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PPGEE

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I

Prof. Luciano Schuch


mail: lucianoschuch@uol.com.br

Setembro de 2009
Índice

Fundamentos dos Dispositivos Semicondutores ______________________________ 4


1 Definição de um dispositivo retificador - Diodo __________________________ 4
1.1 Estrutura básica________________________________________________ 4
1.2 O diodo bipolar ou genérico _____________________________________ 10
1.3 Recuperação Reversa __________________________________________ 11
1.4 Classificação dos diodos ________________________________________ 13
1.5 Associação série de diodos ______________________________________ 14
1.6 Associação paralela de diodos ___________________________________ 17
1.7 Exercícios ___________________________________________________ 19
2 Tiristor: _________________________________________________________ 21
2.1 Princípio de funcionamento _____________________________________ 22
2.2 Disparo de um Tiristor _________________________________________ 23
2.3 Bloqueio de um Tiristor ________________________________________ 25
2.4 Tipos de Tiristores ____________________________________________ 26
2.5 Exercícios ___________________________________________________ 30
3 Transistor bipolar de potência _______________________________________ 31
3.1 Princípio de funcionamento _____________________________________ 32
3.2 Curva característica. ___________________________________________ 32
3.3 Área de operação segura ________________________________________ 34
3.4 Características estáticas ________________________________________ 35
1.1.1 Exercícios _______________________________________________ 36
4 O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) 37
4.1 Princípio de funcionamento _____________________________________ 37
4.2 Curva característica ___________________________________________ 40
4.3 Limitações e Área de operação segura _____________________________ 41
4.4 Características estáticas ________________________________________ 42
1.1.2 Características dinâmicas ___________________________________ 43
4.5 Formas de onda de chaveamento _________________________________ 45
4.6 Exercícios ___________________________________________________ 51
5 O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ____________________________ 52
5.1 Estrutura básica_______________________________________________ 52
5.2 Curva Características __________________________________________ 53
5.3 Princípio de Operação do Dispositivo _____________________________ 55
5.4 Travamento do IGBT __________________________________________ 56
5.5 Características dinâmicas _______________________________________ 57
5.6 Limitações e Área de operação segura _____________________________ 58
5.7 Exercícios ___________________________________________________ 59
6 Capacidade dos Semicondutores de Potência ____________________________ 60
6.1 Capacidade máxima geral para dispositivos semicondutores____________ 60
6.2 Resfriamento de Dispositivos Semicondutores de Potência_____________ 62
6.3 Modos de Dissipação de Potência em um Semicondutor _______________ 64
Retificadores Controlados ______________________________________________ 74
1 Conceitos básicos Sobre Retificadores Controlados ______________________ 74
1.1 Carga Resistiva _______________________________________________ 74
1.2 Carga Indutiva _______________________________________________ 77
1.3 Carga com Fonte de Tensão Interna _______________________________ 81
1.4 Carga Indutiva com diodo de retorno (diodo de roda-livre) _____________ 83
1.5 Circuitos Retificadores Controlados de Onda Completa _______________ 84

2
1.6 Exercícios ___________________________________________________ 96
1 Retificadores Controlados Trifásicos __________________________________ 98
1.1 A. Retificador trifásico em ponte controlado ________________________ 98
1.2 Retificador trifásico em ponte controlado com diodo de retorno ________ 104
1.3 C. Retificador trifásico de meia onda _____________________________ 106
1.4 Retificador trifásico de meia onda com diodo de retorno _____________ 108
1.5 Retificador trifásico em ponte semi-controlado _____________________ 110

3
Fundamentos dos Dispositivos Semicondutores

A maioria dos circuitos de eletrônica de potência faz uso de dispositivos


semicondutores que operam como chaves as quais, idealmente, apresentam resistência
infinita quando em estado de bloqueio e, resistência nula quando no seu estado de
condução. Além disto, a transição entre os estados de condução e bloqueio ocorre
instantaneamente sem perdas.
Embora estas considerações sejam válidas e muito úteis em muitas situações e
análises, é necessário para os projetistas ter uma idéia geral sobre os aspectos físicos dos
semicondutores assim como ser capaz de entender o vocabulário e as não-idealidades
que dizem respeito aos fenômenos elétricos destes dispositivos semicondutores. Neste
contexto é apenas necessário expor uma descrição qualitativa dos dispositivos
semicondutores chaveados e seus mecanismos de funcionamento.
Até os dias de hoje, grande parte dos dispositivos semicondutores tais como
diodos, tiristores e transistores são baseados numa estrutura monocristalina de silício.

1 Definição de um dispositivo retificador - Diodo

Dispositivo retificador é aquele que permite a circulação de corrente em um único


sentido. Como mostrado no diagrama da Figura 1.

(a) (b)
Figura 1 - Diagrama de um dispositivo retificador.

1.1 Estrutura básica

A passagem de corrente elétrica em um meio depende da aplicação de um campo


elétrico e da existência de portadores livres (usualmente elétrons) neste meio. Em

4
metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres (elétrons) é da ordem
de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o óxido de alumínio,
o valor é da ordem de 103/cm3. Os chamados semicondutores, como o silício, têm
densidades intermediárias, na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes,
tais densidades são propriedades dos materiais, enquanto nos semicondutores estas
podem ser variadas, seja pela adição de “impurezas” de outros materiais, seja pela
aplicação de campos elétricos, irradiação, etc.
O material ativo a partir do qual a maioria dos dispositivos retificadores de
potência são construídos é o silício. O Silício é um elemento do Grupo IV da Tabela
Periódica e, portanto, possui quatro (4) elétrons na última órbita da estrutura atômica.
Átomos de matérias com quatro elétrons em sua camada mais externa ou ainda
moléculas com a mesma propriedade, permitem o estabelecimento de ligações muito
estáveis, uma vez que o compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos vizinhos
(ligação covalente), produz um arranjo com 8 elétrons na camada de valência.
Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 °C ou 0 K), algumas
destas ligações covalentes são rompidas (ionização térmica), produzindo elétrons livres.
O átomo que perde tal elétron se torna positivo. Eventualmente um outro elétron
também escapa de outra ligação e, atraído pela carga positiva do átomo, preenche a
ligação covalente. Desta maneira tem-se uma movimentação relativa da “carga
positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devido ao deslocamento dos elétrons
que saem de suas ligações covalentes e vão ocupar outras. Esta ionização térmica, numa
estrutura pura de silício (em equilíbrio), gera o mesmo número de elétrons e lacunas.
Esta estrutura pura é dita silício intrínseco e os elétrons são considerados como
portadores de carga. Tanto lacunas quanto elétrons contribuem para condução, embora
as lacunas apresentem menor mobilidade devido à ligação covalente.
Pares de elétrons-lacunas estão continuamente sendo gerados pela ionização
térmica e, para manter o equilíbrio mencionado, os pares gerados anteriormente se
desfazem e tornam a se recombinar. A concentração de portadores se mantém igual e é
fortemente dependente da temperatura. Para se obter um dispositivo retificador
semicondutor é necessário aumentar-se muito o número de elétrons e lacunas livres. Isto
pode ser obtido através da dopagem do silício. O silício dopado é chamado de
extrínseco e a medida que a concentração do elemento dopante aumenta, a
condutividade do material resultante também aumenta.
A. Semicondutores Dopados

5
Se ao Silício for acrescido (combinado) um elemento do Grupo V (como o
fósforo) haverá um elétron livre na estrutura do cristal, visto que os elementos do Grupo
V possuem cinco elétrons na última órbita de sua estrutura atômica. Este elétron livre
possibilita um grande aumento na condução do material. Como o elétron é uma carga
negativa, o material resultante é conhecido como semicondutor do tipo N. Então um
elemento do Grupo V é chamado de doador, pois este doa um elétron para aumentar a
condutividade.
Por outro lado, se o Silício for combinado com um elemento do Grupo III (como o
alumínio ou o boro) com três (3) elétrons na última órbita, surge uma lacuna na
estrutura cristalina. Esta lacuna pode receber um elétron livre e, por esta razão, é
considerada uma carga positiva. O material resultante da junção do Silício com um
elemento do Grupo III é conhecido como semicondutor tipo P. Então o elemento do
Grupo III é chamado de receptor pois é ionizado por uma carga negativa.
Em ambos os casos não se têm mais o equilíbrio entre elétrons e lacunas,
passando a existir um número maior de elétrons livres nos materiais dopados com
elementos da quinta coluna da tabela periódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com
elementos da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados materiais
semicondutores tipo N e tipo P.
Observa-se, no entanto, que o material permanece eletricamente neutro, uma vez
que a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.
Os elétrons em silício extrínseco do tipo N e as lacunas em silício extrínseco do
tipo P são chamados de portadores majoritários, enquanto que as lacunas no silício
extrínseco do tipo N e os elétrons no silício extrínseco do tipo P são chamados de
portadores minoritários.
Em outras palavras, quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron
livre, tem-se a movimentação da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas são os
portadores majoritários, sendo os elétrons os portadores minoritários. Já no material tipo
N, a movimentação do elétron excedente deixa o átomo ionizado, o que o faz capturar
outro elétron livre. Neste caso os portadores majoritários são os elétrons, enquanto os
minoritários são as lacunas.
B. Junção pn
A junção pn é o local do semicondutor onde as impurezas que são utilizadas para
dopar o silício (dopantes) mudam de p para n. Pode-se dizer que o diodo bipolar é

6
gerado na junção pn, que é a base de qualquer dispositivo semicondutor, onde NC/CC é
o perfil de concentração de impurezas.
Existem vários processos que podem ser utilizados para formar uma junção pn,
dentre os quais podem ser citar difusão, implantação iônica, etc.
A Figura 2(a) mostra a concentração de dopantes de acordo com o corte
transversal da junção pn mostrado na Figura 2(b).

(a) (b)
Figura 2 - Diagrama da junção pn. (a) Gráfico da concentração de dopantes na junção; (b) Corte
transversal da junção.
A Figura 3 mostra quatro instantes de uma junção pn. A Figura 3(a) mostra os
dois silícios tipo N e tipo P. A Figura 3(b) mostra a formação da camada de depleção e
o fluxo dos doadores ionizados ( ⊕ ) e dos receptores ionizados ( ). A Figura 3(c)
mostra que o fluxo de doadores e receptores é chamado de corrente de difusão e possui
o sentido do silício tipo N para o silício tipo P. A Figura 3(d) mostra que o fluxo de
doadores forma uma barreira de potencial onde carga positiva formada pelos doadores
ionizados se concentra numa região próxima a junção no material tipo P, enquanto que
carga negativa formada pelos receptores ionizados se concentra numa região próxima a
junção no material tipo N. Estas cargas fazem com que haja um fluxo de lacunas e
elétrons exatamente oposto ao fluxo da corrente de difusão. Esta corrente é chamada de
corrente de fuga. Estes dois fenômenos ocorrem simultaneamente e entram em
equilíbrio.
O diodo da Figura 4(a) é formado pela junção dos materiais tipo N e tipo P em um
único cristal. Os elétrons livres do material tipo N e as lacunas livres do material tipo P
se combinam numa região denominada de junção que se localiza na fronteira entre os
dois materiais. Uma barreira de potencial é criada ao longo da junção com um valor que
varia de 0,4 a 0,6 V. A região formada ao longo da barreira de potencial é denominada
de camada de depleção.

7
Quando a região p (Anodo) é colocada num potencial maior do que o potencial
que se encontra a região n (Catodo), a barreira de potencial ao longo da junção se
estreita e a corrente do circuito flui livremente através desta, como mostrado na Figura
4(b). Por outro lado, se a região n (Catodo) é colocada num potencial maior do que o
potencial que se encontra a região p (Anodo), a barreira de potencial ao longo da junção
se amplia. Isto ocorre porque os elétrons da região n são atraídos para o potencial
positivo externo, enquanto que as lacunas da região p são atraídas para o potencial
negativo externo. Neste caso a única corrente que flui é uma pequena corrente de fuga.

(a) (b)

(c) (d)

Figura 3 - Junção pn. (a) Junção pn com portadores não difusos: ⊕ doadores ionizados,
receptores ionizados, + lacunas e - elétrons; (b) Junção pn com portadores difusos (sentido da
corrente de difusão); (c) Junção pn e camada de depleção (barreira de potencial) e sentido da
corrente.
Onde os elétrons são representas pelo símbolo (-), as lacunas pelo símbolo (+), os
doadores ionizados por ( ⊕ ) e os receptores ionizados por ( ). Algumas referências
definem uma região com grande concentração de doadores ionizados como n+,
analogamente uma região com grande concentração de receptores ionizados é definida
como p -. Ao contrário, uma região com muitos elétrons e poucos doadores ionizados é

definida como n e uma região com muitas lacunas e poucos receptores ionizados é
definida como p+.

8
(a)

(b) (c)

Figura 4 - Junção pn. (a) Barreira de potencial e distribuição de cargas; (b) Junção pn diretamente
polarizada; (c) Junção pn inversamente polarizada.

C. Controle do “tempo de vida” e definição do “tempo de vida”


Dois processos básicos têm sido desenvolvidos para reduzir o tempo de vida dos
portadores em dispositivos semicondutores de potência, são eles: (i) difusão térmica de
ouro ou platina; e (ii) bombeamento do silício com partículas com grande energia, como
elétrons e fótons.
A principal conseqüência do controle do tempo de vida é o aumento da velocidade
de chaveamento do semicondutor. O preço pago por esta maior velocidade é um
aumento na queda de tensão de condução do dispositivo.
O que é tempo de vida ?
Se o silício do tipo N é irradiado por fótons com energia suficiente para ionizar os
elétrons de valência, pares de elétrons-lacunas são produzidos. Como já existe uma
abundância de elétrons (portadores majoritários) no silício do tipo N, o excesso de
lacunas (portadores minoritários) é de maior importância. Se a fonte de luz que provoca
o bombardeamento por fótons for removida, a constante de tempo associada a
recombinação, ou o tempo de decaimento do excesso de portadores minoritários é
chamado de tempo de vida dos portadores minoritários, τh. Para o silício do tipo P
exposto a luz, um excesso de portadores minoritários é gerado e, após a fonte que gera

9
estes portadores em excesso ser removida, o tempo de decaimento associado a este
proceso é também definido como tempo de vida dos portadores minoritários, τe. O
tempo de vida dos portadores minoritários é frequentemente chamado de tempo de vida
de recombinação.

1.2 O diodo bipolar ou genérico

O diodo é o dispositivo retificador mais simples, pois a sua estrutura apresenta


apenas uma região tipo P e uma região tipo N. O diodo possui dois terminais: (i) o
anodo ou terminal positivo, que se encontra conectado à região tipo P; e, (ii) o catodo
ou terminal negativo, que se encontra conectado à região tipo N.
A curva característica (corrente e tensão) do diodo é mostrada na Figura 5.
Observa-se que a aplicação de uma tensão positiva maior que a barreira de potencial da
junção faz com que circule corrente no sentido positivo de condução. A aplicação de
tensão reversa remove os portadores livres da junção (elétrons e lacunas), impedindo a
circulação de corrente e permitindo que a junção suporte a tensão aplicada sem
conduzir. Na prática, a junção experimenta uma grande variação de potencial e, portanto
pode ser considerada como tendo uma capacitância. A agitação térmica rompe algumas
ligações da estrutura cristalina resultando em uma pequena corrente reversa chamada de
corrente de fuga. Alguns livros chamam esta corrente reversa de corrente de saturação.
Um aumento da tensão reversa levará a um aumento na taxa de aceleração dos
portadores minoritários através da junção até que os mesmos tenham energia suficiente
para remover outros portadores por colisão, quando acontece o efeito avalanche,
rompendo a junção e levando o diodo à ruptura.

Figura 5 – Característica de corrente e tensão do diodo.

10
Em resumo a curva característica do diodo pode ser separada em três regiões, a
região de polarização direta (vk > 0); a região de polarização reversa (vk < 0); e a região
de ruptura (vk < -vZK).

1.3 Recuperação Reversa

A corrente na junção diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos


portadores minoritários e majoritários. Uma vez que o diodo esteja no modo de
condução direta e a sua corrente seja reduzida a zero (em função do comportamento do
circuito onde o diodo encontra-se inserido), o diodo continuará em condução devido aos
portadores minoritários que permanecem armazenados na junção. Os portadores
minoritários requerem um certo tempo para recombinar com as cargas opostas e ser
neutralizados. Este tempo é chamado de tempo de recuperação reversa. O tempo de
recuperação reversa é denotado como trr e é mostrado na curva característica de
recuperação da Figura 6. O tempo trr é medido a partir do instante em que ocorre o
cruzamento da corrente por zero até o instante que a corrente reversa alcança 25% do
seu valor máximo. O valor máximo da corrente reversa é denotado como corrente
reversa de pico, Irr. O tempo trr consiste de dois sub-intervalos, o intervalo ta e o
intervalo tb. O intervalo ta deve-se ao armazenamento de cargas na região de depleção
da junção e representa o tempo entre o cruzamento da corrente por zero e o instante em
que a corrente reversa alcança o seu valor máximo. O intervalo tb deve-se ao
armazenamento de cargas no material semicondutor. A relação entre tb/ta é conhecida
como fator de suavidade.

