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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Alfonso Espinosa Ramón

MEMORIAS

III-1

Definiciones (1)

„ Celda de memoria: Cualquier elemento que almacena


un bit de información (0L o 1L). Ej. : FF, condensador,
burbuja magnética
„ Palabra de memoria: Grupo de celdas de memoria
que representan datos o instrucciones. De 4 a 64 bits
en las computadoras.
„ Byte: Palabra de 8 bits
„ Dirección: Número que identifica la localidad de una
palabra de memoria
„ Capacidad: Número de bits (o palabras de n bits) que
almacena una memoria

Alfonso Espinosa R. III-2

SISTEMAS DIGITALES 1
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Definiciones (2)

„ Tiempo de acceso: Tiempo que transcurre entre la


recepción de una nueva dirección en la entrada y el
aparecimiento de la información en la salida.
„ ROM (Read Only Memory): Memoria de la cual solo
se puede sacar información. Se programa en la
fábrica y su contenido es inalterable
„ PROM (Programmable ROM): ROM que puede ser
programada por el usuario por una sola vez.
„ EPROM (Erasable PROM): PROM que puede ser
reprogramada por el usuario. Para borrarla se utiliza
luz ultravioleta (UV-EPROM)
„ EEPROM (Electrically EPROM): EPROM que puede ser
reprogramada solo por medios eléctricos
Alfonso Espinosa R. III-3

Definiciones (3)

„ RAM (Random Access Memory): Memoria de la cual


se puede sacar e introducir información en forma
aleatoria
„ Memoria volátil: Aquella que conserva la información
solo cuando recibe un flujo continuo de energía (FF)
„ Memoria no volátil: Aquella que guarda la
información aún sin flujo de energía (ROM, disco
duro)
„ Memoria dinámica: Aquella que guarda la
información en forma de acumulación de cargas
(Condensadores). A causa de las pérdidas debe ser
“refrescadas”
„ Memoria estática: Aquella que trabaja en base a FF

Alfonso Espinosa R. III-4

SISTEMAS DIGITALES 2
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Temporización

27LV64 Microchip
Alfonso Espinosa R. III-5

Características (1)

Uso Tecnología Capacidad Tiempo de acceso


Procesador Registros < KB < 10 ns
Caché SRAM 128-512 KB 10 ns
Main Memory DRAM 4-512 MB 50 ns
Archivos I Hard Disk 100 Gigabyte 10 ms, 10 MB/sec
Archivos II CD-ROM Gigabyte 300 ms, 600 KB/sec
Archivos III Floppy 1,4 MB Sec-min, 10MB/min

„ A mayor capacidad y menor tiempo de acceso


(mayor velocidad), mayor costo

Alfonso Espinosa R. III-6

SISTEMAS DIGITALES 3
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Características (2)

Alfonso Espinosa R. III-7

Tendencias de desarrollo (1)


„ La capacidad de las memorias se multiplica por 1.5/año
„ El desarrollo de las memorias es más acelerado que el
de los microprocesadores.

Alfonso Espinosa R. III-8

SISTEMAS DIGITALES 4
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Tendencias de desarrollo (2)


„ Cada vez se tienen memorias de mayor
capacidad y menor costo. Esta tendencia se
mantendrá en las próximas décadas

Alfonso Espinosa R.
The Economist, January 23rd 2003 III-9

ROM 128x1. Estructura (1)

PROGRAMACIÓN DE LA ROM
DIRECCIÓN DATO
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0
0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 1 0
. . . . . . . . .
0 0 0 0 1 1 1 0 0
0 0 0 0 1 1 1 1 1
0 0 0 1 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0 1 0
. . . . . . . . .
0 1 1 1 0 0 0 0 0
. . . . . . . . .
0 1 1 1 1 1 1 1 1
1 X X X X X X X Hi Z

Alfonso Espinosa R. III-10

SISTEMAS DIGITALES 5
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ROM 128x1. Estructura (2)

ECE271 Oregon
Alfonso Espinosa R. III-11

ROM 32Kx8. Estructura

ECE271 Oregon
Alfonso Espinosa R. III-12

SISTEMAS DIGITALES 6
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PROM. Estructura (1)

„ Similar a la de la
ROM, pero a cada
diodo se asocia un
fusible.
„ El diodo puede ser
reemplazado por un
transistor bipolar o
MOSFET

Alfonso Espinosa R. III-13

PROM. Estructura (2)

ECE1393F
Alfonso Espinosa R. III-14

SISTEMAS DIGITALES 7
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UV-EPROM. Estructura

CSE 2101 Monash


Alfonso Espinosa R. III-15

UV-EPROM. Serie 27XX

„ Estas memorias
son producidas SERIE 27XX
Capacidad
por muchos Número Organización
(Bits)
fabricantes, tales 2708 1024 x 8 8K
como: 2716 2048 x 8 16 K
2732 4096 x 8 32 K
„ Intel
2764 8192 x 8 64 K
„ Fujitsu
27128 16384 x 8 128 K
„ Motorola 27256 32768 x 8 256 K
„ AMD 27512 65536 x 8 512 K
„ Microchip

