 0 1 0 1
1 1 0 0 1
1 1 1 1 1

Полный сумматор, построенный на двух полусумматорах.

Рис 15-3.Схема полного сумматора, построенного на 2х полусумматорах

Таблица истинности полного сумматора.

Pi+1 ai bi S’ P’ Pi Si P’’2
0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 0 0 1 0
0 1 0 1 0 0 1 0
1 1 1 0 1 0 0 0
0 0 0 0 0 1 1 0
1 0 1 1 0 1 0 1
1 1 0 1 0 1 0 1
1 1 1 0 1 1 1 0

175
Сумматор по модулю два.

Рис 15-4. Схема сумматора по модулю два.

Таблица истинности логической функции сумматора по модулю два.

X1 X2 Y
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

(единица в следующий разряд)

Умножители
Рассмотрим умножение двоичных чисел на конкретном примере:

Из примера видно, что умножение двоичных чисел выполняется достаточно просто, так как
умножение производится на «1» и «0». При этом множитель сдвигается каждый раз влево на
один разряд и затем они суммируются. Эту операцию можно реализовать с помощью
регистра сдвига и сумматора.

Шифраторы(СД).
Это комбинаторное цифровое устройство кодирования, преобразующие десятичные числа в
двоичную систему счисления.

176
Допустим на пульте находится 10 клавиш (от 0 до 9) и при нажатии одной из клавиш
подается единичный сигнал x0,x1,..,x9, а на входе появится двоичный код.
Следовательно необходим в данном случае преобразователь, имеющий 10 входов и 4 выхода.
На входе должна появится «1» при нажатии любой нечетной клавиши.
Для остальных цифр кодирование смотри логическую схему шифратора.

Логическая схема шифратора показана на рис 15-5.

Рис 15-5. Логическая схема шифратора.

Действие шифратора можно описать следующими логическими функциями:

177
Условное обозначение шифратора .

Таблица истинности шифратора


Y4 Y3 Y2 Y1
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
5 0 1 0 1
6 0 1 1 0
7 0 1 1 1
8 1 0 0 0
9 1 0 0 1

Дешифраторы
Дешифратор-это узел, преобразующий код, поступающий на его входы, в сигнал только на
одном из его выходов.
Дешифратор двоичного n-разрядного кода имеет -выходов в связи с тем, что каждому из
двух значений входного кода должен соответствовать единичный сигнал на одном из выходов
дешифратора.

Рассмотрим схему линейного дешифратора на три входы(рис 15-6)

178
Рис 15-6. Логическая схема дешифратора.

Таблица истинности для дешифратора сможет быть представлена такой же как для
дешифратора только наоборот.Распознавание дешифратора двоичных чисел состоит в том,
что в зависимости от номера набора, поступившего на его вход сигнал «1», появится на
одном определенном выходе (остальные выходы дадут «0»)

Таблица истинности для данного линейного дешифратора на 3 входа:


(полный дешифратор 3-х разрядных чисел)

№ Входы Выходы
набора X1 X2 X3 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0
2 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0
3 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0
4 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0
5 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0
6 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0
7 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1

Рассмотрение данной схемы (рис 4-6) показывает, что каждая из функций представляет
конъюнкцию 3-х переменных и может быть реализована с помощью 3-х ходовых схем
логического элемента «И».
Следует заместитель, что бывают дешифраторы с синхронизирующим входом, при котором
дешифрация кода будет произведена во время подачи синхронимпулься, который поступает
на вход синхронизации(обычно обозначается «с»). Кроме того еще должен быть
управляющий единичный сигнал.

Условное обозначение 3-х линейно дешифратора.

179
Преобразование кодов.
Общие понятия:
Преобразователи кодов – это устройства для автоматического изменения по заданному
алгоритму для соответствия между входными и выходными кодами без изменения их
смыслового содержания.
1 тип:
Элементы входного кода соответствует элементу выходного кода.
Здесь эту роль выполняют последовательно-параллельные регистры. Такое устройство с
объектом по 2-х проводному каналу на выходе передатчика строит преобразование
параллельного кода в последовательный на выходе и наоборот.