(a) (b)

Figura 6 – Característica de recuperação reversa teórica.


O pico de corrente reversa pode ser expresso em função da taxa de decaimento da
corrente como,

11
d
I rr = ta iD (1.1)
dt
Outro parâmetro importante é a carga de recuperação reversa, Qrr. A carga de
recuperação reversa representa a quantidade de portadores de cargas que fluem através
do diodo no sentido reverso devido à mudança na condição de condução direta para
bloqueio do dispositivo. Seu valor pode ser estimado pela área abrangida pela corrente
de recuperação reversa em função do tempo. Assim,
1 1
Qrr ≈ I rr ta + I rr tb (1.2)
2 2
Como, por definição trr = ta + tb , tem-se que

1
Qrr ≈ I rr trr (1.3)
2

(a) (b)

(c)

Figura 6 Continuação – Características de recuperação reversa para diodo.

E assim, o tempo, o pico e a carga de recuperação reversa estão relacionados pela


seguinte expressão.

12
2Qrr
I rr = (1.4)
trr
Ou ainda,
d 2Q
I rr = ta iD = rr (1.5)
dt trr

Para o caso em que tb >> ta (recuperação abrupta), pode-se fazer trr ≈ ta e portanto,

2Qrr
trr = (1.6)
d
iD
dt
Ou ainda,

d
I rr = 2Qrr iD (1.7)
dt

1.4 Classificação dos diodos


Dependendo das características de recuperação reversa e das técnicas de
fabricação, os diodos podem ser classificados em três grupos: diodos genéricos, diodos
de recuperação rápida e diodos Schottky.
Os diodos retificadores genéricos possuem tempo de recuperação reversa
relativamente altos e, por este motivo são utilizados em aplicações onde o bloqueio
destes ocorra em baixas freqüências. Estes diodos são largamente utilizados na indústria
em aplicações onde são necessários conversores CA-CC denominados de retificadores
não-controlados, ou com comutação natural (comutação de linha).
Os diodos de recuperação rápida têm um tempo de recuperação muito mais baixo
que os diodos genéricos. Por este motivo são utilizados em aplicações onde o tempo de
recuperação seja um fator crítico, como em inversores e retificadores PWM, ou em
conversores CC-CC.
Os diodos Schottky eliminam o problema do armazenamento de cargas na junção
através modificando a estrutura do diodo. A estrutura de um diodo Schottky consiste de
uma camada de metal depositada em uma fina camada epitaxial de silício do tipo n (ver
Figura 7). A barreira de potencial formada simula o comportamento da junção pn. A
ação de retificação depende apenas dos portadores majoritários, e como resultado não
há portadores minoritários em excesso para se recombinarem. O efeito de recuperação
deve-se exclusivamente à capacitância da própria junção. A carga recuperada do diodo
Schottky é muito menor e também é praticamente independente da taxa de decaimento
da corrente (diD/dt). Como a corrente de fuga do diodo Schottky é maior do que a de um

13
diodo genérico, e esta é proporcional a tensão de ruptura do dispositivo, os diodos
Schottky encontram-se disponíveis para tensões limitadas a aproximadamente 100V.

Figura 7 – Estrutura básica de um diodo Schottky.

1.5 Associação série de diodos

Em aplicações onde as tensões que os dispositivos devam suportar sejam muito


elevadas, como por exemplo, em linhas de transmissão em corrente contínua, um diodo
produzido comercialmente pode não atender aos requisitos de tensão requeridos. Nestes
casos a associação série de diodos faz-se necessária.
Considerando-se que devido a pequenas imperfeições e às tolerâncias adotadas
durante o processo de fabricação, dois diodos do mesmo lote podem apresentar curvas
características ligeiramente diferentes (ver Figura 8). Na condição de polarização direta,
ambos os diodos conduzem a mesma corrente e a queda de tensão sobre cada diodo
seria um pouco diferente, não afetando a operação do circuito. Todavia, na condição de
bloqueio, cada diodo é forçado a conduzir a mesma corrente de fuga. Como
conseqüência disto, as tensões de bloqueio sobre cada diodo será diferente. Isto significa
que dois diodos com capacidade de bloquear 600 V cada podem não ser suficientes para
suportar uma tensão reversa de 1200 V.

14
(a) (b)
Figura 8 – Associação de diodos em série. (a) Circuito; (b) Curvas características.

Uma solução para este problema é a utilização de um divisor de tensão resistivo


associado aos diodos, conforme mostra a Figura 9. Com isto, a divisão de tensão é
assegurada através dos resistores que também fornecem um caminho para que a
diferença entre as correntes de fuga de cada um dos diodos possa fluir. A corrente de
fuga total pode ser encontrada aplicando-se a Lei das correntes de Kircchoff, de onde
obtem-se,
is = is1 + iR1 = is 2 + iR 2 (1.8)
Como
v D1 v
iR1 = ; iR 2 = D 2 (1.9)
R1 R2
tem-se,
vD1 v
is = is1 + = is 2 + D 2 (1.10)
R1 R2

15
(a) (b)
Figura 9 – Associação de diodos em série com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas
características.

Para o caso em que os resistores forem iguais a R,


vD1 v
is1 + = is 2 + D 2 (1.11)
R R
Como Vs = vD1 + vD 2 , os valores de vD1 e vD2 podem ser encontrados através das
seguintes expressões.
Vs R
vD1 = + ( is 2 − is1 ) (1.12)
2 2
e
Vs R
vD 2 = + ( is1 − is 2 ) (1.13)
2 2
Como as correntes is1 e is2 são da ordem de alguns poucos mili-amperes, as
expressões (1.12) e (1.13) podem ser aproximadas por,
Vs
vD1 ≈ (1.14)
2
e
Vs
vD 2 ≈ (1.15)
2

16
1.6 Associação paralela de diodos
Em muitas aplicações de altas potências os diodos são conectados em paralelo
para aumentar a capacidade de condução de corrente (ver Figura 10). Uma vez que a
tensão sobre os diodos é a mesma, a divisão uniforme de corrente nos diodos esta
associada às quedas de tensão em cada diodo. Portanto, as imperfeições e às tolerâncias
adotadas durante o processo de fabricação farão com que os diodos possuam curvas
características diferentes e, deste modo, quedas de tensão distintas. Assim, na
associação em paralelo sempre existirá uma diferença de corrente. Isto significa que
dois diodos com capacidade de condução de 20 A cada podem não ser suficientes para
suportar uma corrente direta de 40 A.
Aplicando o princípio da dualidade à solução utilizada para associação em série
de diodos onde um divisor de tensão resistivo foi incluído no circuito, pode-se incluir
um divisor de corrente no circuito. Assim, a divisão de corrente é assegurada através
dos resistores que também fornecem uma impedância para que a diferença entre as
quedas de tensão de cada um dos diodos possa ser aplicada, conforme mostra a Figura
11. A tensão total (Vg) pode ser encontrada aplicando-se a Lei das tensões de Kircchoff,
de onde obtem-se,
Vg = vD1 + iD1 R1 = vD 2 + iD 2 R2 (1.16)

Para o caso em que os resistores forem iguais a R,


vD1 + iD1 R = vD 2 + iD 2 R (1.17)

(a) (b)
Figura 10 – Associação de diodos em paralelo. (a) Circuito; (b) Curvas características.

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Considerando-se que I g = iD1 + iD 2 , os valores de iD1 e iD2 podem ser encontrados

através das seguintes expressões.


Ig 1
iD1 = + ( vs 2 − vs1 ) (1.18)
2 2R
e
Ig 1
iD 2 = + ( vs1 − vs 2 ) (1.19)
2 2R
Como a diferença entre vs1 e vs2 é da ordem de alguns poucos mili-volts, as
expressões (1.18) e (1.19) podem ser simplificadas como,
Ig
iD1 ≈ (1.20)
2
e
Ig
iD 2 ≈ (1.21)
2

(a) (b)
Figura 11 – Associação de diodos em paralelo com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas
características.

Modelos estáticos dos diodos de potência:

Para se compreender o impacto das características dos diodos no circuito no qual


esteja inserido é necessário a utilização de um modelo do mesmo. Existem vários tipos
de modelos e qualquer um pode ser escolhido para representação do diodo, entretanto
deve-se ter em mente que o modelo deve ser simples o bastante, porém deve representar

18
com fidelidade as características que desejamos que sejam evidenciadas. Os modelos
mais utilizados para representação estáticas do diodo são mostrados na Figura 12.
O modelo da Figura 12(a) representa o diodo por uma simples queda de tensão
direta e constante. O modelo da Figura 12(b) é um pouco mais sofisticado e representa o
diodo não só pela queda de tensão constante, mas também pelo efeito que a corrente
direta exerce sobre a queda de tensão.
Portanto, para polarização direta, a queda de tensão no diodo é dada pela seguinte
expressão,
v(t ) = VTo (1.22)
Ou
v(t ) = VTo + rD i (t ) (1.23)
Assim, a energia perdida em condução por um diodo será calculada através da
seguinte expressão,
WD (t ) = ∫ v(t )i (t )dt = ∫ VTo i (t )dt (1.24)

Ou
WD (t ) = ∫ v(t )i (t )dt = ∫ (VTo + rD i (t ) )i (t )dt (1.25)

(a) (b)
Figura 12 – Modelos estáticos para diodos. (a) Queda de tensão constante; (b) Queda de tensão em
função da corrente.
1.7 Exercícios

1. O que são semicondutores dopados ? Quais são os tipos de dopagem ?


2. Desenhe a curva característica de um diodo e descreva as regiões que a
compõem.
3. O que é tempo de recuperação reversa de um diodo. Esboçar graficamente.

19
4. Explique qual a diferença entre diodos rápidos e diodos genéricos.
5. O tempo de recuperação reversa de um diodo é trr=3µs e a taxa de decaimento
da corrente do diodo é di/dt=30 A/µs. Determinar: (a) A carga armazenada
Qrr; (b) A corrente reversa de pico.
6. Quais são os problemas na conexão série de diodos. Descreva uma solução.
7. Quais são os problemas na conexão paralela de diodos. Descreva uma solução.
8. Dois diodos são conectados em série para dividir uma tensão VD = 5 kV. As
correntes de fuga dos dois diodos são, IS1=30 mA e IS2=35 mA,
respectivamente. (a) Encontrar as tensões em cada diodo se a resistência
associada a cada diodo seja dada por, R1=R2=R=100 kΩ; (b) Encontrar os
valores de R1 e R2 para que a tensão sobre cada diodo seja igual à metade da
tensão sobre ambos, VD1=VD2=VD/2.

20
2 Tiristor:
O tiristor é um dispositivo semicondutor de quatro camadas, de estrutura pnpn,
com três junções pn. Ele possui três terminais denominados de: anodo, catodo e gatilho.
A Figura 13 mostra o símbolo do tiristor e a sua representação estrutural teórica.
O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam
em regime chaveado, apresentando um funcionamento biestável.

(a) (b)

Figura 13 – Tiristor. (a) Símbolo; (b) Estrutura teórica.

A estrutura básica do tiristor e o seu perfil de dopagem são mostradas na Figura


14.

(a) (b)

Figura 14 – Tiristor. (a) Perfil de dopagem; (b) Estrutura simplificada.

21
O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício),
usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto,
possuem basicamente a mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também
chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional),
DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor
controlado por MOS).

2.1 Princípio de funcionamento

Quando a tensão do anodo é positiva em relação ao catodo, as junções J1 e J3


encontram-se polarizadas diretamente. A junção J2 esta reversamente polarizada e
apenas uma pequena corrente de fuga circula do anodo para o catodo. Neste estado o
tiristor esta na condição de bloqueio direto ou estado desligado. Se a tensão anodo-
catodo (VAK) for aumentada até um valor suficientemente grande, a junção
reversamente polarizada J2 se romperá. Este fenômeno é conhecido como ruptura por
avalanche e a tensão correspondente em que isto ocorre é chamada de tensão de ruptura
direta. Se houver uma tensão VGK positiva, uma corrente através de J3 circulará com
portadores negativos fluindo do catodo para o gatilho. Por construção, a camada P
ligada ao gatilho é suficientemente estreita para que parte destes elétrons que cruzam J3
possuam energia cinética suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2,
sendo então atraídos pelo anodo.
Como as junções J1 e J3 já se encontram polarizadas diretamente, haverá um
movimento livre de portadores através de todas as três junções, resultando em uma
grande corrente de anodo no sentido direto. Neste momento o dispositivo estará então
no estado de condução ou estado ligado. Para que o estado de condução seja mantido a
corrente de anodo tem de estar acima de um valor conhecido como corrente de
travamento. Caso a corrente de anodo seja menor do que a corrente de travamento (IL)
o dispositivo voltará à condição de bloqueio quando a tensão anodo-catodo (VAK) for
reduzida.
A curva característica de corrente versus tensão de um tiristor é mostrada na
Figura 15.

22
Figura 15 – Característica de corrente e tensão do tiristor.

Uma vez que o tiristor entra em condução, o seu comportamento é semelhante ao


de um diodo em condução e não há controle sobre o dispositivo, ou seja, ele continuará
no estado de condução porque não há barreira de potencial (ou camada de depleção) na
junção J2. Entretanto, se a corrente direta de anodo for reduzida abaixo de um nível
chamado de corrente de manutenção (IH), uma região de depleção se formará em torno
da junção J2, devido ao reduzido número de portadores, e o tiristor entrará em bloqueio.
A corrente de manutenção é menor do que a corrente de travamento. Assim, a corrente
de travamento é a mínima corrente direta de anodo para manter o tiristor no estado de
condução.
Quando a tensão de catodo é positiva em relação ao anodo, a junção J2 está
diretamente polarizada, mas as junções J1 e J3 estão reversamente polarizadas. Isto é,
como se existissem dois diodos conectados em série, com tensão reversa aplicada sobre
eles. Neste momento o tiristor encontra-se no estado de bloqueio reverso e uma pequena
corrente de fuga reversa, chamada de corrente reversa flui através do dispositivo.
Uma vez que a junção J3 é intermediária a regiões de alta dopagem, ela não é
capaz de bloquear tensões elevadas, de modo que cabe à junção J1 manter o estado de
bloqueio do componente.

2.2 Disparo de um Tiristor

23
Um tiristor é disparado aumentando-se a corrente de anodo. Isto pode ser
conseguido de cinco maneiras distintas, descritas como segue:
a) Tensão elevada ou sobretensão:
Quando polarizado diretamente, no estado de bloqueio, a tensão de polarização é
aplicada sobre a junção J2. O aumento da tensão VAK para valores maiores que a tensão
de ruptura direta VBO, fluirá uma corrente de fuga suficiente para iniciar o disparo
regenerativo. Esse tipo de disparo pode ser destrutivo e deve ser evitado.

b) Ação da corrente positiva de gatilho:


Se o tiristor estiver diretamente polarizado, a injeção de corrente de gatilho pela
aplicação de tensão positiva entre os terminais de gatilho e catodo irá dispará-lo. À
medida que a corrente de gatilho aumenta, a tensão de bloqueio direta diminui como
mostrado na Figura 16. Deve-se observar que há um atraso de tempo, chamado de
tempo de disparo (ton), entre a aplicação do sinal de gatilho e a condução do tiristor.

Figura 16 – Característica de corrente e tensão do tiristor para diferentes correntes de gatilho.

c) Taxa de crescimento da tensão direta (dv/dt):


Quando reversamente polarizadas, a área de transição de uma junção comporta-se
de maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial.
Considerando que praticamente toda a tensão está aplicada sobre a junção J2 (quando o
SCR estiver bloqueado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal junção é
dada por:
d d d d
iJ 2 = ( qJ 2 ) = ( ( CJ 2VJ 2 ) ) = VJ 2 ( CJ 2 ) + CJ 2 (VJ 2 ) (2.26)
dt dt dt dt
Onde CJ2 e VJ2 são a capacitância e a tensão na junção J2, respectivamente.

