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ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I
Setembro de 2009
Índice
2
1.6 Exercícios ___________________________________________________ 96
1 Retificadores Controlados Trifásicos __________________________________ 98
1.1 A. Retificador trifásico em ponte controlado ________________________ 98
1.2 Retificador trifásico em ponte controlado com diodo de retorno ________ 104
1.3 C. Retificador trifásico de meia onda _____________________________ 106
1.4 Retificador trifásico de meia onda com diodo de retorno _____________ 108
1.5 Retificador trifásico em ponte semi-controlado _____________________ 110
3
Fundamentos dos Dispositivos Semicondutores
(a) (b)
Figura 1 - Diagrama de um dispositivo retificador.
4
metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (elétrons) é da ordem
de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o óxido de alumínio,
o valor é da ordem de 103/cm3. Os chamados semicondutores, como o silício, têm
densidades intermediárias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes,
tais densidades são propriedades dos materiais, enquanto nos semicondutores estas
podem ser variadas, seja pela adição de “impurezas” de outros materiais, seja pela
aplicação de campos elétricos, irradiação, etc.
O material ativo a partir do qual a maioria dos dispositivos retificadores de
potência são construídos é o silício. O Silício é um elemento do Grupo IV da Tabela
Periódica e, portanto, possui quatro (4) elétrons na última órbita da estrutura atômica.
Átomos de matérias com quatro elétrons em sua camada mais externa ou ainda
moléculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligações muito
estáveis, uma vez que o compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos vizinhos
(ligação covalente), produz um arranjo com 8 elétrons na camada de valência.
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 °C ou 0 K), algumas
destas ligações covalentes são rompidas (ionização térmica), produzindo elétrons livres.
O átomo que perde tal elétron se torna positivo. Eventualmente um outro elétron
também escapa de outra ligação e, atraído pela carga positiva do átomo, preenche a
ligação covalente. Desta maneira tem-se uma movimentação relativa da “carga
positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devido ao deslocamento dos elétrons
que saem de suas ligações covalentes e vão ocupar outras. Esta ionização térmica, numa
estrutura pura de silício (em equilíbrio), gera o mesmo número de elétrons e lacunas.
Esta estrutura pura é dita silício intrínseco e os elétrons são considerados como
portadores de carga. Tanto lacunas quanto elétrons contribuem para condução, embora
as lacunas apresentem menor mobilidade devido à ligação covalente.
Pares de elétrons-lacunas estão continuamente sendo gerados pela ionização
térmica e, para manter o equilíbrio mencionado, os pares gerados anteriormente se
desfazem e tornam a se recombinar. A concentração de portadores se mantém igual e é
fortemente dependente da temperatura. Para se obter um dispositivo retificador
semicondutor é necessário aumentar-se muito o número de elétrons e lacunas livres. Isto
pode ser obtido através da dopagem do silício. O silício dopado é chamado de
extrínseco e a medida que a concentração do elemento dopante aumenta, a
condutividade do material resultante também aumenta.
A. Semicondutores Dopados
5
Se ao Silício for acrescido (combinado) um elemento do Grupo V (como o
fósforo) haverá um elétron livre na estrutura do cristal, visto que os elementos do Grupo
V possuem cinco elétrons na última órbita de sua estrutura atômica. Este elétron livre
possibilita um grande aumento na condução do material. Como o elétron é uma carga
negativa, o material resultante é conhecido como semicondutor do tipo N. Então um
elemento do Grupo V é chamado de doador, pois este doa um elétron para aumentar a
condutividade.
Por outro lado, se o Silício for combinado com um elemento do Grupo III (como o
alumínio ou o boro) com três (3) elétrons na última órbita, surge uma lacuna na
estrutura cristalina. Esta lacuna pode receber um elétron livre e, por esta razão, é
considerada uma carga positiva. O material resultante da junção do Silício com um
elemento do Grupo III é conhecido como semicondutor tipo P. Então o elemento do
Grupo III é chamado de receptor pois é ionizado por uma carga negativa.
Em ambos os casos não se têm mais o equilíbrio entre elétrons e lacunas,
passando a existir um número maior de elétrons livres nos materiais dopados com
elementos da quinta coluna da tabela periódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com
elementos da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados materiais
semicondutores tipo N e tipo P.
Observa-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez
que a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.
Os elétrons em silício extrínseco do tipo N e as lacunas em silício extrínseco do
tipo P são chamados de portadores majoritários, enquanto que as lacunas no silício
extrínseco do tipo N e os elétrons no silício extrínseco do tipo P são chamados de
portadores minoritários.
Em outras palavras, quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron
livre, tem-se a movimentação da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas são os
portadores majoritários, sendo os elétrons os portadores minoritários. Já no material tipo
N, a movimentação do elétron excedente deixa o átomo ionizado, o que o faz capturar
outro elétron livre. Neste caso os portadores majoritários são os elétrons, enquanto os
minoritários são as lacunas.
B. Junção pn
A junção pn é o local do semicondutor onde as impurezas que são utilizadas para
dopar o silício (dopantes) mudam de p para n. Pode-se dizer que o diodo bipolar é
6
gerado na junção pn, que é a base de qualquer dispositivo semicondutor, onde NC/CC é
o perfil de concentração de impurezas.
Existem vários processos que podem ser utilizados para formar uma junção pn,
dentre os quais podem ser citar difusão, implantação iônica, etc.
A Figura 2(a) mostra a concentração de dopantes de acordo com o corte
transversal da junção pn mostrado na Figura 2(b).
(a) (b)
Figura 2 - Diagrama da junção pn. (a) Gráfico da concentração de dopantes na junção; (b) Corte
transversal da junção.
A Figura 3 mostra quatro instantes de uma junção pn. A Figura 3(a) mostra os
dois silícios tipo N e tipo P. A Figura 3(b) mostra a formação da camada de depleção e
o fluxo dos doadores ionizados ( ⊕ ) e dos receptores ionizados ( ). A Figura 3(c)
mostra que o fluxo de doadores e receptores é chamado de corrente de difusão e possui
o sentido do silício tipo N para o silício tipo P. A Figura 3(d) mostra que o fluxo de
doadores forma uma barreira de potencial onde carga positiva formada pelos doadores
ionizados se concentra numa região próxima a junção no material tipo P, enquanto que
carga negativa formada pelos receptores ionizados se concentra numa região próxima a
junção no material tipo N. Estas cargas fazem com que haja um fluxo de lacunas e
elétrons exatamente oposto ao fluxo da corrente de difusão. Esta corrente é chamada de
corrente de fuga. Estes dois fenômenos ocorrem simultaneamente e entram em
equilíbrio.
O diodo da Figura 4(a) é formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P em um
único cristal. Os elétrons livres do material tipo N e as lacunas livres do material tipo P
se combinam numa região denominada de junção que se localiza na fronteira entre os
dois materiais. Uma barreira de potencial é criada ao longo da junção com um valor que
varia de 0,4 a 0,6 V. A região formada ao longo da barreira de potencial é denominada
de camada de depleção.
7
Quando a região p (Anodo) é colocada num potencial maior do que o potencial
que se encontra a região n (Catodo), a barreira de potencial ao longo da junção se
estreita e a corrente do circuito flui livremente através desta, como mostrado na Figura
4(b). Por outro lado, se a região n (Catodo) é colocada num potencial maior do que o
potencial que se encontra a região p (Anodo), a barreira de potencial ao longo da junção
se amplia. Isto ocorre porque os elétrons da região n são atraídos para o potencial
positivo externo, enquanto que as lacunas da região p são atraídas para o potencial
negativo externo. Neste caso a única corrente que flui é uma pequena corrente de fuga.
(a) (b)
(c) (d)
Figura 3 - Junção pn. (a) Junção pn com portadores não difusos: ⊕ doadores ionizados,
receptores ionizados, + lacunas e - elétrons; (b) Junção pn com portadores difusos (sentido da
corrente de difusão); (c) Junção pn e camada de depleção (barreira de potencial) e sentido da
corrente.
