El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una unión pn polarizada en

inversa para controlar corriente en un canal. Según su estructura, los JFET caen dentro de cualquiera de dos
categorías, de canal n o de canal p.

Voltaje de estrangulamiento
Con VGS _ 0, el valor de VDS al cual ID se vuelve esencialmente constante [el punto B sobre la curva mostrada
en la figura 8-5(b)] es el voltaje de estrangulamiento, Vp. Para un JFET dado, Vp tiene un valor fijo. Como se
puede ver, un incremento continuo de VDS por encima del voltaje de estrangulamiento produce una corriente
casi constante en el drenaje. Este valor de la corriente en el drenaje es IDSS (Drain to Source with gate Shorted,
Drenaje a fuente con la compuerta en cortocircuito) y siempre viene especificada en las hojas de datos de los
JFET. IDSS es la corriente máxima en el drenaje que un JFET específico es capaz de producir sin importar el
circuito externo y siempre se especifica en la condición, VGS _ 0 V.
Ruptura
Como se muestra en la gráfica de la figura 8-5(b), la ruptura ocurre en el punto C cuando ID comienza a
incrementarse muy rápido con cualquier incremento adicional de VDS. La ruptura puede dañar irreversiblemente
el dispositivo, así que los JFET siempre se operan por debajo de la ruptura y dentro de la región activa, (corriente
constante), (entre los puntos B y C en la gráfica). La acción de JFET que produce la curva característica de
drenaje hasta el punto de rupturacon VGS _ 0 V

Voltaje de corte
El valor de VGS que hace que ID sea aproximadamente cero es el voltaje de corte. VGS(corte), como muestra
la figura 8-8(d). El JFET debe operar entre VGS _ 0 V y VGS(corte). Con este intervalo de voltajes de compuerta
a fuente, ID varía desde un máximo de IDSS hasta un mínimo de casi cero.Como se ha visto, para un JFET de
canal n, mientras más negativo es VGS, más pequeña llega a ser ID en la región activa. Cuando VGS tiene un
valor negativo suficientemente grande, ID se reduce a cero. El estrechamiento de la región de empobrecimiento
provoca este efecto de corte hasta un punto donde el canal se cierra por completo, como muestra la figura 8-9.
Característica de transferencia universal de un JFET
Se aprendió que un intervalo de valores de VGS desde cero hasta VGS (corte) controla la cantidad de corriente
en el drenaje. Para un JFET de canal n, VGS (corte) es negativo y para uno de canal p, VGS(corte) es positivo.
La figura 8-12 es una curva de característica de transferencia que ilustra gráficamente la relación entre VGS e
ID. Esta curva también se conoce como curva de transconductancia.
Transconductancia en directa de un JFET
La transconductancia en directa (conductancia de transferencia), gm, es el cambio de la corriente en el drenaje
(¢ID) correspondiente a un cambio dado del voltaje entre compuerta y fuente (¢VGS) con el voltaje entre drenaje
y fuente constante. Se expresa como un cociente y su unidades el siemens (S).

Debido a que la curva de

transferencia de un JFET no es
lineal, gm cambia de valor de
acuerdo con la ubicación en la
curva determinada por VGS. El
valor de gm es más grande cerca
del extremo superior de la curva
(cerca de VGS_0) que cerca del
extremo inferior (casi
VGS(corte)), como ilustra la
figura
Autopolarización
La autopolarización es el tipo de
polarización de JFET más
común. Recuerde que un JFET
debe ser operado de tal forma que la unión compuerta-fuente siempre esté polarizada en inversa. Esta condición
requiere un VGS negativo para un JFET de canal n y un VGS positivo para un JFET de canal p. Esto se puede
lograr con la configuración de autopolarización mostrada en la figura 8-16. El resistor, RG, en serie con la
compuerta, no afecta la polarización porque en esencia no hay caída de voltaje a través de él, y por consiguiente,
la compuerta permanece a 0 V. RG se requiere sólo para hacer que la compuerta esté a 0 V y aislar una señal
de ca de la tierra en aplicación de amplificador,como más adelante se verá.
MOSFET
Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el transistor MOSFET
fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un electrodo
metálico de puerta sobre el aislante. Se utilizó silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dióxido
de silicio creada a través de oxidación térmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de
electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por este motivo se veía libre
de la dispersión y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeño de los transistores de efecto de campo
anteriores.
Después del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminación, y del desarrollo de
la fotolitografía así como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos pasos, el sistema Si-
SiO2 (silicio-dióxido de silicio) obtuvo gran importancia debido a su bajo costo de producción por cada circuito,
y la facilidad de integración. Adicionalmente, el método de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N
y canal P) en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implicó que los circuitos digitales
disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos tres factores, los
transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo utilizado más ampliamente en la construcción
de circuitos integrados.
Símbolos de transistores MOSFET
Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El diseño básico consiste en
una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del
dibujo de forma paralela al canal, para indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una línea
segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del
MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es dibujada en forma paralela al canal para destacar la puerta.
La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una flecha
que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la dirección P hacia N, de forma que
un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal).
Si el sustrato está conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se
conecta con una línea en el dibujo entre el sustrato y la fuente. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como
generalmente ocurre en el caso de los diseños de circuitos integrados, debido a que se utiliza un sustrato
común) se utiliza un símbolo de inversión para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede
utilizar una flecha en la fuente de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia
afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
En la tabla que seguidamente se muestra se tiene una comparación entre los símbolos de los MOSFET de
enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los símbolos para los JFET dibujados con la fuente y el
drenaje ordenados de modo que las tensiones más elevadas aparecen en la parte superior del símbolo y la
corriente fluye hacia abajo.
MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET)
El E-MOSFET opera sólo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de empobrecimiento. Difiere en cuanto
a construcción del D-MOSFET, el cual se abordará a continuación, en que no tiene ningún canal estructural.
Observe en la figura 8-34(a) que el sustrato se extiende por completo hasta la capa de SiO2. Para un dispositivo
de canal n, un voltaje positivo en la compuerta por encima de un valor de umbral induce un canal al crear una
delgada capa de cargas negativas en la región del sustrato adyacente a la capa de SiO2, como muestra la figura
8-34(b). La conductividad del canal se incrementa al incrementarse el voltaje de compuerta a fuente y, por lo
tanto, atrae más electrones hacia el área del canal. Con cualquier voltaje en la compuerta por debajo del valor
de umbral, no existe ningún canal.

MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)

Otro tipo de MOSFET es el MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET); la figura 8-36 ilustra su estructura
básica. El drenaje y la fuente se difunden en el material del sustrato y luego se conectan mediante un canal
angosto adyacente a la compuerta aislada. En la figura se muestran tanto dispositivos de canal n como de canal
p. Se utilizará el dispositivo de canal n para describir la operación básica.
La operación de canal p es la misma, excepto porque las polaridades del voltajese oponen a las del canal n.
El D-MOSFET puede ser operado en cualquiera de dos modos: el modo de empobrecimiento o el modo
enriquecimiento, por ello también se conoce como MOSFET de empobrecimiento/enriquecimiento. Como la
compuerta está aislada del canal, se puede aplicar en ella un voltaje positivo o un voltaje negativo. El MOSFET
de canal n opera en el modo de empobrecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente,
y en modo de enriquecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente. Estos dispositivos
en general se operan en el modo de empobrecimiento.
Modo de empobrecimiento Imagínese la compuerta como la placa de un capacitor de placas paralelas y el
canal como la otra placa. La capa aislante de bióxido de silicio es el dieléctrico. Con un voltaje negativo en la
compuerta, las cargas negativas en ésta repelen los electrones de conducción provenientes del canal y dejan a
los iones positivos en su lugar. Por esto, el canal n se queda sin algunos de sus electrones, por lo que disminuye
la conductividad del canal. Mientras más grande es el voltaje negativo en la compuerta, más grande es el
empobrecimiento de electrones en el canal n. Con una voltaje de compuerta a fuente suficientemente negativo,
VGS(corte), el canal se empobrece totalmente y la corriente en el drenaje es cero. El modo de empobrecimiento
se ilustra en la figura 8-37(a). Al igual que el JFET de canal n, el D-MOSFET de canal n conduce corriente en
el drenaje con voltajes de compuerta a fuente entre VGS(corte) y cero. Además, el D-MOSFET conduce con
valores de VGS por encima de cero
Característica de transferencia del E-MOSFET
El E-MOSFET utiliza sólo enriquecimiento del canal. Por consiguiente, un dispositivo de canal n requiere un
voltaje positivo de compuerta a fuente y un dispositivo de canal p requiere un voltaje negativo de compuerta a
fuente. La figura 8-44 muestra las curvas de característica de transferencia general para ambos tipos de E-
MOSFET Como se puede ver, no hay corriente en el drenaje cuando VGS _ 0. Por consiguiente, el E-MOSFET
no tiene un parámetro IDSS significativo, como el JFET y el D-MOSFET. Observe también que idealmente no
hay corriente en el drenaje hasta que VGS alcanza un cierto valor no cero llamado voltaje de umbral,
VGS(umbral).

Característica de transferencia de un D-MOSFET

Como previamente se vio, el D-MOSFET puede operar con voltajes positivos o negativos en la compuerta. Esto
se indica en las curvas de característica de transferencia generales mostradas en la figura 8-45 tanto para
MOSFET de canal n como de canal p. El punto en las curvas donde VGS _ 0 corresponde a IDSS. El punto
donde ID _ 0 corresponde a VGS(apagado). Como con el JFET, VGS(apagado)__Vp.