24
Se a taxa de crescimento de VAK for grande, a capacitância diminui, uma vez que
a região de transição aumenta de largura. Entretanto, se a taxa de variação da tensão for
suficientemente elevada, a corrente que atravessará a junção pode ser suficiente para
levar o tiristor à condução.
Uma vez que a capacitância cresce com o aumento da área do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observe-se que a limitação diz respeito apenas ao crescimento da tensão direta (VAK >
0). A taxa de crescimento da tensão reversa não é importante, uma vez que as correntes
que circulam pelas junções J1 e J3, em tal situação, não têm a capacidade de levar o
tiristor a um estado de condução.
Como se verá adiante circuitos RC em paralelo com os tiristores são utilizados
com o objetivo de limitar a taxa de crescimento da tensão direta sobre eles.
d) Térmica:
Se a temperatura de um tiristor for elevada, haverá um aumento no número de
pares elétrons-lacunas que aumentará a corrente de fuga. Esse aumento na corrente de
fuga pode chegar a níveis capazes de disparar o tiristor. Esse tipo de disparo pode causar
agitação térmica e é normalmente evitado.
e) Luz:
Se for permitido que a luz atinja as junções de um tiristor, os pares elétrons-
lacunas aumentarão e o tiristor poderá ser disparado. Os tiristores ativados por luz
(LASCR) são disparados permitindo-se que a luz atinja a pastilha de silício.

2.3 Bloqueio de um Tiristor


Um tiristor que esteja em condução pode ser desligado pela redução da corrente
direta a um nível abaixo da corrente de manutenção (IH). Existem várias técnicas para o
desligamento de um tiristor que serão discutidas posteriormente. Em todas as técnicas
de comutação, a corrente de anodo é conservada abaixo da corrente de manutenção por
um tempo suficientemente grande, de modo que todos os portadores em excesso nas
quatro camadas sejam eliminados ou recombinados.
Devido às duas junções pn (J1 e J3) as características de desligamento seriam
similares às de um diodo, exibindo tempo (trr) e corrente de recuperação reversa (Irr). A
junção pn (J2) necessita de um tempo, conhecido como tempo de recombinação (trc)
para recombinar o excesso de portadores. Este tempo é função da amplitude da tensão
reversa aplicada sobre o dispositivo. As curvas características de bloqueio para um

25
circuito comutado pela rede e por um circuito com comutação forçada são mostrados na
Figura 17(a) e 18(b), respectivamente.
O tempo de desligamento tq é a soma do tempo de recuperação reversa trr e do
tempo de recombinação trc. Ao término do bloqueio uma camada de depleção
desenvolve-se sobre a junção J2 e o tiristor recupera a sua capacidade de suportar tensão
direta aplicada em seus terminais.

(a) (b)
Figura 17 – Formas de onda para comutação de tiristores. (a) Comutação de linha; (b) Comutação
forçada.
2.4 Tipos de Tiristores

A. Tiristor de Controle de Fase (SCR)


Este tipo de tiristor geralmente opera na freqüência da rede e é desligado por
comutação natural. O tempo de desligamento tq é da ordem de 50 a 100µs. Este é o
tiristor mais adequado para aplicações de comutação em baixa freqüência. Estes
dispositivos também são conhecidos como retificador controlado de silício, do inglês,
silicon-carbide rectifier – SCR.
A queda de tensão em condução varia tipicamente de 1,15V para dispositivos de
600V a 2,5V para os tiristores de 4000V. As taxas de variação de tensão e corrente
típicas dos tiristores são de 1000 V/µs e 500 A/µs, respectivamente.

B. Tiristor de Chaveamento Rápido


Esses tiristores são utilizados em aplicações onde as comutações ocorrem em
freqüências mais rápidas que a comutação natural. Normalmente empregados em

26
choppers (conversores CC-CC) estes tiristores são bloqueados por meio de circuitos
auxiliares de comutação forçada. O tempo de desligamento destes tiristores é de 5 a
50µs, dependendo da faixa de tensão. A queda de tensão direta varia inversamente ao
tempo de desligamento sendo, portanto, o preço pago pelo aumento na velocidade de
bloqueio.
C. Tiristor de Desligamento pelo Gatilho (GTO)
Um tiristor de desligamento pelo gatilho (do inglês Gate Turn-Off - GTO) pode
ser disparado pela aplicação de um sinal positivo de gatilho. Entretanto, ele pode ser
desligado por um sinal negativo de gatilho. Um GTO é um dispositivo de retenção e
pode ser construído para faixa de tensão e corrente similares àquelas de um SCR. As
principais vantagens do GTO em relação ao SCR são: (1) a eliminação dos
componentes de comutação forçada, para aplicações onde a comutação natural não pode
ser efetuada, resultando em redução dos custos, do peso e do volume do circuito; e, (2)
desligamento mais rápido permitindo operação do circuito em freqüências mais
elevadas.
Em aplicações de baixas potências, os GTOs têm como pirncipais vantagens
quando comparado aos transistores bipolares: (1) capacidade de bloqueio de tensões
mais elevadas; (2) alto ganho em estado de condução.
Um GTO tem baixo ganho durante o seu bloqueio, tipicamente em torno de seis
(6), e requer um pulso de corrente negativo relativamente alto para desligá-lo. Ele
possui quedas de tensão em condução mais altas do que os SCRs.

D. Tiristor de Triodos Bidirecionais (TRIAC)


Um TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos e é utilizado em controle de fase
CA (conversores CA-CA). Ele pode ser considerado como dois SCRs conectados em
anti-paralelo com uma conexão de gatilho comum, como mostrado na Figura 18(a). A
curva característica de corrente e tensão de um TRIAC é mostrada na Figura 18(b).

27
(a) (b)
Figura 18 – Tiristores Triodos Bidirecionais (TRIAC). (a) Diagrama; (b) Curva característica.

Como o TRIAC é um dispositivo bidirecional, seus terminais não podem ser


designados como anodo e catodo. Se o terminal MT2 for positivo em relação ao terminal
MT1, o TRIAC pode ser disparado pela aplicação de um sinal negativo entre o gatilho G
e MT1. Se o terminal MT2 for negativo em relação a MT1, ele pode ser disparado pela
aplicação de um sinal negativo entre o gatilho G e MT1. Não é necessário que existam
ambas as polaridades no sinal de gatilho, pois o TRIAC pode ser disparado com um
sinal tanto positivo como com um negativo. Na prática as sensibilidades variam de um
quadrante para outro e os TRIACs normalmente são operados no quadrante I+ (tensão e
corrente no gatilho positivas) ou no quadrante III- (tensão e corrente no gatilho
negativas).

E. Tiristor de Indução Estática


As características de um tiristor de indução estática (do inglês Static Induction
Thyristor -SITH) são similares àquelas de um MOSFET. Um SITH é normalmente
disparado pela aplicação de tensão positiva no gatilho como os tiristores normais e, é
desligado pela aplicação negativa em seu gatilho. Um SITH tem velocidade de
chaveamento (ou comutação) rápida e capacidade de suportar taxas de variação de
corrente (di/dt) e tensão (dv/dt) muito elevadas. O tempo de chaveamento é da ordem de
1 a 6 µs.

F. SCRs ativados por Luz (LASCR)

28
Este dispositivo é disparado por radiação direta de luz na pastilha de silício. Os
pares de elétron-lacuna criados devido à radiação produzem a corrente de disparo. A
estrutura do gatilho é projetada para fornecer-lhe sensibilidade suficiente para realizar
disparo a partir de fontes práticas de luz (por exemplo LEDs).
Os LASCRs são utilizados em aplicações de tensões e correntes elevadas como
em transmissão de corrente contínua em alta tensão (do inglês High Voltage DC -
HVDC) e compensação estática de potência reativa. Um LASCR oferece isolação
elétrica total entre a fonte de disparo por luz e o dispositivo de potência conectado ao
conversor. O di/dt típico é de 250 A/µs e o dv/dt pode ser tão elevado quanto 2000
V/µs.

G. Tiristores controlados por FETs (FET-CTH)


Um dispositivo tiristor controlado por FET (do inglês FET- Controlled Thyristor)
combina um MOSFET e um tiristor em paralelo como mostrado na Figura 19. Se uma
tensão suficiente, tipicamente 3V, for aplicada a porta do MOSFET, uma corrente de
disparo para o tiristor será gerada internamente. Com isto este dispositivo apresenta uma
velocidade de chaveamento bem como di/dt e dv/dt elevados.

Figura 19 – Diagrama do tiristores controlado por FET.

Este dispositivo pode ser disparado como tiristores convencionais, mas não pode
ser desligado através do controle de porta.

H. Tiristores controlados por MOS (MCT)


Um tiristor controlado por MOS (do inglês MOS Controlled Thyristor) combina
as características de um tiristor regenerativo de quatro camadas e uma estrutura de
gatilho ou de porta MOS. O circuito equivalente é mostrado na Figura 20. A estrutura
npnp do MCT pode ser representada por um transistor npn (Q1) e um transistor pnp
(Q2). A estrutura do gatilho MOS pode ser representada por um MOSFET de canal p

29
(M1) e um de canal n (M2).Devido a sua estrutura npnp, o anodo serve como terminal de
referência em relação ao qual todos os sinais de gatilho são aplicados. Uma tensão de
gatilho negativa VGA liga o MOSFET de canal p (M1) fornecendo corrente parta o
transistor Q2, colocando o MCT em condução. Um pulso positivo de gatilho VGA desvia
a corrente de excitação da base de Q1, desligando o MCT.
Para valores maiores do que os da corrente controlável, o MCT deve ser
bloqueado da mesma forma que um SCR comum. Caso o controle de gatilho seja
aplicado nestas condições, o dispositivo pode ser destruído.
Um MCT tem baixa queda de tensão direta durante a condução; tempo de disparo
e desligamento rápidos, tipicamente 0,4 µs e 1,25 µs, respectivamente; baixas perdas em
comutação; baixa capacidade de bloqueio de tensão reversa; alta impedância de entrada
de gatilho, o que simplifica consideravelmente os circuitos de excitação.

Figura 20 – Diagrama do MCT.

2.5 Exercícios

1. Desenhe a curva característica de um tiristor e comente as diferenças entre


esta curva e a curva característica de um diodo.
2. Quais são os métodos de disparo de um tiristor. Comente brevemente cada um
deles.
3. O que é tempo de desligamento de um tiristor.
4. Quais são os tipos de tiristores.

30
3 Transistor bipolar de potência

O transistor bipolar de potência foi o primeiro dispositivo semicondutor de


potência controlável no disparo e no bloqueio. Diferentemente do transistor de sinal, o
transistor de potência tem uma orientação vertical de sua estrutura de camadas. Esta
estrutura proporciona uma área maior através da qual a corrente flui, ver Figura 21.

Figura 21 – Diagrama da estrutura de um transistor bipolar de potência.

Os primeiros transistores de potência tinham como principal limitação em


aplicações de potência à baixa velocidade de comutação. Esta "lentidão" com que o
componente, ao ser ligado ou desligado, atravessava a sua região ativa implicava em
excessiva dissipação de potência sobre o mesmo. Quando as melhorias tecnológicas
permitiram realizar tal operação em tempos da ordem de poucos microsegundos, o
transistor bipolar de potência começou a ganhar um maior número de aplicações vindo a
substituir os tiristores em grande número delas.
O transistor bipolar de potência é um dispositivo semicondutor de três camadas,
pnp ou npn, com duas junções pn, uma junção base-coletor (J1) e uma junção base-
emissor (J2), de acordo com a Figura 22. Dentro da faixa de operação, a corrente de
coletor (IC) é função do ganho do transistor e de sua corrente de base (IB). Isto implica
que qualquer mudança na corrente de base corresponde a uma mudança amplificada na

31
corrente de coletor, para uma dada tensão de coletor-emissor (VCE). A relação entre
estas variáveis é dada por,
IC = α I B (3.27)

(a) (b)

Figura 22 – Diagrama do transistor bipolar de potência. (a) Transistor npn; (b) Transistor pnp.

3.1 Princípio de funcionamento


A operação normal de um transistor é feita com a junção J1 (base-emissor)
diretamente polarizada, e com J2 (base-coletor) reversamente polarizada.
No caso de transistores npn, os elétrons são atraídos do emissor pelo potencial
positivo da base. Esta camada central é suficientemente fina para que a maior parte dos
portadores possua energia cinética suficiente para atravessá-la, chegando à região de
transição de J1. Nesta região os portadores são atraídos pelo potencial positivo do
coletor, Figura 23. O controle da tensão VBE determina a corrente de base, IB, que, por
sua vez, se relaciona com a corrente de coletor IC pelo ganho de corrente do dispositivo.

Figura 23 – Operação do transistor bipolar de potência.

3.2 Curva característica.


A curva característica de um transistor de potência npn (IC versus VCE) é mostrada
na Figura 24. Existem três regiões de operação de um transistor: a região de corte
(bloqueio), a região ativa, e a região de saturação. Na região de corte o transistor

32
encontra-se desligado, ou seja, a corrente de base não é suficiente para ligá-lo e ambas
as junções encontram-se reversamente polarizadas. Na região ativa, o transistor opera
como um amplificador, no qual a corrente de coletor é a corrente de base amplificada
por um ganho α. A tensão coletor-emissor diminui com o aumento da corrente de base.
Nesta região a junção base-coletor está reversamente polarizada e a junção base-emissor
está diretamente polarizada. Na região de saturação a corrente de base é suficientemente
grande para que a tensão coletor-emissor seja levada a valores muito baixos e o
transistor opere como se fosse uma chave fechada.
Observa-se que o transistor possui dois pontos de ruptura. A ruptura é alcançada
com o aumento da tensão, quando a ruptura por avalanche ou primeira ruptura ocorre.
Uma tensão reversa coletor-emissor faz com que a junção base-emissor seja rompida
mesmo para baixos valores (em torno de 10 V). Portanto, ao contrário dos diodos ou
tiristores, o transistor não pode ser operado de modo reverso. A conexão de um diodo
em série com o transistor assegura que o mesmo não seja destruído quando tensão
reversa é aplicada sobre ambos. Em alguns casos um diodo em antiparalelo pode ser
utilizado. O transistor pnp apresenta uma curva característica semelhante, todavia, as
tensões e correntes possuem sentido contrário. Outro ponto de ruptura ocorre quando o
dispositivo alcança sua máxima potência. Nesta região, chamada de segunda ruptura, o
transistor conduz valores elevados de corrente e a tensão aplicada sobre o mesmo
também é grande.

(a)

33
(b)
Figura 24 – Característica iC versus vCE do transistor bipolar de potência. (a) Teórico. (b)
Transistor FJP3307D (8A/400V).

Na prática, para aplicações de potência, o transistor opera como uma chave, isto é,
ou em bloqueio (chave aberta), ou saturado (chave fechada).

3.3 Área de operação segura

A Área de Operação Segura representa a região do plano VCE x IC dentro da qual o


transistor bipolar de potência pode operar sem ser danificado, ou seja, sem que nenhum
dos seus limites seja alcançado. A Figura 25 mostra uma forma típica de Área de
Operação Segura. Observa-se que a área de operação segura é limitada por quatro
curvas: (1) a fronteira definida pela letra ‘a’ representa a máxima corrente de coletor
capaz de ser conduzida pelo dispositivo; (2) a fronteira definida pela letra ‘b’ representa
a máxima potência dissipável pelo transistor (limitação térmica); (3) a fronteira definida
pela letra ‘c’ representa a máxima potência suportada pelo transistor; e, (4) a fronteira
definida pela letra ‘d’ representa a máxima tensão suportada pelo transistor.
Para operação do transistor em modo de condução contínua, normalmente na
região ativa, a área de operação segura é representada pela região em cinza no gráfico
da Figura 25(a). Para operação do transistor como chave a corrente de coletor através do
transistor apresenta um comportamento pulsado. Devido à existência de capacitâncias
térmicas intrínsecas ao silício e o encapsulamento, a área de operação segura pode ser
expandida de acordo com o período em que os pulsos de corrente de coletor ocorrem.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento térmico do componente

34
para uma dada aplicação. Para o caso de um único pulso não-repetitivo, a expansão da
área de operação segura pode ser utilizada diretamente.

(a) (b)

(c)

Figura 25 – Área de Operação Segura do transistor bipolar de potência. (a,b) Teórico. (c)
Transistor FJP3307D (8A/400V).

A Figura 25(b) mostra uma curva característica de um transistor e a sua área de


operação segura.

3.4 Características estáticas

Considerando-se que o transistor opere em baixas e médias freqüências, quase


toda a perda do transistor é dada pelas suas perdas em condução. Nestas circunstâncias
as perdas são definidas como,
PT ( on ) = iC vCE ( on ) (3.28)

Onde a corrente através do coletor, iC, e a tensão sobre o transistor, vCE(on), podem
variar no tempo.

35
O modelo do transistor em condução pode ser o mesmo utilizado pelo diodo,
mostrado na Figura 21(a) onde o transistor é modelado por uma queda de tensão
constante. O modelo da Figura 21(b) representa o transistor por uma queda de tensão
constante somada à queda proporcionada pela resistência de condução do transistor.
Portanto,
vCE ( on ) (t ) = VCEo (3.29)

Ou
vCE ( on ) (t ) = VCEo + rT i (t ) (3.30)

(a) (b)
Figura 26 – Modelos estáticos para transistor bipolar de potência. (a) Queda de tensão constante;
(b) Queda de tensão em função da corrente.

