FACULTAD DE INGENIERIA

ESCUELA DE INGENIERIA INDUSTRIAL

CURSO: ELECTRONICA Y ELECTRICIDAD

DIODOS, TRANSISTORES: ANALISIS EN DC

AUTOR: DR. CARLOS E. ARELLANO RAMIREZ

PIURA 2016
 Escuela de Ingeniería Industrial
Curso: Electrónica y Electricidad

DIODOS Y SUS APLICACIONES

Un Diodo es un dispositivo semiconductor (conduce o no conduce dada una

condición) conformado por la unión de dos materiales (tipo P y tipo N) que
básicamente pueden ser Silicio Si, Germanio Ge o Arseniuro de Galio AsGe,
conformando asi una juntura P-N como se observa en la figura 4).

DR. Carlos Enrique Arellano Ramírez

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Presenta dos terminales: Ánodo y Cátodo y podemos llamar VA: tensión de ánodo y
VC: tensión de cátodo, de tal forma que VD = VA - VC

TIPOS Y APLICACIONES

 Diodo común por ejemplo la serie 1N4001- hasta 1N4009 este diodo es muy
usado como dispositivo de protección y en procesos de rectificación de señal.

 Diodo LED Diodo emisor de Luz, este diodo se usa como indicador, por
ejemplo para darnos cuenta que el disco duro de nuestra PC está en
funcionamiento podemos visualizar una luz de color rojo o amarillo titilando en
nuestro gabinete, otro ejemplo tenemos en los indicadores en Lavadoras,
hornos microondas, etc. Estos Diodos viene en varios colores y tamaños.

 Dodo Zener, este dispositivo es usado en procesos de Regulación de tensión y

tiene un papel importante en el diseño de fuentes de alimentación.

 Existen otros tipos de diodos como son el diodo Schottky, diodo Varactor, diodo
de alta velocidad, diodo infrarrojo, diodo laser etc.

DR. Carlos Enrique Arellano Ramírez

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FUNCIONAMIENTO

 Un diodo común conduce corriente si la tensión entre ánodo y cátodo es

aproximadamente 0.7 V (VD = 0.7V), de lo contrario si se lo conecta al revés
ósea en inversa no conduce corriente y ID = 0 A.

 Un diodo LED tiene el mismo funcionamiento que el diodo común, con la

diferencia que su tensión de conducción esta entré 1.8 y 2.1V (1.8 V< VD < 2.1
V). Si se conecta en directa el diodo LED conduce y emite luz, si se conecta en
inversa no conduce y por lo tanto no emite luz.

 Un diodo Zener tiene la particularidad de conducir en ambos sentidos, si se

conecte en directa (VA > VC) opera como un diodo común con VD = 0.7V, si se
conecta en inversa (VA < VC) opera como diodo Zener con una VD = VZ que es
la tensión de fabricación. Los fabricantes ofrecen diodos Zener de una amplia
variedad de voltajes.

 Los diodos operan en corriente continua y en corriente alterna

EJERCICIO N1:

1. Explicar las diferencias conceptuales

entre un diodo común y un diodo Zener.
(1pts)

2. En el siguiente circuito calcular las

potencias consumidas por los diodos y
las resistencias en el circuito. Los
diodos son de VD = 0.7 V y de 0.5 W(4ptos)

Solución
1. La diferencia conceptual es que el diodo común conduce en un solo sentido sin
embargo el diodo Zener tiene la particularidad de conducir en ambos sentidos.

2. Primeramente asignamos el voltaje de nodo y las referencias de corriente

según el siguiente circuito :

Entonces I1 = I2 + I3 , 12 V = VD1 + VA , VA = 12 V - 0.7 V = 11.3 V.

11.3 V
I2 = = 11.53 mA
980Ω

VA = V470Ω + 0.7 V = 11.3 V, entonces V470Ω = 11.3 V- 0.7 V = 10.6 V

10.6 V
I3 = = 22.55 mA
470Ω

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I1 = I2 + I3 = 11.53 mA + 22.55 mA = 34.08 mA

PD1 = VD1* I1 = 0.7 V * 34.08 mA = 23.85 mW.

PD2 = VD2* I3 = 0.7 V * 22.55 mA = 15.78 mW.

P980Ω = (I2 )2 ∗ 980Ω = (11.53 mA)2 ∗ 980Ω = 130.28 mW.

P470Ω = (I3 )2 ∗ 470Ω = (22.55 mA)2 ∗ 470Ω = 238.99 mW.

