1 MOSFET, GTO, IGBT.

MOSFET DE POTENCIA.

Un MOSFET (Transistor de efecto campo metal óxido semiconductor) de potencia es

un dispositivo controlado por voltaje, que requiere sólo de una pequeña corriente de entrada.
La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los
nanosegundos.

Los MOSFET son de dos tipos: los MOSFET de agotamiento y los MOSFET de
enriquecimiento.

Un MOSFET tipo agotamiento de canal “n” se forma en un substrato de silicio de tipo

“p”, como se muestra en la figura 1-a, con dos silicios n+ fuertemente dopados para tener
conexiones de baja resistencia.

Fig. 1-a

La compuerta está aislada del canal mediante una delgada capa de óxido. Las tres
terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente el substrato se
conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente VGS, puede ser positivo o negativo. Si VGS
es negativo, algunos de los electrones del área del canal “n” serán repelidos y se creará una
región de agotamiento por debajo de la capa de óxido, que resultará en un canal efectivo más
angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, RDS. Si VGS se hace suficientemente
negativo, el canal se agotará totalmente, ofreciendo un alto valor RDS, y no habrá flujo de
corriente de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre, el valor de VGS se conoce como
voltaje de estrechamiento, Vp. Por otra parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IDS
aumenta debido a la reducción en RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal “p”, se
invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS como se muestra en la figura 1-b.

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2 MOSFET, GTO, IGBT.

Fig. 1-b

Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal “n”, no tiene un canal físico, tal y como se
observa en la figura 2-a.

Fig. 2-a

Si VGS es positivo, un voltaje inducido atraerá los electrones del substrato p, y los
acumulará en la superficie por debajo de la capa de óxido. Si VGS es mayor o igual a un valor
conocido como voltaje de umbral, VT, se acumulará un número suficiente de electrones para
formar un canal virtual n y la corriente fluirá del drenaje a la fuente. Si se trata de un MOSFET
tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten, tal y como se
muestra en la figura 2-b.

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3 MOSFET, GTO, IGBT.

Fig. 2-b

Características en régimen permanente.

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia
de entrada muy alta. La compuerta utiliza una corriente de fuga muy pequeña, del orden de
los nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de drenaje ID,
y la corriente de entrada de la compuerta IG, es típicamente del orden de 109. Sin embargo, la
ganancia de corriente no es un parámetro de importancia. La transconductancia, que es la
relación de la corriente de drenaje al voltaje de la compuerta, define las características de
transferencia, siendo un parámetro muy importante.

Las características de transferencia de los MOSFET de canal n y de canal p, se muestran

en la figura 3.

Fig. 3

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4 MOSFET, GTO, IGBT.

En la figura 4 se muestran las características de salida de un MOSFET tipo

enriquecimiento de canal n.

Fig. 4

Existen tres regiones de operación.

1) Región de corte. Donde VGS ≤ VT.

2) Región de estrechamiento o de saturación. Donde VDS ≤ VGS – VT.
3) Región lineal. Donde VDS = VGS – VT.

El estrechamiento ocurre en VDS = VGS – VT. En la región lineal, la corriente de drenaje ID

varía en proporción al voltaje drenaje-fuente, VDS. Debido a la alta corriente de drenaje y al
bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de potencia se operan en la región lineal para acciones de
conmutación. En la región de saturación, la corriente de drenaje se conserva prácticamente
constante para cualquier incremento en el valor de VDS, y los transistores se utilizan en esta
región para la amplificación de voltaje. Debe hacerse notar que la saturación tiene el
significado opuesto que en el caso de los transistores bipolares.

El modelo en régimen permanente, que es el mismo tanto para el MOSFET de

agotamiento como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 5.

Fig. 5

La transconductancia gm, se define como:

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5 MOSFET, GTO, IGBT.

La resistencia de salida, ro = RDS se define como:

Esta resistencia es normalmente muy alta en la región de estrechamiento, típicamente

del orden de los megaohms y muy pequeña en la región lineal, típicamente del orden de los
miliohms.

Para los MOSFET tipo agotamiento, el voltaje de compuerta (o de entrada) puede ser
positivo o negativo. Pero los MOSFET tipo enriquecimiento sólo responden a voltajes positivos
de compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente del tipo enriquecimiento. Sin
embargo, los MOSFET tipo agotamiento podrían ser ventajosos y simplificar el diseño lógico en
algunas aplicaciones que requieren de algún tipo de interruptor de ca o cd compatible con la
lógica, y que se mantenga activo cuando el suministro lógico caiga y VGS se haga cero.

Características de conmutación.

Sin señal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse como

dos diodos conectadas espalda con espalda o como un transistor NPN. La estructura de la
compuerta tiene capacitancias parásitas con la fuente, Cgs, y con el drenaje Cgd. El transistor
NPN tiene una unión de polarización inversa del drenaje a la fuente y ofrece una capacitancia
Cds. La figura 6 muestra el circuito equivalente del transistor bipolar parásito, en paralelo con
un MOSFET.