1.1.1 Exercícios

1. Descreva a estrutura de um transistor bipolar.


2. Desenhe a curva característica de um transistor bipolar de potência e descreva
as regiões que a compõem.
3. O que é a área de operação segura de um transistor bipolar de potência.
Esboçar graficamente.
4. Quais são as curvas que limitam a área de operação segura.
5. Esboçe o modelo estático do transistor que leva em consideração a influência
da corrente de coletor do transistor.
6. Esboçe a característica iC versus vCE durante o processo de entrada em
condução.

36
4 O transistor de efeito de campo de semicondutor
de óxido metálico (MOSFET)

O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (Metal Oxide


Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET) de potência com capacidade
apreciável de condução de corrente e de tensão de bloqueio, ou seja, potencialmente
capaz de ser utilizado em aplicações de Eletrônica de Potência encontra-se disponível
desde o início da década de 80. Este dispositivo tem-se tornado largamente utilizado
como transistor de potência e, de fato tem substituído o transistor bipolar de potência
em muitas aplicações, especialmente naquelas em que grande velocidade de
chaveamento é necessária.
Os MOSFETs operam sob diferentes mecanismos físicos que os transistores
bipolares e uma clara compreensão destas diferenças é essencial para a efetiva utilização
de ambos.
O MOSFET é uma chave de atuação rápida em níveis de potência. Diferentemente
do transistor bipolar, que é controlado por corrente, o MOSFET é um dispositivo
controlado por tensão. A Figura 27 mostra o símbolo que representa o MOSFET. Neste
diagrama pode-se observar a existência de três terminais denominados de dreno (D),
porta (P) e fonte (F). De acordo com esta figura os terminais principais conectados ao
circuito de potência são os terminais dreno e fonte, sendo que a corrente no transistor
flui no sentido dreno-fonte quando uma tensão positiva é aplicada no terminal porta.

Figura 27 – Diagrama do MOSFET de potência.

4.1 Princípio de funcionamento

37
A estrutura básica do MOSFET lateral de baixa potência é mostrada na Figura 28
e é utilizada para ilustrar o mecanismo de funcionamento do MOSFET. As regiões n+ da
fonte (source - S) e do dreno (drain - D) encontram-se difusas ou implantadas num
substrato de silício tipo P relativamente pouco dopado, e uma fina camada de Dióxido
de Silício isola a porta (gate - G), normalmente construída de Alumínio, da superfície
de silício. Nenhuma corrente flui entre as regiões do dreno e da fonte sem que um canal
‘n’ seja formado entre eles, uma vez que ambos têm em seu caminho duas junções pn
opostas e conectadas em série.

Figura 28 – Estrutura do MOSFET lateral.

Quando uma tensão positiva com relação à fonte é aplicada à porta, cargas
positivas são criadas no metal (Alumínio). Em resposta a estas cargas, cargas negativas
são induzidas na região de silício próxima a porta. Isto resulta na formação de uma
região de depleção contendo uma fina camada de elétrons móveis. Pode-se dizer que a
aplicação de uma tensão positiva na porta inverte uma porção do silício tipo P,
formando um canal ‘n’ com baixa resistência aos elétrons. Este canal ‘n’ permite que a
corrente flua livremente entre os terminais do dreno (D) e da fonte (S).
Observa-se que, de acordo com o que foi descrito acima, um importante
parâmetro nos MOSFETs é a tensão limiar definida como VGS(Th). Este parâmetro
corresponde a menor tensão positiva aplicada à porta do MOSFET que é capaz de
induzir um canal ‘n’. Com uma tensão inferior a VGS(Th) aplicada a porta o MOSFET
permanece bloqueado.
Esta estrutura mostrada na Figura 28 é uma estrutura horizontal, ou lateral, que
possui graves limitações associadas com o aumento da área de substrato, o que a torna
economicamente inviável para utilização em grandes correntes. Para aplicações onde

38
níveis de correntes maiores são necessários a estrutura vertical, conhecida como
VDMOS é preferida, Figura 34.

Figura 29 – Estrutura do VDMOS, MOSFET vertical.

Na primeira observação da Figura 29, parece não existir modo algum para que a
corrente circule entre os terminais do dreno e da fonte. Não existe meio para que haja
uma injeção de portadores minoritários na região onde encontra-se o silício tipo P
através do terminal da porta, pois este é isolado da região tipo P. Entretanto, tal como no
MOSFET lateral, a aplicação de uma tensão positiva na porta converter uma porção do
silício abaixo da porta em um canal tipo ‘n’, o qual conecta o terminal da fonte com o
terminal do dreno.
Muitos aspectos da estrutura do MOSFET podem ser observados. Primeiramente,
a fonte é construída por milhões de pequenas áreas com formato de polígonos que estão
conectadas em paralelo e circundadas pela região da porta. A forma geométrica da
região da porta tem influência na resistência de condução do MOSFET. Em segundo
lugar, existe um transistor bipolar npn parasita entre os terminais da fonte e do dreno,
como mostrado na Figura 29. A região tipo P serve como base deste transistor parasita.
Para reduzir a probabilidade deste transistor permanecer em condução, a região P é
curto-circuitada com a região da fonte através da sobreposição destas regiões durante a
fabricação do MOSFET. Como resultado disto, forma-se um diodo parasita conectado
entre os terminais fonte e dreno, conforme mostrado na Figura 29. Este diodo pode ser
muito útil em algumas aplicações como, por exemplo, em fontes de telecomunicação,

39
onde conversores CC-CC isolados do tipo full-bridge são largamente utilizados. Em
terceiro lugar, existe uma sobreposição entre a metalização da porta e a região n-. Esta
sobreposição tem dois propósitos: o primeiro é melhorar a condutividade da região n-
formando uma camada de acumulação e ajudando a minimizar a resistência de
condução; o segundo é manter a curvatura na região de depleção quando o MOSFET
esta bloqueado, evitando que a região de depleção torne-se muito estreita e a capacidade
de bloquear tensões do MOSFET seja reduzida. A Figura 30 mostra estes fenômenos.

(a) (b)
Figura 30 – Fenômenos da estrutura do MOSFET. (a) Camada de acumulação; (b) Camada de
depleção.

4.2 Curva característica

A curva característica do MOSFET é mostrada na Figura 31. Para assegurar uma


queda de tensão dreno-fonte pequena em seu estado de condução, minimizando as
perdas, a tensão aplicada à porta deve possuir um valor elevado, normalmente 15 V.
Este valor de tensão é suficiente para garantir que o transistor opere na região de
resistência constante, onde a corrente de dreno seja limitada acima da corrente de carga
definida pelo circuito. Todavia, a máxima tensão permitida no terminal porta fica em
torno de 20 V. Tensões acima deste valor podem causar danos irreparáveis ao transistor.
O dióxido de silício que isola a porta do corpo do transistor é um isolante com
corrente de fuga praticamente desprezível. Uma vez que a carga da porta é estabelecida,
não existe mais corrente de porta. Portanto, pode-se dizer que o MOSFET apresenta um
ganho muito grande entre a potência do circuito de controle e os terminais do transistor.
A ausência de carga armazenada no interior do dispositivo fornece a possibilidade
de um chaveamento mais rápido do que dos demais transistores. A resistência de

40
condução do MOSFET é uma função do valor da tensão de ruptura direta destes
dispositivos. Assim, os MOSFETs são largamente utilizados para tensões abaixo de
500V, apresentando características incomparavelmente superiores que outros
dispositivos nesta faixa de tensão. Todavia, para tensões mais elevadas, as perdas em
condução dos MOSFETs comprometem o seu desempenho.

(a) (b)

Figura 31 – Característica iD versus vDS do MOSFET de potência. (a) Teórico; (b) MOSFET
IRFP460 (20A/600V).

Em alguns casos o diodo intrínseco torna-se um obstáculo, pois o seu tempo de


recuperação reversa equivale ao tempo de recuperação reversa de um diodo genérico e,
portanto, este diodo deve ser evitado em aplicações como inversores de tensão que
comutem em altas freqüências acima de 10 kHz.
O MOSFET de potência pode ser controlado diretamente de circuitos
microeletrônicos (CMOS). Acima de aproximadamente 100 V as perdas em condução
dos MOSFETs tornam-se maiores do que as perdas de condução dos transistores
bipolares, entretanto, como as perdas em comutação (chaveamento) dos MOSFETs são
muito menores, os MOSFETs ainda apresentam maior eficiência.
O MOSFET tem um coeficiente de temperatura positivo, permitindo com que a
conexão em paralelo destes dispositivos seja relativamente simples.

4.3 Limitações e Área de operação segura

41
O MOSFET apresenta duas tensões que não devem ser excedidas, são elas:
VGS(Max) e BVDSS. A máxima tensão porta-fonte (VGS(Max)) é determinada pelo fato de
que o óxido SiO2 que isola a porta não pode ser quebrado pela aplicação da tensão
positiva na porta. Valores típicos para VGS(Max) ficam em torno de 20 e 30 V. Deve-se
observar que além da fonte de tensão utilizada pelo circuito de acionamento (drive)
cargas estáticas podem provocar surtos de tensão que podem superar o valor de VGS(Max)
vindo a danificar o dispositivo semicondutor. Por outro lado, a máxima tensão dreno-
fonte (BVDSS) é a maior tensão que o MOSFET pode suportar sem que ocorra a sua
ruptura por avalanche da junção pn formada entre a região do dreno e a região P do
MOSFET.
A Área de Operação Segura (SOA) de um MOSFET é mostrada na Figura 32.
Três fatores determinam a SOA do MOSFET: a sua máxima corrente de dreno, ID(Max); a
temperatura de junção, Tj, a qual é governada pela dissipação de potência do
dispositivo; e a tensão máxima suportada pelo dispositivo, BVDSS. Deve-se observar que
o MOSFET não apresenta segunda ruptura como os transistores bipolares de potência.

Figura 32 – Área de Operação Segura do MOSFET de potência.

4.4 Características estáticas

Exceto em altas freqüências, quase toda a potência dissipada em um MOSFET


ocorre quando o dispositivo encontra-se em condução. A potência instantânea dissipada
é dada por,
PMOSFET ( on ) = I 0 2 rDS ( on ) (4.31)

A resistência de condução possui vários componentes, entretanto, para tensões


BVDSS maiores que algumas centenas de volts, a resistência Rd é predominante. Uma

42
estimativa otimista da resistência específica (Ω.cm2) do MOSFET é dada por,
Rd A = 3 ×10 −7 BVDSS (4.32)
Onde A é a área transversal por onde a corrente de dreno (iD) circula.

Figura 33 – Distribuição da resistência de condução do MOSFET de potência.

1.1.2 Características dinâmicas

Os MOSFETs são intrinsecamente mais rápidos do que os transistores bipolares


porque não há excesso de portadores minoritários para ser movidos para dentro e para
fora do dispositivo quando este entra em condução ou em bloqueio. As únicas cargas
que devem ser movidas são as cargas das capacitâncias intrínsecas e da camada de
depleção, as quais são vistas na secção transversal do MOSFET mostrado na Figura 39.
Estas capacitâncias podem ser modeladas pelo circuito equivalente do MOSFET, Figura
40, o qual é válido quando o MOSFET encontra-se em bloqueio ou na região ativa.

43
Figura 34 – Capacitâncias intrínsecas do MOSFET de potência.

A capacitância entre o dreno e a fonte não é incluída no circuito equivalente pois


esta não afeta as características de chaveamento do MOSFET. Todavia, esta
capacitância deve ser considerada para projetos de circuitos de snubber e para o
levantamento das perdas do dispositivo.

(a) (b) (c)

Figura 35 – Circuito equivalente do MOSFET de potência.

A fonte de corrente controlada por tensão iD é definida como,


0, para vGS < vGS (Th )
iD (t ) =  (4.33)
 g m ( vGS − vGS (Th ) ) , para vGS ≥ vGS (Th )
Este método para considerar a corrente de dreno na região ativa é sugerido pelo
fato de que a curva de característica de transferência pode ser aproximadamente linear,
Figura 36.

44
(a) (b)

Figura 36 – Curva característica de transferência do MOSFET de potência. (a) Teórico; (b)


MOSFET IRFP460 (20A/600V).

A inclinação da curva de transferência na região ativa é a própria transcondutância


gm.
O MOSFET entra na região ôhmica quando,
0 < vDS ≤ vGS − vGS (Th ) (4.34)

Em fontes chaveadas onde vGS >> vGS (Th ) , quando o dispositivo esta em condução,

o critério para entrada na região ôhmica pode ser simplificado como,


vDS ≤ vGS (4.35)
Na região ôhmica o modelo da fonte de corrente controlada não é mais válido e o
modelo passa a ser como mostrado na Figura 40(b). Uma resistência rDS(on) é incluída no
modelo para computar as perdas ôhmicas, as quais surgem principalmente na região n-.
Existem perdas ohmicas nas resistências de condução do canal n, mas estas são muito
menores se comparadas às perdas na região n-.
Deve-se observar também que as capacitâncias Cgs e Cgd não são constantes, mas
variam com a tensão através das mesmas. A variação mais significante ocorre com a
capacitância Cgd porque a tensão através desta capacitância, vDS apresenta uma excursão
muito maior do que a tensão aplicada na porta, ou seja, em Cgs.

4.5 Formas de onda de chaveamento

A carga indutiva para o circuito da Figura 37(a) também é modelada como uma
fonte de corrente constante I0 que se encontra em paralelo com o diodo de roda-livre Df.

45
O MOSFET é substituído pelo seu circuito equivalente para região ativa (modelo). A
porta é comandada por uma fonte de tensão VGG em série com uma resistência RG. Para
manter a análise simples, considera-se que o diodo Df é um diodo ideal, ou seja, não
apresenta corrente de recuperação-reversa.
As formas de onda para a entrada em condução do MOSFET são mostradas na
Figura 37(b), onde a tensão da fonte VGG é uma função degrau que varia
instantaneamente seu valor para o instante t = 0.
0, para t < 0
vGG (t ) =  (4.36)
VGG , para t ≥ 0
Considera-se que VGG>>VGS(Th).

(a) (b)
Figura 37 – Formas de onda para entrada em condução do MOSFET de potência.

Durante o tempo de atraso de entrada em condução (td(on)), a tensão vGS cresce de


zero até o valor VGS(Th) devido a corrente que flui através das capacitâncias Cgs e Cgd,
Figura 38(a,b,c). A taxa de crescimento de vGS é praticamente linear, embora vGS faça
parte de uma curva exponencial cuja constante de tempo seja definida por,

46
τ 1 = RG ( Cgs + C gd 1 ) (4.37)

Após alcançar o valor de VGS(Th) a tensão vGS continua a crescer. A corrente no


dreno iD passa a crescer (linearmente) de acordo com a curva característica de
transferência, Figura 36. Portanto, o circuito equivalente da Figura 35(a) é usado, sendo
que o circuito completo e as formas de onda são mostradas na Figura 38(d,e,f). A
tensão dreno-fonte vDS permanece grampeada em Vd enquanto a corrente iD for menor
do que a corrente de carga I0, Figura 38(g,h,i). O tempo necessário para que iD aumente
de zero até o valor de I0 é definido como tempo de subida da corrente, tri. Uma vez que
o MOSFET esteja conduzindo toda a corrente de carga, mas ainda esteja na região ativa,
a tensão vGS é temporariamente grampeada ao valor VGS,Io. Este valor de tensão é o valor
da curva característica de transferência (Figura 36) o qual é necessário para manter
iD=I0. Neste momento toda a corrente da porta flui através de Cgd, isto faz com que a
taxa de decaimento de vDS seja dada por,
d d i
vDS = vdg = G (4.38)
dt dt C gd

Onde,
VGG − VGS , Io
iG = (4.39)
RG
E, portanto,
d V −V
vDS = GG GS , Io (4.40)
dt RG C gd

O decaimento de vDS ocorre em dois intervalos distintos, tfv1 e tfv2. O primeiro


intervalo corresponde à passagem do MOSFET através da região ativa (Figura
38(j,k,l)), onde Cgd= Cgd1. O segundo intervalo corresponde à passagem pela região
ôhmica (Figura 38(m,n,o)), onde o circuito equivalente corresponde ao circuito da
Figura 35(b), e Cgd= Cgd2.
Uma vez que a tensão vDS completou sua queda, a tensão vGS não esta mais
grampeada e continua a crescer exponencialmente até alcançar seu valor final que é
igual a VGG, Figura 38(p,q,r). A constante de tempo é dada por,
τ 2 = RG ( C gs + C gd 2 ) (4.41)

Simultaneamente a corrente na porta decai a zero com a mesma constante de


tempo.
Após a corrente de porta (iG) ter decrescido até zero, o MOSFET encontra-se em

47
condunção, Figura 38(s,t,u).

(a) (b) (c)

(d) (e) (f)

(g) (h) (i)

48
(j) (k) (l)

(m) (n) (o)

(p) (q) (r)

49
(s) (t) (u)

Figura 38 – Etapas para entrada em condução do MOSFET de potência.

