Laboratorio de electronica1

Tema: El Diodo

EL DIODO

Resumen: El presente documento está enfocado al análisis y comportamiento del diodo

polarizado en directa e inversa y su curva característica, con el propósito de conocer el
funcionamiento en sus dos formas de polarización y resaltar sus diferencias. Se
implementan los circuitos en protoboard utilizando un diodo, resistencia, multímetro y
una fuente de tensión variable.

Palabras clave: Diodo, Polarizacion. Directa, Inversa.

1. INTRODUCCIÓN prácticamente en cualquier circuito electrónico.

Los diodos se fabrican en versiones
En este tema abordamos el estudio de uno de los de silicio (la más utilizada) y de germanio.
componentes más simples de los realizados con
semiconductores, pero no por ello menos útil, ya
que tiene innumerables aplicaciones y está presente
en la mayoría de los circuitos electrónicos. Nos
referimos al diodo semiconductor.

Un diodo está formado por la unión de dos cristales

de una misma sustancia semiconductora,
normalmente germanio (Ge) o silicio (Si), uno de
los cuales contiene impurezas tipo N, al que se
denomina cátodo, y otro impurezas tipo P,
denominado ánodo. Su nombre viene de la
contracción de di (dos) y electrodo; es decir, dos
electrodos o dos terminales, uno conectado en cada
zona, que sirven para su conexión exterior.
2. MARCO TEORICO:
El diodo semiconductor es el dispositivo
semiconductor más sencillo y se puede encontrar,
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Principio de operación de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres
(exceso de electrones) y el semiconductor tipo
P tiene huecos libres (ausencia o falta
de electrones). Cuando una tensión positiva se
aplica al lado P y una negativa al lado N,
los electrones en el lado N son empujados al lado P
y los electrones fluyen a través del material P mas
allá de los límites del semiconductor. De igual
manera los huecos en el material P son empujados
con una tensión negativa al lado del material N y
los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se
aplica al lado N y una negativa al lado P,
los electrones en el lado N son empujados al lado
N y los huecos del lado P son empujados al lado P.

En este caso los electrones en el semiconductor no
se mueven y en consecuencia no hay corriente.
Polarización directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado
al material tipo p y el terminal negativo de la
fuente está conectado al material tipo n, diremos
que estamos en "Polarización Directa".
La conexión en polarización directa tendría esta
forma:
En este caso tenemos una corriente que circula con
facilidad, debido a que la fuente obliga a que los
electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al
moverse los electrones libres hacia la unión, se
crean iones positivos en el extremo derecho de la
unión que atraerán a los electrones hacia el cristal
desde el circuito externo. Así los electrones libres
pueden abandonar el terminal negativo de la fuente
y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El
sentido de la corriente lo tomaremos siempre
contrario al del electrón.
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Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el
terminal negativo de la fuente entra por el extremo
derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona
n como electrón libre. En la unión se recombina
con un hueco y se convierte en electrón de
valencia. Se desplaza a través de la zona p como
electrón de valencia. Tras abandonar el extremo
izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la
fuente.
Polarización inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el
diodo se polariza en inversa, el terminal negativo
de la batería conectado al lado p y el positivo al n,
esta conexión se denomina "Polarización Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexión en
inversa:
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos
y el terminal positivo atrae a los electrones libres,
así los huecos y los electrones libres se alejan de la
unión y la z.c.e. se ensancha. A mayor anchura de
la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de
deplexión deja de aumentar cuando su diferencia
de potencial es igual a la tensión inversa aplicada
(V), entonces los electrones y huecos dejan de
alejarse de la unión. A mayor la tensión inversa
aplicada mayor será la z.c.e.
Existe una pequeña corriente en polarización
inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco.
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La zona de deplexión empuja a los electrones hacia
la derecha y el hueco a la izquierda, se crea así una
la "Corriente Inversa de Saturación"(IS) que
depende de la temperatura.
Además hay otra corriente "Corriente Superficial
de Fugas" causada por las impurezas del cristal y
las imperfecciones en su estructura interna. Esta
corriente depende de la tensión de la pila (V ó VP).
intensidad que circula por el mismo es muy
pequeña del orden de microamperios y podemos
decir que el diodo no conduce.
Definición de tensión umbral
La tensión umbral es el valor de tensión en
polarización directa a partir del cual un diodo
conduce. Este valor se puede obtener a partir de
la característica I-V determinando el valor de la
tensión que corresponde a una intensidad de
aproximadamente un miliamperio. A partir de una
tensión superior a la tensión umbral la intensidad
que circula por el diodo aumenta mucho con una
ligera variación en el valor de la tensión de
polarización y podemos decir que el diodo muestra
una resistencia muy pequeña, ya que deja pasar
toda la corriente con una ligera variación en la
tensión VPN.