Onde os elétrons são representas pelo símbolo (-), as lacunas pelo símbolo (+), os
doadores ionizados por ( ⊕ ) e os receptores ionizados por ( ). Algumas referências
definem uma região com grande concentração de doadores ionizados como n+,
analogamente uma região com grande concentração de receptores ionizados é definida
como p -. Ao contrário, uma região com muitos elétrons e poucos doadores ionizados é
–
definida como n e uma região com muitas lacunas e poucos receptores ionizados é
definida como p+.
8
(a)
(b) (c)
Figura 4 - Junção pn. (a) Barreira de potencial e distribuição de cargas; (b) Junção pn diretamente
polarizada; (c) Junção pn inversamente polarizada.
9
estes portadores em excesso ser removida, o tempo de decaimento associado a este
proceso é também definido como tempo de vida dos portadores minoritários, τe. O
tempo de vida dos portadores minoritários é frequentemente chamado de tempo de vida
de recombinação.
10
Em resumo a curva característica do diodo pode ser separada em três regiões, a
região de polarização direta (vk > 0); a região de polarização reversa (vk < 0); e a região
de ruptura (vk < -vZK).
(a) (b)
11
d
I rr = ta iD (1.1)
dt
Outro parâmetro importante é a carga de recuperação reversa, Qrr. A carga de
recuperação reversa representa a quantidade de portadores de cargas que fluem através
do diodo no sentido reverso devido à mudança na condição de condução direta para
bloqueio do dispositivo. Seu valor pode ser estimado pela área abrangida pela corrente
de recuperação reversa em função do tempo. Assim,
1 1
Qrr ≈ I rr ta + I rr tb (1.2)
2 2
Como, por definição trr = ta + tb , tem-se que
1
Qrr ≈ I rr trr (1.3)
2
(a) (b)
(c)
12
2Qrr
I rr = (1.4)
trr
Ou ainda,
d 2Q
I rr = ta iD = rr (1.5)
dt trr
Para o caso em que tb >> ta (recuperação abrupta), pode-se fazer trr ≈ ta e portanto,
2Qrr
trr = (1.6)
d
iD
dt
Ou ainda,
d
I rr = 2Qrr iD (1.7)
dt
13
diodo genérico, e esta é proporcional a tensão de ruptura do dispositivo, os diodos
Schottky encontram-se disponíveis para tensões limitadas a aproximadamente 100V.
14
(a) (b)
Figura 8 – Associação de diodos em série. (a) Circuito; (b) Curvas características.
15
(a) (b)
Figura 9 – Associação de diodos em série com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas
características.
16
1.6 Associação paralela de diodos
Em muitas aplicações de altas potências os diodos são conectados em paralelo
para aumentar a capacidade de condução de corrente (ver Figura 10). Uma vez que a
tensão sobre os diodos é a mesma, a divisão uniforme de corrente nos diodos esta
associada às quedas de tensão em cada diodo. Portanto, as imperfeições e às tolerâncias
adotadas durante o processo de fabricação farão com que os diodos possuam curvas
características diferentes e, deste modo, quedas de tensão distintas. Assim, na
associação em paralelo sempre existirá uma diferença de corrente. Isto significa que
dois diodos com capacidade de condução de 20 A cada podem não ser suficientes para
suportar uma corrente direta de 40 A.
Aplicando o princípio da dualidade à solução utilizada para associação em série
de diodos onde um divisor de tensão resistivo foi incluído no circuito, pode-se incluir
um divisor de corrente no circuito. Assim, a divisão de corrente é assegurada através
dos resistores que também fornecem uma impedância para que a diferença entre as
quedas de tensão de cada um dos diodos possa ser aplicada, conforme mostra a Figura
11. A tensão total (Vg) pode ser encontrada aplicando-se a Lei das tensões de Kircchoff,
de onde obtem-se,
Vg = vD1 + iD1 R1 = vD 2 + iD 2 R2 (1.16)
(a) (b)
Figura 10 – Associação de diodos em paralelo. (a) Circuito; (b) Curvas características.
17
Considerando-se que I g = iD1 + iD 2 , os valores de iD1 e iD2 podem ser encontrados
(a) (b)
Figura 11 – Associação de diodos em paralelo com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas
características.
18
com fidelidade as características que desejamos que sejam evidenciadas. Os modelos
mais utilizados para representação estáticas do diodo são mostrados na Figura 12.
O modelo da Figura 12(a) representa o diodo por uma simples queda de tensão
direta e constante. O modelo da Figura 12(b) é um pouco mais sofisticado e representa o
diodo não só pela queda de tensão constante, mas também pelo efeito que a corrente
direta exerce sobre a queda de tensão.
Portanto, para polarização direta, a queda de tensão no diodo é dada pela seguinte
expressão,
v(t ) = VTo (1.22)
Ou
v(t ) = VTo + rD i (t ) (1.23)
Assim, a energia perdida em condução por um diodo será calculada através da
seguinte expressão,
WD (t ) = ∫ v(t )i (t )dt = ∫ VTo i (t )dt (1.24)
Ou
WD (t ) = ∫ v(t )i (t )dt = ∫ (VTo + rD i (t ) )i (t )dt (1.25)
(a) (b)
Figura 12 – Modelos estáticos para diodos. (a) Queda de tensão constante; (b) Queda de tensão em
função da corrente.
1.7 Exercícios
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4. Explique qual a diferença entre diodos rápidos e diodos genéricos.
5. O tempo de recuperação reversa de um diodo é trr=3µs e a taxa de decaimento
da corrente do diodo é di/dt=30 A/µs. Determinar: (a) A carga armazenada
Qrr; (b) A corrente reversa de pico.
6. Quais são os problemas na conexão série de diodos. Descreva uma solução.
7. Quais são os problemas na conexão paralela de diodos. Descreva uma solução.
8. Dois diodos são conectados em série para dividir uma tensão VD = 5 kV. As
correntes de fuga dos dois diodos são, IS1=30 mA e IS2=35 mA,
respectivamente. (a) Encontrar as tensões em cada diodo se a resistência
associada a cada diodo seja dada por, R1=R2=R=100 kΩ; (b) Encontrar os
valores de R1 e R2 para que a tensão sobre cada diodo seja igual à metade da
tensão sobre ambos, VD1=VD2=VD/2.
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2 Tiristor:
O tiristor é um dispositivo semicondutor de quatro camadas, de estrutura pnpn,
com três junções pn. Ele possui três terminais denominados de: anodo, catodo e gatilho.
A Figura 13 mostra o símbolo do tiristor e a sua representação estrutural teórica.
O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam
em regime chaveado, apresentando um funcionamento biestável.
(a) (b)
(a) (b)
21
O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício),
usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto,
possuem basicamente a mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também
chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional),
DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor
controlado por MOS).
22
Figura 15 – Característica de corrente e tensão do tiristor.
23
Um tiristor é disparado aumentando-se a corrente de anodo. Isto pode ser
conseguido de cinco maneiras distintas, descritas como segue:
a) Tensão elevada ou sobretensão:
Quando polarizado diretamente, no estado de bloqueio, a tensão de polarização é
aplicada sobre a junção J2. O aumento da tensão VAK para valores maiores que a tensão
de ruptura direta VBO, fluirá uma corrente de fuga suficiente para iniciar o disparo
regenerativo. Esse tipo de disparo pode ser destrutivo e deve ser evitado.
24
Se a taxa de crescimento de VAK for grande, a capacitância diminui, uma vez que
a região de transição aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variação da tensão for
suficientemente elevada, a corrente que atravessará a junção pode ser suficiente para
levar o tiristor à condução.
Uma vez que a capacitância cresce com o aumento da área do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observe-se que a limitação diz respeito apenas ao crescimento da tensão direta (VAK >
0). A taxa de crescimento da tensão reversa não é importante, uma vez que as correntes
que circulam pelas junções J1 e J3, em tal situação, não têm a capacidade de levar o
tiristor a um estado de condução.