2 тип:
Элементы выходного кода не соответствуют элементам входного.
В этом случае процесс происходит в 2 этапа:

1)сначала входного n-разрядный код преобразовывается в промежуточный дешифратор


2)промежуточный преобразуется в требуемый n-разрядный код шифратором.

Мультиплексоры(коммутаторы).
Мультиплексор (MUX) – это комбинационное цифровое устройство, которое осуществляет
коммутацию двоичного сигнала Хn с одного из n-входов на всего один выход. Процесс
происходит в присутствии С-синхронизируещего импульса, а номер входа «n",
подключаемого к выходу определяется сигналами А0, А1 и т.д. на так называемых адресных
входах. (Адрес – это двоичная запись номера «n» коммутирующего входа).
Мультиплексор – это узел, осуществляющий преобразования параллельных цифровых
кодов в последовательные.

180
Рис 15-7. Логическая схема мультиплексора с синхронизации входом

Условное обозначение мультиплексора

Таблица истинности мультиплексора


A1 A0 C Y

любые 0 0
0 0 1 x1
0 1 1 x2
1 0 1 x3
1 1 1 x4

Формула перехода мультиплексора для выхода y:


y  C ( x0 A0 A1 �x1 A0 A1 �x2 A0 A1 �x3 A0 A1 )

181
Рис.15-8. Логическая схема мультиплексора без синхронизирующего входа.
Действие мультиплексора без синхронизирующего входа можно описать следующей
логической функцией F1:
F1  x1V 1V 2  x2V1V 2  x3 V 1V2  x4V1V 2
Таблица истинности:
i V2 V1 X1 X2 X3 X4 F1
1 0 0 0 0
0 0 1 1
2 0 1 0 0
0 1 1 1
3 1 0 0 0
1 0 1 1
4 1 1 0 0
1 1 1 1

Демультиплексор
Демультиплексор или распределитель выполняет функцию обратную
мультиплексора, т.е. преобразует последовательный вход в параллельный. Он
осуществляет подключения входного сигнала на один из нескольких своих
выходов (каналов направления).
Для случая, когда n=4, демультиплексор в соответствии с сигналами на адресных
входах V1 и V2 передает двоичную информацию со входа на один их четырех выходов y1, y2,

182
y3, y4. В схеме даны описания логическими функциями перехода для каждого выхода.

Рис. 15-9. Логическая схема демультиплексора.

Схема сравнения или компаратор.


Цифровые компараторы применяются для выполнения сравнения двух чисел,
заданных в двоичном коде. Эти компараторы могут определять для двух двоичных чисел «а»
и « в » операции а= в , а> в , a< в . На рисунке 4-10 представлена схема одноразрядного
компаратора, который представляет собой логический элемент «исключающее ИЛИ-НЕ».
Работа схемы представлена таблицей истинности. Если, например, а> в обеспечивается для
четырехразрядного числа, в четырех случаях:
а4> в 4 , а4= в 4 и а3> в 3 , или а4= в 4 , а3= в 3 и а2> в 2 , или а4= в 4 , а3= в 3 и а2= в 2 , а1> в 1 . В
том случае если поменять местами аi и в i то а< в .

Рис.15-10. Логическая схема одноразрядного компаратора.

Таблица истинности одноразрядного компаратора:

183
а в y1 (a  â) y2 ( a  в ) y3 ( a  â)
0 0 0 1 0
0 1 1 0 0
1 0 0 0 1
1 1 0 1 0

Регистры (узлы накапливающего типа)