Entonces la corriente en inversa (I ó IR) será la

3. LISTA DE MATERIALES
suma de esas dos corrientes:
LABORATORIO I: EL DIODO Y SU CURVA
CARACTERISTICA.
 Fuente de alimentación.
 Protoboard
 Cables
 Resistencias
 Diodo con su hoja de características:
Curva Característica 1N4001-7, 1N4148 o 1N4448.
La representación de la intensidad que circula por  Multímetro.
el diodo en función de la tensión entre los extremos
de la unión PN define la curva característica del
diodo.
4. CALCULOS TEORICOS:

Cálculos de componentes
Calculo de la resistencia para el circuito
La corriente máxima soportada por el diodo
1N4004 es de 1 Amperio, Si la corriente tiene que
ser 30% < i <70% al valor de la corriente
máxima soportada por el diodo. Entonces
calculamos el valor de la R1
Con i = 0.7 = 70%
-10+R1(0.7)+0.7=0
R1 = 9.3/0.7 = 13.28 ohm

Con i = 0.3 = 30%

-10+R1(0.3)+0.7=0
En la figura se representa la curva característica
R1 = 9.3/0.3 = 31 ohm
típica de un diodo. Al polarizar el diodo en directa
Entonces como 13.128< R1 < 31
se observa que a partir de un valor de tensión Vg el
R1||= 120*39/120+39=29,43
diodo conduce y permite el paso de corriente con
intensidades del orden de miliamperios (1- 20
mA) , mientras que si esta polarizado en inversa la Tabla de Directa datos teóricos.
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Vs Vr Vd Id VR=-0.099v
250 -0.441 V 0.691 V -0.015 A VR= 0 V
mV VD= 600mv+0.441=0.699v
500 -0.19 V 0.69 V -6.79*10-3 VD=700mv-0=700mv
mV A
600 -0.099 V 0.699 V -3.39*10-3 800mV:
mV A 1V:
700 0V 700mv 0A It=id
mV It=id
800 0.0997V 0.7003V 3.39*10-3 -800mv+29.43(it)+0.7=0 -
Mv A 1+29.43(it)+0.7=0
1V 0.29V 0.71V 0.010 A It=800mv-0.7/29.43
2V 1.29V 0.71V 0.044 A It=1v-0.7/29.43
4V 3.296 V 0.71V 0.11 A It=3.39*10-3A
It=0.010A
6v 5.29V 0.71V 0.180 A
Vr=rb.i
8V 7.29V 0.71V 0.248 A
Vr=rb.i
10 V 9.29V 0.71V 0,316 A
29,43(3.39*10-3)
29.43(0.010)
VR=0.0997
Cálculos matemáticos en la segunda VR= 0.29 V
aproximación:
250mV: VD= 800mv-0.0997=0.7003v
500mV: VD=1v-0.29=0.71v
It=id
It=id 2V:
-250mv+29.43(it)+0.7=0 - 4V:
500mv+29.43(it)+0.7=0 It=id
It=250mv-0.7/29.43 It=id
It=500mv-0.7/29.43 -2v+29.43(it)+0.7=0
It=-0.015 -4v+29.43(it)+0.7=0
It=-6.79*10-3A It=2v-0.7/29.43
Vr=rb.i It=4v-0.7/29.43
Vr=rb.i It=0.044A
29,43(-0.015) It=-0.112A
29.43(-6.79*10-3) Vr=rb.i
VR=-0.441v Vr=rb.i
VR= -0.19 V 29,43(0.044)
VD= 250mv+0.441=0.691v 29.43(0.112)
VD=500mv+0.19=0.69v VR=1.29v
VR= 3.296v
600mV: VD= 2v-1.29=0.71v
700mV: VD=4v-3.29=0.704v
It=id 6V:
It=id 8V:
-600mv+29.43(it)+0.7=0 - It=id
700mv+0(it)+0.7=0 It=id
It=600mv-0.7/29.43 -6v+29.43(it)+0.7=0
It=700mv-0.7/0 -8v+29.43(it)+0.7=0
It=-3.39*10-3 It=6v-0.7/29.43
It=0A It=8v-0.7/29.43
Vr=rb.i It=0.180A
Vr=rb.i It=0.248A
29,43(-3.39*10-3) Vr=rb.i
29.43(0) Vr=rb.i