Como se verá adiante circuitos RC em paralelo com os tiristores são utilizados
com o objetivo de limitar a taxa de crescimento da tensão direta sobre eles.
d) Térmica:
Se a temperatura de um tiristor for elevada, haverá um aumento no número de
pares elétrons-lacunas que aumentará a corrente de fuga. Esse aumento na corrente de
fuga pode chegar a níveis capazes de disparar o tiristor. Esse tipo de disparo pode causar
agitação térmica e é normalmente evitado.
e) Luz:
Se for permitido que a luz atinja as junções de um tiristor, os pares elétrons-
lacunas aumentarão e o tiristor poderá ser disparado. Os tiristores ativados por luz
(LASCR) são disparados permitindo-se que a luz atinja a pastilha de silício.
25
circuito comutado pela rede e por um circuito com comutação forçada são mostrados na
Figura 17(a) e 18(b), respectivamente.
O tempo de desligamento tq é a soma do tempo de recuperação reversa trr e do
tempo de recombinação trc. Ao término do bloqueio uma camada de depleção
desenvolve-se sobre a junção J2 e o tiristor recupera a sua capacidade de suportar tensão
direta aplicada em seus terminais.
(a) (b)
Figura 17 – Formas de onda para comutação de tiristores. (a) Comutação de linha; (b) Comutação
forçada.
2.4 Tipos de Tiristores
26
choppers (conversores CC-CC) estes tiristores são bloqueados por meio de circuitos
auxiliares de comutação forçada. O tempo de desligamento destes tiristores é de 5 a
50µs, dependendo da faixa de tensão. A queda de tensão direta varia inversamente ao
tempo de desligamento sendo, portanto, o preço pago pelo aumento na velocidade de
bloqueio.
C. Tiristor de Desligamento pelo Gatilho (GTO)
Um tiristor de desligamento pelo gatilho (do inglês Gate Turn-Off - GTO) pode
ser disparado pela aplicação de um sinal positivo de gatilho. Entretanto, ele pode ser
desligado por um sinal negativo de gatilho. Um GTO é um dispositivo de retenção e
pode ser construído para faixa de tensão e corrente similares àquelas de um SCR. As
principais vantagens do GTO em relação ao SCR são: (1) a eliminação dos
componentes de comutação forçada, para aplicações onde a comutação natural não pode
ser efetuada, resultando em redução dos custos, do peso e do volume do circuito; e, (2)
desligamento mais rápido permitindo operação do circuito em freqüências mais
elevadas.
Em aplicações de baixas potências, os GTOs têm como pirncipais vantagens
quando comparado aos transistores bipolares: (1) capacidade de bloqueio de tensões
mais elevadas; (2) alto ganho em estado de condução.
Um GTO tem baixo ganho durante o seu bloqueio, tipicamente em torno de seis
(6), e requer um pulso de corrente negativo relativamente alto para desligá-lo. Ele
possui quedas de tensão em condução mais altas do que os SCRs.
27
(a) (b)
Figura 18 – Tiristores Triodos Bidirecionais (TRIAC). (a) Diagrama; (b) Curva característica.
28
Este dispositivo é disparado por radiação direta de luz na pastilha de silício. Os
pares de elétron-lacuna criados devido à radiação produzem a corrente de disparo. A
estrutura do gatilho é projetada para fornecer-lhe sensibilidade suficiente para realizar
disparo a partir de fontes práticas de luz (por exemplo LEDs).
Os LASCRs são utilizados em aplicações de tensões e correntes elevadas como
em transmissão de corrente contínua em alta tensão (do inglês High Voltage DC -
HVDC) e compensação estática de potência reativa. Um LASCR oferece isolação
elétrica total entre a fonte de disparo por luz e o dispositivo de potência conectado ao
conversor. O di/dt típico é de 250 A/µs e o dv/dt pode ser tão elevado quanto 2000
V/µs.
Este dispositivo pode ser disparado como tiristores convencionais, mas não pode
ser desligado através do controle de porta.
29
(M1) e um de canal n (M2).Devido a sua estrutura npnp, o anodo serve como terminal de
referência em relação ao qual todos os sinais de gatilho são aplicados. Uma tensão de
gatilho negativa VGA liga o MOSFET de canal p (M1) fornecendo corrente parta o
transistor Q2, colocando o MCT em condução. Um pulso positivo de gatilho VGA desvia
a corrente de excitação da base de Q1, desligando o MCT.
Para valores maiores do que os da corrente controlável, o MCT deve ser
bloqueado da mesma forma que um SCR comum. Caso o controle de gatilho seja
aplicado nestas condições, o dispositivo pode ser destruído.
Um MCT tem baixa queda de tensão direta durante a condução; tempo de disparo
e desligamento rápidos, tipicamente 0,4 µs e 1,25 µs, respectivamente; baixas perdas em
comutação; baixa capacidade de bloqueio de tensão reversa; alta impedância de entrada
de gatilho, o que simplifica consideravelmente os circuitos de excitação.
2.5 Exercícios
30
3 Transistor bipolar de potência
31
corrente de coletor, para uma dada tensão de coletor-emissor (VCE). A relação entre
estas variáveis é dada por,
IC = α I B (3.27)
(a) (b)
Figura 22 – Diagrama do transistor bipolar de potência. (a) Transistor npn; (b) Transistor pnp.
32
encontra-se desligado, ou seja, a corrente de base não é suficiente para ligá-lo e ambas
as junções encontram-se reversamente polarizadas. Na região ativa, o transistor opera
como um amplificador, no qual a corrente de coletor é a corrente de base amplificada
por um ganho α. A tensão coletor-emissor diminui com o aumento da corrente de base.
Nesta região a junção base-coletor está reversamente polarizada e a junção base-emissor
está diretamente polarizada. Na região de saturação a corrente de base é suficientemente
grande para que a tensão coletor-emissor seja levada a valores muito baixos e o
transistor opere como se fosse uma chave fechada.
Observa-se que o transistor possui dois pontos de ruptura. A ruptura é alcançada
com o aumento da tensão, quando a ruptura por avalanche ou primeira ruptura ocorre.
Uma tensão reversa coletor-emissor faz com que a junção base-emissor seja rompida
mesmo para baixos valores (em torno de 10 V). Portanto, ao contrário dos diodos ou
tiristores, o transistor não pode ser operado de modo reverso. A conexão de um diodo
em série com o transistor assegura que o mesmo não seja destruído quando tensão
reversa é aplicada sobre ambos. Em alguns casos um diodo em antiparalelo pode ser
utilizado. O transistor pnp apresenta uma curva característica semelhante, todavia, as
tensões e correntes possuem sentido contrário. Outro ponto de ruptura ocorre quando o
dispositivo alcança sua máxima potência. Nesta região, chamada de segunda ruptura, o
transistor conduz valores elevados de corrente e a tensão aplicada sobre o mesmo
também é grande.
(a)
33
(b)
Figura 24 – Característica iC versus vCE do transistor bipolar de potência. (a) Teórico. (b)
Transistor FJP3307D (8A/400V).
Na prática, para aplicações de potência, o transistor opera como uma chave, isto é,
ou em bloqueio (chave aberta), ou saturado (chave fechada).
34
para uma dada aplicação. Para o caso de um único pulso não-repetitivo, a expansão da
área de operação segura pode ser utilizada diretamente.
(a) (b)
(c)
Figura 25 – Área de Operação Segura do transistor bipolar de potência. (a,b) Teórico. (c)
Transistor FJP3307D (8A/400V).
Onde a corrente através do coletor, iC, e a tensão sobre o transistor, vCE(on), podem
variar no tempo.
35
O modelo do transistor em condução pode ser o mesmo utilizado pelo diodo,
mostrado na Figura 21(a) onde o transistor é modelado por uma queda de tensão
constante. O modelo da Figura 21(b) representa o transistor por uma queda de tensão
constante somada à queda proporcionada pela resistência de condução do transistor.
Portanto,
vCE ( on ) (t ) = VCEo (3.29)
Ou
vCE ( on ) (t ) = VCEo + rT i (t ) (3.30)
(a) (b)
Figura 26 – Modelos estáticos para transistor bipolar de potência. (a) Queda de tensão constante;
(b) Queda de tensão em função da corrente.