Регистр (RG) – это устройство для приема, преобразования, хранения и выдачи по
команде информации. В качестве ячейки памяти используются RS, D или JK триггер,
которые могут хранить одноразрядные двоичные числа.
Для хранения n-разрядных чисел необходимо “n” триггеров.
Запись информации и считывание в триггере могут производится:
1) Параллельно, всеми разрядами одновременно, т.е. во все разряды одновременно
заносится один такт.
2) Последовательно, т.е. поочередно начиная со старшего или младшего разряда.
По способу ввода или вывода информации регистра различают:
1) Однофазного типа.
В этом случае операция производится только в прямом или только в обратном коде.
2) Парафазного типа.
Это когда запись и считывание производится как в прямом так и в обратном коде.
Регистры также разделяют на:
1) Асинхронные (функцию тактирующих сигналов производят управляющие сигналы)
2) Синхронные (управляющие сигнала стробируются тактирующими импульсами.
Стробирующий сигнал - это импульс, выделенный во времени)
Набор элементарных операций:
1) Установка – это запись в операционный элемент двоичного кода (установка «0» во
всех разрядах счетчика).
2) Передача – прием – перезапись кода числа из одного операционного элемента в
другой.
3) Сдвиг – это изменение положения разрядов кода относительно первоначального.
4) Преобразования – это адресная передача сигнала от многих источников к одному
потребителю.

184
Параллельный статический регистр.

Схема параллельного статического регистра представлена на рис 15-11.

Рис. 15-11. Схема параллельного статического регистра.


Условное обозначение параллельного статического регистра:

Запись и хранение в параллельном статическом регистре .


Начальное состояние TR1 или ввод равняется «0», т.е. ввод отсутствует. На входах RS
триггеры устанавливаются «1». Далее на х2=0, на х1=1, а при состоянии TR2 (запись и
чистка) = 1 переключает логический элемент и на входе RS триггера T1 появляется 0, а
Q1=1. (Смотри работу RS триггера). На входе T2 остается 1 и соответственно на выходе T2
Q2=0.
Описанную работу регистра – это запись информации в регистр и ее хранение.
Считывание (рисунок 15-11).
На выходах у1 и у2, работающих в режиме хранения устанавливаются 0 при TR3 =1, на у1=1,
на у2=0. Это и есть процесс считывания информации.
Параллельный регистр построенный на “n” триггерах (рисунок 4-12).
В исходное состояние (нулевое) на все n-триггеров необходимо подать TR=1 (TR
подсоединяется ко всем RS триггерам к R см. предыдущую схему) запись и чистка.
Чтобы запомнить число х1 значение всех всех его n разрядов подаются на входы хi.
Подача сигнала Тпр(прямой)(это тактовый импульс). С числом х1(хi1, хi2, … , хin), которое
хранится в регистре, могут выполняться поразрядные сложение числа, умножение и т.д.
Когда подаются сигналы Тпр следующие, триггеры, хранящие значение «1» в разрядах числа
х1, сохраняют своё состояние каким бы ни было значение одноименного разряда х2, а
185
хранившие «0» либо сохраняют его(если значение одноименного разряда х2=0), либо
переключаются в «1», если в разряде числа х2 есть «1».

Рис. 15-12. Схема параллельного регистра, построенный на “n” триггерах.


Ввод:
Q t 1  xi Tпр  TR xi
Вывод:
t
y t 1  Qit Tпрвх  Q i Tвобр
n0
x1 * 0  1* x1  x1 ( хранение)
n 1
x1 *1  x 2 *1  x1  x2 ( )
n2
xi * 0  0 * xi  0( установка"0" )
n3
x1 *1  0 * x2  x2
Последовательные сдвигающие регистра(RG  )
В таких регистрах ввод-вывод регистрируемого кода производится последовательно разряд
за разрядом со сдвигами (передачей) состояния предыдущего триггера последующему.
i-1 i i+1 1 – вправо
0 1 1 0 – влево
0 0 1 Сдвиг вправо на 1 разряд соответствует операции деления на 2,
1 1 0 а сдвиг влево на 1 разряд соответствует операции умножения.
1 0 1 Последовательный регистр, построенный на D-
1 1 0 триггерах(рис 15-13).