O processo de bloqueio do MOSFET envolve a seqüência inversa de eventos que


ocorrem durante a entrada em condução. As formas de onda para o bloqueio são
mostradas na Figura 39.

Figura 39 – Formas de onda para bloqueio do MOSFET de potência.

As formas de onda e os tempos de chaveamento variam e são dependentes do


valor da tensão VGG, a qual pode ser feita negativa para acelerar o processo de bloqueio.

50
Além disto, o valor de RG pode ser feito diferente para entrada em condução e para o
bloqueio.

4.6 Exercícios

1. Desenhe a estrutura de um MOSFET lateral e descreva o funcionamento do


mesmo, antes e após a aplicação de um potencial positivo no terminal porta.
2. O que é tensão limiar VGS(Th) de um MOSFET?
3. Desenhe a estrutura de um MOSFET vertical e localize o transistor e o diodo
parasita presente nesta estrutura. Explique por que deve-se eliminar o
transistor bipolar parasita e onde o diodo parasita pode ser usado.
4. Qual é o propósito da existencia de uma sobreposição entre a metalização da
porta e a região n-.
5. Desenhe a curva característica do MOSFET, definindo as suas regiões.
6. Além da tensão de ruptura (BVDSS) qual outra tensão não deve ser excedida
em um MOSFET de potência.
7. Desenhe a área de operação segura de um MOSFET de potência e descreva a
principal diferença entre esta e a área de operação segura de um transistor
bipolar de potência.
8. A resistência de condução de um MOSFET é função de qual parâmetro
limitador da SOA do MOSFET.
9. Esboçe os circuitos equivalentes do MOSFET e definida as condições para
que os mesmos sejam utilizados.
7. Esboçe as formas de onda do MOSFET durante sua entrada em condução e
explique as etapas que ocorrem durante este processo.
8. Esboçe a característica iD versus vDS durante o processo de entrada em
condução.

51
5 O transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transistor bipolar e o transistor de efeito de campo de óxido metálico


semicondutor (MOSFET) de potência possui características que, de alguma forma, se
complementam. Os transistores bipolares possuem baixa perda em condução, porém
apresentam tempos de chaveamento (comutação) longos, especialmente durante o
bloqueio. Por outro lado, MOSFETs podem ser chaveados mais rapidamente, mas as
suas perdas em condução são maiores, particularmente para dispositivos com
capacidade de tensão de bloqueio de de algumas centenas de volts. Estas observações
levaram os a tentativas de se combinar em estruturas monolíticas (no mesmo substrato)
transistores bipolares e MOSFETs ou ainda, combinar em um único dispositivo as
qualidades de ambos.
Estas tentativas resultaram no desenvolvimento do transistor bipolar de porta
isolada (Insulated Gate Bipolar Transistor - IGBT), o qual tem se tornado o dispositivo
escolhido para a maioria das novas aplicações de eletrônica de potência e também
ganhado espaço onde antigamente outros dispositivos eram utilizados.

5.1 Estrutura básica

A estrutura de um IGBT com canal n é mostrada na Figura 40. Esta estrutura é


muito similar com a estrutura de um MOSFET vertical, Figura 29, sendo que a principal
diferença entre estas estruturas é a presença de uma camada p+ que encontra-se
adjacente ao dreno do IGBT. Esta camada forma uma junção pn (J1), a qual injeta
portadores minoritários na região que corresponde ao dreno do MOSFET vertical que é
intrínseco (incluso) a estrutura do IGBT.
Pode ser observado na Figura 40 que a estrutura do IGBT apresenta um tiristor
parasita. A entrada em condução deste tiristor é indesejável e, vários detalhes estruturais
da geometria do IGBT, principalmente na região p que forma as junções J2 e J3, são
diferentes do que é mostrado na Figura 40 no intuito de minimizar a possibilidade do
disparo do tiristor parasita.

52
Deve-se salientar que a camada n+ localizada entre a região p+ e a região n- não é
essencial para a operação do IGBT. Os IGBTs que apresentam esta camada são
chamados de PT-IGBTs, onde PT significa Punch-Through que pode ser traduzido
como “empurrão”. Os IGBTs que não apresentam a camada n+, por outro lado, são
chamados de NPT-IGBTs, onde NPT significa Non-Punch-Through que pode ser
traduzido como “sem empurrão”. Se a densidade de dopagem e a espessura desta
camada forem escolhidas adequadamente, a presença da camada n+ pode melhorar
significativamente o desempenho de chaveamento do IGBT.

Figura 40 – Estrutura de um IGBT com canal n.

O símbolo de um IGBT de canal n é mostrado na Figura 41. Os sentidos das setas


são válidos para o IGBT de canal n, sendo que estes sentidos são invertidos para o
IGBT de canal p.

(a) (b)

Figura 41 – Símbolo de um IGBT com canal n.

5.2 Curva Características

53
A curva característica de um IGBT de canal n é mostrada na Figura 42(a). No
primeiro quadrante (iD e vDS positivos) as curvas caracterísitcas são qualitativamente
similares àquelas dos transistores bipolares, exceto que o parâmetro de controle é uma
tensão (vGS), ao invés de uma corrente. A característica de um IGBT de canal p é a
mesma exceto que as polaridades de tensão e corrente são invertidas.

(a) (b)

(c) (d)

Figura 42 – Curva característica de um IGBT com canal n. (a) Característica iD x vDS; (b)
Característica de transferência, iD x vGS; (c) Característica iD x vDS e (d) Característica de
transferência, iD x vGS para IGBT da Intersil HGTP12N60B3 (27A/600V).

A junção denominada de J2 (Figura 43 (a)) tem capacidade para bloquear qualquer


tensão direta quando o IGBT encontra-se em bloqueio. A tensão de bloqueio reversa
indicada na curva característica i-v pode ser feita tão grande quanto for a tensão de
bloqueio direta se o dispositivo for fabricado sem a camada n+ (NPT-IGBT). Tal
capacidade de bloqueio de tensão reversa pode ser muito útil em alguns tipos de
circuitos de corrente alternada (CA).

54
A junção denominada de J1 (Figura 43(a)) é a junção de bloqueio reverso.
Entretanto, se a camada n+ estiver presente na estrutura do IGBT (PT-IGBT), a tensão
de bloqueio J1 é reduzida significativamente para algumas dezenas de volts. Assim, o
IGBT não possui mais a capacidade de bloqueio reverso.
A curva característica de transferência do IGBT (Figura 42(b)) é idêntica a curva
característica de transferência do MOSFET.

(a) (b)

Figura 43 – Estrutura de um IGBT com canal n. PT e NPT.

5.3 Princípio de Operação do Dispositivo

Estado de bloqueio: desde que o IGBT é basicamente um MOSFET com uma


camada p a mais, a tensão porta-fonte (vGS) controla o estado do dispositivo. Quando
vGS é menor do que a tensão “limiar de porta” (vGS(Th)), não existe nenhuma camada de
inversão (canal n) para conectar o dreno e a fonte e, portanto, o dispositivo esta
bloqueado. A tensão dreno-fonte positiva esta aplicada sobre a junção J2 e apenas uma
pequena corrente de fuga flui através do dispositivo. Este estado de bloqueio é
essencialmente idêntico ao estado de bloqueio do MOSFET.
Estado de condução: quando a tensão vGS excede a tensão “limiar de porta”
(vGS(Th)), uma camada de inversão (canal n) é formada abaixo da porta do IGBT. Esta
camada de inversão curto-circuita a região n- com a região n+ da fonte, exatamente
como no MOSFET. Uma corrente de elétrons flui através da camada de inversão (canal
n), Figura 43, o que provoca uma injeção substancial de lacunas da região p+ do dreno
na região n-, como indicado na Figura 43. As lacunas injetadas movem-se através da

55
região n- alcançando a região p adjacente a fonte. Assim que as lacunas alcançam a
região p, suas cargas atraem elétrons da metalização da fonte (S) e o excesso de lacunas
é recombinado, formando pares lacuna-elétrons.
Da descrição da operação do IGBT pode-se desenvolver um modelo, ou circuito,
equivalente conforme mostrado na Figura 44. O circuito equivalente modela o IGBT
como uma conexão Darlington entre um transistor pnp e um MOSFET, onde o
MOSFET opera no papel do acionamento do transistor pnp que esta no papel de
transistor principal da configuração. Um outro modelo mais completo é mostrado na
Figura 44 onde dois transistores, um pnp e um npn, fazem parte do modelo. Estes dois
transistores representam com maior exatidão a existência de um tiristor parasita na
estrutura do IGBT.

(a) (b)

Figura 44 – Modelo de um IGBT com canal n. (a) Configuração Darlington; (b) Presença do tiristor
parasita.

5.4 Travamento do IGBT

Causas do travamento: o travamento ocorre quando o transistor npn, mostrado na


Figura 43(b), entra em condução. Este transistor intrínseco pode ser acionado por meio
de uma queda de tensão no sentido lateral na região p adjacente ao terminal da fonte.
Uma vez que este transistor (npn) entra em condução, estando o transistor pnp
previamente no estado de condução, forma-se uma estrutura similar a do modelo de dois
transistores de um tiristor (apresentada na aula 2). Nestas condições a tensão da porta
não mais controla o dispositivo, sendo que esta pode ser removida sem que o dispositivo
seja bloqueado. Este modo de operação indesejável deve ser evitado.
Existem vários passos a serem tomados pelo usuário do IGBT para evitar o seu
travamento, da mesma forma que também existem medidas adotadas pelos fabricantes
para evitar que o travamento ocorra. O usuário deve projetar o circuito onde encontra-se

56
o IGBT de modo que não hajam sobrecorrentes que excedam o valor máximo da
corrente de dreno (ID(Max)) que possam causar o travamento do IGBT. Todavia é
impossível evitar por completo a possibilidade de travamento do IGBT. Outra medida a
ser adotada é a redução da velocidade de bloqueio do IGBT. Isto faz com que ocorra
uma redução da taxa de crescimento da região de depleção em torno da junção J2.
Modificações na geometria e na estrutura do IGBT também fazem parte das medidas
adotadas pelos fabricantes para evitar o travamento.

5.5 Características dinâmicas

Entrada em condução: as formas de onda de um IGBT durante o processo de


entrada em condução são mostradas na Figura 45. Observa-se que há uma semelhança
com as formas de onda do processo de entrada em condução do MOSFET, o que é
esperado, uma vez que o IGBT comporta-se como um MOSFET durante quase todo o
seu processo de entrada em condução. Diferentemente do MOSFET, o intervalo tfv2, é
função de dois fatores principais, a capacitância Cgd e a entrada em condução do
transistor pnp. Este último fator faz com que o intervalo tfv2 seja um pouco mais longo
no IGBT quando comparado ao mesmo intervalo no MOSFET.

Figura 45 – Formas de onda para entrada em condução do IGBT.

57
Bloqueio: as formas de onda de um IGBT durante o processo de bloqueio são
mostradas na Figura 46. Os intervalos td(off) e trv são governados pelo MOSFET
intrinseco e, portanto, as formas de onda são semelhantes a do bloqueio de um
MOSFET para estes dois intervalos. A maior diferença no bloqueio ocorre na queda de
corrente de dreno (ID), a qual apresenta dois intervalos distintos. Um intervalo onde
ocorre uma queda rápida (tfi1) de ID, que corresponde ao bloqueio do MOSFET
intrínseco; e, um intervalo onde a queda mais lenta da corrente ID, tfi2, que corresponde
ao bloqueio do transistor bipolar pnp intrínseco. Neste intervalo a corrente de dreno é
comumente denominada de corrente de cauda.
Os IGBTs do tipo PT-IGBT e os NPT-IGBTs apresentam maneiras distintas para
reduzir este fenômeno da corrente de cauda, onde normalmente os PT-IGBTs
apresentam maior redução do mesmo.

Figura 46 – Formas de onda para bloqueio do IGBT.

5.6 Limitações e Área de operação segura

A corrente máxima de dreno ID(Max) é definida para que o travamento do IGBT


seja evitado.

58
Como no MOSFET também existe uma tensão máxima de porta-fonte VGS(Max).
A máxima tensão dreno-fonte é definida pela máxima tensão suportada pelo
transistor pnp intrínseco.
O IGBT apresenta uma área de operação segura (SOA) robusta. A área para
polarização direta é mostrada na Figura 47(a) e corresponde a FBSOA do MOSFET. A
área de operação segura para polarização reversa RBSOA é diferente da FBSOA e é
mostrada na Figura 47(b).

(a) (b)

Figura 47 – Área de Operação Segura do IGBT. (a) FBSOA; (b) RBSOA.

5.7 Exercícios

1. Explique por que as características do transistor bipolar de potência e do MOSFET


de potência se complementam.
2. Desenhe a estrutura de um IGBT e descreva o funcionamento do mesmo, antes e
após a aplicação de um potencial positivo no terminal porta.
3. O que são IGBTs do tipo Punch-Through (PT-IGBT) ?
4. O que são IGBTs do tipo Non-Punch-Through (NPT-IGBT) ?
5. Como é comportamento quanto a capacidade de bloqueio de tensão reversa dos PT-
IGBTs e dos NPT-IGBTs.
6. Explique o que é travamento do IGBT e por que este fenômeno deve ser evitado.
7. Desenhe as formas de onda de bloqueio de um IGBT e descreva as etapas que
ocorrem durante este processo.
8. Desenhe a curva característica do IGBT e descreva as limitações de operação do
IGBT.

59
6 Capacidade dos Semicondutores de Potência

As características dos dispositivos e as suas capacidades são de suma importância


e estão intimamente relacionadas com as propriedades elétricas e térmicas dos
semicondutores. As propriedades e os aspectos do projeto térmico dos dispositivos
semicondutores são muito semelhantes para todos. Uma abordagem unificada é
utilizada, uma vez que os fabricantes utilizam o conceito do dispositivo semicondutor
ser representado termicamente por uma junção pn virtual. Esta junção é considerada
como fonte de todas as perdas, as quais compreendem perdas durante o estado de
condução e o estado de bloqueio, bem como as perdas de chaveamento (comutação).
Não somente as características de dissipação de potência são similares para todos
os semicondutores, mas também a máxima capacidade elétrica dos mesmos.

6.1 Capacidade máxima geral para dispositivos semicondutores

Os máximos valores permitidos de corrente, tensão e potência dissipada são


definidos como a capacidade máxima de um dispositivo. Estes valores máximos
absolutos são muito importantes e o dispositivo não deve experimentar uma condição de
operação na qual nenhum destes limites seja excedido. Caso contrário, a vida útil do
dispositivo semicondutor é significativamente reduzida. Geralmente, nos piores casos, o
dispositivo pode exceder apenas um dos limites de capacidade num determinado
instante.
A capacidade é muito dependente do material utilizado pelo semicondutor, a
estrutura do semicondutor, o modo e o processo empregado durante a sua fabricação. A
única propriedade inerente nestas características físicas é a dependência da temperatura
e a interação nas propriedades elétricas. Então a capacidade máxima é normalmente
baseada na variação das características elétricas que surgem com as variações criadas.
Devido a esta correlação das propriedades, diferentes capacidades máximas não podem
ser consideradas independentemente. Da mesma forma que, capacidades são fortemente
dependentes das condições do circuito externo onde o dispositivo encontra-se inserido.

60
Capacidade de Tensão: o limite absoluto de tensão é caracterizado por um
aumento agudo na corrente de fuga que precede a ruptura por avalanche da junção
reversamente polarizada. Uma vez que a corrente de fuga aumenta com a temperatura, a
capacidade máxima de tensão deve ser selecionada de forma que não ocorra o aumento
ilimitado de temperatura (thermal runaway).
Capacidade de Corrente direta: o limite de condução de corrente é usualmente
especificado após considerarem-se os seguintes fatores: (i) a corrente na qual a
temperatura da junção não excede o seu limite; (ii) a corrente na qual os contatos e os
terminais internos do dispositivo semicondutor não evaporam; (iii) e, a capacidade de
corrente dos contatos externos do dispositivo.
Capacidade de Elevação de Temperatura: a máxima temperatura permitida na
junção (Tj,Max) é dependente da qualidade do material utilizado no semicondutor e do
tipo da junção. A máxima temperatura permitida na junção também é um compromisso
entre a redução de confiabilidade que surge com a deterioração e a aceleração da vida
útil (Lt) da junção. A relação aproximada entre estes fatores é dada por,
B
log Lt = A + (6.42)
Tj

Onde, A e B são constantes que estão relacionadas com o tipo de dispositivo.


