AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR EN EMISOR COMÚN, JUNIO 2019 1

AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR

EN EMISOR COMÚN
Curso : EE441-N
Profesor : Ing. Fernando López Aramburu
Joao Canales Espinal - 20132700D
Jenipher Roxana Cardenas Valle - 20152611G
Max Ramos Espinoza - 20164514A
Fernando de la Cruz Tirado - 20162661G

Abstract- The experiment was carried out to show

the student the characteristics and the operation of the
amplifier circuits with Bipolar Transistor in Common
Emitter, a single circuit was used in the guide, where the
purpose of the experiment was to verify the states of the
transistor as well as the ratio of gain that occurs between
the exit and the phase shift of 180 degrees between them.

I. INTRODUCCIÓN
El amplificador de emisor común tiene ese nombre porque
el emisor del transistor es común tanto a la entrada como a la
salida.
En estos tipos de montajes en los que la entrada de señal
a amplificar y la salida amplificada se toma con respecto a
un punto común, en este caso el negativo, conectado con
el emisor del transistor. Esta introducción nos ayudará a Figura 1. Polarización del transistor en EC
comprender el funcionamiento de un transistor tipo NPN.

AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN
Para que una señal esa amplificada tiene que ser una señal
de corriente alterna. No tiene sentido amplificar una señal de
corriente continua, porque ésta no lleva ninguna información.
En un amplificador de transistores están involucradas los
dos tipos de corrientes (alterna y continua). La señal alterna
es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el
punto de operación del amplificador. Este punto de operación
permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.
En el diagrama del amplificador emisor común se ve que la
base del transistor está conectada a dos resistores (R1 y R2).
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que
permite tener en la base del transistor un voltaje necesario
para establecer la corriente de polarización de la base. El
punto de operación en corriente continua está sobre una línea
de carga dibujada en la familia de curvas del transistor.
• Cuando el transistor está en corte (Ic = 0), que significa
que Vce es prácticamente igual a Vcc.
Si se modifica R1 y/o R2 el punto de operación se modificará
para arriba o para abajo en la curva pudiendo haber distorsión.
Si la señal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarán los
picos positivos y negativos de la señal en la salida (Vout).
CAPACITOR DE BLOQUEO (C1)
Este capacitor (condensador) se utiliza para bloquear la
corriente continua que pudiera venir de Vin. Este capacitor
actúa como un circuito abierto para la corriente continua y
un corto circuito para la corriente alterna (la que se desea
amplificar).
Estos capacitores no se comportan tan perfectamente en la
realidad, pero se acercan bastante, pudiendo suponerse como
ideales.

Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran.
Hay dos casos extremos:
• Cuando el transistor está en saturación (Ic max.), que
significa que Vce es prácticamente 0 voltios.
CAPACITOR DE DERIVACIÓN (Ce)
El resistor Re aumenta la estabilidad del amplificador, pero
que tiene el gran inconveniente que es muy sensible a las
variaciones de temperatura (causará cambios en la corriente
de base, lo que causará variaciones en la corriente de emisor
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(recordar Ic = β Ib)). RL % Er VL
100 Ω 7.05
Esto causará una disminución en la ganancia de corriente 500 Ω 9.37
alterna, lo que no es deseable. Para resolver el problema se 1k Ω 9.54
pone en paralelo con Re un capacitor que funcionará como 2k Ω 8.62
un corto circuito para la corriente alterna y un circuito abierto 5k Ω 5.698
para corriente continua. 10k Ω 0.156
15k Ω 2.4
20k Ω 8.467
• El voltaje de salida estará dada por la siguiente fórmula: 25k Ω 7.35
Vout = Ic × Rc = β × Ib × Rc = hf e × Ib × RC 30k Ω 9.90
35k Ω 9.24
• Ganancia de voltaje: ∆V − V out/V in = −Rc/Zin (el 50k Ω 1.56
signo menos indica que Vout esta 180 grados fuera de
fase con la entrada Vin)
Notamos en la tabla anterior que los errores no sobre-
• Ganancia de corriente: ∆I = (V outxZin)/(V in × Rc)
pasa el 0.09 con respecto al valor teórico por lo tanto
= ganancia de voltaje ×Zin/Rc
deducimos que no son errores considerables, y podemos
concluir que esto se debe a los errores que se comenten
• Ganancia de potencia = ganancia de voltaje × ganancia
en el laboratorio en las mediciones y también debido al
de corriente = ∆P = ∆V × ∆I
transistor.
• Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que
• Dibuje la forma de onda de entrada ( Vin ) y de la carga
normalmente no es un valor alto (contrario a lo deseado)
( VL ).
• Zo (impedancia de salida) = Rc

• La salida está 180 grados desfasada con respecto a la

entrada (es invertida)