186
Рис. 15-13. Последовательный регистр, построенный на “D” триггерах А) и его временная диаграмма Б).
Условное обозначение последовательного регистра на D-триггерах:

По приходу тактового импульса «С» первый D-триггер записывает код «х» («0» или «1»),
находящийся в этот момент на его D-входе, а каждый следующий D-триггер переключается в
состояние, в котором до этого находился предыдущий. Таким образом записываемый сигнал
проходит со входа D-триггера к выходу “Q” с задержкой, имеющий длительность большую,
чем передний фронт тактового импульса. В этот момент и происходит запись информации.
Каждый тактовый импульс последовательно сдвигает код числа в регистре на один разряд.
Для записи «n»-разрядного кода необходимо «n» тактовых импульсов.
Расшифровка временной диаграммы.
Допустим записано 4-х знаковое число (1011) в соответствующие разряды регистра Q4
=1, Q3 =1, Q2 =1, Q1 =1. Эта запись закончится после прихода 4-го тактового импульса. До
следующего тактового импульса данное число хранится в регистре. Если необходимо
получить хранимую информацию в последовательном коде, то ее снимают с Q4 в момент
прихода следующих 4-х тактов (5-8). Это и есть режим последовательного считывания. При
каскадном последовательном соединении регистров увеличивается информационная
емкость, которая характеризуется количеством разрядов в регистре.
Счетчики импульсов (CTn).
1) Общие сведения.

187
Счетчик – это устройство у которого на входе есть последовательность импульсов,
которые счетчик преобразует в цифровой код.
Счетчики – это конечные автоматы, внутреннее состояние которых определяется только
количеством сигнала «1» пришедших на вход. Сигнал «0» не изменяет их внутреннего
состояния.
Счетчики по направлению счета делятся на:
- Суммирующие;
- Вычитающие;
- Реверсивные;
Начальное состояние для суммирующих счетчиков «0», т.е. все обнулено. При поступлении
одного импульса все увеличивается на 1 и т.д.
Для вычитающих счетчиков во всех разрядах не «0», а «1».Начальные состояния
реверсивных счетчиков представляется различными комбинациями. Для построения
счетчиков используются в основном Т-триггеры и JK-триггеры.
Параметры счетчиков:
1) Мсr (Kсr) – модуль счета, т.е. количество импульсов которое может быть сосчитано
счетчиком;
2) Быстродействие Тр – максимальная частота следования импульсов;
3) Количество триггеров, необходимых для работы счетчиков рассчитывают по формуле:
N  log 2 M cr
При Мсr = 2, N=1;
При Мсr = 10, N  4;
При Мсr = 2n, N=n;
Условное обозначение счетчика:

Счетчики в зависимости от Мсr делятся на :


 двоичные
 десятичные
 и т.д.
В зависимости от использования триггеров счетчики разделяются на:
 синхронные
 асинхронные.
Асинхронные последовательный двоичный счетчик с
последовательным переносом(рис 15-14).

188
Рис. 15-14. Схема асинхронного последовательного счетчика в последовательными
переносами(АПДСПП) – А), и его временная диаграмма Б).

Синхронный параллельный двоичный счетчик (СТ2).


Такой счетчик обладает высоким быстродействием, т.к. тактовые импульсы одновременно
поступают на входы всех триггеров счетчика. На схеме рис 15-15 показано, что
Т1, Т2, Т3 – … счетные входы, а Q1, Q2, Q3 – прямые выхода.
Вначале на R подается «1» и устанавливается «0» на всех выходах. На замкнутых через &
между собой входы T и Р0 поступают счетные импульсы.
Первый импульс пройдет на вход первого триггера и опрокинув триггер D1 в
единичное состояние подготовит для передачи второго импульса на счетный вход D2.
Прохождение всех следующих импульсов дано на диаграмме(рис 15-16) и выполняются
элементами D4, D5, D6.

189
Рис. 15-15. Схема параллельного двойного счетчика (ПДС).

Рис. 15-16. Временная диаграмма ПДС.

Цифроаналоговые преобразователи (ЦАП).