Capacidade de Potência: a potência dissipada em um semicondutor é convertida
em energia térmica a qual produz uma elevação de temperatura. Os principaisl
parâmetros limitadores da máxima potência dissipada (PDMax) são a máxima temperatura
da junção (Tj,Max) e a máxima temperatura do encapsulamento (TC,Max). Estes parâmetros
estão relacionados entre si através da resistência térmica (Rθ) de acordo com,
T j , Max − TC , Max
PDMax = [W ] (6.43)
Rθ ( j −C )

A resistência térmica (Rθ (j-C)) virtual entre a junção e o encapsulamento é o valor


físico que representa a razão da elevação da temperatura por unidade de potência
dissipada. Resistência térmica é uma medida que representa a dificuldade em remover
calor da junção para o encapsulamento. A potência máxima dissipada é normalmente
especificada considerando-se uma temperatura ambiente de 25o C.
A Figura 48 mostra uma perspectiva dos principais semicondutores de potência
em relação a sua potência e a sua freqüência de operação. Observa-se claramente que
aumentando-se a potência a freqüência de operação deve ser reduzida e vice-versa. Para

61
altas potências observa-se a predominância do SCR e outros dispositivos derivados,
como o GTO. Na direção oposta, ou seja, para freqüências elevadas, observa-se a
predominância do MOSFET. Todavia, o IGBT tem aumentado significativamente sua
faixa de aplicação, tanto em altas potências com o aumento da capacidade dos IGBTs,
como em altas freqüências com o aumento da velocidade de chaveamento destes
dispositivos.

Figura 48 – Perspectiva dos semicondutores quanto à potência em função da freqüência.

6.2 Resfriamento de Dispositivos Semicondutores de Potência

As perdas dos semicondutores são dissipadas na forma de calor, o qual deve ser
transferido para fora da junção virtual que representa o dispositivo. A confiabilidade e a
expectativa de vida de qualquer semicondutor esta diretamente relacionada com a
máxima temperatura aplicada na junção. É, portanto, essencial que o projeto térmico
determine com exatidão a máxima temperatura da junção de um semicondutor a partir
das perdas por dissipação.
A expressão básica para transferência de calor em condições de regime
permanente é,
Pd = hA∆T [W ] (6.44)

62
Onde Pd é a razão de transferência de calor (Potência dissipada); h é o coeficiente
de transferência de calor; A é a área envolvida na transferência; e, ∆T é a diferença de
temperatura entre as duas regiões onde ocorre a transferência.
É normalmente mais conveniente se trabalhar em termos de resistência térmica, a
qual é definida como,
∆T
Rθ = [K W ] (6.45)
Pd
A potência média dissipada (Pd) e a máxima temperatura (Tj,Max), juntamente com
a temperatura ambiente (Ta) determinam o projeto do dissipador e estão relacionadas
pela seguinte expressão,
T j ,Max − Ta
Pd = [W ] (6.46)
Rθ ( j − a )

Onde Rθ(j-a) representa a resistência térmica total, desde a junção até o ambiente.
Todavia, o projetista (usuário) esta restrito pelas propriedades térmicas da junção
ao encapsulamento do dispositivo de acordo com,
T j , Max − Tc
Pd 1 = [W ] (6.47)
Rθ ( j −c )

Onde Tc é a temperatura do encapsulamento (case - c) e Rθ(j-c) é a resistência


térmica entre a junção e o encapsulamento.
Uma analogia entre as equações térmicas e a Lei de Ohm é sempre feita no intuito
de se encontrar modelos para o fluxo de calor. Portanto, a diferença de temperatura ∆T
pode ser considerada como uma queda de tensão; a resistência térmica pode ser
considerada como uma resistência elétrica; e, a potência dissipada é análoga a uma fonte
de corrente. O circuito que modela o sistema descrito é mostrado na Figura 49.
A resistência total é dada por,
Rθ ( c − a ) ( Rθ ( c − s ) + Rθ ( s − a ) )
Rθ ( j − a ) = Rθ ( j −c ) + [K W] (6.48)
Rθ ( c − a ) + Rθ ( c − s ) + Rθ ( s − a )

63
Figura 49 – Modelo elétrico do sistema de dissipação de um dispositivo semicondutor.

Como a resistência térmica do encapsulamento para o ambiente é muito maior do


que a resistência térmica do encapsulamento para o dissipador e deste para o ambiente,
o modelo elétrico pode ser simplificado como mostrado na Figura 50.

(a) (b)

Figura 50 – Modelo elétrico simplificado do sistema de dissipação de um dispositivo semicondutor.

A resistência total para o sistema simplificado é dada por,


Rθ ( j − a ) = Rθ ( j −c ) + Rθ ( c − s ) + Rθ ( s − a ) [ K W ] (6.49)

Podemos considerar ainda que as resistências térmicas Rθ(c-s) e Rθ(s-a) são função
do dissipador e portanto podem ser agrupadas numa única resistência térmica.

6.3 Modos de Dissipação de Potência em um Semicondutor

Para tempos de condução longos (>1 µs), o pico de temperatura da junção (Tj,Max)
torna-se muito próximo do seu valor médio. Deste modo o cálculo do valor médio da
temperatura da junção é suficiente e o conceito de resistência térmica é válido.

64
Em algumas aplicações (conversores PWM) a potência dissipada consiste de
pulsos com razão-cíclica inferior, ou próximo a um micro-segundo, o valor de pico da
temperatura, não o valor médio, deve ser considerado como a condição limite para o
cálculo do sistema de resfriamento do semicondutor. A Figura 51 mostra a relação
destas temperaturas e condições. Nestes casos a impedância térmica (Zθ(j-c)) é usada ao
invés da resistência térmica (Rθ(j-c)).
A impedância térmica pode ser relacionada com a resistência térmica como
segue,
Zθ ( j −c ) = r ( t p ) Rθ ( j − c ) [Ω] (6.50)

Onde r(tp) é o fator de normalização obtido através das curvas de impedância


térmica fornecidas pelo fabricante do semicondutor.

Figura 51 – Relação entre pulsos e impedância térmica.

O conceito de impedância térmica é baseado em pulsos retangulares de potência.


Pulsos não retangulares são convertidos de modo a se obter uma energia correspondente
a um pulso retangular com o mesmo pico de potência (Pp) e duração (tp), como
mostrado na Figura 52.

65
Figura 52 – Pulsos retangulares e pulsos equivalentes.

A Figura 59 mostra as curvas de impedância térmica para um dispositivo


semicondutor. Estas curvas são normalizadas com respeito à resistência térmica para
operação em corrente contínua (CC) do dispositivo semicondutor. A curva denominada
de pulso único (single-pulse) mostra o aumento da temperatura da junção por Watt da
potência dissipada como sendo uma função da duração do pulso (tp). Para pulsos
repetidos com razão-cíclica constante (δ), a impedância térmica pode ser determinada a
partir da seguinte expressão,
Z {t p , δ } = δ + (1 − δ ) z{t p } [ K W ] (6.51)

Onde z é o valor da impedância térmica de um único pulso.


A equação que relaciona a impedância térmica e a potência dissipada é dada por,
T j , Max − Tc
Pp = [W ] (6.52)
Z {t p , δ }

(a)

66
(b)

Figura 53 – Curvas características de impedância térmica fornecidas pelos fabricantes. (a) Teórica;
(b) Para IGBT da Intersil HGTP12N60B3 (27A/600V).

A Figura 54 mostra um resumo do comportamento da temperatura da junção com


relação ao pulso que representa as perdas do semicondutor.

67
Figura 54 – Tabela com o comportamento da temperatura da junção em relação ao tipo do pulso
das perdas.

Exemplo 1:
Considerando uma ponte retificadora monofásica GBPC2504 SERIES, do
fabricante FAIRCHILD, tem-se:

68
Existem dois tipos de conexões desta ponte retificadora. O primeiro é denominado
de “Wire Lead Structure”, o que significa que os conectores da ponte possuem terminais
arredondados que são soldados em furos numa placa de circuito impresso. O segundo
tipo de conexão é denominado de “Terminal Location Face to Face”, o que significa que
os conectores da ponte possuem o formato de pequenas chapas com furos centrais. Esse
tipo de conexão é feito com conectores ‘fêmeas’.

(a) (b)

Figura 55 – Tabela com o comportamento da temperatura da junção em relação ao tipo do pulso


das perdas.

Os valores máximos do dispositivo são descritos na tabela abaixo.

Observa-se que estes valores são válidos para temperatura ambiente igual a 25o C
e, para esta temperatura, a tensão reversa máxima suportada pelos diodos da ponte é de
VRRM = 400V; a corrente máxima permitida é de IF(AV) = 25A. Ainda deve-se ressaltar
que surtos de corrente de até 300A podem ser suportados, desde que estes não ocorram
repetidamente e possuam duração menor que 8,3 ms.
As características térmicas são mostradas na tabela a seguir.

69
Observa-se que a máxima potência média dissipada é de PD = 83,3 W e a
resistência térmica do dispositivo, medida desde a junção até os seus terminais é de Rθ(jl)
= 1,5 oC/W.
As características elétricas são dadas pela tabela abaixo.

Das características elétricas mostradas acima podemos observar que a queda de


tensão para uma corrente direta (IF) de 12,5 A é de 1,1 V. Observa-se ainda que para os
outros diodos da mesma série (GBPC12, GBPC15 e GBPC35) a queda de tensão será
maior para os dispositivos com menor capacidade de corrente. Isto é facilmente
justificado, pois todos os dispositivos usam o mesmo encapsulamento. Assim, a área
para dissipar o calor provocado pelas perdas é a mesma, como as perdas são função da
corrente direta (IF), para que o dispositivo com maior capacidade de corrente deve ter
uma queda de tensão menor, a fim de manter as perdas compatíveis ao encapsulamento.
A curva característica deste dispositivo é mostrada abaixo. Pode-se observar que
para toda faixa de corrente a queda de tensão é maior para o GBPC12 e GBPC15,
seguida pela queda de tensão do GBPC25 e queda de tensão do GBPC35.

70
Considerando-se que as perdas totais nos diodos foram calculadas e correspondem
a 25 W, pode-se utilizar a expressão (4.46) para encontrar a resistência térmica.
Assumindo que a temperatura ambiente seja de 25o C, e também que uma diferença de
temperatura ∆T=50o (temperatura de junção igual a 75o), tem-se,
T j , Max − Ta 50
Rθ ( j − a ) = = = 2 [K W ] (6.53)
Pd 25
Da expressão (6.49) tem-se,
Rθ ( j − a ) = Rθ ( j −c ) + Rθ ( dissipador ) [ K W ] (6.54)

E assim,
Rθ ( dissipador ) = Rθ ( j − a ) − Rθ ( j −c ) = 0,5 [ K W ] (6.55)

Considerando o perfil de dissipador HS120120 cuja altura (hhs) e largura (whs)


medem 12 cm cada, pode-se obter o valor da resistência térmica como segue.

Figura 56 – Perfil do dissipador HS120120.

71
A relação entre o comprimento do dissipador e a sua resistência térmica é dada
pelo gráfico abaixo.

Figura 57 – Resistência térmica em função do comprimento para o dissipador HS120120.

Observa-se que as curvas foram obtidas para diferentes valores de diferença de


temperatura ∆T entre a junção e o ambiente. Em outras palavras, considerando que a
temperatura ambiente seja de 25o C, uma diferença de temperatura ∆T=50o corresponde
a uma temperatura de junção igual a 75o C. Adotando estes valores de temperatura pode-
se definir o comprimento do dissipador a partir do valor da resistência térmica
encontrado na expressão acima.
Exemplo 2:
Um tiristor tem com seu dissipador uma resistência térmica de 0,2º C/W em
regime permanente; e para um regime de pulsos de largura de 100 ms um valor de 0,05 º
C/W. Sabendo-se que a temperatura da junção não pode exceder 125º C, que perda de
potência o tiristor pode tolerar para o regime de 100 ms.

Solução:
Passo 1: A partir da expressão Pd = (T j − Ta ) Rθ ( j − a ) [W ] pode-se encontrar a

temperatura da junção em regime permanente.

72
Então, T j = Pd Rθ ( j − a ) + Ta [o C ] . Resolvendo esta expressão,

T j = 300[W ] × 0, 2  o C W  + 30[o C ] = 90[o C ] (6.56)

Passo 2: Com o valor da temperatura da junção para regime permanente pode-se


obter a diferença de temperatura ∆T sofrida pela junção.
∆T = T j , Max − T j = 125 [o C ] − 90[o C ] = 35[o C ] (6.57)

Passo 3: De posse do valor da variação de temperatura pode-se obter o valor


correspondente das perdas associadas a elevação de temperatura ∆T.
∆T 35[o C ]
Pd 2 = = = 700 [W ] (6.58)
Zθ 0, 05  o C W 

Passo 4: A potência total, ou potência máxima dissipável será a soma das perdas
em regime permanente com as perdas associadas a variação de temperatura ∆T.
Portanto,
∆T
Pd , Max = Pd + Pd 2 = 300 [W ] + 700 [W ] = 1000 [W ] (6.59)

Exemplo 3:
Um IGBT de 25A/600V pode ser considerado como tendo uma capacidade
térmica de 0,02 J/oC e uma resistência térmica de 0,625 oC/W em regime permanente.
Considerando-se que a temperatura entre o dissipador e o encapsulamento é de 50 oC,
determine a variação de temperatura da junção para um ciclo de carga de 25A CC com
uma queda de tensão constante do IGBT de 3V.

Solução:
Passo 1: As perdas do IGBT são calculadas como,
Pd = VCE ( on ) I C = 3[V ] × 25 [ A] = 75 [W ] (6.60)

Passo 2: A variação de temperatura resultante das perdas é dada por,


∆T = Pd × Rθ = 75 [W ] × 0, 625  o C W  = 47 o C (6.61)

Passo 3: A temperatura final da junção será a soma da temperatura do


encapsulamento com a variação de temperatura resultante das perdas,
T j = 50  o C  + 47  o C  = 97  o C  (6.62)

73
7 Retificadores Controlados
Para se obter um retificador controlado, também chamado de retificador
controlado por fase, os diodos de um retificador não-controlado devem ser totalmente
ou parcialmente substituídos por tiristores.
Diferentemente do que ocorre com um diodo, o tiristor não conduzirá
automaticamente quando a tensão em seus terminais anodo-catodo for positiva. Desta
forma, ajustando-se o tempo de atraso (retardo) do pulso a ser aplicado no gatilho,
pode-se controlar o valor da tensão média do retificador. Esta técnica é denominada de
controle de fase.
Existem dois grupos de retificadores controlados, os retificadores totalmente
controlados e os retificadores semicontrolados. Em ambos os grupos a corrente de saída
(CC) é sempre unidirecional, entretanto, nos retificadores totalmente controlados a
tensão de saída pode assumir valores tanto positivos como negativos. Por esta razão
estes retificadores também são conhecidos como retificadores dois quadrantes.
Quando a tensão e a corrente de saída são positivas diz-se que a fonte CA entrega
potência para a carga CC e o processo em que iste ocorre é chamado de retificação. Por
outro lado, quando a tensão de saída é negativa diz-se que a carga CC entrega potência
para a fonte CA e o processo em que isto ocorre é denominado de inversão. Portanto, o
retificador totalmente controlado possui um fluxo de potência bidirecional e por este
motivo é definido como conversor, uma vez que pode realizar o processo de retificação
ou de inversão.

1 Conceitos básicos Sobre Retificadores


Controlados
Tal como para os retificadores não-controlados, esta Seção tem por objetivo
mostrar os princípios básicos sobre os retificadores controlados. Para tal são
apresentados circuitos muito simples com pouca utilidade prática uma vez que a tensão
e a corrente destes circuitos apresentam valores de ondulação elevados.

1.1 Carga Resistiva

Considere o circuito da Figura 58(a), com uma fonte de tensão senoidal vs. As
formas de onda na Figura 58(b) mostram que, ao contrário dos retificadores não-
controlados, existe um interválo em que a tensão é positiva sobre o tiristor e o mesmo
encontra-se em bloqueio. Assim pode-se considerar que existem três etapas de operação
do circuito do retificador, a etapa que precede o disparo do tiristor onde há tensão
positiva no tiristor (Figura 58(c)); a etapa de condução (Figura 58(d)); e a etapa onde há
tensão reversa sobre o tiristor (Figura 58(e)).
Neste circuito ambas as tensões (vd) e corrente (id) de carga apresentam um valor
médio positivo.

(a)

(b)

(c) [t0<t<t1] (d) [t1<t<t2] (e) [t2<t]

Figura 58 – Circuito retificador controlado básico com carga resistiva.