Fig. 6

Modelo del MOSFET tipo enriquecimiento que incluye efectos parásitos.

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6 MOSFET, GTO, IGBT.

La región base-emisor de un transistor NPN se pone en corto circuito en el chip,

metalizando la terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, debido a que la
resistencia del material de las regiones n y p, Rbe, es pequeña. Por lo tanto, un MOSFET se
puede considerar como si tuviera un diodo interno (el circuito equivalente aparece en la figura
6-b). Las capacitancias parásitas dependen de sus voltajes respectivos.

El modelo de conmutación de los MOSFET aparece en la figura 7.

Fig. 7

Modelo de conmutación del MOSFET.

En la figura 8 se muestran las formas de onda y los períodos de tiempo de

conmutación típicos.

Fig. 8

Formas de onda y tiempos de conmutación.

El retraso de la activación td(on) es el tiempo requerido para cargar la resistencia de

entrada al nivel de entrada del umbral. El tiempo de elevación tr es el tiempo de carga de la
compuerta desde el nivel de umbral hasta el voltaje completo de la compuerta VGSP, mismo
que se requiere para excitar el transistor a la región lineal. El tiempo de retraso en la
desactivación td(off) es el tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue
desde el voltaje en sobre-excitación de la compuerta V1 hasta la región de estrechamiento. VGS
debe reducirse en forma significativa antes de que VDS empiece a elevarse. El tiempo de

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7 MOSFET, GTO, IGBT.

abatimiento tf es el tiempo que se requiere para que se descargue la capacitancia de entrada

desde la región de estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS ≤ VT, el transistor se
desactiva.

Excitación de compuerta.

El tiempo de activación de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia

de entrada o de compuerta. El tiempo de activación se puede reducir conectando un circuito
RC, tal y como se muestra en la figura 9, para cargar más aprisa la capacitancia de compuerta.

Fig. 9

Circuito de aceleración de activación de la compuerta.

Cuando se conecta el voltaje de compuerta, la corriente de carga inicial de la

capacitancia es

Y el valor en régimen permanente del voltaje de compuerta es

Donde RS es la resistencia interna de la fuente de excitación de la compuerta.

A fin de obtener velocidades de conmutación del orden de 100 ns o menos, el circuito

de excitación de compuerta debe tener una baja impedancia de salida y la capacidad de
manejar corrientes relativamente grandes. En la figura 10 se muestra una disposición en forma
de poste-tótem, capaz de proveer o absorber una corriente grande. Los transistores PNP y NPN
actúan como seguidores del emisor y ofrecen una impedancia baja de salida. Estos transistores
operan en la región lineal más que en el modo de saturación, minimizando en consecuencia el
tiempo de retraso. La señal de compuerta para el MOSFET de potencia puede generarse por un

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8 MOSFET, GTO, IGBT.

amplificador operacional. La retroalimentación vía el capacitor C regula la velocidad de

elevación y de abatimiento del voltaje de compuerta, controlando así la velocidad y el
abatimiento de la corriente de drenaje del MOSFET. Un diodo a través del capacitor C permite
que el voltaje de compuerta cambie rápidamente en una sola dirección.

Fig. 10

Arreglo en poste-tótem, con formación del flanco del pulso, para la excitación de compuerta.

GTO.

Un GTO (Tiristor de desactivación por compuerta), al igual que un SCR,

puede activarse mediante la aplicación de una señal positiva de compuerta. Sin
embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa de compuerta.
Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son
controlados por la corriente en la compuerta.

Un GTO es un dispositivo de enganche y se puede construir con

especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a
su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. Los
GTO tienen varias ventajas sobre un SCR:

1) La eliminación de los componentes auxiliares en la conmutación forzada, que da

como resultado una reducción de costo, peso y volumen.
2) La reducción del ruido acústico y electromagnético debido a la eliminación de
bobinas de inducción en la conmutación.
3) Una desactivación más rápida, que permite frecuencias de conmutación más altas.
4) Una eficiencia mejorada de los convertidores.

En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los
transistores bipolares:

1) Una más alta capacidad de voltaje de bloqueo.

2) Una relación alta de corriente de pico controlable a corriente promedio.

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3) Una relación alta de corriente de pulsación pico a corriente promedio, típicamente

de 10:1.
4) Una ganancia alta en estado activo (corriente del ánodo dividida entre la corriente
de la compuerta) típicamente 600.
5) Una señal de compuerta pulsada de corta duración.

Bajo condiciones de pulsación de carga, un GTO pasa a una saturación más profunda
debido a la acción regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse de
saturación.

A continuación se muestran el símbolo y el circuito equivalente del GTO.