Цифроаналоговые преобразователи предназначаются для преобразования
цифровых сигналов в аналоговые. Следует заметить, что при этом каждому
значению цифрового сигнала в двоичной системе соответствует его аналоговое
значение, выраженное в единицах напряжения.
Для реализации ЦАП можно использовать дешифратор . Если на
дешифратор подавать стабилизированное напряжение, то на выходе
дешифратора, который отображает уровень логической единицы, напряжение

190
должно быть одинаковым на всех десятичных выходах. Все выходные
напряжения можно просуммировать и тогда на выходе получают постоянное
напряжение, значение которого будет соответствовать значению аналогового
сигнала.
Схема простейшего преобразователя (ЦАП) показана на рис 15-17,
который преобразовывает четыпехдиапазонный код (х1, х2, х3, х4) в напряжение.
Если в соответствующий разряд поступает логическая единица, то ключ при
этом должен быть замкнут.

Рис. 15-17. Схема ЦАП.


В связи с тем, что входное сопротивление ЦАП подбирается очень малым,
то устройство имеет потенциал равный нулю. При этом ток, формируемый в к-
том разряде равен:
Е
( ) 2 k 1 xk
R0 (хк – двоичный разряд кода).

Если умножить сумму разрядных токов на (-Rос), то выходное напряжение


(аналоговый сигнал) составляет:
U = -E (Rос / R)*N,
n

где N   x k 2
k 1

k 1

Следует заметить, что устройство ОУ (рис 4-17) называется


преобразователем токa в напряжение. Такой преобразователь имеет
практически нулевое входное сопротивление и формирует напряжение на
выходе пропорционально входному току
U=-R* Iвх.

191
Аналого-цифровые преобразователи (АЦП).
Аналого-цифровые преобразователи предназначены для преобразования аналоговых
сигналов в цифровые. Результатом такого преобразования является то, что непрерывное
мгновенное значение напряжения сигнала заменяется дискретным значением эталонного
напряжения (квантование сигнала по уровню). На входе АЦП обычно включают ОУ, который
доводят уровень входного сигнала до необходимого значения и устройство выборки-
хранения, производящие дискретизацию аналогового сигнала, запоминает его значение в
момент отсчета (рис 15-18).

Рис.15-18. Схема АЦП.


Конденсатор С с помощью ключа (Кл) подключается к Uвх на очень короткое время и
заряжается до значения напряжения входного сигнала в данный момент времени. Затем
конденсатор С подключается к ОУ, который исполнен по схеме повторителя (Коу=1, Rвх  10 ).
9

В результате напряжение на конденсаторе не изменяется и тем самым «запоминает» значение


сигнала в момент отсчета, выполняя операцию дискретизацию непрерывных сигналов.
Запоминающие устройства (ЗУ).
В вычислительных устройствах, которые предназначены для хранения, записи и
считывания информации применяют запоминающие устройства.
Классификация ЗУ.
1. Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ или RAM-Random access memory) эти
устройства служат для записи и чтения информации в любом месте памяти.
2. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ или ROM-Ready only memory) эти
устройства служат для считывания ранее записанной информации.
3. Перепрограммируемые (репрограммируемые) запоминающие устройства (РПЗУ). Эти
устройства служат для однократного и многократного изменения информации в ПЗУ.
ЗУ, которые программируются пользователем называются ППЗУ или PROM-
programmable read-only memory).
ОЗУ – это простейшие ячейки памяти, построенных на биполярных транзисторных
структурах, в которых используется для запоминания электроёмкость p-n перехода.
Изменяющийся электрический заряд ёмкости соответствует логическому нулю или единице.
Такие ЗУ ненадёжны в работе вследствие рассасывания заряда токами утечки. На практике
широко применяются статические ОЗУ, в которых запоминающаяся ячейка выполнена на
триггере, схема которого выполняется либо на биполярных транзисторах, либо на полевых
транзисторах. Примером статического ОЗУ может быть параллельный регистр, но
применяется он только для создания ОЗУ малой ёмкости.
В статических ОЗУ записанная информация постоянно сохраняется и не разрушается
при её считывании.
Динамические ОЗУ. Элементом памяти может быть электроёмкость (например
электроёмкость полупроводниковых устройств), что требует постоянного восстановления
записанной информации в процессе её хранения. Эти ОЗУ имеют большой объём памяти, но
технически более сложны в управлении. В динамических ОЗУ считывание информации
сопровождается её разрушением.
Рассмотрим схему ячейки памяти ОЗУ на многоэмиттерных транзисторах (рис. 15-19),
которая является частью матрицы памяти.