Assumindo-se que o tiristor do circuito mostrado na Figura 58(a) é ideal (sem


perdas) tem-se a operação deste circuito como segue. Quando a tensão da fonte vs é

75
positiva (vs >0), o tiristor é polarizado diretamente e pode entrar em condução, Figura
58(c). Quando é aplicada uma corrente no gatilho do tiristor o mesmo entra em
condução Figura 58(d). A partir deste momento a tensão vd é a própria tensão de entrada
vs e a corrente id segue o sinal de tensão. Quando a tensão da fonte vs torna-se negativa
(vs <0), o tiristor é inversamente polarizado e entra em bloqueio, Figura 58(e).
Considerando-se que vs = Vs sen ( ω t ) , o valor médio da tensão de saída (Vd) do

circuito da Figura 58(a) é dado por,


1  α
∫π 0 d (ωt )
π 2π

2π  ∫0 ∫α
Vd = 0 d ( ω t ) + Vs sen ( ω t ) d ( ω t ) + (10.63)

E assim,
Vs 
Vd = − cos (ωt ) ωt =π − − cos (ωt ) ωt =α 
( ) ( ) (10.64)
2π  
Resolvendo a expressão acima tem-se,
Vs
Vd = 1 + cos (α )  (10.65)
2π 
A corrente de saída Id é dada por,
Vs
Id = 1 + cos (α )  (10.66)
2π R 
A Figura 59 mostra a relação entre a tensão de saída (Vd) e o ângulo de atraso (α).
Pode-se observar que o valor da tensão de saída pode ser regulado de zero (α=π) até o
valor máximo (α=0). No gráfico o valor de Vd encontra-se normalizado em função da
tensão de saída de um retificador não controlado, então Vd(norm) é definido como,
Vs
1 + cos (α )  1 + cos α
Vd = 2π =
( ) (10.67)
Vs 2
π

76
Figura 59 – Relação entre a tensão de saída (Vd) e o ângulo de atraso (α
α).

1.2 Carga Indutiva

Considerando-se uma carga indutiva (indutor L em série com o resistor de carga


R), como mostrado na Figura 60(a), tem-se as formas de onda mostradas na Figura
60(b).
Nos instantes que precedem t = 0, a tensão vs é negativa e a corrente através do
circuito é nula. Subseqüente ao instante t = 0, o tiristor torna-se diretamente polarizado,
entretanto o mesmo encontra-se bloqueado. A partir do instante que corrente é aplicada
no gatilho a corrente começa a circular pelo circuito. Neste intervalo o tiristor pode ser
considerado como um curto-circuito, e o circuito equivalente é mostrado na Figura
60(c).
Até o instante t2, a tensão vs > vR e portanto, vL > 0. Nestas condições a corrente id
cresce e o indutor (L) armazena energia. A partir do instante t2, a tensão da fonte de
entrada passa a ser menor do que a tensão no resistor de carga (vs < vR) e assim a tensão
sobre o indutor passa a ser negativa (vL < 0), porém a corrente id ainda é maior que zero
e continua circulando no circuito. Quando a corrente alcança zero (instante t4), o tiristor
reversamente polarizado impede a corrente id de inverter o sentido de condução. A partir
deste momento o tiristor passa a ser um circuito aberto, como mostrado na Figura 60(e).
Considerando-se que vs = Vs sen ( ω t ) e que vd = vs para α < ω t < θ , tem-se que

o valor médio da tensão de saída (Vd) do circuito da Figura 60(a) é dado por,
1  α
0 d (ωt ) + ∫ Vs sen (ωt ) d (ωt ) + ∫ 0 d (ωt ) 
θ 2π
Vd =

2π  ∫0 α θ 
(10.68)

E, portanto,

77
Vs 
Vd = (− cos (ωt ) ωt =θ − − cos (ωt ) ωt =α 
) ( ) (10.69)
2π  
Resolvendo a expressão acima tem-se,
Vs V
Vd =  − cos (θ ) + cos (α )  = s cos (α ) − cos (θ )  (10.70)
2π 2π
Observa-se que a expressão acima é igual a expressão (7.85), repetida aqui por
conveniência Vd (7.85) = Vs cos (α ) − cos ( β )  2π .

(a)

(b)

78
(c) [t0<t<t1] (d) [t1<t<t4] (e) [t4<t]

Figura 60 – Circuito retificador controlado básico com carga indutiva.

A diferença entre (10.70) que define a tensão de saída de um retificador


controlado e a expressão (7.20) que define a tensão de saída de um retificador não
controlado com carga com fonte de tensão interna, é que o ângulo de atraso α para o
retificador controlado é definido pelo circuito de acionamento do tiristor, enquanto que
os ângulos α e β para o retificador não-controlado são funções da relação entre a tensão
alternada de entrada do retificador e a tensão da fonte presente na carga. Em outras
palavras, apesar da semelhança, os ângulos presentes nas expressões são provenientes
de diferentes abordagens.
O ângulo de extinsão da corrente (β) para um retificador não controlado é definido
através da equação transcendental abaixo,
 −β 
 tan (φ ) 
sen ( β − φ ) + sen (φ ) e  
=0 (10.71)

Então conclui-se que o ângulo β é função do ângulo de defasagem (atraso) entre a


tensão e a corrente do circuito definido por φ.
O ângulo φ é obtido através da seguinte expressão,
 ωL 
φ = tan −1   (10.72)
 R 
Outro parâmetro importante do circuito é a impedância da carga, definida como Z,
e determinada como,

Z= (R 2
+ (ω L )
2
) (10.73)

A Figura 61 mostra a variação de Z e de φ em função de R e de L. Observa-se que


a impedância (Z) é proporcional a resistência (R) e a indutância da carga (L). Por outro
lado, o atraso entre a corrente e a tensão (φ) é diretamente proporcional ao valor da
indutância e inversamente proporcional ao valor da resistência. Observa-se que para um
caso extremo com carga totalmente indutiva o ângulo de atraso é φ = π/2 e, para carga
totalmente resistiva o ângulo de atraso é φ = 0.

79
A relação entre o ângulo de extinsão da corrente (β) para um retificador não
controlado é definido na Figura 62.
O ângulo de extinsão da corrente (θ) para um retificador controlado é definido
através da equação transcendental abaixo,
 −θ 
 
 tan (φ ) 
sen (θ − φ ) + sen (φ ) e =0 (10.74)

O ângulo de condução pode ser definido como,


γ = θ − α2 (10.75)

(a)

80
(b)
Figura 61 – Relação entre R e L com o valor da impedância do circuito (Z) e o ângulo de atraso
entre tensão e corrente (φ
φ). (a) Relação entre (Z) e R-L; (b) Relação entre (φ
φ)e R-L.

Figura 62 – Retificador não controlado: relação entre o ângulo de extinsão da corrente e o ângulo
de atraso entre tensão e corrente (φ
φ).

1.3 Carga com Fonte de Tensão Interna

Vamos considerar o circuito onde a carga consiste de um indutor e uma fonte de


tensão constante Ed. Nestas condições o tiristor conduzirá quando o tiristor estiver
diretamente polarizado vs > Ed e com uma corrente de gatilho. Então existe um ângulo
para polarização direta do tiristor (definido como α1); um ângulo de atraso do gatilho
(definido como α2); e um ângulo de extinsão de corrente (definido como β).

(a)

81
(b)

(c) [t0<t<t2] (d) [t2<t<t4] (e) [t4<t]

Figura 63 – Circuito retificador controlado básico com fonte de tensão CC interna.

Considerando-se que vd = vs para α 2 < ω t < β e que vs = Vs sen ( ω t ) tem-se que

o valor médio da tensão de saída (Vd) do circuito da Figura 63(a) é dado por,
1  α2
0 d (ωt ) + ∫ Vs sen (ωt ) d (ωt ) + ∫ 0 d (ωt ) 
β 2π
Vd = ∫
2π  0 α2 β 
(10.76)

E, portanto,
Vs 
Vd =
2π 
( ) ( )
− cos (ωt ) ωt = β − − cos (ωt ) ωt =α 
2 

(10.77)

Resolvendo a expressão acima tem-se,

82
Vs V
Vd =  − cos ( β ) + cos (α )  = s cos (α 2 ) − cos ( β )  (10.78)
2π 2π

Obs.: Encontrar o ângulo de extinsão da corrente e fazer análise de Vd para


diferentes valores de α1 e α2 (gráficos 3D e 2D).

1.4 Carga Indutiva com diodo de retorno (diodo de roda-livre)

Como pode-se observar nas seções anteriores, a carga indutiva faz com que haja
uma redução no valor da tensão de saída (Vd) do retificador e ainda, dependendo da
escolha do ângulo de atraso de disparo (α),a tensão de saída (Vd) pode alcançar valores
negativos. Para os casos em que a tensão na carga deva ser sempre positiva, ou ainda se
necessite valores maiores da tensão de saída, pode-se adicionar um diodo ao circuito da
Figura 60(a) como mostrado na Figura 64(a).
O segundo diodo (Dfw) adicionado em paralelo com a carga (RL) é conhecido
como diodo de retorno ou diodo de roda-livre. Este diodo impede o surgimento de uma
tensão negativa sobre a carga, ou seja, o valor médio da tensão da carga será sempre
maior com o diodo de retorno do que sem o mesmo. Durante o semiciclo positivo da
tensão da fonte Vs, o diodo direto (D1) conduz (diodo de retorno esta reversamente
polarizado, Figura 64(c)) e o circuito opera como o circuito da Figura 65. Durante o
semiciclo negativo da fonte Vs, o diodo de retorno é diretamente polarizado
proporcionando um caminho alternativo para a corrente da carga (id) circular, Figura
64(d). Com Dfw em condução a tensão através da carga (RL) é igual à zero. Portanto o
retificador com diodo de retorno terá uma tensão vd com o mesmo comportamento do
retificador mostrado na Figura 64(a).
Assim, o valor médio da tensão de saída será igual a,
Vs
Vd = 1 + cos (α )  (10.79)
2π 
A corrente de saída Id é dada por,
Vs
Id = 1 + cos (α )  (10.80)
2π R 
Então conclui-se que o diodo de roda-livre proporciona a tensão de saída a mesma
faixa de valores de um retificador controlado com carga resistiva.

83
Para o caso em que a indutância de carga L não é grande o suficiente, a corrente
de carga (id) não se manterá fluindo até o final do período.

(a)

(b)

(c) [t0<t<t1] (d) [t1<t<t2] (e) [t2<t]

Figura 64 – Circuito retificador básico com carga indutiva e diodo de retorno.

1.5 Circuitos Retificadores Controlados de Onda Completa

Tal como os retificadores não controlados de meia onda, um retificador


controlado monofásico de meia-onda não é muito prático devido ao baixo valor da

84
tensão média de saída, da baixa eficiência e do alto fator de ondulação. Essas limitações
são atenuados com o uso de retificadores controlados de onda completa.

A .Retificador Controlado de Onda Completa com Transformador com Terminal


Central e Carga Resistiva

A Figura 65(a) mostra o diagrama do retificador controlado de onda completa


com transformador com terminal central. A fonte de tensão Vs e o resistor de carga R
são iguais ao do retificador de meia-onda. Durante o semiciclo positivo, o tiristor Th1
encontra-se diretamente polarizado. Todavia, existe um intervalo onde o mesmo
permanece bloqueado (Figura 65(c)). A partir do instante em que a tensão Vs alcança o
ângulo de atraso de disparo (α) o tiristor Th1 entra em condução e a corrente de carga
(iR) flui através do mesmo (Figura 65(d)). Durante todo semiciclo positivo o tiristor Th2
esta reversamente polarizado. Durante o semiciclo negativo o tiristor Th1 encontra-se
reversamente polarizado, enquanto que o tiristor Th2 está diretamente polarizado.
Entretanto existe um intervalo em que Th2 permanece bloqueado (Figura 65(e)). A partir
do instante em que a tensão Vs alcança o ângulo (α+π) o tiristor Th2 entra em condução
e a corrente de carga (iR) flui através do mesmo (Figura 65(f)).
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
Vs
Vd =
π
(1 + cos (α ) ) (10.81)

O valor médio da corrente de carga (iR) é dado por,


Vs
I d ( Avg ) =
πR
(1 + cos (α ) ) (10.82)

O valor eficaz da corrente de saída é,

Vs α sen ( 2α )
I d ( RMS ) = 1− + (10.83)
πR π 2π
O valor médio da corrente nos tiristores é
Vs
ITh1,2( Avg ) =
2π R
(1 + cos (α ) ) (10.84)

O circuito mostrado na Figura 66 é a versão em ponte completa do retificador


controlado de onda completa.

85
(a)

(b)

(c) (d)

(e) (f)

86
Figura 65 – Circuito retificador controlado de onda completa com transformador com terminal
central e carga resistiva.

As etapas deste circuito são semelhantes as mostradas na Figura 65(c-f). A


diferença destas topologias consiste no fato do circuito em ponte completa apresentar
dois tiristores em série nas etapas 2 (Figura 66(c)) e 4(Figura 66(e)).

(a)

(b) (c)

(d) (e)

Figura 66 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte com carga resistiva.

Os valores para tensão e corrente de saída são os mesmos do circuito com


transformador de ponto central.

Retificador Controlado de Onda Completa com Transformador com Terminal Central e


Carga Indutiva:
Para um circuito com carga fortemente indutiva onde a ondulação da corrente de
carga é pequena, pode-se considerar a carga como sendo uma fonte de corrente
cosntante. Para este circuito mostrado na Figura 68(a) durante o semiciclo positivo da
fonte de tensão vs, o tiristores Th1 esta polarizado diretamente.

87
(a)

(b)

(c) (d)

(e) (f)

Figura 67 – Circuito retificador controlado de onda completa com transformador com terminal
central.

88
Até o ângulo de disparo (α) ser alcançado o tiristores Th2 permanece em
condução, uma vez que a corrente de carga é contínua (Figura 68(c)). No momento em
que o ângulo de dispáro é atingido, os tiristores Th1 entra em condução e o tiristor Th2
bloqueia instantaneamente (Figura 68(d)). Quando a tensão na fonte se inverter (ângulo
π) o tiristor Th2 é polarizado diretamente, entretanto, até que o ângulo (α + π) seja
alcançado Th1 permanece em condução. A partir do ângulo (α + π) o tiristor Th2 entra em
condução. As formas de onda são mostradas na Figura 68(b).
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
2Vs
Vd = cos (α ) (10.85)
π
A Figura 68(a) mostra as formas de onda para tensão e corrente supondo-se uma
carga fortemente indutiva e ângulo de atraso de disparo nulo (α=0). Durante o semiciclo
positivo da tensão da fonte (vs), o tiristor Th1 fica diretamente polarizado e, como o
atraso de disparo é nulo, o mesmo conduz durante todo semiciclo positivo. De modo
análogo, durante o semiciclo negativo o tiristor Th2 conduz a partir do ângulo π. Deste
modo, a tensão média de saída do retificador controlado (Vd) será igual a de um
retificador não-controlado e, portanto, o conversor esta operando como retificador.
Se o ângulo de disparo aumentar a tensão média de saída será reduzida. Para um
ângulo de atraso de disparo de α=45o (Figura 68(b)) observa-se que a tensão na saída do
retificador passa a assumir valores negativos ( ω t < α ) e ( π < ω t < α + π ). Embora a
tensão vd excursione por valores negativos pode-se observar pelas áreas sombreadas na
Figura 68(b) que o valor médio será positivo, uma vez que o ângulo de condução dos
tiristores ( γ = π − α ) em um semiciclo é maior do que o ângulo de atraso de disparo
(α). Neste caso, o conversor ainda opera como retificador.
Se o ângulo de atraso de disparo aumentar para α=90o os tiristores ainda
conduzirão por meio ciclo da tensão de entrada, todavia a tensão média de saída será
nula pois o ângulo de condução (γ) é igual ao ângulo de atraso (α), fazendo com que as
áreas positivas e negativas sejam idênticas (vide Figura 68(c)). Como a tensão média é
nula não há transferência de potência da fonte CA para a carga CC.
Em resumo, à medida que o ângulo de atraso de disparo aumenta a potência
fornecida para carga diminui chegando a zero para α=90o.

89
Caso o ângulo de atraso de disparo aumentar além de α=90o a corrente na carga
poderá fluir somente se houver uma fonte de tensão negativa no lado CC. Isso ocorre,
por exemplo, em motores CC submetidos a condições regenerativas.
Quando o ângulo de atraso de disparo é de α=135o a tensão média de saída (Vd) é
negativa, como pode-se observar através das áreas sombreadas mostradas na Figura 68
(d). Neste caso a carga CA entrega potência par fonte CC, ou seja, o conversor opera
como inversor.
No caso extremo, o ângulo de atraso de disparo é de α=180o e a tensão média de
saída (Vd) é negativa máxima.

(a) (b)

(c) (d)

90
(e)

Figura 68 – Formas de onda para retificador controlado para diferentes ângulos de atraso de
disparo (α
α).

Retificador Controlado de Onda Completa com Transformador com Terminal Central e


diodo de retorno:
Um diodo de retorno pode ser ligado em paralelo com a carga indutiva (Figura 69
(a)) fazendo com que a tensão de saída não seja invertida e, assim, evitando o processo
de inversão.
As formas de onda deste circuito são mostradas na Figura 69(b).
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
Vs
Vd =
π
(1 + cos (α ) ) (10.86)

(a)

91
(b)

(c) (d)

(e) (f)

Figura 69 – Circuito retificador controlado de onda completa com transformador com terminal
central e diodo de retorno.