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29,43(0.180) 29,43(0.057)
29.43(0.248) 29.43(0.09)
VR=5.29v VR=1.6v
VR= 7.29 V VR= 2.48V
VD= 6v-5.29=0.71v VD= 1v-1.6=-0.6v
VD=8v-7.29=0.71v VD=2v-2.48=-0.648

10V: 4V:
It=id 6V:
-10v+29.43(it)+0.7=0 It=id
It=10v-0.7/29.43 It=id
It=0.316A -4v+29,43(it)-0.7=0
Vr=rb.i -6v+29.43(it)-0.7=0
29,43(0.316) It=4v+0.7/29.43
VR=9.29v It=6v+0.7/29.43
VD= 6v-9.29=0.71v It=0.159A
It=0.22A
CIRCUITO EN INVERSA Vr=rb.i
Vr=rb.i
La corriente máxima soportada por el diodo 29,43(0.159)
1N4004 es de 1 Amperio, Si la corriente tiene que 29,43(0.22)
ser 30% < i <70% al valor de la corriente VR=4.67v
máxima soportada por el diodo. Entonces VR= 6.4746V
calculamos el valor de la R1 VD= 4v-4.67=-0.67v
Con i = 0.7 = 70% VD=8v-6.4746=-0.4746v
-10+R1(0.7)+0.7=0
R1 = 9.3/0.7 = 13.28 ohm 8V:
10V:
Con i = 0.3 = 30% It=id
-10+R1(0.3)+0.7=0 It=id
R1 = 9.3/0.3 = 31 ohm -8v+29.43(it)-0.7=0
Entonces como 13.128< R1 < 31 -10v+29.43(it)-0.7=0
R1||= 120*39/120+39=29,43 It=8v+0.7/29.43
It=10v+0.7/29.43
Tabla de datos en INVERSA teórica. It=0.29A
VS VR VD ID It=0.366A
1v 1.6V -0.6V 0.057 A Vr=rb.i
2v 2.648V -0.648V 0.09 A Vr=rb.i
4v 4.67V -0.67V 0.159 A 29,43(0.29)
6v 6,4746V -0.4746V 0.22 A 29.43(0.366)
VR=8.53v
8v 8.53V -0.53V 0.29 A
VR= 10.7V
10v 10.7 V -0.7V 0.366 A
VD= 8v-8.53=-0.53v
VD=10v-10.7=-0.7
1V:
It=id Tabla de datos Directa experimentales.
It=id Vs Vr Vd Id
-1v+29.43(it)-0.7=0 189 mV 0 189mv 0
-2v+29.43(it)-0.7=0 525 mV 4mv 521mv 1.3*10-
It=1v+0.7/29.43 4mA
It=2v+0.7/29.43 628 mV 34mv 594mv 1.15*10-
It=0.057A 3mA
It=0.09A 784 mV 94mv 652mv 3.19*10-
Vr=rb.i 3mA
Vr=rb.i 8002 Mv 87mv 647mv 2.95*10-

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3mA compare los resultados reales con los teóricos,