Alfonso Espinosa R. III-16

SISTEMAS DIGITALES 8
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UV-EPROM 27LV64. Pines

PIN FUNCTION TABLE


Name Function
A0-A12 Address Inputs
CE Chip Enable
OE Output Enable
PGM Program Enable
Vpp Programming Voltage
O0 - O7 Data Output
Vcc +5V Or +3V Power Supply
Vss Ground
NC No Connection
NU Not Used
Microchip

Alfonso Espinosa R. III-17

UV-EPROM 27LV64. Programación

PROGRAMACIÓN
Control
Modo O7.....O0
CE OE/Vpp
Leer 0 0 Data Out
Deshabilitar 0 1 Hi Z
Espera 1 X Hi Z*
Programar 0 Vpp (21V) Data In
* Bajo consumo de potencia: 175mW (Normal 500mW)

„ Una EPROM puede borrarse con la luz del día en un


año, o en tres años con luz fluorescente
„ Una UV-EPROM puede reprogramarse unas 1000 veces
Alfonso Espinosa R. III-18

SISTEMAS DIGITALES 9
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SRAM. Estructura (1)

Control
Modo IO7.....IO0
CS WE
Leer 0 1 Data Out
Escribir 0 0 Data In
Deshabilitar 1 X Hi Z*
Alfonso Espinosa R. III-19

SRAM. Estructura (2)

„ En las RAM
estáticas, las
celdas se
construyen
con FF

Alfonso Espinosa R. III-20

SISTEMAS DIGITALES 10
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SRAM. Estructura (3)

Alfonso Espinosa R. III-21

SRAM. Temporización
„ Lectura

„ Escritura

Alfonso Espinosa R. III-22

SISTEMAS DIGITALES 11
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DRAM. Estructura (1)


„ La información se
almacena como carga
de electrones en
condensadores (MOS)
„ Los condensadores se
descargan con el
tiempo, por lo que las
células de las DRAM
deben ser refrescadas
periódicamente (≈ 2
ms)
„ Su estructura es
similar a las SRAM
Alfonso Espinosa R. III-23

DRAM. Estructura (2)


„ Las líneas de direcciones se multiplexan para
disminuir el número de pines

PIN FUNCTION TABLE


Name Function
A7…A0 ; Address Inputs
(A15…A8
CAS Column Address Strobe
RAS Row Address Strobe
WE Write Enable
VDD Power (5 V)
VSS Ground

Alfonso Espinosa R. III-24

SISTEMAS DIGITALES 12
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DRAM. Temporización

„ Lectura

„ Escritura

„ Refresco
Alfonso Espinosa R. III-25

DISEÑO CON MEMORIAS

III-26

SISTEMAS DIGITALES 13
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Expansión de memorias (1)

„ Incremento del número de salidas


„ Construir una memoria de 4x4, sobre la

base de una memoria de 4x2

Alfonso Espinosa R. III-27

Expansión de memorias (2)

PROGRAMACIÓN DE LA ROM 4x4


EG A1 A0 D3 D2 D1 D0
0 0 0 0 1 0 1
0 0 1 1 1 0 0
0 1 0 0 1 0 1
0 1 1 1 0 1 1
1 X X Hi Z Hi Z Hi Z Hi Z
M1 M0

Alfonso Espinosa R. III-28

SISTEMAS DIGITALES 14
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Expansión de memorias (3)

„ Incremento del número de entradas


„ Construir una memoria de 8x2, sobre la

base de una memoria de 4x2

Alfonso Espinosa R. III-29

Expansión de memorias (4)


PROGRAMACIÓN DE LA ROM 8x2
EG A2 A1 A0 D1 D0
0 0 0 0 0 1
0 0 0 1 1 1
M0
0 0 1 0 0 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 0 1 1
0 1 0 1 0 1
M1
0 1 1 0 0 0
0 1 1 1 1 1
1 X X X Hi Z Hi Z

EG A2 Funciona E1 E0
0 0 M0 1 0
0 1 M1 0 1
1 X Out Hi Z 1 1

Alfonso Espinosa R. III-30

SISTEMAS DIGITALES 15
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Diseño combinacional (1)


„ Una ROM puede considerarse como un
circuito combinacional general

zi = fi (x1.....xn ) ∧ i = (1....p)

Alfonso Espinosa R. III-31

Diseño combinacional (2)

„ Conversión de códigos PROGRAMACIÓN DE LA ROM


„ Ej.: Conversor de Binario Código Gray

binario a código Gray A2 A1 A0 D2 D1 D0


0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 1
0 0 1 0 0 1 1
0 0 1 1 0 1 0
0 1 0 0 1 1 0
0 1 0 1 1 1 1
0 1 1 0 1 0 1
0 1 1 1 1 0 0
1 X X X Hi Z Hi Z Hi Z