Retificador Controlado de Onda Completa em Ponte e Carga Indutiva

Para este circuito mostrado na Figura 70(a) durante o semiciclo positivo da fonte
de tensão vs, os tiristores Th2 e Th3 são polarizados diretamente. A partir do ângilo de
atraso de disparo (α) ambos são disparados e permanecerão em condução até o ângulo

92
(α+π). Durante o semiciclo negativo os tiristores Th1 e Th4 são polarizados
positivamente entrando em condução após o ângulo (α+π) e permanecendo em
condução até o ângulo (α) do período seguinte.
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
2Vs
Vd = cos (α ) (10.87)
π
Observa-se que, tal como para o circuito do retificador de onda completa com
transformador com terminal central, um ângulo de atraso menor do que 90º assegura o
processo de retificação, enquanto que para um ângulo maior do que 90º tem-se o
processo de inversão onde a carga CC entrega potência para a fonte CA.

(a)

(b)

93
(c) (d)

(e) (f)

Figura 70 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte e corrente de carga


constante.

Retificador Controlado de Onda Completa em Ponte com Diodo de Retorno e


Carga Indutiva:
A inclusão de um diodo de retorno (Figura 71) faz com que o circuito do
retificador controlado de onda completa em ponte possua o mesmo comportamento do
circuito do retificador de onda completa com transformador com terminal central e
diodo de retorno. As formas de onda serão idênticas àquelas mostradas na Figura 69(b).
O valor médio da tensão de saída para este retificador é definido como,
Vs
Vd =
π
(1 + cos (α ) ) (10.88)

Figura 71 – Circuito retificador controlado de onda completa em ponte com diodo de retorno.

Retificador Semi-controlados em Ponte:


Os conversores de dois quadrantes (retificadores totalmente controlados) podem
operar com tensões médias na carga (Vd) tanto positivas como negativas. No modo
retificação a potência vai da fonte CA para carga CC; no modo inversão a potência vai

94
da carga CC para a fonte CA. Em diversas aplicações a demanda de potência é sempre
no sentido fonte CA par carga CC. Nestes casos os conversores são operados somente
no modo retificação. Portanto, a metade dos tiristores podem ser substituídos por
simples diodos. Estes diodos podem ser considerados como diodos de retornos pois
sempre que a tensão for invertida na carga estes entram em condução assegurando que a
tensão através da carga nunca assuma valores negativos.
A Figura 72 mostra o circuito e as formas de onda para o retificador
semicontrolado de onda completa em ponte.
A Figura 73 mostra o circuito e as formas de onda para o retificador
semicontrolado de onda completa em ponte e diodo de retorno.

(a)

(b)
Figura 72 – Circuito retificador semicontrolado de onda completa em ponte.

95
(a)

(b)
Figura 73 – Circuito retificador semicontrolado de onda completa em ponte com diodo de retorno.

1.6 Exercícios

1. Como pode-se obter retificadores controlados a partir de retificadores não-


controlados.
2. Descreva os conceitos de retificação e inversão. Responda por que o retificador
totalmente controlado pode ser chamado de inversor.
3. Um retificador controlado de onda completa com carga indutiva é ligado a uma fonte
monofásica de 230V. A porção resistiva da carga é igual a 0,5Ω. Determine o ângulo de
atraso de disparo (α) se a tensão média da carga for de 200V.
4. Um retificador controlado de onda completa com carga indutiva é ligado a uma fonte
de tensão de 120V. A porção resistiva da carga é igual a 10Ω. Se o ângulo de retardo de

96
disparo é de α=30º, determine: (a) a tensão média na carga; (b) a corrente média na
carga; (c) a corrente máxima na carga; (d) a corrente eficaz (RMS) na carga; (e) a
corrente média em cada tiristor; (f) a potência fornecida à carga; (g) a eficiência do
retificador.
5. Desenhe a forma de onda da tensão de saída para um retificador semicontrolado de
onda completa, para os seguintes ângulos: (a) α=0º; (b) α=45º; (c) α=90º.

97
1 Retificadores Controlados Trifásicos
Para se obter um retificador controlado trifásico, deve-se substituir os diodos de
um retificador não-controlado trifásico totalmente ou parcialmente substituídos por
tiristores.

1.1 A. Retificador trifásico em ponte controlado

O circuito de um retificador trifásico em ponte controlado é mostrado na Figura


74. Como no caso dos retificadores não-controlados, os tiristores conectados ao terminal
P (Th1, Th3 e Th5), possuem o catodo comum. Então estes tiristores serão polarizados
diretamente somente quando a tensão da fase conectado ao seu terminal de anodo
possuir maior amplitude em relação ao terminal de neutro do que as demais. Durante
intervalo em que o tiristor estiver polarizado diretamente, o sinal de gailho fará com que
o mesmo entre em condução. De modo análogo, os tiristores (Th2, Th6 e Th4) estão
conectados ao terminal N por seus anodos. Então o tiristor estará polarizado diretamente
somente quando a fase na qual seu catodo encontra-se conectado possuir a maior
amplitude negativa em relação ao terminal de neutro.
Caso o terminal de gatilho dos tiristores for continuamente aplicado, o retificador
terá um comportamente igual ao de um retificador trifásico em ponte não-controlado.
Então, para um ângulo de atraso de disparo nulo (α=0) e, considerando que a fonte não
possui impedância de entrada (Ls=0), tem-se,
3
Vd (α =0 ) = 2 VLinha ( RMS ) (11.89)
π
O efeito do ângulo de atraso pode ser observado através da Figura 75. Observando
em detalhe o intervalo de comutação entre o tiristor Th5 e o tiristor Th1 nota-se que Th5
permanece em condução até o ângulo α, onde a corrente comuta instantaneamente de
Th5 para Th1. Considerando que a área Aα mostrada na Figura 75 é subtraída das formas
de onda tensão de saída do retificador controlado se comparada com as mesmas formas
de onda de tensão de um retificador não-controlado, pode-se definir a tensão de saída
como sendo,
3 Aα
Vd (α >0 ) = 2 VLinha ( RMS ) − (11.90)
π π 3
O valor da área Aα é obtido através da integração da tensão vLinha = vac = van − vcn
no interválo α.

(a)

(b)
Figura 74 – Circuito retificador trifásico em ponte. (a) Diagrama do circuito. (b) Formas de onda
teóricas.

99
Considerando-se que a tensão de linha é definida como
vLinha = vac = 2 VLinha ( RMS ) sen (ωt ) tem-se,
α
Aα = ∫ 2 VLinha ( RMS ) sen (ωt ) d (ωt ) (11.91)
0

Resolvendo a expressão,
Aα = 2 VLinha ( RMS )  − cos (α ) − ( − cos ( 0 ) )  = 2 VLinha ( RMS ) (1 − cos (α ) ) (11.92)

Assim, substituindo o valor da área Aα na definição da tensão de saída do


retificador controlado (expressão 11.110) obtem-se,

3 2 VLinha ( RMS ) (1 − cos (α ) ) 3


Vd (α >0 ) = 2 VLinha ( RMS ) − = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) (11.93)
π π 3 π

Onde VLinha(RMS) é dada por VLinha ( RMS ) = 3Vs ( RMS ) .

Figura 75 – Detalhe da comutação entre tiristores Th5 e Th1.

Observa-se que o controle da tensão Vd é somente função do ângulo de atraso de


disparo α. Isto ocorre pois o ângulo de extinsão da corrente para carga fortemente
indutiva é o próprio ângulo α.
A variação do ângulo de disparo é mostrado na Figura 76.
Observa-se que para valores maiores que 90o do ângulo α a tensão média de saída
será negativa.
Considernado-se que a fonte de entrada possui uma impedância indutiva
representada por Ls,i (onde i = a,b,c) observa-se que a transferência de corrente entre o
tiristor que esta em condução com o tiristor subsequente não ocorre de forma
instantânea. Ao contrário, existe um intervalo denominado de intervalo de comutação
(u), no qual ambos os tiristores conduzem ao mesmo tempo.

100
Figura 76 – Variação da tensão média de saída para variação do ângulo de atraso de disparo α.

101
Utilizando uma abordagem semelhante a do ângulo de atraso para obtenção do
valor da tensão média de saída incluindo o fenômeno da comutação, pode-se dizer que o
intervalo de comutação reduz o valor da tensão de saída por um valor determinado pela
área Au, mostrada na Figura 77.
3 Au
Vd ( Ls > 0) = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) − (11.94)
π π 3
Assim, durante o intervalo de comutação determinado por α < ωt < α + u , tem-se,
VPn = van − vLs ,i (11.95)

d
Onde vLs ,i = Ls ,i ii .
dt
A redução da tensão é dada então por,
α +u
Au = ∫ vLs ,i d ( ωt ) (11.96)
α

Utilizando a definição de vLs,i na expressão (11.96) e, percebendo que a corrente


na fase varia de zero até o valor da corrente de carga (Id) durante o intervalo de
comutação α < ωt < α + u pode-se encontrar,
Id
Au = ω Ls ,i ∫ dia = ω Ls ,i I d (11.97)
0

Então o valor médio da tensão de saída passa a ser determinado como segue,
3 ω Ls ,i I d
Vd ( Ls > 0) = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) − (11.98)
π π 3

Onde VLinha(RMS) é dada por VLinha ( RMS ) = 3Vs ( RMS ) .

Re-arranjando a expressão acima,


3
Vd ( Ls >0 ) =
π
( 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) − ω Ls ,i I d ) (11.99)

Figura 77 – Processo de comutação na presença de Ls.

102
Observa-se que o controle da tensão Vd passa a depender, além do ângulo de
atraso de disparo α, também do valor da indutância Ls e da corrente de carga Id.
Como o ângulo de extinsão da corrente em cada fase depende do ângulo de atraso
de disparo do tiristor, o fator de deslocamento pode ser determinado através da seguinte
expressão,
DPF = cos (φ1 ) = cos (α ) (11.100)

O fator de potência será determinado por,


3
PF = cos (α ) (11.101)
π
As correntes e a representação fasorial da sua componente fundamental é
mostrada na Figura 78 para diferentes ângulos de atraso de disparo α. Observa-se que o
fator de deslocamento aumenta com o aumento de α.

Figura 78 – Corrente de fase em função do ângulo de atraso de disparo α.

103
1.2 Retificador trifásico em ponte controlado com diodo de retorno

Como mostrado na Seção anterior, para carga fortemente indutiva ângulos de


atraso maiores do que π 3 (60º) fazem com que a tensão da carga experiencie tensões
negativas. Em algumas aplicações não é permitido que tensões negativas sejam
aplicadas nos terminais da carga. Nestes casos o ângulo de atraso de disparo α seria
restrito a 0 ≤ α ≤ π 3 e, deste modo, o controle do valor médio da tensão de saída
também fica restringido, uma vez que o valor nulo da tensão da carga é obtido para
α = π 2 . Um modo de se contronar este problema é a inclusão de um diodo de retorno
em paralelo com a carga. Assim, a tensão na carga é sempre positiva e o ângulo de
atraso de disparo (α) pode ser variado de 0 ≤ α ≤ π .
O diagrama do retificador é mostrado na Figura 79(a). Deve-se observar que para
valores de α inferiores a π 3 (60º), o diodo de retorno não conduz e o retificador
comporta-se como um retificador controlado sem diodo de retorno. Portanto o diodo de
retorno somente irá entrar em condução para valoresde α maiores que π 3 (60º), Figura
79(b).
Então a tensão de saída do retificador para carga fortemente indutiva com diodo
de retorno é determinada por,
3 π
 π 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ 3

 3   π  π 2π
Vd =  2 VLinha ( RMS ) 1 + cos  α +   , para <α ≤ (11.102)
 2π   3  3 3
 2π
0, para <α ≤π
 3

Onde VLinha(RMS) é dada por VLinha ( RMS ) = 3Vs ( RMS ) .

(a)

104
(b)
Figura 79 – Circuito retificador trifásico em ponte. (a) Diagrama do circuito. (b) Formas de onda
teóricas.

A característica de controle da tensão de saída normalizada para o retificador


trifásico em ponte completa controlado é mostrada na Figura 80. Onde a tensão de saída
normalizada Vd(n) é definida como,
3
Vd (α ) 2 VLinha ( RMS ) cos (α )
Vd ( n ) = =π = cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ π (11.103)
Vd (α = 0) 3
2 VLinha ( RMS )
π

105
Para o retificador trifásico em ponte completa controlado com diodo de retorno, a
característica de controle da tensão de saída normalizada é mostrada na Figura 80. Onde
a tensão de saída normalizada Vd(n) é definida como,
 π
cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ 3

Vd (α )   π π 2π
Vd ( n ) = = 1 + cos  α +  , para ≤ α ≤ (11.104)
Vd (α = 0)   3 3 3
0

Figura 80 – Característica de saída normalizada para retificador trifásico em ponte. (a) Sem diodo
de retorno; (b) Com diodo de retorno.

1.3 C. Retificador trifásico de meia onda

O circuito de um retificador trifásico de meia onda controlado é mostrado na


Figura 81(a). Estes retificadores também são denominados de retificadores três pulsos
controlados porque a pulsação da tensão de saída é três vezes a freqüência da tensão de
entrada. Como o retificador é controlado, cada tiristor recebe um pulso de disparo
relativo no tempo, à própria tensão de fase. Portanto, os três pulsos de gatilho são
defasados de 120º ( 2π 3 ) entre si e assim estes pulsos resultam no mesmo ângulo de
atraso de disparo para cada tiristor. Deve-se ficar bem claro que o ângulo de atraso de
disparo (α) é medido a partir dos pontos de intersecção, ou cruzamento, das tensões de
fase correspondentes, e não do cruzamento com o zero das formas de onda de tensão. Se

106
cada passagem dos tiristores do estado desligado para ligado for atrasada por um ângulo
(α), os segmentos da forma de onda de tensão de saída também estarão atrasados deste
mesmo ângulo. Todavia, a tensão de saída ainda apresenta a característica dos três
pulsos, Figura 81(b).
O valor médio da tensão de saída Vd é dado por,

3 3
Vd (α ) = 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) (11.105)

Onde VLinha(RMS) é dada por VLinha ( RMS ) = 3Vs ( RMS ) .

A máxima tensão de saída é obtida com α=0, que corresponde a tensão de saída
sintetizada com um retificador não-controlado.

3 3
Vd (α =0 ) = 2 VLinha ( RMS ) (11.106)

No caso em que a carga é fortemente indutiva e a corrente de saída apresenta-se
de forma contínua com baixa ondulação pode-se substituir a carga por uma fonte de
corrente contínua. Nestes casos o ângulo α pode assumir valores de modo que a tensão
média de saída assuma valores negativos.

(a)

107
(b)
Figura 81 – Circuito retificador trifásico de meia-onda (três-pulsos). (a) Diagrama do circuito. (b)
Formas de onda teóricas.
1.4 Retificador trifásico de meia onda com diodo de retorno

O circuito de um retificador trifásico de meia onda controlado com diodo de


retorno é mostrado na Figura 82(a). A inclusão do diodo de retorno impede que cargas
indutivas apresentem tensão negativa através de seus terminais.
Então a tensão de saída do retificador trifásico de meia-onda controlado, para
carga fortemente indutiva com diodo de retorno é determinada por,
 3 π
 2π 2 VLinha ( RMS ) cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ 6

 3   π  π 5π
Vd =  2 VLinha ( RMS ) 1 + cos  α +   , para <α ≤ (11.107)
 2π   3  6 6
 5π
0, para <α ≤π
 6

Onde VLinha(RMS) é dada por VLinha ( RMS ) = 3Vs ( RMS ) .

108
(a)

(b)
Figura 82 – Circuito retificador trifásico de meia-onda (três-pulsos) com diodo de retorno. (a)
Diagrama do circuito. (b) Formas de onda teóricas.

109
Para o retificador trifásico de meia-onda controlado com diodo de retorno, a
característica de controle da tensão de saída normalizada é semelhante as curvas
mostradas na Figura 80. A tensão de saída normalizada para o retificador de meia onda
trifásico é dada por,
3
Vd (α ) 2 VLinha ( RMS ) cos (α )
Vd ( n ) = = 2π = cos (α ) , para 0 ≤ α ≤ π (11.108)
Vd (α =0) 3
2 VLinha ( RMS )

1.5 Retificador trifásico em ponte semi-controlado

O circuito de um retificador trifásico em ponte semi-controlado é mostrado na .


Este circuito pode possuir diodo de retorno ou não.

(a)

(b)
Figura 83 – Circuito retificador trifásico semi-controlado. (a) Diagrama do circuito sem diodo de
retorno. (b) Diagrama do circuito com diodo de retorno.

110

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