1.23V 240mv 649 mv 8.15*10-3 halle el error correspondientes a cada magnitud.
1.99V 0.95mv 0.74mv 0.03 7. Conecte el diodo del circuito de la Figura 1, en
4.38 V 2.92 0.78 0.09 polarización inversa; es decir invierta la polaridad
6.19v 4.42 0.81 0.15 de la fuente del circuito. Ajuste los valores de la
8.07V 6.17 0.81 0.20 fuente de tensión para los valores a continuación:
99.9 V 8.10 0.81 0.27 1V, 2V, 4V, 6V, 8V, 10V
8. Construya una tabla donde se consignen los
valor de VS, ,VR, VD e ID para cada medición
9. Grafique la curva característica del diodo VD vs
ID para polarización inversa.
10. Fije la corriente del diodo en un punto fijo y
aumente la temperatura del diodo con cualquier
Tabla de datos en INVERSA
elemento (Ejemplo: cautín). Observe que sucede
experimentales.
con la corriente al aumentar y disminuir la
VS VR VD ID
1v 0 1.05 0 temperatura.
2v 0 1.99 0
4v 0 4.08 0 6.RESULTADOS:
6v 0 6.03 0
8v 0 8.01 0 Curva característica del Diodo
10v 0 10.08 0

5. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1. Identifique los terminales del diodo, ánodo y

cátodo, teniendo en cuenta la información
suministrada por el fabricante en el datasheet.
2. En el circuito a continuación se muestra un
diodo en polarización directa, seleccione una
resistencia con un valor adecuado de manera que
no supere la potencia máxima disipada de la
misma, también asegure que la corriente a través
del diodo no supere el 70%, ni sea inferior al 30%
de la corriente máxima dada por el fabricante en el
punto de mayor tensión aplicada al circuito, realice
Recta de Carga
el montaje del circuito.
3. Ajuste los valores de la fuente de tensión para
los valores a continuación: 250mV, 500Mv,
600mV, 700mV, 800mV, 1V, 2V, 4V, 6V, 8V, 10V
4. Construya una tabla donde se consignen los
valor de VS, VR, VD e ID para cada medición
5, Grafique la curva característica del diodo VD vs
ID para polarización directa.
6. Con la resistencia que utilizo y VS= 5V, halle y
grafique la recta de carga para el circuito, halle los
valores de VD e ID para el punto Q del circuito;
realice el montaje del circuito y mida VS e ID,

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Punto Q. Es la interseccion entre las dos lineas. 11. SITIOS WEB:

Denominado tambien el punto de trabajo el diodo https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

1. DIODO EXPUESTO A LA http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_di

TEMPERTAURA odos_8.htm

En este procedimiento tomamos como fuente de

alimentación el voltaje más alto dado en el
laboratorio donde pudimos observar la corriente de
fuga que se producía mientras el diodo absorbía la
temperatura, la corriente de fuga es directamente
proporcional a la temperatura.
12. ANEXOS
9. CONCLUSIONES

*Cada vez que alteramos la fuente de forma

positiva pudimos notar que el voltaje
de la resistencia, la corriente del diodo y el voltaje
del diodo aumentaban.
* El voltaje de la resistencia y la corriente del
diodo se hicieron cero, ya que el diodo
estaba polarizado en inversa y de esta manera el
diodo no conduce.
* La resistencia que debimos utilizar para que el
diodo no superara la potencia
máxima, ni la potencia mínima requerida, debía
estar entre 13.14 ohmios y 31
ohmios.
*Concluyo que los diodos son elementos
importantes en la electrónica ya que ellos han
evolucionado totalmente la tecnología del mundo
y ha conseguido grandes avances.
* Aplicamos los conceptos vistos en clase para
hacer la parte teórica del laboratorio.
*Los valores teóricos y experimentales no
condicen por que utilizamos la segunda
Aproximación que no están exacta.

10. REFERENCIAS:

Electrónica
J.M. Calvert
M.A.H. McCausland
Edit. Lumisa
Fundamentos de electrónica
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
Cuarta edición
Edit. Person Education
Circuitos electrónicos
Donald L. Schilling
Charles Belove
Tercera edición
Edit. Mc Graw Hill

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