DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y AUTOMATIZACIÓN

“LABORATORIO ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL”

INFORME DE LABORATORIO N°2.3

TEMA:

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

INTEGRANTES:

SEBASTIÁN ANTE

ESTEBAN RIVERA

DOCENTE:

ING. MÓNICA PATRICIA MARGARITA MEDINA

NRC: 5141

Sangolquí, 07 de Mayo del 2019

MARZO 2019 – JULIO 2019
Tema: AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
INTRODUCCIÓN
En el presente informe realizamos un proceso experimental, que consiste en la
implementación de una fuente de alimentación de corriente continua regulada, en el que
el diodo zener será utilizado como bloque rectificador, además, vamos a variar nuestra
resistencia de carga para analizar que sucede cuando esta aumenta o disminuye.

Objetivo General:

 Analizar la función del diodo Zener en un circuito de una fuente de

alimentación de corriente continua regulada, por medio de la implementación
de esté circuito en el laboratorio de electrónica, para aplicar su uso en un
circuito que necesitemos realizar en un proyecto, o en un laboratorio

Objetivo Específico:

 Identificar y verificar los terminales del transistor BJT.

 Determinar el punto de operación del transistor BJT.
 Verificar las características de funcionamiento del amplificador en la
Configuración Emisor Común.
 Interpretar los resultados calculados, simulados y medidos.

Materiales:
Materiales.

 Transistores
 Resistencias
 Capacitores
 Cables
 Protoboard

Herramientas:

 Fuente de corriente continua

 Generador de señales
 Osciloscopio.
 Multímetro.
  Marco Teórico:

1.1 Como identificar los terminales del transistor BJT con un multímetro.
Para identificar los terminales del transistor con el multímetro, se debe poner el
multímetro en la opción de diodos. Para identificar la base del transistor tenemos
que conectar la parte positiva del multímetro a cualquier terminal del transistor y con
la parte negativa del multímetro vamos probando en cada uno de los terminales
restantes del transistor, esperando que en los dos casos nos marque algún valor en
el multímetro, el menor valor marcado es el colector y el restante es el emisor, de
no ser el caso conectar la parte positiva del multímetro a otro terminal del transistor
y volver hacer lo mismo, hasta que nos marque en los dos terminales restantes. Si
nos funciona este método el transistor es NPN.
Caso contrario debemos conectar la parte negativa del multímetro a un terminal del
transistor e ir jugando con la parte positiva del multímetro, repetir el proceso de
arriba. Si nos funciona este método el transistor es PNP.
Esto ocurre por la configuración del transistor.

1.2 Circuitos de polarización de un transistor BJT.

Polarización de un transistor BJT

En la polarización de un transistor, recordamos que polarizar un transistor consiste
en fijar los voltajes y corrientes, para que tomen un valor que genera un punto Q,
denominado punto de reposo o punto de trabajo del circuito
A tomar en cuenta:
 La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de
diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.
  La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco
recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede
producir deriva térmica que autodestruye el transistor.
 La polarización con una fuente es mucho más estable, aunque el que más
se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización.
 La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en
saturación al mantener su tensión colector-base positiva.

Circuitos de Polarización:
La polarización con una fuente (con resistencia de emisor)

Fig. 1. Polarización con una fuente. Recuperado de:

https://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-transistor-
bjt.shtml
La polarización con dos fuentes (con resistencia de emisor)

Fig. 2. Polarización con dos fuentes. Recuperado de:

https://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-transistor-
bjt.shtml

La polarización con divisor de tensión (con resistencia de emisor)

 Fig. 3. Polarización con divisor de tensión. Recuperado de:
https://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-transistor-
bjt.shtml

Auto polarización (con resistencia de emisor)

Fig. 4. Auto polarización. Recuperado de:

https://www.monografias.com/trabajos97/polarizacion-del-transistor-bjt/polarizacion-del-transistor-
bjt.shtml

1.3 Curva de disipación máxima de un BJT y relación con el punto de

operación Q.

Fig. 5. Disipación máxima. Recuperado de:

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Transistor_Bipolar_de_Potencia/Est
ructura_y_principio_de_funcionamiento
La curva de disipación de potencia máxima delimita la zona de operación, esto
quiere decir que el punto Q debe estar por debajo de la curva de disipación, para
valores de Q menores a la curva, el transistor funciona correctamente.
1.4 Curva Características de entrada y Curva característica de salida de la
configuración Emisor común.

Fig. 6. Transistor en emisor común.. Recuperado de:

https://www.slideshare.net/IvanJavierMuliaNava/configuracin-emisor-comn

Curva característica de entrada:

Fig. 7. Curva característica de entrada (Emisor común). Recuperado de:

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_bipolar.htm

Curva característica de salida:

Fig. 8. Curva característica de salida (Emisor común). Recuperado de:

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracteristicas.html
1.5 Como determinar los parámetros H del transistor usando las
características de entrada y salida.