Fig. 10

A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n+ cerca del ánodo, que forma un
circuito de apagado entre la compuerta y el cátodo, en paralelo con la compuerta de
encendido. El circuito equivalente es similar al del SCR, excepto por su mecanismo de apagado
interno. La activación se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado entre la compuerta
y el cátodo. Para lograr la realimentación interna que lo lleve al estado activo o encendido, el
pulso de corriente entrante debe cumplir las especificaciones dadas por el fabricante, respecto
al gradiente de elevación, corriente máxima y duración de impulso.

El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el cátodo y la

compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de carga
del cátodo, que correspondería al emisor del transistor Q2 (transistor NPN, en el circuito
equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la acción regenerativa. Con
esta acción, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO vuelve al estado desactivado o
no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente de apagado debe cumplir con las
especificaciones dadas por el fabricante.

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10 MOSFET, GTO, IGBT.

Respecto a la corriente de encendido del ánodo, esta debe ser por lo menos del 1% del
pulso de activación, para asegurarse que la compuerta mantenga la retención del estado
activo. Durante el apagado, la corriente de ánodo, tiene una larga “cola residual de apagado”
por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado la carga
residual del ánodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la figura 11-a y 11-b se muestran las
especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como así también la forma
típica de la corriente de ánodo en función del pulso negativo de apagado.

Fig. 11-a

Fig. 11-b

En la siguiente figura (Fig. 12) se muestra el circuito simplificado de apagado del GTO.

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11 MOSFET, GTO, IGBT.

Fig. 12

Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aproximadamente 1/6 *IA),
es común usar un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para
apagarlo. El inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta
circulando por S1, R2, R1 y L. se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al circuito de
compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y R2 se minimizan.

Durante el periodo de apagado, que comienza después que la cola de corriente de

ánodo llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debería permanecer con polarización
inversa, para asegurar la máxima especificación de bloqueo. Esta polarización inversa se puede
obtener ya sea manteniendo cerrado S1, durante el periodo de no conducción, o usando un
circuito de mayor impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje negativo mínimo.

En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede

permanecer en condición de polarización inversa, y el GTO podrá no bloquear la tensión. Para
asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, se debe aplicar una
resistencia mínima de compuerta “RGC” especificada por el fabricante.

Para la condición de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente 6, lo que
requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La caída de voltaje en sus extremos,
es mayor que los SCR, por ejemplo, para un GTO de 1200 V y 550 A, su caída de tensión es de
3,4 V.

En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rápido conectado en antiparalelo,

en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con
modificaciones en la capa interna “n”, se logran GTO asimétricos, en un solo encapsulado.

IGBT.

Un IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislada), combina las ventajas de los BJT y de
los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas
pérdidas de conducción en estado activo, como los BJT. Pero no presentan ningún problema
de ruptura secundaria, como los BJT. Mediante el diseño y la estructura del chip, la resistencia
equivalente drenaje a fuente, RDS, se controla para que se comporte como la de un BJT.

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12 MOSFET, GTO, IGBT.

La sección transversal de silicio de un IGBT aparece en la figura 13-a, y es idéntica a la

de un MOSFET, excepto en el substrato p+.

Fig. 13-a

Sin embargo, el rendimiento o comportamiento de un IGBT es más cercano al de un

BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p+, que es responsable de la inyección de
portadores minoritarios en la región n. En la figura 13-b aparece el circuito equivalente,
mismo que se puede simplificar al de la figura 13-c.

Fig. 13-b y 13-c

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13 MOSFET, GTO, IGBT.

Un IGBT está fabricado con 4 capas alternadas PNPN, y se puede enganchar como un
tiristor, si se da la condición necesaria: (αnpn + αpnp) ˃ 1. La capa intermedia n+ y la amplia base
epitaxial reducen la ganancia de la terminal NPN mediante el diseño interno, evitando, por lo
tanto, el enganche. Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, similar a un MOSFET de
potencia. Tiene menores pérdidas de conmutación y de conducción, en tanto comparte
muchas de las características atractivas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de
excitación de compuerta, la corriente de pico, la capacidad y la resistencia. Un IGBT es
inherentemente más rápido que un BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutación de los IGBT
es inferior a la de los MOSFET.

El símbolo y el circuito de un interruptor IGBT se muestran en la figura 14.

Fig. 14

Las tres terminales son compuerta, colector y emisor, en vez de compuerta, drenaje y
fuente de un MOSFET. Los parámetros y sus símbolos son similares a la de los MOSFET,
excepto en que los suscriptos correspondientes a la fuente y al drenaje se modifican a emisor y
colector, respectivamente. La especificación de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta
400 A, 1200 V, y la frecuencia de conmutación hasta 20 KHz. Los IGBT están encontrando cada
vez más usos en las aplicaciones de potencia media como son los propulsores para motores de
cd y ca, fuentes de alimentación, relevadores de estado sólido y los contactores.

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