192
Рис. 15-19. Схема ячейки памяти на многоэмиттерных транзисторах, 4,3-разрядные
сигналы, 1,2-адресные шины.
Вторые эмиттеры присоединяются к шинам питания(2(1) и 2), а первые с разрядными
шинами 3 и 4, которые используются для записи и считывания информации. Коллекторы
VT2 и VT1 соединены через R2 и R1 к адресной шине 1.
При режиме хранения на разрядной шине 2(1) устанавливается U хранения(хранения). При
одном устойчивом состоянии VT2 открыт, а VT1 закрыт, а в другом устойчивом состоянии -
.наоборот
Если происходит считывание информации , то U на шинах 2 и 2(1) повышается. Допустим
VT2 открыт, а VT1 закрыт, а ток в эмиттерах Э1 и Э2 равен 0 и U на шине 2(1) не изменяется,
а в эмиттере VT1 возникает ток считывания и напряжение на шине 2 повышается. На шинах
2 и 2(1) появится разность потенциалов, которая считывается усилителем.

ПЗУ имеют также ячейки памяти, объединённые в матрицу, но только в каждой ячейке
не всегда записаны логические ноль и единица.
Чтобы получить ноль в необходимых ячейках памяти, необходимо закрыть доступ в
нужную ячейку. Если матрица реализована на диодах, то чтобы получить нули в нижних
диодах их пережигают в специальных устройствах.

Рассмотрим работы матрицы ПЗУ, (функциональная схема) изображённую на рис. 15-20.

Рис. 15-20. Функциональная схема ПЗУ.

Например с адреса на дешифратор адреса (на рисунке они не показаны) поступает


команда с адресом строки, где записана информация и дешифратор подаёт по команде

193
управления положительное напряжение, которое соответствует логической единицы будет
передаваться только в вертикальные проводники, где остались диоды. В тех же проводниках
(3 и 5), где отсутствуют диоды, действует логический ноль. Далее сигналы через усилители в
шину данных посылаются кодовые комбинация 11010.
Перепрограммируемые устройства имеют ячейки памяти выполненную на полевом
транзисторе с «плавающим» изолированным затвором. Обычно их называют ЛИЗМОП-
транзисторы и его схема представлена на рис. 15-21.

Рис. 15-21. Схема запоминающей ячейки.


Если на сток подаётся большое напряжение, то происходит обратимый лавинный
пробой диэлектрики и на «плавающий» затвор находится внутри диэлектрика SiO2 , то ток
утечки незначителен и информация сохраняется довольно долго. Если подать необходимое
напряжение на затвор, то происходит исчезновение заряда (туннельный эффект) с
плавающего затвора и хранимая информация уничтожится. По описанному принципу
работает и флеш-память.

Тема 16. Источники вторичного питания. Генераторы.

