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“Año del Dialogo y la Reconciliación Nacional”

ELECTRONICA DE POTENCIA
TEMA: Tiristores MCT y SITH
CATEDRATICO: Ing. Bartolomé Sáenz
Loayza

ALUMNOS:
CARHUAMACA CRISTHIAN

CRISTOBAL DE LA CRUZ CRISTHIAN

LAZO ROJAS HILDER

QUINTO SOSA KEVIN FREDI

NUÑEZ RAMIREZ RICARDO LENIN

SEMESTRE: VI
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INDICE

INTRODUCCION .............................................................................................................. 2

1. TIRISTOR MCT ........................................................................................................... 3

1.1 ESTRUCTURA....................................................................................................... 4

1.2 CONMUTACION .................................................................................................. 5

1.3 CARACTERISTICAS ............................................................................................... 6

1.4 CONCLUSIONES................................................................................................... 7

2. TIRISTOR SITH ........................................................................................................... 8

2.1 ESTRUCTURA....................................................................................................... 8

2.2 CONMUTACION .................................................................................................. 8

2.3 CARACTERISTICAS ............................................................................................... 9

2.4 CONCLUSIONES................................................................................................... 10

BIBLIOGRAFIA ................................................................................................................. 11
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INTRODUCCION

De muchos dispositivos controlados por semiconductores, el MCT se considera

el más reciente. El dispositivo es básicamente un tiristor con dos MOSFET

integrados en la estructura de la puerta. Un MOSFET se usa para encender el

MCT y otro se usa para APAGARLO. El dispositivo se usa principalmente para

aplicaciones de conmutación y tiene otras características como alta frecuencia,

alta potencia y baja caída de conducción. Un MCT combina la característica del

tiristor de cuatro capas convencional que tiene acción regenerativa y la

estructura MOS-gate. En este dispositivo, todas las señales de puerta se

aplican con respecto al ánodo, que se mantiene como referencia.

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1-TIRISTOR MCT

Tiristor controlado por MOS (MCT). El MCT es otro dispositivo semiconductor

de potencia híbrido que combina las características o atributos del MOSFET y
el tiristor.

1.1-ESTRUCTURA

La estructura básica de una celda MCT se muestra en la figura a continuación.

Estructura de tiristores controlados MOS (MCT)

En la práctica, un MCT incluirá miles de estas células básicas conectadas en

paralelo, al igual que un PMOSFET. Esto ayuda a obtener una alta capacidad
de carga de corriente para el dispositivo.

El circuito equivalente del MCT se muestra en la figura a continuación.

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Circuito equivalente de tiristores controlados MOS (MCT)

Consiste en un ON-FET, un OFF-FET y dos transistores. La estructura MOS

del MCT se representa en el circuito equivalente. Consiste en un ON-FET, un
MOSFET de canal p y un OFF-FET. Ambos transistores npn y pnp se unen
para representar la estructura npnp de MCT.

Un MOSFET de canal n se representa dibujando la flecha hacia el terminal de

puerta. Un MOSFET de canal p se indica al sacar la flecha del terminal de
puerta. Los dos transistores en el circuito equivalente indican que hay
retroalimentación regenerativa en el MCT así como es un tiristor ordinario. El
símbolo del circuito de MCT se muestra a continuación.
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Símbolo de circuito de tiristor controlado por MOS (MCT)

1.2-CONMUTACION

ENCENDIDO

Cuando un MCT de canal p está en el estado de bloqueo en sentido directo se

puede encender aplicando a su compuerta un pulso negativo con respecto al
ánodo. Cuando un MCT de canal n está en el estado de bloqueo en sentido
directo, se puede encender aplicando a su compuerta un pulso positivo con
respecto al cátodo. Un MCT permanece en estado encendido hasta que se
invierten las corrientes por el o se aplica un pulso de apagado a su compuerta.

APAGADO

Cuando un MCT de canal p está en estado de encendido, se puede apagar

aplicando a su compuerta un pulso positivo con respecto al ánodo. Cuando un
MCT de canal n está en estado de encendido, se puede apagar aplicando a su
compuerta un pulso negativo con respecto al cátodo.