EJERCICIO Nº 2: (Ejercicio de diseño)

Se pretende diseñar el circuito de interface para poder conectar una radio de

4.5 Voltios de CC cuyo consumo máximo es 0.25 W a una Batería de 12 Voltios
exactos y de potencia 60 W. Diseñe el circuito de interface entre la batería y la
radio de tal forma de poder conectar la radio y funcione correctamente.

Solución

El circuito propuesto es el siguiente

Como todo circuito eléctrico se plantean
las leyes de Kirchoff de tensión y de
corriente:

12 V = VR + VRADIO

IR = IZ + IRADIO

Como se desea alimentar a una radio de

4.5 V se propone un diodo Zener de 4.5v
ya que este elemento tiene la cualidad de
regular y mantener ese voltaje que en este caso necesita la radio.

Ahora la radio tiene un consumo de corriente que está entre 0 A (con la radio
apagada) hasta la corriente máxima de la radio IMAX-RADIO (radio a todo
volumen).

IR = IZ + IRADIO = 10mA +55.55mA = 65.55 mA

IMAX-RADIO = 0.25 W/ 4.5 V= 55.55 mA

Se propone por el Zener una corriente de 10 mA ya que es una corriente

suficiente para que el Zener este regulando y operando en forma optima,
podría ser mayor pero no es necesario, recordemos que mientras más
consumo mayor gasto habrá para la batería.

La tensión de la radio es VRADIO = 4.5V, entonces VR = 12V - VRADIO = 12V - 4.5

V= 7.5 V

VR = IR* R, R = 7.5V/65.55mA = 114.41 Ω, este es valor de resistencia que

deberíamos ubicar en R, pero no es un valor comercial. Podemos proponer en
defecto 110Ω y en exceso 120Ω, se recomienda elegir siempre en defecto
pero la más cercana, así que se adopta una resistencia R = 110Ω.

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Recalculando la corriente tenemos. IR= 7.5V/110Ω = 68.18mA y esta la

verdadera corriente por la resistencia, sin considerar variaciones de la
batería.

Calculo de consumo de potencia de R en el circuito

P110Ω = (IR )2 ∗ 110Ω = (68.18 mA)2 ∗ 110Ω = 511.36 mW. Este es el

consumo de R en el circuito, debemos adoptar una R de mayor potencia para
que pueda trabajar aliviada en cuanto a consumo de potencia, entonces por lo
menos de 1watt.

Calculo de consumo de potencia del Zener en el circuito

La peor situación para el Diodo Zener es cuando se apaga la radio ya que toda
la corriente de IR se deriva por el Zener, entonces:

PZ = VZ* IR = 4.5 V * 68.18 mA = 306.81mW, entonces se propone un Zener de

1 watt.

DISEÑO FINAL
RESISTENCIA DIODO ZENER
110Ω 4.5 V
1 Watt 1Watt

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TRANSISTORES Y SUS APLICACIONES

Existen dos clases de transistores:

 Los transistores Bijuntura, Bipolares o BJT

 Los transistores de efecto de campo FET

En el presente capitulo trataremos sobre los transistores BJT, quedando para el lector
el estudio de los transistores FET.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos

capas de materia tipo –n y una de material tipo –p o dos capas de material tipo –p y
una de material tipo –n. El primero se denomina un transistor NPN y el segundo PNP.
Ambos se muestran en la Figura 7 con polarización DC adecuada. Las capas
exteriores del transistor están fuertemente dopadas por materiales semiconductores
que tienen anchos mucho mayores que aquellos de los emparedados de material tipo
–p o tipo –n. Para los transistores mostrados en la Figura 7 la razón del ancho total al
de la capa del centro es 0,150/0,001= 150:1. El doping de la capa de emparedado es
también considerablemente menor que la de las capas exteriores (típicamente 10: 1 o
menor). Este nivel menor de doping disminuye la conductividad (aumenta la
resistencia) de este material limitando el número de portadores “libres”.

Para la polarización que se muestra en la Figura 7 los terminales han sido indicados
por letras mayúsculas E para el emisor, C para colector, y B para la base.