Alfonso Espinosa R. III-32

SISTEMAS DIGITALES 16
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Generador de funciones

„ La ROM puede programarse para generar


cualquier señal analógica periódica
„ El circuito RC es un filtro pasa bajo para eliminar
los picos de la salida del CDA y suavizar la onda

Alfonso Espinosa R. III-33

Controlador sin saltos (1)

„ Diseñar un circuito que realice la función


indicada

Alfonso Espinosa R. III-34

SISTEMAS DIGITALES 17
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Controlador sin saltos (2)


„ El 74163 tiene CLEAR sincrónico
„ D1 realiza el contador M-6
„ D0 realiza la función

ROM
Direcciones Datos
q A2 A1 A0 D1 D0
q0 0 0 0 1 1
q1 0 0 1 1 0
q2 0 1 0 1 1
q3 0 1 1 1 1
q4 1 0 0 1 0
q5 1 0 1 0 0
1 1 0 0 X
1 1 1 0 X
Alfonso Espinosa R. III-35

Máquina de Moore (1)

„ Las salidas son


función
solamente del
estado actual
„ Las salidas
cambian
sincrónicamente
con el reloj
„ Tiempo de
reacción lento

Alfonso Espinosa R. III-36

SISTEMAS DIGITALES 18
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Máquina de Moore (2)


„ Con FF-D y una ROM, diseñe un circuito que realice
el diagrama de estados indicado

TABLA DE TRANSICIÓN

Estado Estado siguiente


actual X=0 X=1

q0 q1 q1

q1 q2 q3

q2 q0 q0

q3 q2 q0

Alfonso Espinosa R. III-37

Máquina de Moore (3)

TABLA DE COMPORTAMIENTO
Entrada Estado Estado
actual actual siguiente
qt
X Q1 Q0 Q1 Q0
A2 A1 A0 D1 D0
q0 0 0 0 0 1
q1 0 0 1 1 0
q2 0 1 0 0 0
q3 0 1 1 1 0
q0 1 0 0 0 1
q1 1 0 1 1 1
q2 1 1 0 0 0
q3 1 1 1 0 0

Alfonso Espinosa R. III-38

SISTEMAS DIGITALES 19
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Máquina de Moore (4)


„ Con FF-D y una ROM, diseñe un circuito que realice
el diagrama de estados indicado

Alfonso Espinosa R. III-39

Máquina de Moore (5)


TABLA DE COMPORTAMIENTO DEL CS
Entrada Estado Estado
actual actual siguiente
q A3 A2 A1 A0 D2 D1 D0
q0 0 0 0 0 0 0 1
q1 0 0 0 1 0 1 0
q2 0 0 1 0 0 1 1
q3 0 0 1 1 0 1 0
q4 0 1 0 0 0 1 0
q5 0 1 0 1 1 0 0
q6 0 1 1 0 0 0 0
q7 0 1 1 1 0 0 0
q0 1 0 0 0 0 0 1
q1 1 0 0 1 1 0 1
q2 1 0 1 0 0 0 1
q3 1 0 1 1 1 0 0
q4 1 1 0 0 1 0 1
q5 1 1 0 1 0 0 0
q6 1 1 1 0 0 0 0
q7 1 1 1 1 0 0 0

Alfonso Espinosa R. III-40

SISTEMAS DIGITALES 20
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Máquina de Mealy (1)


„ Las salidas son
función del estado
actual y de las
entradas
„ Al cambiar las
entradas, cambian
inmediatamente
las salidas
„ Las salidas no
cambian
sincrónicamente
con el reloj
„ Tiempo de
reacción rápido

Alfonso Espinosa R. III-41

Máquina de Mealy (2)


„ Con FF-D y una ROM, diseñe un circuito que realice
el diagrama de estados indicado e indique (Z=1)
cuando va a cambiar el estado

TABLA DE TRANSICIÓN

Estado Salida
Estado siguiente actual
actual
X=0 X=1

q0 q0/0 q1/1

q1 q2/1 q1/0

q2 q3/1 q1/1

q3 q0/1 q1/1

Alfonso Espinosa R. III-42

SISTEMAS DIGITALES 21
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Máquina de Mealy (3)

TABLA DE COMPORTAMIENTO
Entrada Estado Estado Salida
actual actual siguiente actual
qt
X Q1 Q0 Q1 Q0 Z
A2 A1 A0 D2 D1 D0
q0 0 0 0 0 0 0
q1 0 0 1 1 0 1
q2 0 1 0 1 1 1
q3 0 1 1 0 0 1
q0 1 0 0 0 1 1
q1 1 0 1 0 1 0
q2 1 1 0 0 1 1
q3 1 1 1 0 1 1

Alfonso Espinosa R. III-43

Diagramas de flujo y diagramas de estado


„ Un diagrama de flujo (programa) se puede
realizar con un circuito secuencial

Alfonso Espinosa R. III-44

SISTEMAS DIGITALES 22

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