Вторичные источники электрического питания необходимы для непосредственного


электрического питания электронных устройств и должны обеспечивать устройства
напряжением с заданными характеристиками. Эти источники питания получают
электрическую энергию от первичных источников (генераторов, аккумуляторов), т.к. питать
электронные устройства от первичных источников нельзя. Это связано с тем, что выходное
напряжение первичных источников не поддаётся регулировке и наблюдается их
недостаточная стабильность. Источники вторичного питания (ИВП) выполняются
отдельными блоками или могут входить в состав различных электронных устройств. ИВП
разделяется на две группы: 1. инверторные, которые превращают напряжение переменного
тока в постоянный ток с помощью выпрямителей и электронные генераторы, которые
превращают постоянное напряжение в переменное , для питания электродвигателя; 2.
конверторные, которые превращают одно напряжение в другое. (например, трансформатор).
Выпрямители - это устройство для преобразования переменного напряжения в постоянное.
Структурную схему источников электропитания можно представить в следующем порядке:
трансформатор, который соединяется с выпрямляющим устройством (ВУ)
(полупроводниковые приборы, обладающие односторонней проводимостью – диоды,
транзисторы, триггеры), далее ВУ соединяют с фильтрующим устройством (ФУ),которое
соединяют со стабилизатором напряжения (СН), и с СН уже снимают напряжение,
необходимое для питания электронных устройств. ФУ предназначено для ослабления
пульсаций выходного напряжения и в качестве такого устройства используют фильтры
нижних частот. СН в структурной схеме источников электропитания уменьшает влияние
внешних воздействий (изменение напряжения питающей электрической сети, изменения
нагрузки и др. – на выходное напряжение выпрямителя).

194
Выпрямители. По качеству выпрямительных волн выпрямители делятся на
однополупериодные и двухполупериодные, а по числу фаз питающего напряжения
различают однофазные, двухфазные, трёхфазные , шестифазные выпрямители.
1. Однофазный однополупериодный выпрямитель (рисю 15-22)

Рис. 15-22. Схема однофазного выпрямителя.

Этот выпрямитель пропускает на выход только одну полуволну, от источника


напряжения. (рис. 15-23)

Рис. 15-23.Ооднополупериодное выпрямление.

2. Двухфазный двухполупериодный выпрямитель (рис. 15-24).

Рис. 15-24. Схема двухфазного двухполупериодного выпрямителя.

Этот выпрямитель представляет собой параллельное соединение двух однофазных


однополупериодных выпрямителей и на выходе пропускается две полуволны (рис. 15-25).

195
Рис. 15-25. Двухполупериодное выпрямление.

Двухфазный двухполупериодный выпрямитель обычно называют выпрямителем со


средней точкой вторичной обмотки трансформатора.
Сглаживающие электрические фильтры . Напряжение после выпрямления
имеет значительную пульсацию. Для сглаживания пульсации напряжения применяются
сглаживающие фильтры. Рассмотрим работу ёмкостного сглаживающего электрического
фильтра, схема которого представлена на рис.1 5-26.

Рис. 15-26. Схема ёмкостного сглаживающего электрического фильтра.

Конденсатор Сф заряжается через VD до амплитудного значения напряжения U1 в те


отрезки времени, при которых напряжение U1 во вторичной обмотке трансформатора
превышает напряжение на Сф. В том случае когда Uс>U1 VD закрывается и конденсатор
разряжается через Rн и тогда Uвых не уменьшается до минимума во вторую половину
периода, а увеличивает усреднённое значение выпрямлённого напряжения по сравнению с
однополупериодным выпрямителем без сглаживающего электрического фильтра.
Действие индуктивного сглаживающего фильтра (рис. 15-27) основано на следующем:
сопротивление индуктивности постоянному электрическому току незначительно, а
сопротивление переменному току –велико, и поэтому падение напряжения на сопротивлении
нагрузки от переменной составляющей уменьшается и как следствие, снижается пульсация
выпрямленного напряжения.

196
Рис. 15-27. Схема индуктивного сглаживающего электрического фильтра.

Следует знать, что электрические фильтры построенные на пассивных элементах


целесообразно применять на частотах выше десятков килогерц до единицы милигерц обычно
применяют активные фильтры.
Стабилизаторы напряжения постоянного тока STU (эталонное напряжение).
Напряжение источников электрического питания электронных устройств обычно изменяются
при колебаниях напряжения сети переменного тока. Также напряжение источников может
изменяться в зависимости от колебаний силы тока, потребляемой электронными
устройствами.
Для стабилизации напряжения источников электропитания применяются
стабилизаторы напряжения. Обычно в схемах такой стабилизации используют
полупроводниковый стабилитрон, который работает в режиме лавинного пробоя. Условное
обозначение стабилитрона в электрических схемах:

Как показывает ВАХ стабилитрона (рис. 15-28) в области напряжения пробоя


стабилитрона незначительно изменяется при значительных изменениях тока стабилизации и
это позволяет применять стабилитрон в качестве источников опорного напряжения, которое
должно оставаться неизменным.