1.1.1 Exercícios
36
4 O transistor de efeito de campo de semicondutor
de óxido metálico (MOSFET)
37
A estrutura básica do MOSFET lateral de baixa potência é mostrada na Figura 28
e é utilizada para ilustrar o mecanismo de funcionamento do MOSFET. As regiões n+ da
fonte (source - S) e do dreno (drain - D) encontram-se difusas ou implantadas num
substrato de silício tipo P relativamente pouco dopado, e uma fina camada de Dióxido
de Silício isola a porta (gate - G), normalmente construída de Alumínio, da superfície
de silício. Nenhuma corrente flui entre as regiões do dreno e da fonte sem que um canal
‘n’ seja formado entre eles, uma vez que ambos têm em seu caminho duas junções pn
opostas e conectadas em série.
Quando uma tensão positiva com relação à fonte é aplicada à porta, cargas
positivas são criadas no metal (Alumínio). Em resposta a estas cargas, cargas negativas
são induzidas na região de silício próxima a porta. Isto resulta na formação de uma
região de depleção contendo uma fina camada de elétrons móveis. Pode-se dizer que a
aplicação de uma tensão positiva na porta inverte uma porção do silício tipo P,
formando um canal ‘n’ com baixa resistência aos elétrons. Este canal ‘n’ permite que a
corrente flua livremente entre os terminais do dreno (D) e da fonte (S).
Observa-se que, de acordo com o que foi descrito acima, um importante
parâmetro nos MOSFETs é a tensão limiar definida como VGS(Th). Este parâmetro
corresponde a menor tensão positiva aplicada à porta do MOSFET que é capaz de
induzir um canal ‘n’. Com uma tensão inferior a VGS(Th) aplicada a porta o MOSFET
permanece bloqueado.
Esta estrutura mostrada na Figura 28 é uma estrutura horizontal, ou lateral, que
possui graves limitações associadas com o aumento da área de substrato, o que a torna
economicamente inviável para utilização em grandes correntes. Para aplicações onde
38
níveis de correntes maiores são necessários a estrutura vertical, conhecida como
VDMOS é preferida, Figura 34.
Na primeira observação da Figura 29, parece não existir modo algum para que a
corrente circule entre os terminais do dreno e da fonte. Não existe meio para que haja
uma injeção de portadores minoritários na região onde encontra-se o silício tipo P
através do terminal da porta, pois este é isolado da região tipo P. Entretanto, tal como no
MOSFET lateral, a aplicação de uma tensão positiva na porta converter uma porção do
silício abaixo da porta em um canal tipo ‘n’, o qual conecta o terminal da fonte com o
terminal do dreno.
Muitos aspectos da estrutura do MOSFET podem ser observados. Primeiramente,
a fonte é construída por milhões de pequenas áreas com formato de polígonos que estão
conectadas em paralelo e circundadas pela região da porta. A forma geométrica da
região da porta tem influência na resistência de condução do MOSFET. Em segundo
lugar, existe um transistor bipolar npn parasita entre os terminais da fonte e do dreno,
como mostrado na Figura 29. A região tipo P serve como base deste transistor parasita.
Para reduzir a probabilidade deste transistor permanecer em condução, a região P é
curto-circuitada com a região da fonte através da sobreposição destas regiões durante a
fabricação do MOSFET. Como resultado disto, forma-se um diodo parasita conectado
entre os terminais fonte e dreno, conforme mostrado na Figura 29. Este diodo pode ser
muito útil em algumas aplicações como, por exemplo, em fontes de telecomunicação,
39
onde conversores CC-CC isolados do tipo full-bridge são largamente utilizados. Em
terceiro lugar, existe uma sobreposição entre a metalização da porta e a região n-. Esta
sobreposição tem dois propósitos: o primeiro é melhorar a condutividade da região n-
formando uma camada de acumulação e ajudando a minimizar a resistência de
condução; o segundo é manter a curvatura na região de depleção quando o MOSFET
esta bloqueado, evitando que a região de depleção torne-se muito estreita e a capacidade
de bloquear tensões do MOSFET seja reduzida. A Figura 30 mostra estes fenômenos.
(a) (b)
Figura 30 – Fenômenos da estrutura do MOSFET. (a) Camada de acumulação; (b) Camada de
depleção.
40
condução do MOSFET é uma função do valor da tensão de ruptura direta destes
dispositivos. Assim, os MOSFETs são largamente utilizados para tensões abaixo de
500V, apresentando características incomparavelmente superiores que outros
dispositivos nesta faixa de tensão. Todavia, para tensões mais elevadas, as perdas em
condução dos MOSFETs comprometem o seu desempenho.
(a) (b)
Figura 31 – Característica iD versus vDS do MOSFET de potência. (a) Teórico; (b) MOSFET
IRFP460 (20A/600V).
41
O MOSFET apresenta duas tensões que não devem ser excedidas, são elas:
VGS(Max) e BVDSS. A máxima tensão porta-fonte (VGS(Max)) é determinada pelo fato de
que o óxido SiO2 que isola a porta não pode ser quebrado pela aplicação da tensão
positiva na porta. Valores típicos para VGS(Max) ficam em torno de 20 e 30 V. Deve-se
observar que além da fonte de tensão utilizada pelo circuito de acionamento (drive)
cargas estáticas podem provocar surtos de tensão que podem superar o valor de VGS(Max)
vindo a danificar o dispositivo semicondutor. Por outro lado, a máxima tensão dreno-
fonte (BVDSS) é a maior tensão que o MOSFET pode suportar sem que ocorra a sua
ruptura por avalanche da junção pn formada entre a região do dreno e a região P do
MOSFET.
A Área de Operação Segura (SOA) de um MOSFET é mostrada na Figura 32.
Três fatores determinam a SOA do MOSFET: a sua máxima corrente de dreno, ID(Max); a
temperatura de junção, Tj, a qual é governada pela dissipação de potência do
dispositivo; e a tensão máxima suportada pelo dispositivo, BVDSS. Deve-se observar que
o MOSFET não apresenta segunda ruptura como os transistores bipolares de potência.
42
estimativa otimista da resistência específica (Ω.cm2) do MOSFET é dada por,
Rd A = 3 ×10 −7 BVDSS (4.32)
Onde A é a área transversal por onde a corrente de dreno (iD) circula.
43
Figura 34 – Capacitâncias intrínsecas do MOSFET de potência.
44
(a) (b)
Em fontes chaveadas onde vGS >> vGS (Th ) , quando o dispositivo esta em condução,
A carga indutiva para o circuito da Figura 37(a) também é modelada como uma
fonte de corrente constante I0 que se encontra em paralelo com o diodo de roda-livre Df.
45
O MOSFET é substituído pelo seu circuito equivalente para região ativa (modelo). A
porta é comandada por uma fonte de tensão VGG em série com uma resistência RG. Para
manter a análise simples, considera-se que o diodo Df é um diodo ideal, ou seja, não
apresenta corrente de recuperação-reversa.
As formas de onda para a entrada em condução do MOSFET são mostradas na
Figura 37(b), onde a tensão da fonte VGG é uma função degrau que varia
instantaneamente seu valor para o instante t = 0.
0, para t < 0
vGG (t ) = (4.36)
VGG , para t ≥ 0
Considera-se que VGG>>VGS(Th).
(a) (b)
Figura 37 – Formas de onda para entrada em condução do MOSFET de potência.
46
τ 1 = RG ( Cgs + C gd 1 ) (4.37)
Onde,
VGG − VGS , Io
iG = (4.39)
RG
E, portanto,
d V −V
vDS = GG GS , Io (4.40)
dt RG C gd
47
condunção, Figura 38(s,t,u).
48
(j) (k) (l)
49
(s) (t) (u)
50
Além disto, o valor de RG pode ser feito diferente para entrada em condução e para o
bloqueio.
4.6 Exercícios
51
5 O transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
52
Deve-se salientar que a camada n+ localizada entre a região p+ e a região n- não é
essencial para a operação do IGBT. Os IGBTs que apresentam esta camada são
chamados de PT-IGBTs, onde PT significa Punch-Through que pode ser traduzido
como “empurrão”. Os IGBTs que não apresentam a camada n+, por outro lado, são
chamados de NPT-IGBTs, onde NPT significa Non-Punch-Through que pode ser
traduzido como “sem empurrão”. Se a densidade de dopagem e a espessura desta
camada forem escolhidas adequadamente, a presença da camada n+ pode melhorar
significativamente o desempenho de chaveamento do IGBT.
