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Informe N°1
CARACTERÍSTICAS TRANSITORIAS DE LOS DIODOS
Presenta altos tiempos de recuperación y Trr está formado por los dos componentes 𝑡𝑎 y
normalmente es usado en aplicaciones de baja 𝑡𝑏, 𝑡𝑎 esta generado por el almacenamiento de
frecuencia
1
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA I
𝒕𝒂 𝒕𝒃 𝑻𝒓𝒓 𝑰𝒓𝒓
1N4007 21,2 ns 13.2 ns 28 ns 2.32 A
1N4148 30 ns 20 ns 50 ns 2.34 A
Schottky 23 ns 16 ns 39 ns 2.5 A
Fred 24 ns 16 ns 40ns 2.5 A
6. CONCLUSIONES
2
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA I
7. RECOMENDACIONES
9. ANEXOS