El Cuadripolo y el Modelo Híbrido

Para hallar estos parámetros tomaremos en cuenta el modelo de una pequeña señal
del BJT como una caja negra.
“Un cuadripolo es un circuito, sistema o red en general con dos terminales de
entrada, también denominado puerto de entrada, y dos terminales de salida o puerto
de salida, por ello a veces, a los cuadripolos se les denomina redes de doble puerto.”
(EHU, 2019)

Fig. 9. Cuadripolo de caja negra Recuperado de:

https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-5-
teoria.pdf

Como observamos en la Fig. 9, el cuadripolo como caja negra depende del

𝑉1 , 𝑖1 , 𝑉2 , 𝑖2 y, si suponemos que estas variables se relacionan por medio de la
siguiente ecuación.
Estos parámetros ℎ11 , ℎ12 , ℎ21 , ℎ22 , son los parámetros híbridos o conocidos
también como los parámetros h, que tienen dimensiones heterogéneas
1. Procedimiento:
2.1 Para un amplificador en la configuración Emisor Común, realice las
siguientes actividades:
VDC1
18.0V

R1 R3
40kΩ 4.7kΩ
C2

C1 Q1 100µF
XFG1
2N2222
100µF
COM

R5
2.2kΩ

R2 R4
5.6kΩ 1.2kΩ

2.1.1 Calcule el punto de operación del transistor.

𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ||𝑅2 = 4.9[𝑘𝛺]

𝑅2 ∗ 𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑇ℎ =
𝑅2 + 𝑅1
5.6[𝑘𝛺] ∗ 18[𝑣]
𝑉𝑇ℎ =
5.6[𝑘𝛺] + 40[𝑘𝛺]
𝑉𝑇ℎ = 2.23[𝑣]

𝑉𝑇ℎ ≈ 𝑉𝐵 ≈ 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
2.23[𝑣] = 0.7[𝑣] + 𝑉𝐸
𝑉𝐸 = 1.53[𝑣]

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶
𝑉𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐸
1.53[𝑣]
𝐼𝐶 =
1.2[𝑘𝛺]
𝐼𝐶 = 1.275[𝑚𝐴]

𝑉𝑅𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐶 = (1.275[𝑚𝐴])(4.7[𝑘𝛺])
𝑉𝑅𝐶 = 6[𝑣]

𝑉𝑅𝐶 = 18 − 𝑉𝐶
𝑉𝐶 = 18 − 6
𝑉𝐶 = 12[𝑣]

𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵
𝐼𝐵 = ≈0
𝑅𝑇ℎ
𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸
𝐼𝐶 = 1.275[𝑚𝐴]
𝐼𝐸 = 1.275[𝑚𝐴]
𝑉𝐸 = 1.53[𝑣]
𝑉𝐵 = 2.23[𝑣]
𝑉𝐶 = 12[𝑣]

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 18 − (4.7[𝑘𝛺] + 1.2[𝑘𝛺])1.275[𝑚𝐴]
𝑉𝐶𝐸 = 10.5[𝑣]

2.1.2 Verifique el punto de operación del transistor.

Corrientes
 VDC1
18.0V

R1 R3
40kΩ 4.7kΩ
U2
- +
C2
1.292m A
U1
C1 Q1 100µF
XFG1 + -
DC 1e-009Ohm
6.535u A 2N2222
100µF
COM

DC 1e-009Ohm R5
2.2kΩ

+ U3
1.297m A DC 1e-009Ohm
-

R2 R4
5.6kΩ 1.2kΩ

𝑉𝐸

𝑉𝐵
𝑉𝐶

𝑉𝐶𝐸
 2.1.3 Calcule Zin, Zo, Av, AI.

26[𝑚𝑉]
𝑟𝑒 =
𝐼𝐸
26[𝑚𝑉]
𝑟𝑒 =
1.27[𝑚𝐴]
𝑟𝑒 = 20,47[𝛺]

𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒 + 𝑅𝑒
−1
1 1
( + )
4.7[𝑘𝛺] 2.2[𝑘𝛺]
𝐴𝑣 = −
20.47[𝛺] + 1,2[𝑘𝛺]
𝐴𝑣 = −1.228

ℎ𝑓𝑒 = 𝛽 = 90
𝑍𝑖𝑛𝑇 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝑒 )
𝑍𝑖𝑛𝑇 = (91)(20.47[𝛺] + 1,2[𝑘𝛺])
𝑍𝑖𝑛𝑇 = 111062.77[𝛺]

𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 ||𝑅2
−1
1 1
𝑅𝑇ℎ = ( + )
40[𝑘𝛺] 5.6[𝑘𝛺]
𝑅𝑇ℎ = 4.9[𝑘𝛺]

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝑇ℎ ||𝑍𝑖𝑛𝑇

 −1
1 1
𝑍𝑖𝑛 =( + )
4.9[𝑘𝛺] 111062.77[𝛺]
𝑍𝑖𝑛 ≈ 4.7[𝑘𝛺]

𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 4.7[𝑘𝛺]

𝐴𝑣 ∗ 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 =
𝑅𝐿
(−1.228) ∗ (4.7[𝑘𝛺])
𝐴𝐼 =
2.2[𝑘𝛺]
𝐴𝐼 = −2.623

2.1.4 Grafique el diagrama de voltajes.

2.1.5 Determine el valor máximo del voltaje de entrada que se puede

aplicar sin producir distorsión en la señal de salida.
Con un voltaje de 800 mVp

2.1.6 Utilizando un voltaje de entrada menor al máximo calculado, simule

el voltaje del amplificador en cada terminal.