(a) (b)
53
A curva característica de um IGBT de canal n é mostrada na Figura 42(a). No
primeiro quadrante (iD e vDS positivos) as curvas caracterísitcas são qualitativamente
similares àquelas dos transistores bipolares, exceto que o parâmetro de controle é uma
tensão (vGS), ao invés de uma corrente. A característica de um IGBT de canal p é a
mesma exceto que as polaridades de tensão e corrente são invertidas.
(a) (b)
(c) (d)
Figura 42 – Curva característica de um IGBT com canal n. (a) Característica iD x vDS; (b)
Característica de transferência, iD x vGS; (c) Característica iD x vDS e (d) Característica de
transferência, iD x vGS para IGBT da Intersil HGTP12N60B3 (27A/600V).
54
A junção denominada de J1 (Figura 43(a)) é a junção de bloqueio reverso.
Entretanto, se a camada n+ estiver presente na estrutura do IGBT (PT-IGBT), a tensão
de bloqueio J1 é reduzida significativamente para algumas dezenas de volts. Assim, o
IGBT não possui mais a capacidade de bloqueio reverso.
A curva característica de transferência do IGBT (Figura 42(b)) é idêntica a curva
característica de transferência do MOSFET.
(a) (b)
55
região n- alcançando a região p adjacente a fonte. Assim que as lacunas alcançam a
região p, suas cargas atraem elétrons da metalização da fonte (S) e o excesso de lacunas
é recombinado, formando pares lacuna-elétrons.
Da descrição da operação do IGBT pode-se desenvolver um modelo, ou circuito,
equivalente conforme mostrado na Figura 44. O circuito equivalente modela o IGBT
como uma conexão Darlington entre um transistor pnp e um MOSFET, onde o
MOSFET opera no papel do acionamento do transistor pnp que esta no papel de
transistor principal da configuração. Um outro modelo mais completo é mostrado na
Figura 44 onde dois transistores, um pnp e um npn, fazem parte do modelo. Estes dois
transistores representam com maior exatidão a existência de um tiristor parasita na
estrutura do IGBT.
(a) (b)
Figura 44 – Modelo de um IGBT com canal n. (a) Configuração Darlington; (b) Presença do tiristor
parasita.
56
o IGBT de modo que não hajam sobrecorrentes que excedam o valor máximo da
corrente de dreno (ID(Max)) que possam causar o travamento do IGBT. Todavia é
impossível evitar por completo a possibilidade de travamento do IGBT. Outra medida a
ser adotada é a redução da velocidade de bloqueio do IGBT. Isto faz com que ocorra
uma redução da taxa de crescimento da região de depleção em torno da junção J2.
Modificações na geometria e na estrutura do IGBT também fazem parte das medidas
adotadas pelos fabricantes para evitar o travamento.
57
Bloqueio: as formas de onda de um IGBT durante o processo de bloqueio são
mostradas na Figura 46. Os intervalos td(off) e trv são governados pelo MOSFET
intrinseco e, portanto, as formas de onda são semelhantes a do bloqueio de um
MOSFET para estes dois intervalos. A maior diferença no bloqueio ocorre na queda de
corrente de dreno (ID), a qual apresenta dois intervalos distintos. Um intervalo onde
ocorre uma queda rápida (tfi1) de ID, que corresponde ao bloqueio do MOSFET
intrínseco; e, um intervalo onde a queda mais lenta da corrente ID, tfi2, que corresponde
ao bloqueio do transistor bipolar pnp intrínseco. Neste intervalo a corrente de dreno é
comumente denominada de corrente de cauda.
Os IGBTs do tipo PT-IGBT e os NPT-IGBTs apresentam maneiras distintas para
reduzir este fenômeno da corrente de cauda, onde normalmente os PT-IGBTs
apresentam maior redução do mesmo.
58
Como no MOSFET também existe uma tensão máxima de porta-fonte VGS(Max).
A máxima tensão dreno-fonte é definida pela máxima tensão suportada pelo
transistor pnp intrínseco.
O IGBT apresenta uma área de operação segura (SOA) robusta. A área para
polarização direta é mostrada na Figura 47(a) e corresponde a FBSOA do MOSFET. A
área de operação segura para polarização reversa RBSOA é diferente da FBSOA e é
mostrada na Figura 47(b).
(a) (b)
5.7 Exercícios
59
6 Capacidade dos Semicondutores de Potência
60
Capacidade de Tensão: o limite absoluto de tensão é caracterizado por um
aumento agudo na corrente de fuga que precede a ruptura por avalanche da junção
reversamente polarizada. Uma vez que a corrente de fuga aumenta com a temperatura, a
capacidade máxima de tensão deve ser selecionada de forma que não ocorra o aumento
ilimitado de temperatura (thermal runaway).
Capacidade de Corrente direta: o limite de condução de corrente é usualmente
especificado após considerarem-se os seguintes fatores: (i) a corrente na qual a
temperatura da junção não excede o seu limite; (ii) a corrente na qual os contatos e os
terminais internos do dispositivo semicondutor não evaporam; (iii) e, a capacidade de
corrente dos contatos externos do dispositivo.
Capacidade de Elevação de Temperatura: a máxima temperatura permitida na
junção (Tj,Max) é dependente da qualidade do material utilizado no semicondutor e do
tipo da junção. A máxima temperatura permitida na junção também é um compromisso
entre a redução de confiabilidade que surge com a deterioração e a aceleração da vida
útil (Lt) da junção. A relação aproximada entre estes fatores é dada por,
B
log Lt = A + (6.42)
Tj
61
altas potências observa-se a predominância do SCR e outros dispositivos derivados,
como o GTO. Na direção oposta, ou seja, para freqüências elevadas, observa-se a
predominância do MOSFET. Todavia, o IGBT tem aumentado significativamente sua
faixa de aplicação, tanto em altas potências com o aumento da capacidade dos IGBTs,
como em altas freqüências com o aumento da velocidade de chaveamento destes
dispositivos.
As perdas dos semicondutores são dissipadas na forma de calor, o qual deve ser
transferido para fora da junção virtual que representa o dispositivo. A confiabilidade e a
expectativa de vida de qualquer semicondutor esta diretamente relacionada com a
máxima temperatura aplicada na junção. É, portanto, essencial que o projeto térmico
determine com exatidão a máxima temperatura da junção de um semicondutor a partir
das perdas por dissipação.
A expressão básica para transferência de calor em condições de regime
permanente é,
Pd = hA∆T [W ] (6.44)
62
Onde Pd é a razão de transferência de calor (Potência dissipada); h é o coeficiente
de transferência de calor; A é a área envolvida na transferência; e, ∆T é a diferença de
temperatura entre as duas regiões onde ocorre a transferência.
É normalmente mais conveniente se trabalhar em termos de resistência térmica, a
qual é definida como,
∆T
Rθ = [K W ] (6.45)
Pd
A potência média dissipada (Pd) e a máxima temperatura (Tj,Max), juntamente com
a temperatura ambiente (Ta) determinam o projeto do dissipador e estão relacionadas
pela seguinte expressão,
T j ,Max − Ta
Pd = [W ] (6.46)
Rθ ( j − a )
Onde Rθ(j-a) representa a resistência térmica total, desde a junção até o ambiente.
Todavia, o projetista (usuário) esta restrito pelas propriedades térmicas da junção
ao encapsulamento do dispositivo de acordo com,
T j , Max − Tc
Pd 1 = [W ] (6.47)
Rθ ( j −c )
63
Figura 49 – Modelo elétrico do sistema de dissipação de um dispositivo semicondutor.
(a) (b)
Podemos considerar ainda que as resistências térmicas Rθ(c-s) e Rθ(s-a) são função
do dissipador e portanto podem ser agrupadas numa única resistência térmica.