II. RESPUESTAS A LAS PREGUNTAS

• Haga una tabla comparando los valores teóricos con los

valores experimentales.
Del laboratorio se obtienen los siguientes valores.
f(Hz) VL (pico) Vin (mV ) VL (terico, mV )
100 Ω 1.20 0.1 1.121
500 Ω 1.26 0.1 1.152
1k Ω 1.24 0.1 1.132
2k Ω 1.26 0.1 1.16
5k Ω 1.28 0.1 1.211
10k Ω 1.28 0.1 1.282
15k Ω 1.22 0.1 1.25
20k Ω 1.20 0.1 1.311
25k Ω 1.16 0.1 1.252 Figura 2. Formas de onda en la carga y de entrada
30k Ω 1.18 0.1 1.232
35k Ω 1.14 0.1 1.256
50k Ω 1.04 0.1 1.024

• ¿Qué porcentaje de error hay entre los valores expe-

rimentales y los teóricos? ¿Cómo los explica? Para
el primer juego de valores: Hallamos el error relativo
porcentual con la siguiente formula: • Dibuje el gráfico de respuesta en frecuencia indicando
VL T eorico − VL Experimental la ganancia de tensión vs frecuencia, usando escala
Er ( %) = × 100 % semilogarítmica (Curva de Bode).
VL T eorico
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f(Hz) VL (pico) Vin (mV ) Av Zin = 103,235 kΩ

100 1.20 0.1 -12
500 1.26 0.1 -12.6 • ¿Qué impedancia de salida tiene el amplificador?
1k Ω 1.24 0.1 -12.4 Según lo desarrollado en el laboratorio, se obtuvo:
2k Ω 1.26 0.1 -12.6
Zout = 5,6 kΩ
5k Ω 1.28 0.1 -12.8
10k Ω 1.28 0.1 -12.8 • Grafique VL vs VG
15k Ω 1.22 0.1 -12.8
20k Ω 1.20 0.1 -12
25k Ω 1.16 0.1 -11.6
30k Ω 1.18 0.1 -11.8
35k Ω 1.14 0.1 -11.4
50k Ω 1.04 0.1 -10.4

Figura 5. VL vs VG

III. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

• Los amplificadores en configuración de emisor común

Figura 3. Formas de onda en la carga y de entrada
son sensibles a la variación de la frecuencia, notamos
• ¿Qué impedancia de entrada tiene el amplificador? que para altas frecuencias la ganacia es afectado consi-
Usando el modelo en AC del circuito, obtenemos : derablemente.

• Concluimos que la señal amplificada se desfasa en

180 grados respecto a la entrada, además considerar la
conclusión teórica que en un emisor común la variación
de la temperatura afecta al circuito (circuito no estable
térmicamente).

• Presenciamos señales ruidosas debido a los materiales

de medición y los elementos pasivos con precariedad
por el uso.

Figura 4. Modelo híbrido en AC • En el circuito amplificador, la polarización del transistor

se consigue mediante el dividir la tensión formada por
1 la resistencia R1 y R2. Con el circuito en reposo (sin
Zin = 100k + 1 1 1
91k + 15k + hie V e), podemos saber si el circuito funciona midiendo
Donde: las tensiones de polarización y las intensidades de base,
Vi de emisor y de colector (Hay que recordar que Ie =
hie =β
Ic Ib + Ic).
De lo usado y obtenido en el laboratorio, tenemos:
V i = 20mV
• Se puede concluir que a diferentes frecuencias la ganan-
Ic = 0,928mA
cia se mantiene casi constante lo que se puede observar
β = 211
en el diagrama de bode que es casi constante.
Entonces:
hie = 4,32 kΩ • Se concluye que el amplificador en emisor común es
Por lo tanto: efectivo ya que los cálculos teóricos y experimentales
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presentan poco error, pero se debe tener cuidado con las

conexiones a realizar y los dispositivos a utilizar ya que
el transistor debe trabajar con la mitad del voltaje DC
de la fuente.

• De acuerdo con la experiencia, trabajando con bajas

frecuencias (100 Hz <f <50KHz) conseguimos una res-
puesta en frecuencia prácticamente constante.

• La forma de onda de la señal se mantiene.

• Variábamos frecuentemente la frecuencia y la tensión

entre la base y emisor se mantenía casi constante, con
un pequeñísimo cambio que casi ni se notaba en algunos
casos.

IV. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

R EFERENCIAS
[1] Manual de Laboratorio de Electrónica I EE441 Ing. Fernando López
Aramburu -Profesor principal de la UNI - FIEE Ing. Julio Díaz Aliaga
Profesor principal de la UNI – FIEE , Noviembre del 2009
[2] Electrónica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones Teoría
de Circuitos y Dispositivos Electrónicos,Muhammad H. Rashid, Tercera
Edición,2004
[3] Robert L. Boylestad Louis Nashelsky,Electrónica, Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos,Décima Edición ,2009
[4] Physics of Semiconductors,Bernard Sapoval y Claudine Hermann
[5] https://www.academia.edu/24031359/