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La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.
1. Marco teórico
1.1 Simbología
2. Estructura
• El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto más dopaje tenga el
emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector, como veremos más adelante. Además, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar
como dos diodos en oposición.
• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características
de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que
provienen del emisor.
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible
controlar una gran potencia a partir de una pequeña. En la figura se puede ver
un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de
colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base
(B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con
pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen
grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor. Si se coloca
una resistencia se puede convertir esta variación de corriente en variaciones de
tensión según sea necesario.
3. Funcionamiento
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que
circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En
esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión
emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero
que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula
por emisor base.
4. Fundamentos físicos del efecto transistor
5. Regiones de funcionamiento
5.1 Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus
terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se
encuentra en corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última
condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que
llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con
no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que
VBE=0.
5.2 Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes
en todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra
polarizada en directa y el colector base en inversa.
En general, y a efectos de cálculo, se considera que se verifica lo siguiente:
5.3 Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la
base-colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de
activa, y se verifica sólo lo siguiente:
Aplicaciones
Materiales Costo
Buzzer S/ 1.00
Resistor de 10k S/ 1.00
Transistor 2N3904 S/ 3.00
Tiristor Tic 106c S/ 4.00
LDR1 S/ 4.00
Jumper S/ 5.00
Pines macho S/ 7.00
Puntero laser S/ 20.00
Circuito impreso S/ 10.00
Pequeño tubo de PVC S/ 1.00
Total S/ 56.00
Recomendaciones:
Verificar que todos los conectores estén en buen estado.
Tener en cuenta las especificaciones del transistor que se está utilizando, para
un buen desempeño en las experiencias, y además tener en cuenta la correcta
polarización.
Tomar los valores reales de todos los dispositivos o elementos para tener en
cuenta las variaciones que se puedan presentar frente a una posterior simulación
con valores ideales.
Conclusiones
La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada
patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de
la ganancia del transistor en términos relativos.
Cuestionario
2N3904
Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
Corriente de colector constante 200m A (Ic)
Potencia total disipada 625mW (Pd)
Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
Encapsulado TO-92.
Estructura NPN.
AC127
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.34 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 140 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Bibliografía
Arguis, V. M. (19 de Enero de 2015). Obtenido de
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1177/Contenido/clase10.pdf