Para tempos de condução longos (>1 µs), o pico de temperatura da junção (Tj,Max)
torna-se muito próximo do seu valor médio. Deste modo o cálculo do valor médio da
temperatura da junção é suficiente e o conceito de resistência térmica é válido.
64
Em algumas aplicações (conversores PWM) a potência dissipada consiste de
pulsos com razão-cíclica inferior, ou próximo a um micro-segundo, o valor de pico da
temperatura, não o valor médio, deve ser considerado como a condição limite para o
cálculo do sistema de resfriamento do semicondutor. A Figura 51 mostra a relação
destas temperaturas e condições. Nestes casos a impedância térmica (Zθ(j-c)) é usada ao
invés da resistência térmica (Rθ(j-c)).
A impedância térmica pode ser relacionada com a resistência térmica como
segue,
Zθ ( j −c ) = r ( t p ) Rθ ( j − c ) [Ω] (6.50)
65
Figura 52 – Pulsos retangulares e pulsos equivalentes.
(a)
66
(b)
Figura 53 – Curvas características de impedância térmica fornecidas pelos fabricantes. (a) Teórica;
(b) Para IGBT da Intersil HGTP12N60B3 (27A/600V).
67
Figura 54 – Tabela com o comportamento da temperatura da junção em relação ao tipo do pulso
das perdas.
Exemplo 1:
Considerando uma ponte retificadora monofásica GBPC2504 SERIES, do
fabricante FAIRCHILD, tem-se:
68
Existem dois tipos de conexões desta ponte retificadora. O primeiro é denominado
de “Wire Lead Structure”, o que significa que os conectores da ponte possuem terminais
arredondados que são soldados em furos numa placa de circuito impresso. O segundo
tipo de conexão é denominado de “Terminal Location Face to Face”, o que significa que
os conectores da ponte possuem o formato de pequenas chapas com furos centrais. Esse
tipo de conexão é feito com conectores ‘fêmeas’.
(a) (b)
Observa-se que estes valores são válidos para temperatura ambiente igual a 25o C
e, para esta temperatura, a tensão reversa máxima suportada pelos diodos da ponte é de
VRRM = 400V; a corrente máxima permitida é de IF(AV) = 25A. Ainda deve-se ressaltar
que surtos de corrente de até 300A podem ser suportados, desde que estes não ocorram
repetidamente e possuam duração menor que 8,3 ms.
As características térmicas são mostradas na tabela a seguir.
69
Observa-se que a máxima potência média dissipada é de PD = 83,3 W e a
resistência térmica do dispositivo, medida desde a junção até os seus terminais é de Rθ(jl)
= 1,5 oC/W.
As características elétricas são dadas pela tabela abaixo.
70
Considerando-se que as perdas totais nos diodos foram calculadas e correspondem
a 25 W, pode-se utilizar a expressão (4.46) para encontrar a resistência térmica.
Assumindo que a temperatura ambiente seja de 25o C, e também que uma diferença de
temperatura ∆T=50o (temperatura de junção igual a 75o), tem-se,
T j , Max − Ta 50
Rθ ( j − a ) = = = 2 [K W ] (6.53)
Pd 25
Da expressão (6.49) tem-se,
Rθ ( j − a ) = Rθ ( j −c ) + Rθ ( dissipador ) [ K W ] (6.54)
E assim,
Rθ ( dissipador ) = Rθ ( j − a ) − Rθ ( j −c ) = 0,5 [ K W ] (6.55)
71
A relação entre o comprimento do dissipador e a sua resistência térmica é dada
pelo gráfico abaixo.
Solução:
Passo 1: A partir da expressão Pd = (T j − Ta ) Rθ ( j − a ) [W ] pode-se encontrar a
72
Então, T j = Pd Rθ ( j − a ) + Ta [o C ] . Resolvendo esta expressão,
Passo 4: A potência total, ou potência máxima dissipável será a soma das perdas
em regime permanente com as perdas associadas a variação de temperatura ∆T.
Portanto,
∆T
Pd , Max = Pd + Pd 2 = 300 [W ] + 700 [W ] = 1000 [W ] (6.59)
Zθ
Exemplo 3:
Um IGBT de 25A/600V pode ser considerado como tendo uma capacidade
térmica de 0,02 J/oC e uma resistência térmica de 0,625 oC/W em regime permanente.
Considerando-se que a temperatura entre o dissipador e o encapsulamento é de 50 oC,
determine a variação de temperatura da junção para um ciclo de carga de 25A CC com
uma queda de tensão constante do IGBT de 3V.
Solução:
Passo 1: As perdas do IGBT são calculadas como,
Pd = VCE ( on ) I C = 3[V ] × 25 [ A] = 75 [W ] (6.60)
73
7 Retificadores Controlados
Para se obter um retificador controlado, também chamado de retificador
controlado por fase, os diodos de um retificador não-controlado devem ser totalmente
ou parcialmente substituídos por tiristores.
Diferentemente do que ocorre com um diodo, o tiristor não conduzirá
automaticamente quando a tensão em seus terminais anodo-catodo for positiva. Desta
forma, ajustando-se o tempo de atraso (retardo) do pulso a ser aplicado no gatilho,
pode-se controlar o valor da tensão média do retificador. Esta técnica é denominada de
controle de fase.
Existem dois grupos de retificadores controlados, os retificadores totalmente
controlados e os retificadores semicontrolados. Em ambos os grupos a corrente de saída
(CC) é sempre unidirecional, entretanto, nos retificadores totalmente controlados a
tensão de saída pode assumir valores tanto positivos como negativos. Por esta razão
estes retificadores também são conhecidos como retificadores dois quadrantes.
Quando a tensão e a corrente de saída são positivas diz-se que a fonte CA entrega
potência para a carga CC e o processo em que iste ocorre é chamado de retificação. Por
outro lado, quando a tensão de saída é negativa diz-se que a carga CC entrega potência
para a fonte CA e o processo em que isto ocorre é denominado de inversão. Portanto, o
retificador totalmente controlado possui um fluxo de potência bidirecional e por este
motivo é definido como conversor, uma vez que pode realizar o processo de retificação
ou de inversão.
Considere o circuito da Figura 58(a), com uma fonte de tensão senoidal vs. As
formas de onda na Figura 58(b) mostram que, ao contrário dos retificadores não-
controlados, existe um interválo em que a tensão é positiva sobre o tiristor e o mesmo
encontra-se em bloqueio. Assim pode-se considerar que existem três etapas de operação
do circuito do retificador, a etapa que precede o disparo do tiristor onde há tensão
positiva no tiristor (Figura 58(c)); a etapa de condução (Figura 58(d)); e a etapa onde há
tensão reversa sobre o tiristor (Figura 58(e)).
Neste circuito ambas as tensões (vd) e corrente (id) de carga apresentam um valor
médio positivo.
(a)
(b)
75
positiva (vs >0), o tiristor é polarizado diretamente e pode entrar em condução, Figura
58(c). Quando é aplicada uma corrente no gatilho do tiristor o mesmo entra em
condução Figura 58(d). A partir deste momento a tensão vd é a própria tensão de entrada
vs e a corrente id segue o sinal de tensão. Quando a tensão da fonte vs torna-se negativa
(vs <0), o tiristor é inversamente polarizado e entra em bloqueio, Figura 58(e).
Considerando-se que vs = Vs sen ( ω t ) , o valor médio da tensão de saída (Vd) do
2π ∫0 ∫α
Vd = 0 d ( ω t ) + Vs sen ( ω t ) d ( ω t ) + (10.63)
E assim,
Vs
Vd = − cos (ωt ) ωt =π − − cos (ωt ) ωt =α
( ) ( ) (10.64)
2π
Resolvendo a expressão acima tem-se,
Vs
Vd = 1 + cos (α ) (10.65)
2π
A corrente de saída Id é dada por,
Vs
Id = 1 + cos (α ) (10.66)
2π R
A Figura 59 mostra a relação entre a tensão de saída (Vd) e o ângulo de atraso (α).