El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta, si su

corriente es menor que la corriente controlable pico. Si se trata de apagar el
MCT con corrientes mayores que su corriente especificada, se debe conmutar
el MCT para apagarlo como un SCR normal.
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Los anchos de pulso de compuerta no son críticos con menores corrientes en

el dispositivo. Para corrientes mayores, el ancho de pulso de apagado debe ser
mayor. Además la compuerta toma un pico de corriente durante el apagado. En
muchas aplicaciones que incluyen a inversores y convertidores se requiere un
pulso continuo en la compuerta, durante todo el periodo de encendido o de
apagado, para evitar la ambigüedad en el estado.

1.3- CARACTERISTICAS

Un MCT tiene las siguientes características:

 Una baja caída de voltaje en sentido directo durante la conducción

 Un corto tiempo de encendido, normalmente de 0,4 µs, y un corto tiempo
de apagado típicamente de 1,25 µs si el MTC es de 500 V, 300 A
 Bajas perdidas por conmutación
 Baja capacidad de voltaje de bloqueo inverso
 Alta impedancia de entrada a la compuerta, lo cual simplifica mucho los
circuitos de encendido.
 Puede funcionar bien en paralelo para conmutar grandes corrientes, con
pocas desviaciones de las especificaciones por dispositivo.
 No puede encenderse con facilidad desde un transformador de pulsos, si
se requiere una polarización continua para evitar ambigüedades de
estado.
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1.4- CONCLUSIONES

 La estructura del MOS se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo

que da como resultado el encendido y el apagado rápidos, con pocas
perdidas por conmutación.
 La potencia o la energía requeridas para el encendido o apagado es
muy pequeña, y el tiempo de retardo debido al almacenamiento de la
carga también es muy pequeño.
 Como dispositivo tiristor de retención, tiene baja caída de voltaje en
estado de encendido.
 Por consiguiente, el MCT tiene potencial de ser el tiristor casi definitivo
de apagado con pocas perdidas en estado de encendido y de
conmutación, y tiene una gran velocidad de conmutación para
aplicaciones en convertidores de alta potencia.
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2.-TIRISTOR DE INDUCCIÓN ESTÁTICA (SITH)

DEFINICION: Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de activarse con un

voltaje positivo de compuerta y una de sus principales característica es su baja
resistencia en estado activo.

2.1.-ESTRUCTURA

2.2.-CONMUTACION

Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de

dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6m s. La
especificación de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente está
limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de
fabricación, por lo que pequeñas variaciones en el proceso de manufactura
pueden producir cambios de importancia en su característica.
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2.3.-CARACTERÍSTICAS:

Un SITH es activado al aplicársele un voltaje positivo de compuerta, como los

tiristores normales, y desactivado al aplicársele un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo así como una
baja caída de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y
corriente más altas.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta, como los

tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta.
Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el
SITH tiene una baja resistencia en estado activo así como una baja caída de
potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más
altas.
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2.4.-CONCLUSIONES:

 Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos

semiconductores de potencia.
 Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia.
 Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor.
 Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticos
exhiben ciertas características y limitaciones.
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BIBLIOGRAFIA

 Benavent, José Manuel; Abellán García, Antonio; Figueres Amorós,

Emilio (1999). Electrónica de potencia, teoría y aplicaciones.
Valencia; México: Editorial de la Universidad Politécnica de Valencia;
Alfa omega.

 Rashid, Muhammad H. (2009). Electrónica de potencia: Circuitos,

dispositivos y aplicaciones (3ª edición). Pearson Educación
 http://www.circuitstoday.com/mos-controlled-thyristor-mct
 https://www.ecured.cu/Tiristor_de_inducci%C3%B3n_est%C3%A1tic
a
 http://www.geocities.ws/germancruise/
 http://tiristorescc.blogspot.com/2015/07/tiristores-de-induccion-
estatica-sith.html
 https://sites.google.com/site/tiristorescircuitos/