Рис. 15-28. Вольтамперная характеристика стабилитрона.

Для стабилизации напряжения (получение эталонного напряжения) применяют


электронную схему стабилитрона изображённую на рис. 15-29.

197
Рис.1 5-29. Схема включения стабилитрона.

Для того, чтобы исключить тепловой пробой стабилитрона включают в схему (рис 5-
8) сопротивления R, которое ограничивает ток стабилитрона. (обратный ток «p-n» структуры
стабилитрона). Дифференциальное сопротивление стабилитрона
rдиф  U ст / I ст
Как показывают расчеты при R>>r диф стабилизация становится лучше, если больше
отноение R0/rдиф.

Основная литература:

- А.С. Касаткин, М.В.Немцов / Электротехника / М., Академия 2005 / Гл.


1,2,3,4,5,7,8,9,12.
- В.Н. Бойко / Схемотехника / С.-п. «бхв-петербург» 2004 / Гл. 2,4,5,6,12.
- В.И. Лачин, Н.С.Савелов/Электроника/Ростов на дону, 2004/
Гл.1,2,3,4,5,6,7, 8,10.
- И.И. Иванов, Г.И.Соловьев, В.С.Равдоник/Электротехника / С.-п. ЛАНЬ
2004/ Гл.1,2,3,4,5,6,7,8,10,11,12,13.
- В.А. Прянишников / Электроника / С.-п., Корона, М.Бином-пресс, 2006 /
Гл.2,3,4,5,7,8,12,13,15 разд.6,7.
- В.В. Кононеко, В.И. Муханов, В.Ф. Планидин, П.М. Цеголин /
Электротехника и электроника / Ростов-на-Дону / Феникс, 2004 / Стр. 1-
736.

Дополнительная литература:

- А.А. Щука / Электроника / С.-п. ”бхв-петербург”, 2005 / Ч.2, гл.1,2,3,4,


6,7,8,9, 10,12.
- Е.А. Лоторейчук / Теоретические основы электроники / М., Форум-
инфра-м, 2004/Гл.1,2,3,4,5,6,7,9,10,12,16,17,18,20.
- В.И. Карлащук / Электронная лаборатория на IBM PC / М., солон-пресс,
2004 / Гл.3,4,5,6,7,8,9,10.
- А.Г. Морозов / Электротехника электроника и импульсная техника / М.,
Высшая школа 1987 / Гл. 1,2,3,4,5,6,7,9,10,11,12,13,14. (книга содержит
198
базовую информацию по курсу «Электротехника и электроника» и не
переиздавалась с 1987 года).
- Ч.П. Копылов / Электрические машины / М. Высшая школа, 2002 / Стр. 1-
609.

INTERNET-РЕСУРСЫ.
(Перечень адресов интернет-ресурсов с кратким описанием)
- http://ktf.krk.ru/courses/foet/ (Сайт содержит информацию по разделу
«Электроника»)
- http://www.college.ru/enportal/physics/content/chapter4/section/paragrap
h8/theory.html (Сайт содержит информацию по теме «Электрические
цепи постоянного тока»)
- http://elib.ispu.ru/library/electro1/index.htm (Сайт содержит электронный
учебник по курсу «Общая Электротехника»)
- http://ftemk.mpei.ac.ru/elpro/ (Сайт содержит электронный справочник по
направлению "Электротехника, электромеханика и электротехнологии").
- http://www.toe.stf.mrsu.ru/demoversia/book/index.htm (Сайт содержит
электронный учебник по курсу «Электроника и схемотехника»)

199