Pode-se observar que o valor da tensão de saída pode ser regulado de zero (α=π) até o
valor máximo (α=0). No gráfico o valor de Vd encontra-se normalizado em função da
tensão de saída de um retificador não controlado, então Vd(norm) é definido como,
Vs
1 + cos (α ) 1 + cos α
Vd = 2π =
( ) (10.67)
Vs 2
π
76
Figura 59 – Relação entre a tensão de saída (Vd) e o ângulo de atraso (α
α).
o valor médio da tensão de saída (Vd) do circuito da Figura 60(a) é dado por,
1 α
0 d (ωt ) + ∫ Vs sen (ωt ) d (ωt ) + ∫ 0 d (ωt )
θ 2π
Vd =
2π ∫0 α θ
(10.68)
E, portanto,
77
Vs
Vd = (− cos (ωt ) ωt =θ − − cos (ωt ) ωt =α
) ( ) (10.69)
2π
Resolvendo a expressão acima tem-se,
Vs V
Vd = − cos (θ ) + cos (α ) = s cos (α ) − cos (θ ) (10.70)
2π 2π
Observa-se que a expressão acima é igual a expressão (7.85), repetida aqui por
conveniência Vd (7.85) = Vs cos (α ) − cos ( β ) 2π .
(a)
(b)
78
(c) [t0<t<t1] (d) [t1<t<t4] (e) [t4<t]
Z= (R 2
+ (ω L )
2
) (10.73)
79
A relação entre o ângulo de extinsão da corrente (β) para um retificador não
controlado é definido na Figura 62.
O ângulo de extinsão da corrente (θ) para um retificador controlado é definido
através da equação transcendental abaixo,
−θ
tan (φ )
sen (θ − φ ) + sen (φ ) e =0 (10.74)
(a)
80
(b)
Figura 61 – Relação entre R e L com o valor da impedância do circuito (Z) e o ângulo de atraso
entre tensão e corrente (φ
φ). (a) Relação entre (Z) e R-L; (b) Relação entre (φ
φ)e R-L.
Figura 62 – Retificador não controlado: relação entre o ângulo de extinsão da corrente e o ângulo
de atraso entre tensão e corrente (φ
φ).
(a)
81
(b)
o valor médio da tensão de saída (Vd) do circuito da Figura 63(a) é dado por,
1 α2
0 d (ωt ) + ∫ Vs sen (ωt ) d (ωt ) + ∫ 0 d (ωt )
β 2π
Vd = ∫
2π 0 α2 β
(10.76)
E, portanto,
Vs
Vd =
2π
( ) ( )
− cos (ωt ) ωt = β − − cos (ωt ) ωt =α
2
(10.77)
82
Vs V
Vd = − cos ( β ) + cos (α ) = s cos (α 2 ) − cos ( β ) (10.78)
2π 2π
Como pode-se observar nas seções anteriores, a carga indutiva faz com que haja
uma redução no valor da tensão de saída (Vd) do retificador e ainda, dependendo da
escolha do ângulo de atraso de disparo (α),a tensão de saída (Vd) pode alcançar valores
negativos. Para os casos em que a tensão na carga deva ser sempre positiva, ou ainda se
necessite valores maiores da tensão de saída, pode-se adicionar um diodo ao circuito da
Figura 60(a) como mostrado na Figura 64(a).
O segundo diodo (Dfw) adicionado em paralelo com a carga (RL) é conhecido
como diodo de retorno ou diodo de roda-livre. Este diodo impede o surgimento de uma
tensão negativa sobre a carga, ou seja, o valor médio da tensão da carga será sempre
maior com o diodo de retorno do que sem o mesmo. Durante o semiciclo positivo da
tensão da fonte Vs, o diodo direto (D1) conduz (diodo de retorno esta reversamente
polarizado, Figura 64(c)) e o circuito opera como o circuito da Figura 65. Durante o
semiciclo negativo da fonte Vs, o diodo de retorno é diretamente polarizado
proporcionando um caminho alternativo para a corrente da carga (id) circular, Figura
64(d). Com Dfw em condução a tensão através da carga (RL) é igual à zero. Portanto o
retificador com diodo de retorno terá uma tensão vd com o mesmo comportamento do
retificador mostrado na Figura 64(a).
Assim, o valor médio da tensão de saída será igual a,
Vs
Vd = 1 + cos (α ) (10.79)
2π
A corrente de saída Id é dada por,
Vs
Id = 1 + cos (α ) (10.80)
2π R
Então conclui-se que o diodo de roda-livre proporciona a tensão de saída a mesma
faixa de valores de um retificador controlado com carga resistiva.
83
Para o caso em que a indutância de carga L não é grande o suficiente, a corrente
de carga (id) não se manterá fluindo até o final do período.
(a)
(b)
84
tensão média de saída, da baixa eficiência e do alto fator de ondulação. Essas limitações
são atenuados com o uso de retificadores controlados de onda completa.
Vs α sen ( 2α )
I d ( RMS ) = 1− + (10.83)
πR π 2π
O valor médio da corrente nos tiristores é
Vs
ITh1,2( Avg ) =
2π R
(1 + cos (α ) ) (10.84)
85
(a)
(b)
(c) (d)
(e) (f)
86
Figura 65 – Circuito retificador controlado de onda completa com transformador com terminal
central e carga resistiva.
(a)
(b) (c)
(d) (e)
Figura 66 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte com carga resistiva.
87
(a)
(b)
(c) (d)
(e) (f)
Figura 67 – Circuito retificador controlado de onda completa com transformador com terminal
central.
88
Até o ângulo de disparo (α) ser alcançado o tiristores Th2 permanece em
condução, uma vez que a corrente de carga é contínua (Figura 68(c)). No momento em
que o ângulo de dispáro é atingido, os tiristores Th1 entra em condução e o tiristor Th2
bloqueia instantaneamente (Figura 68(d)). Quando a tensão na fonte se inverter (ângulo
π) o tiristor Th2 é polarizado diretamente, entretanto, até que o ângulo (α + π) seja
alcançado Th1 permanece em condução. A partir do ângulo (α + π) o tiristor Th2 entra em
condução. As formas de onda são mostradas na Figura 68(b).
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
2Vs
Vd = cos (α ) (10.85)
π
A Figura 68(a) mostra as formas de onda para tensão e corrente supondo-se uma
carga fortemente indutiva e ângulo de atraso de disparo nulo (α=0). Durante o semiciclo
positivo da tensão da fonte (vs), o tiristor Th1 fica diretamente polarizado e, como o
atraso de disparo é nulo, o mesmo conduz durante todo semiciclo positivo. De modo
análogo, durante o semiciclo negativo o tiristor Th2 conduz a partir do ângulo π. Deste
modo, a tensão média de saída do retificador controlado (Vd) será igual a de um
retificador não-controlado e, portanto, o conversor esta operando como retificador.
Se o ângulo de disparo aumentar a tensão média de saída será reduzida. Para um
ângulo de atraso de disparo de α=45o (Figura 68(b)) observa-se que a tensão na saída do
retificador passa a assumir valores negativos ( ω t < α ) e ( π < ω t < α + π ). Embora a
tensão vd excursione por valores negativos pode-se observar pelas áreas sombreadas na
Figura 68(b) que o valor médio será positivo, uma vez que o ângulo de condução dos
tiristores ( γ = π − α ) em um semiciclo é maior do que o ângulo de atraso de disparo
(α). Neste caso, o conversor ainda opera como retificador.
Se o ângulo de atraso de disparo aumentar para α=90o os tiristores ainda
conduzirão por meio ciclo da tensão de entrada, todavia a tensão média de saída será
nula pois o ângulo de condução (γ) é igual ao ângulo de atraso (α), fazendo com que as
áreas positivas e negativas sejam idênticas (vide Figura 68(c)). Como a tensão média é
nula não há transferência de potência da fonte CA para a carga CC.
Em resumo, à medida que o ângulo de atraso de disparo aumenta a potência
fornecida para carga diminui chegando a zero para α=90o.
89
Caso o ângulo de atraso de disparo aumentar além de α=90o a corrente na carga
poderá fluir somente se houver uma fonte de tensão negativa no lado CC. Isso ocorre,
por exemplo, em motores CC submetidos a condições regenerativas.