Con un voltaje de 400 mVp

En 𝑅𝐿
En 𝑉𝐶

En 𝑉𝐸
En 𝑉𝐵

2.1.7 Verifique la ganancia de voltaje.

Ganancia está relacionado también con los voltajes de salida y el voltaje de entrada
del transistor con la siguiente formula:
𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 −3.648[𝑣]
𝐴𝑣 = = = −1.21
𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 3.015[𝑣]

2.1.8 Verifique la ganancia de corriente.

VDC1
18.0V

R1 R3
40kΩ 4.7kΩ
C2

U1
C1 Q1 100µF
XFG1 + -
0.235m A 2N2222
100µF
COM

AC 1e-009Ohm R5
2.2kΩ

R2 R4
5.6kΩ 1.2kΩ
U2
- +
0.621m A

AC 1e-009Ohm

Ganancia está relacionado también con los corrientes de salida y el voltaje de

entrada del transistor con la siguiente formula:
𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 0.621[𝑚𝐴]
𝐴= = = 2,642
𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 0.235[𝑚𝐴]

2.1.9 Verifique la Impedancia de entrada.

 2.1.10 Verifique la impedancia de salida.

𝑍𝑜 = 𝑅𝐶 = 4.7[𝑘𝛺]

2.1.11 Grafique la forma de onda del voltaje de salida si se utiliza un voltaje

de entrada mayor al máximo calculado.
 2.1.12 Realizar el cuadro con los resultados obtenidos.

[𝑚𝐴] [𝑣]
𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝑉𝐶 𝑉𝐸 𝑉𝐵 𝑉𝐶𝐸
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 0 1.275 1.275 12 1.53 2.23 10.5
𝑀𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 0.006535 1.292 1.297 11.92 1.558 2.179 10.37

𝑍𝑖𝑛 𝑍𝑜 𝐴𝑣 𝐴𝐼
𝐶𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜 4.7[𝑘𝛺] 4.7[𝑘𝛺] −1.228 −2.623

Anexos

2. Preguntas

3.1 Grafique la recta de carga estática y la curva de potencia máxima del

transistor utilizado.

3.2 ¿En qué región de operación está trabajando el Transistor?

El transistor está trabajando en la “zona de operación”.

 3.3 ¿Qué ocurre con el voltaje de salida del amplificador si el voltaje de entrada
es mayor al máximo calculado? Explique.

El voltaje de salida en la 𝑅𝐿 , ya no es estable, empieza a tener cortes en la forma

de onda o la onda se empieza a deformar, este último sucede si el voltaje de entrada
es extremadamente elevado, se puede apreciar los cortes de onda en el literal
2.1.11

3.4 ¿Qué características tiene el amplificador implementado?

El amplificador implementado tiene la configuración de polarización por divisor de

tensión, en este tipo de amplificador no se tiene muchos errores, o su error no es
muy elevado ya que el valor de beta (Ɓ) es variable y este valor solo influencia en
la corriente de B, por esta razón el error cometido con este circuito no es muy
elevado

Conclusiones y recomendaciones:
Conclusiones:
- El porcentaje de error global de cada tabla es mayor, pero esto se debe a
las mediciones realizadas con resistencias muy bajas que se calientan dada
la potencia disipada, lo que hace q varíen nuestras mediciones.

- Un diodo zener es el que da el voltaje de salida regulado, es decir, el voltaje

en DC.
 - Mientras mayor sea la resistencia, menor es el Vpp del rizado, por lo tanto,
mayor R2, la regulación es mejor

Reflexión personal:
- Para nosotros, realizar esta práctica es una buena forma de aprendizaje, ya
que en teoría, no necesariamente vamos a obtener los resultados reales,
dado que al implementar un circuito, tenemos variantes que modifican
nuestros datos al medir.

Recomendaciones:
- Se debe tener mucho cuidado con los cables de la fuente ya que, si se
llegan a tocar provocará un corto circuito y pueden quemarse las fuentes,
debemos cuidar los instrumentos del laboratorio ya que no somos los
únicos que las usamos.

- Al anotar los datos, revise la escala a la que está trabajando, y recuerde

que las puntas de osciloscopio deben estar en 10x para voltajes muy
elevados.

- Se debe tener cuidado con las puntas de osciloscopio ya que si se topan

entre sí pueden crear soldadura y se les pegaran los cables del protoboard

Bibliografías:
 Dorf Richard y Svoboda James A., Circuitos eléctricos, 2006, 6ta edición.

 Boylestad,Roberth Nashelsky. Electrónica, Teoría de Circuitos, febrero 2000,

Prentica Hall.

 Belove Charles. Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados, 1993, Mac.

Graw Hill Milman & Halkias. Electrónica Integrada, 1972, Mac- Graw Hill,
ISBN 79-172657

 Savat, Roden, Carpenter. Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas,

1992,Addison –Wesley Iberoamericana, S.A., ISBN 0-201-62925-9.