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APLICACIONES DEL TRANSISTOR

Es amplia y variada las aplicaciones del transistor, pero entre las mas
principales tenemos:
 Como amplificador de señal.
 En circuitos de Conmutación y electrónica digital
 En el diseño de amplificadores de potencia.
 En el diseño de fuentes de alimentación.
 En proyectos de automatizacion y control

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

De la figura 9 podemos plantear las leyes de Kirchoff: IB + IC = IE y VCE = VCB + VBE

Analizaremos las zonas de funcionamiento del transistor NPN, el cual tiene tres
zonas de funcionamiento: zona de corte, zona activa o de amplificación y zona de
saturación.

 Zona de corte: Un transistir se considera cortado (no conduce) si la VBE es

menor que 0.7V en ese caso todas las corrientes del transistor son cero. Una
aplicacion del transisitor en zona de corte es en circuitos de conmutacion.

 Zona Activa o de Amplificación: Un transistor se encuentra en zona activa si la

tension VBE = 0.7 v y VCB > 0, osea es positiva o mejor dicho VC > VB, si sucede
esto entonces la corriente del colector es amplificada por un parametro HFE del
transistor que es un dato que el fabricante ofrece y da la cualidad de
amplificador del transistor

IC = HFE * IB

 Zona de Saturación: Un transistor se le considera saturado si la tension VBE =

0.7 v y VCB < 0, osea es negativa o mejor dicho VC < VB, si sucede esto
entonces la tensión entre colector y emisor se reduce a un valor muy pequeño
aproximadamente VCE = 0.2 V

Ejercicio

Del siguiente circuito en base a transistores bipolares:

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Si la señal de entrada es i
v (t )  5v
DC, y contamos
con un transistor BC547 de hFE =120 y de 1 watt, RC =
680Ω, RB = 56 KΩ, VBE = 0.7 V. Encontrar:

a) La corriente de Base.
b) Determina la zona de operación del transistor.
(compruébelo)
c) Determine punto de operación del transistor Q.
d) Consumo de potencia del transistor en el circuito
e) Analizar que sucede si RC = 3.3 KΩ

Solución
a) Planteamos las leyes de Kirchoff de tensión en las
dos mallas:

5V = IB * RB + VBE = IB * 56 KΩ + 0.7 V, entonces:

IB = 4.3 V/56 KΩ = 76.79 µA

b) Suponemos al transistor en zona activa, si los

resultados son incongruentes esta en zona de
saturación, debemos comprobar la zona de
operación de tal manera que lo que suponemos es
válido. Entonces:

IC = IB * HFE = 76.79 µA * 120 = 9.21 mA, ahora calculemos la VCE y

comprobemos la zona de operación 12V = IC * RC + VCE

VCE = 12V - 9.21 mA * 680Ω = 5.73 V resultado congruente, ahora

comprobemos que VCB > 0 es positiva o mejor dicho VC > VB, VCE = VC -
VE =VC - 0V = 5.73 V VC = 5.73 V

VBE = VB - VE = VB - 0V = 0.7 V VBE VB = 0.7V, con lo cual

comprobamos que VC > VB por lo tanto el transistor se encuentra en
zona activa.

c) El punto de operación del transistor (Q) consiste en determinar la IC y la

VCE que son los valores en la cual esta operando el transistor
Q (IC ; VCE) = ( 9.21 mA ; 5.73V )

d) Calculamos el consumo de potencia del transistor en el circuito

PTR = VBE * IB + VCE * IC = 0.7V * 76.79 µA + 5.73 V * 9.21 mA = 52.83

mW, observemos que consume mucho menos que 1 watt (poder de
disipación maximo segun fabricante), con lo cual el transistor esta
operando bastante aliviado en cuanto a disipación, si fuera al contrario
el transistor se quemaría

e) Analizamos ahora que sucede si RC = 3.3 KΩ

Calculamos la IC = IB * HFE = 76.79 µA * 120 = 9.21 mA, que es la misma
ya que la corriente de base IB no cambia, ahora calculemos la VCE y
comprobemos la zona de operación 12V = IC * RC + VCE VCE = 12V -
9.21 mA * 3.3 KΩ = -18.39V

DR. Carlos Enrique Arellano Ramírez

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Resultado incongruente, entonces el transistor debe saturarse y VCE =

0.2 V ahora comprobemos que VCB < 0 es negativa o mejor dicho VC <
VB, VCE = VC - VE =VC - 0V = 0.2 V VC = 0.2 V, VBE = VB - VE = VB -
0V = 0.7 V, VB = 0.7V, con lo cual comprobamos que VC < VB por lo
tanto el transistor se encuentra en zona de saturación.

DR. Carlos Enrique Arellano Ramírez