Quando o ângulo de atraso de disparo é de α=135o a tensão média de saída (Vd) é
negativa, como pode-se observar através das áreas sombreadas mostradas na Figura 68
(d). Neste caso a carga CA entrega potência par fonte CC, ou seja, o conversor opera
como inversor.
No caso extremo, o ângulo de atraso de disparo é de α=180o e a tensão média de
saída (Vd) é negativa máxima.
(a) (b)
(c) (d)
90
(e)
Figura 68 – Formas de onda para retificador controlado para diferentes ângulos de atraso de
disparo (α
α).
(a)
91
(b)
(c) (d)
(e) (f)
Figura 69 – Circuito retificador controlado de onda completa com transformador com terminal
central e diodo de retorno.
Para este circuito mostrado na Figura 70(a) durante o semiciclo positivo da fonte
de tensão vs, os tiristores Th2 e Th3 são polarizados diretamente. A partir do ângilo de
atraso de disparo (α) ambos são disparados e permanecerão em condução até o ângulo
92
(α+π). Durante o semiciclo negativo os tiristores Th1 e Th4 são polarizados
positivamente entrando em condução após o ângulo (α+π) e permanecendo em
condução até o ângulo (α) do período seguinte.
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
2Vs
Vd = cos (α ) (10.87)
π
Observa-se que, tal como para o circuito do retificador de onda completa com
transformador com terminal central, um ângulo de atraso menor do que 90º assegura o
processo de retificação, enquanto que para um ângulo maior do que 90º tem-se o
processo de inversão onde a carga CC entrega potência para a fonte CA.
(a)
(b)
93
(c) (d)
(e) (f)
Figura 71 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte com diodo de retorno.
94
da carga CC para a fonte CA. Em diversas aplicações a demanda de potência é sempre
no sentido fonte CA par carga CC. Nestes casos os conversores são operados somente
no modo retificação. Portanto, a metade dos tiristores podem ser substituídos por
simples diodos. Estes diodos podem ser considerados como diodos de retornos pois
sempre que a tensão for invertida na carga estes entram em condução assegurando que a
tensão através da carga nunca assuma valores negativos.
A Figura 72 mostra o circuito e as formas de onda para o retificador
semicontrolado de onda completa em ponte.
A Figura 73 mostra o circuito e as formas de onda para o retificador
semicontrolado de onda completa em ponte e diodo de retorno.
(a)
(b)
Figura 72 – Circuito retificador semicontrolado de onda completa em ponte.
95
(a)
(b)
Figura 73 – Circuito retificador semicontrolado de onda completa em ponte com diodo de retorno.
1.6 Exercícios
96
disparo é de α=30º, determine: (a) a tensão média na carga; (b) a corrente média na
carga; (c) a corrente máxima na carga; (d) a corrente eficaz (RMS) na carga; (e) a
corrente média em cada tiristor; (f) a potência fornecida à carga; (g) a eficiência do
retificador.
5. Desenhe a forma de onda da tensão de saída para um retificador semicontrolado de
onda completa, para os seguintes ângulos: (a) α=0º; (b) α=45º; (c) α=90º.
97
1 Retificadores Controlados Trifásicos
Para se obter um retificador controlado trifásico, deve-se substituir os diodos de
um retificador não-controlado trifásico totalmente ou parcialmente substituídos por
tiristores.
(a)
(b)
Figura 74 – Circuito retificador trifásico em ponte. (a) Diagrama do circuito. (b) Formas de onda
teóricas.
99
Considerando-se que a tensão de linha é definida como
vLinha = vac = 2 VLinha ( RMS ) sen (ωt ) tem-se,
α
Aα = ∫ 2 VLinha ( RMS ) sen (ωt ) d (ωt ) (11.91)
0
Resolvendo a expressão,
Aα = 2 VLinha ( RMS ) − cos (α ) − ( − cos ( 0 ) ) = 2 VLinha ( RMS ) (1 − cos (α ) ) (11.92)
100
Figura 76 – Variação da tensão média de saída para variação do ângulo de atraso de disparo α.
101
Utilizando uma abordagem semelhante a do ângulo de atraso para obtenção do
valor da tensão média de saída incluindo o fenômeno da comutação, pode-se dizer que o
intervalo de comutação reduz o valor da tensão de saída por um valor determinado pela
área Au, mostrada na Figura 77.
3 Au
Vd ( Ls > 0) = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) − (11.94)
π π 3
Assim, durante o intervalo de comutação determinado por α < ωt < α + u , tem-se,
VPn = van − vLs ,i (11.95)
d
Onde vLs ,i = Ls ,i ii .
dt
A redução da tensão é dada então por,
α +u
Au = ∫ vLs ,i d ( ωt ) (11.96)
α
Então o valor médio da tensão de saída passa a ser determinado como segue,
3 ω Ls ,i I d
Vd ( Ls > 0) = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) − (11.98)
π π 3
102
Observa-se que o controle da tensão Vd passa a depender, além do ângulo de
atraso de disparo α, também do valor da indutância Ls e da corrente de carga Id.
Como o ângulo de extinsão da corrente em cada fase depende do ângulo de atraso
de disparo do tiristor, o fator de deslocamento pode ser determinado através da seguinte
expressão,
DPF = cos (φ1 ) = cos (α ) (11.100)
103
1.2 Retificador trifásico em ponte controlado com diodo de retorno
(a)
104
(b)
Figura 79 – Circuito retificador trifásico em ponte. (a) Diagrama do circuito. (b) Formas de onda
teóricas.
105
Para o retificador trifásico em ponte completa controlado com diodo de retorno, a
característica de controle da tensão de saída normalizada é mostrada na Figura 80. Onde
a tensão de saída normalizada Vd(n) é definida como,
π
cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ 3
Vd (α ) π π 2π
Vd ( n ) = = 1 + cos α + , para ≤ α ≤ (11.104)
Vd (α = 0) 3 3 3
0
Figura 80 – Característica de saída normalizada para retificador trifásico em ponte. (a) Sem diodo
de retorno; (b) Com diodo de retorno.
106
cada passagem dos tiristores do estado desligado para ligado for atrasada por um ângulo
(α), os segmentos da forma de onda de tensão de saída também estarão atrasados deste
mesmo ângulo. Todavia, a tensão de saída ainda apresenta a característica dos três
pulsos, Figura 81(b).
O valor médio da tensão de saída Vd é dado por,
3 3
Vd (α ) = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) (11.105)
2π
Onde VLinha(RMS) é dada por VLinha ( RMS ) = 3Vs ( RMS ) .
A máxima tensão de saída é obtida com α=0, que corresponde a tensão de saída
sintetizada com um retificador não-controlado.
3 3
Vd (α =0 ) = 2 VLinha ( RMS ) (11.106)
2π
No caso em que a carga é fortemente indutiva e a corrente de saída apresenta-se
de forma contínua com baixa ondulação pode-se substituir a carga por uma fonte de
corrente contínua. Nestes casos o ângulo α pode assumir valores de modo que a tensão
média de saída assuma valores negativos.
(a)
107
(b)
Figura 81 – Circuito retificador trifásico de meia-onda (três-pulsos). (a) Diagrama do circuito. (b)
Formas de onda teóricas.
1.4 Retificador trifásico de meia onda com diodo de retorno
108
(a)
(b)
Figura 82 – Circuito retificador trifásico de meia-onda (três-pulsos) com diodo de retorno. (a)
Diagrama do circuito. (b) Formas de onda teóricas.
109
Para o retificador trifásico de meia-onda controlado com diodo de retorno, a
característica de controle da tensão de saída normalizada é semelhante as curvas
mostradas na Figura 80. A tensão de saída normalizada para o retificador de meia onda
trifásico é dada por,
3
Vd (α ) 2 VLinha ( RMS ) cos (α )
Vd ( n ) = = 2π = cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ π (11.108)
Vd (α =0) 3
2 VLinha ( RMS )
2π
(a)
(b)
Figura 83 – Circuito retificador trifásico semi-controlado. (a) Diagrama do circuito sem diodo de
retorno. (b) Diagrama do circuito com diodo de retorno.
110